KR200169717Y1 - 반도체 제조장비의 파티클 제거장치 - Google Patents

반도체 제조장비의 파티클 제거장치 Download PDF

Info

Publication number
KR200169717Y1
KR200169717Y1 KR2019970017778U KR19970017778U KR200169717Y1 KR 200169717 Y1 KR200169717 Y1 KR 200169717Y1 KR 2019970017778 U KR2019970017778 U KR 2019970017778U KR 19970017778 U KR19970017778 U KR 19970017778U KR 200169717 Y1 KR200169717 Y1 KR 200169717Y1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
particles
pumping line
line
chamber
vacuum chamber
Prior art date
Application number
KR2019970017778U
Other languages
English (en)
Other versions
KR19990004596U (ko
Inventor
홍대원
Original Assignee
김영환
현대반도체주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 김영환, 현대반도체주식회사 filed Critical 김영환
Priority to KR2019970017778U priority Critical patent/KR200169717Y1/ko
Publication of KR19990004596U publication Critical patent/KR19990004596U/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR200169717Y1 publication Critical patent/KR200169717Y1/ko

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08CLEANING
    • B08BCLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B6/00Cleaning by electrostatic means

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)

Abstract

본 고안은 반도체 제조장비의 파티클 제거장치에 관한 것으로, 종래에는 진공챔버에 벤팅라인 및 펌핑라인을 연통시키는 단순구조로 되어 상기 벤팅라인으로 유입되는 가스에 의해 파티클이 챔버의 내부에서 부유하다가 펌핑라인의 개방시 펌핑라인의 입구부로 빨려들어가면서 외부로 배출되는 것이나, 이는 상기 펌핑라인의 개방시 진공펌프내의 파티클이 급격하게 유동하게 되어 그 파티클의 유동중에 새로운 파티클이 발생되면서 웨이퍼가 파손될 우려가 있었던 바, 본 고안에서는 펌핑라인이 개방되기 전에 불활성 가스에 혼재된 파티클을 미리 펌핑라인의 입구측으로 유도하기 위하여 진공챔버의 펌핑라인 입구측에 정전기를 발생시킬 수 있는 정전기 발생수단을 장착함으로써, 상기 펌핑라인으로 파티클이 흡출되는 과정에서 챔버내부에 부유하고 있던 파티클이 갑자기 유동되지 않도록 하여 파티클 제거시 새로운 파티클이 발생되지 않도록 하는 효과가 있다.

