KR200169700Y1 - Semiconductor device - Google Patents
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Abstract
본 고안은 반도체 장치에 관한 것으로, 종래의 반도체 장치는 하나의 가스라인의 외부에 위치하는 세 개의 가스라인 테이프 히터중 퍼난스와 인접한 하나의 가스라인 테이프 히터의 온도만을 감지함으로써, 다른 두 가스라인 테이프 히터에 이상이 발생하여 가스가 응결되어도 이를 감지할 수 없어 퍼난스의 내부에서 제조되는 반도체소자에 이상증착이 발생하는 문제점과 아울러 이물이 발생하는 문제점이 있었다. 이와 같은 문제점을 감안한 본 고안은 다수의 가스라인 테이프 히터의 온도값을 측정하고, 그 값을 열전대의 접속에 따라 각 가스라인 테이프 히터의 온도값이 전체 온도값에 영향을 주는 출력값으로 변환한 후, 기준값과 비교하여 가스라인 테이프 히터를 제어함으로써, 다수의 가스라인 테이프 히터중 하나의 가스라인 테이프 히터의 온도값이 다른 경우에 사용자에게 이상이 발생함을 인지시켜 가스의 응결로 인한 이상증착 및 이물의 발생을 방지하는 효과가 있다.The present invention relates to a semiconductor device, and a conventional semiconductor device detects only the temperature of one gas line tape heater adjacent to a furnace of three gas line tape heaters located outside of one gas line, and thus the other two gas line tapes. There is a problem in that abnormal deposition occurs in the semiconductor device manufactured inside the furnace due to an abnormality in the heater and thus gas cannot be detected, and foreign matter is generated. In consideration of such problems, the present invention measures a temperature value of a plurality of gas line tape heaters, and converts the value into an output value in which the temperature value of each gas line tape heater affects the overall temperature value according to the connection of a thermocouple. By controlling the gas line tape heater in comparison with the reference value, if the temperature value of one gas line tape heater among the plurality of gas line tape heaters is different, the user is aware that an abnormality occurs, and thus abnormal deposition due to condensation of the gas and It is effective in preventing the generation of foreign objects.
Description
본 고안은 반도체 장치에 관한 것으로, 특히 퍼난스 등에 사용되는 가스라인의 온도를 일정하게 유지하는 수단인 다수의 가스라인 테이프 히터 각각의 온도를 검출하고 제어하여 가스라인을 일정한 온도로 유지시킴으로써, 반도체 제조공정에서 발생하는 이상증착현상 및 이물발생을 방지하는데 적당하도록 한 반도체 장치에 관한 것이다.The present invention relates to a semiconductor device, and more particularly, by maintaining the gas line at a constant temperature by detecting and controlling the temperature of each of a plurality of gas line tape heaters, which are means for maintaining a constant temperature of a gas line used in a furnace, or the like. The present invention relates to a semiconductor device suitable for preventing abnormal deposition and foreign matter generation in a manufacturing process.
종래의 반도체 장치는 각 가스라인에 세 개의 가스라인 테이프 히터를 사용하여 그 가스라인을 가열하여 가스라인을 통해 퍼난스 등의 공정장비에 유입되는 가스의 응결현상을 방지하였다. 그러나, 세 개의 가스라인 테이프 히터중 퍼난스 등의 공정장비와 가장 근접한 가스라인 테이프 히터의 온도만을 측정하여 그 측정치를 기준으로 전체 가스라인 테이프 히터의 온도를 제어하였으며 이와 같은 종래의 반도체 장치를 첨부한 도면을 참조하여 상세히 설명하면 다음과 같다.The conventional semiconductor device uses three gas line tape heaters in each gas line to heat the gas line to prevent condensation of the gas flowing into the process equipment such as the furnace through the gas line. However, by measuring only the temperature of the gas line tape heater closest to the process equipment, such as the furnace, among the three gas line tape heaters, the temperature of the entire gas line tape heater was controlled based on the measured values. Referring to the drawings in detail as follows.