Description

반도체 제조장비의 파티클 제거장치
본 고안은 반도체 제조장비의 파티클 제거장치에 관한 것으로, 특히 챔버의 일측에 정전기 발생장치를 장착하여 챔버내 파티클이 용이하게 제거될 수 있도록 한 반도체 제조장비의 파티클 제거장치에 관한 것이다.
최근들어 반도체 칩을 이용하는 각종 기기들이 콤팩트화 되면서 그 기기들에 적용되는 반도체 칩 역시 급속하게 고집적화되어 가고 있는 추세에 있다. 이러한 추세와 함께 반도체 제조공정에서 일반적으로 사용되고 있는 진공챔버는 소정의 공정에서 발생되는 파티클의 제거가 중요한 과제로 인식되고 있다.
도 1은 종래의 파티클 제거장치가 구비된 반도체 제조장비의 일부를 개략적으로 보인 배관도로서 이에 도시된 바와 같이, 웨이퍼(W)가 안착되어 소정의 공정이 실시되는 진공챔버(1)의 일측에는 상기 진공챔버(1)의 내부를 진공상태에서 대기압상태로 변화시키기 위하여 주로 아르곤이나 질소 등의 불활성 가스를 주입시키는 벤팅라인(2)이 연통되고, 그 벤팅라인(2)의 통상 타측에는 소정의 공정중에 발생되어 상기 벤팅라인(2)을 통해 유입된 가스에 의해 진공챔버(1)의 내부에서 부유하게 되는 각종 파티클을 흡출시키기 위한 펌핑라인(3)이 연통되며, 그 펌핑라인의 타측에는 소정용량의 진공펌프(P)가 장착되어 있다.
이와 같은 파티클 제거장치에는 별도의 제어수단이 구비되어 있지 않으며, 단지 펌프(P)의 종류 및 성능에 따라 파티클 제거효율이 좌우되는 것이었다.
도면중 미설명 부호인 2a 및 3a는 각각 밸브이다.
상기와 같은 종래의 파티클 제거장치에 있어서는, 먼저 진공펌프(P)를 동작시켜 챔버(1) 내부를 진공상태로 만든 다음에 상기 진공펌프(P)를 정지시키고 나서 웨이퍼(W)에 대한 소정의 공정을 진행하며, 그 웨이퍼(W)에 대한 소정의 공정을 마친 후에는 상기 벤팅라인(2)의 밸브(2a)을 열고, 그 개방된 벤팅라인(2)을 통해 진공챔버(1)의 내부로 소정량의 불활성 가스를 주입하여 진공상태였던 챔버(1)의 내부를 대기압상태로 전환시켜 각종 파티클이 부유되도록 한 상태에서 상기 진공펌프(P)를 동작시켜 펌핑라인(3)으로 파티클을 빨아내게 되는 것이었다.
그러나, 종래에는 상기와 같이 진공챔버(1)에 벤팅라인(2) 및 펌핑라인(3)을 연통시키는 단순구조로 되어 상기 벤팅라인(2)으로 유입되는 가스에 의해 파티클이 챔버(1)의 내부에서 부유하다가 펌핑라인(3)의 개방시 펌핑라인(3)의 입구부로 빨려들어가면서 외부로 배출되는 것이나, 이는 상기 펌핑라인(3)의 개방시 진공펌프내의 파티클이 급격하게 유동하게 되어 그 파티클의 유동중에 새로운 파티클이 발생되면서 웨이퍼가 파손될 우려가 있었다.
따라서, 본 고안은 상기와 같은 종래 파티클 제거장치가 가지는 제반문제점을 감안하여 안출한 것으로, 상기 펌핑라인으로 파티클이 흡출되는 과정에서 챔버내부에 부유하고 있던 파티클이 갑자기 유동되지 않도록 하여 파티클 제거시 새로운 파티클을 발생시키지 않도록 하는 반도체 제조장비의 파티클 제거장치에 관한 것이다.
도 1은 종래 반도체 제조장비에 있어서, 파티클 제거장치의 일례를 개략적으로 보인 진공챔버의 배관도.
도 2는 본 고안에 의한 파티클 제거장치가 구비된 반도체 제조장비의 일례에 대한 배관도.
도 3은 본 고안에 의한 파티클 제거장치의 개략도.
***도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명***
10 : 진공챔버 11 : 벤팅라인
12 : 펌핑라인 20 : 정전기 발생수단
21 : 정전기 플레이트 22a,22b :(+),(-) 전극봉