도1은 종래 반도체 장치의 블록구성도로서, 이에 도시한 바와 같이 소정의 가스를 저장하는 제 1 및 제 2가스저장부(1),(2)와; 상기 제 1 및 제 2가스저장부(1),(2)에 저장된 가스를 퍼난스(11)로 유입하는 제 1 및 제 2가스라인(3),(4)과; 상기 제 1가스라인(3)의 외부에 위치하며 인가되는 전압에 따라 열을 발생하는 제 1 내지 제 3가스라인 테이프 히터(5),(6),(7)와; 상기 제 2가스라인(4)의 외부에 위치하며 인가되는 전압에 따라 열을 발생하는 제 4 내지 제 6가스라인 테이프 히터(8),(9),(10)와; 상기 제 1가스라인(3) 및 제 2가스라인(4)의 외부에 위치하는 가스라인 테이프 히터중 퍼난스(11)와 가장 인접한 제 3가스라인 테이프 히터(7) 및 제 6가스라인 테이프 히터(10)의 온도를 측정하여 설정온도보다 낮은 경우, 각 가스라인 테이프 히터(5~10)에 전원을 인가하는 제 1 및 제 2온도제어부(12),(13)로 구성된다.1 is a block diagram of a conventional semiconductor device, which includes first and second gas storage sections 1 and 2 for storing a predetermined gas as shown therein; First and second gas lines (3) and (4) for introducing gas stored in the first and second gas storage parts (1) and (2) into the furnace 11; First to third gas line tape heaters (5), (6) and (7), which are located outside the first gas line (3) and generate heat according to an applied voltage; Fourth to sixth gas line tape heaters 8, 9, and 10 positioned outside the second gas line 4 and generating heat according to an applied voltage; The third gas line tape heater 7 and the sixth gas line tape heater which are closest to the furnace 11 among the gas line tape heaters located outside the first gas line 3 and the second gas line 4. When the temperature of (10) is measured and lower than the set temperature, each of the gas line tape heaters 5 to 10 is composed of first and second temperature control units 12 and 13.
이하, 상기와 같이 구성된 종래의 반도체 장치의 동작을 설명한다.The operation of the conventional semiconductor device configured as described above will be described below.
먼저, 반도체 소자의 공정을 위해 요구되는 소정의 가스를 저장하는 가스저장부로 부터 사용자의 밸브(도면 미도시)조작으로인해 가스가 제 1 및 제 2가스라인(3),(4)을 통해 퍼난스(11)로 유입된다. 이때 제 1 및 제 2가스라인(3),(4)의 길이가 길게 되면, 액화 가스는 제 1 및 제 2가스라인(3),(4)의 내부에서 응결된다. 상기와 같은 액화 가스의 응결을 방지하기 위해 퍼난스(11)에 가장 인접한 제 3가스라인 테이프 히터(7) 및 제 6가스라인 테이프 히터(10)의 온도를 측정하는 제 1 및 제 2온도제어부(12),(13)은 각 가스라인(3),(4)의 외부에 위치하는 각각의 가스라인 테이프 히터(10)에 전원을 인가한다.First, a gas is pumped through the first and second gas lines 3 and 4 by a user's valve (not shown) operation from a gas storage unit storing a predetermined gas required for a semiconductor device process. It flows into the nonce 11. At this time, when the lengths of the first and second gas lines 3 and 4 become long, the liquefied gas condenses inside the first and second gas lines 3 and 4. First and second temperature controllers for measuring the temperature of the third gas line tape heater 7 and the sixth gas line tape heater 10 closest to the furnace 11 to prevent the condensation of the liquefied gas as described above. 12 and 13 apply power to each of the gas line tape heaters 10 located outside the gas lines 3 and 4. As shown in FIG.
그 다음, 상기 전원을 인가받은 제 1 내지 제 6가스라인 테이프 히터(5~10)는 열을 발생시키고, 그 발생되는 열에 의해 제 1 및 제 2가스라인(3),(4)를 통과하는 가스는 응결되지 않게 된다.Then, the first to sixth gas line tape heaters 5 to 10 to which the power is applied generate heat and pass through the first and second gas lines 3 and 4 by the generated heat. The gas will not condense.