이와 같은 본 고안의 목적을 달성하기 위하여, 진공챔버의 일측에 불활성 가스를 주입하기 위한 벤팅라인이 연통되고, 상기 진공챔버의 타측에는 그 불활성 가스에 혼재되는 파티클을 다시 흡출시키기 위한 펌핑라인이 연통되는 것을 포함하여 구성되는 반도체 제조장비에 있어서, 상기 펌핑라인이 개방되기 전에 불활성 가스에 혼재된 파티클을 미리 펌핑라인의 입구측으로 유도하기 위한 정전기 발생수단이 진공챔버 내벽의 펌핑라인 입구측에 장착되는 것을 특징으로 하는 반도체 제조장비의 파티클 제거장치가 제공된다.
이하, 본 고안에 의한 반도체 제조장비의 파티클 제거장치를 첨부도면에 도시된 일실시예에 의거하여 상세하게 설명한다.
도 2는 본 고안에 의한 파티클 제거장치가 구비된 반도체 제조장비의 일례에 대한 배관도이고, 도 3은 본 고안에 의한 파티클 제거장치의 개략도이다.
이에 도시된 바와 같이 본 고안에 의한 파티클 제거장치는, 일측에 불활성 가스를 주입하기 위한 벤팅라인(11)이 연통되는 반면에 타측에는 그 불활성 가스에 혼재되는 파티클을 다시 흡출시키기 위한 펌핑라인(12)이 연통되는 진공챔버(10)에 있어서, 상기 펌핑라인(12)이 개방되기 전에 불활성 가스에 혼재된 파티클을 미리 펌핑라인(12)의 입구측으로 유도하기 위한 정전기 발생수단(20)이 진공챔버(10) 내벽의 펌핑라인(12) 입구측에 장착되어 구성된다.
상기 정전기 발생수단(20)은 진공챔버(10)의 내부에 부착되는 유전체의 정전기 플레이트(21)와, 그 정전기 플레이트(21)에 내장되어 정전기를 발생시키는 (+)전극봉(22a) 및 (-)전극봉(22b)이 서로 교류로 구성되는데, 상기 정전기 플레이트(21)의 재질은 세라믹류인 것이 바람직하다.
도면중 종래와 동일한 부분에 대하여는 동일한 부호를 부여하였다.
도면중 미설명 부호인 11a 및 12a는 각각 밸브, W는 웨이퍼, P는 진공펌프이다.
상기와 같이 구성되는 본 고안에 의한 파티클 제거장치는, 먼저 벤팅라인(11)을 열어 진공챔버(10)의 내부로 소정량의 불활성 가스를 주입하게 되면, 진공상태였던 챔버(10)가 대기압으로 변하면서 각종 파티클이 챔버(10)의 내부에서 부유하게 되는데, 이때 상기 펌핑라인(12)이 개방되기 전에 각 전극봉(22a,22b)에 서로 다른 전극을 인가하여 정전기를 발생시키고, 그 발생된 정전기에 의해 불활성 가스에 혼재되어 있던 파티클이 펌핑라인(12)의 입구측으로 끌려오게하여 정전기 플레이트(21)에 달라붙게 한 다음에 펌핑라인(12)을 개방하게 되면, 그 펌핑라인(12)의 주위에 모여있던 파티클들이 펌핑라인(12)을 통해 챔버(10)의 외부로 배출되게 된다.
다음, 소정의 시간이 경과한 후에 상기 각 전극봉(22a,22b)에 인가되던 전원을 오프시키게 되면, 상기 정전기 플레이트(21)에 달라붙어 있던 남은 파티클이 자중에 의해 플레이트(21)로부터 이탈되려고 하나 이미 챔버(10)의 내부는 진공상태로 상당히 진행된 것은 물론 각 파티클 역시 펌핑라인(12)의 입구측으로 유동되어 있는 상태이므로 새로운 파티클이 발생되지 않게 되는 것이다.
이상에서 설명한 바와 같이 본 고안에 의한 반도체 제조장비의 파티클 제거장치는, 펌핑라인이 개방되기 전에 불활성 가스에 혼재된 파티클을 미리 펌핑라인의 입구측으로 유도하기 위하여 진공챔버의 펌핑라인 입구측에 정전기를 발생시킬 수 있는 정전기 발생수단을 장착함으로써, 상기 펌핑라인으로 파티클이 흡출되는 과정에서 챔버내부에 부유하고 있던 파티클이 갑자기 유동되지 않도록 하여 파티클 제거시 새로운 파티클이 발생되지 않도록 하는 효과가 있다.

Claims (2)

  1. 진공챔버의 일측에 불활성 가스를 주입하기 위한 벤팅라인이 연통되고, 상기 진공챔버의 타측에는 그 불활성 가스에 혼재되는 파티클을 다시 흡출시키기 위한 펌핑라인이 연통되는 것을 포함하여 구성되는 반도체 제조장비에 있어서, 상기 펌핑라인이 개방되기 전에 불활성 가스에 혼재된 파티클을 미리 펌핑라인의 입구측으로 유도하기 위한 정전기 발생수단이 진공챔버의 펌핑라인 입구측에 장착되는 것을 특징으로 하는 반도체 제조장비의 파티클 제거장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 정전기 발생수단은 진공챔버의 내부에 부착되는 유전체의 정전기 플레이트와, 그 정전기 플레이트에 내장되어 정전기를 발생시키는 (+)전극봉 및 (-)전극봉으로 구성됨을 특징으로 하는 반도체 제조장비의 파티클 제거장치.
KR2019970017778U 1997-07-05 1997-07-05 반도체 제조장비의 파티클 제거장치 KR200169717Y1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR2019970017778U KR200169717Y1 (ko) 1997-07-05 1997-07-05 반도체 제조장비의 파티클 제거장치

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR2019970017778U KR200169717Y1 (ko) 1997-07-05 1997-07-05 반도체 제조장비의 파티클 제거장치

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR19990004596U KR19990004596U (ko) 1999-02-05
KR200169717Y1 true KR200169717Y1 (ko) 2000-02-01

Family

ID=19505243

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR2019970017778U KR200169717Y1 (ko) 1997-07-05 1997-07-05 반도체 제조장비의 파티클 제거장치

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR200169717Y1 (ko)

Also Published As

Publication number Publication date
KR19990004596U (ko) 1999-02-05

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR960005831A (ko) 가스첨가, 감소된 챔버 직경 및 감소된 rf 웨이퍼 페데스탈 직경에 의해 개선된 플라즈마 균일성을 가진 플라즈마 반응기
KR100252221B1 (ko) 반도체장치 제조용 습식 식각장치 및 습식 식각장치내의 식각액 순환방법
KR200169717Y1 (ko) 반도체 제조장비의 파티클 제거장치
JPH09186126A (ja) 半導体ウエーハの洗浄装置
KR102506534B1 (ko) 반도체용 캐소드 미세홀 에칭에 따른 수직형 가압 에칭 장치
KR100904462B1 (ko) 기판 처리 설비 및 기판 처리 방법
JP6220183B2 (ja) プラズマエッチング装置
KR100564554B1 (ko) 자기강화 반응성 이온 식각장치
JP2920874B2 (ja) プラズマ反応処理装置
KR100799069B1 (ko) 웨이퍼 식각장치 및 식각방법
CN116666256A (zh) 基板蚀刻处理装置及基板边缘的蚀刻控制方法
KR20060095023A (ko) 리프트핀 어셈블리
JP2008140875A (ja) プラズマ処理装置およびそのクリーニング方法
KR20070071950A (ko) 반도체 소자 제조용 장비
KR20020029824A (ko) 플라즈마를 이용한 반도체 웨이퍼 클리닝 장치
KR100223851B1 (ko) 반도체소자 제조 공정용 폴리실리콘 식각장치
KR100418341B1 (ko) 반도체 웨이퍼 스핀 드라이어
KR100868797B1 (ko) 건식 식각 장치
KR100390519B1 (ko) 반도체 소자 제조용 포토레지스트 디스팬싱장치
KR100223933B1 (ko) 반도체 식각 장치 및 그를 이용한 폴리 실리콘 식각 방법
KR100635709B1 (ko) 반도체 제조설비
KR20030000815A (ko) 버퍼실을 갖는 건식 식각 시스템
KR200146687Y1 (ko) 웨이퍼 식각용 반응챔버의 스테이지 구동용 벨로우즈 이물질부착 방지장치
KR20010019937A (ko) 와류 방지를 위한 화학조
KR20090119144A (ko) 웨이퍼 이면 연마 장치

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E701 Decision to grant or registration of patent right
REGI Registration of establishment
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20051019

Year of fee payment: 7

LAPS Lapse due to unpaid annual fee