그러나, 상기한 바와 같이 종래의 반도체 장치는 하나의 가스라인의 외부에 위치하는 세 개의 가스라인 테이프 히터중 퍼난스와 인접한 하나의 가스라인 테이프 히터의 온도만을 감지함으로써, 다른 두 가스라인 테이프 히터에 이상이 발생하여 가스가 응결되어도 이를 감지할 수 없어 퍼난스의 내부에서 제조되는 반도체소자에 이상증착이 발생하는 문제점과 아울러 이물이 발생하는 문제점이 있었다.However, as described above, the conventional semiconductor device detects only the temperature of one gas line tape heater adjacent to the furnace of the three gas line tape heaters located outside the one gas line, thereby failing the other two gas line tape heaters. As a result of this, even when the gas is condensed, it cannot be detected, and there are problems in that abnormal deposition occurs in the semiconductor device manufactured inside the furnace and foreign matter occurs.
이와 같은 문제점을 감안한 본 고안은 모든 가스라인 테이프 히터의 온도를 감지하여 하나의 가스라인 테이프 히터라도 이상이 발생하면 공정을 중단하여 반도체소자에 이상증착이 발생함과 이물이 발생함을 방지하는 반도체 장치의 제공에 그 목적이 있다.In consideration of such problems, the present invention senses the temperature of all the gas line tape heaters and stops the process if any one gas line tape heater occurs, thereby preventing abnormal deposition and foreign substances from occurring in the semiconductor device. The purpose is to provide a device.
도1은 종래 반도체 장치의 블록구성도.1 is a block diagram of a conventional semiconductor device.
도2는 본 고안에 의한 반도체 장치의 블록구성도.2 is a block diagram of a semiconductor device according to the present invention;
***도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명****** Description of the symbols for the main parts of the drawings ***
1,2: 제 1, 제 2가스 저장부3,4: 제 1, 제 2가스라인1,2: first and second gas storage units 3,4: first and second gas lines
5~10:제 1 내지 제 6가스라인 테이프 히터5-10: 1st-6th gas line tape heaters
11:퍼난스12,13:제 1, 제 2온도 제어부11: Furnace 12, 13: First and second temperature control unit
14:열전대15:온도감지부14: thermocouple 15: temperature sensing unit
상기와 같은 목적은 열전대를 사용하여 각 가스라인 테이프 히터의 온도를 측정하고 그 평균값을 측정하여 기준온도와 비교한후, 그 결과에 따라 온도제어부를 사용하여 각 가스라인 테이프 히터의 온도를 제어함으로써 달성되는 것으로, 이와 같은 본 고안에 의한 반도체 장치를 첨부한 도면을 참조하여 상세히 설명하면 다음과 같다.The purpose of the above is to measure the temperature of each gas line tape heater using a thermocouple and to measure the average value of the gas line tape heaters and compare them with the reference temperature, and then control the temperature of each gas line tape heater using the temperature control unit according to the result. As a result, the semiconductor device according to the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
도2는 본 고안에 의한 반도체 장치의 블록구성도로서, 이에 도시한 바와 같이 소정의 가스를 저장하는 제 1 및 제 2가스저장부(1),(2)와; 상기 제 1 및 제 2가스저장부(1),(2)에 저장된 가스를 퍼난스(11)로 유입하는 제 1 및 제 2가스라인(3),(4)과; 상기 제 1가스라인(3)의 외부에 위치하며 인가되는 전압에 따라 열을 발생하는 제 1 내지 제 3가스라인 테이프 히터(5),(6),(7)와; 상기 제 2가스라인(4)의 외부에 위치하며 인가되는 전압에 따라 열을 발생하는 제 4 내지 제 6가스라인 테이프 히터(8),(9),(10)와; 상기 제 1 내지 제 6가스라인 테이프 히터(5~10)의 온도값을 입력받아 상호 상쇄시켜 출력하는 열전대(14)와; 상기 열전대(14)의 출력값을 설정값과 비교출력하는 온도감지부(15)와; 상기 온도감지부(15)의 출력신호에 따라 각 가스라인 테이프 히터(5~10)에 전원을 인가하는 제 1 및 제 2온도제어부(12),(13)로 구성된다.FIG. 2 is a block diagram of a semiconductor device according to the present invention, and includes first and second gas storage units 1 and 2 for storing a predetermined gas as shown therein; First and second gas lines (3) and (4) for introducing gas stored in the first and second gas storage parts (1) and (2) into the furnace 11; First to third gas line tape heaters (5), (6) and (7), which are located outside the first gas line (3) and generate heat according to an applied voltage; Fourth to sixth gas line tape heaters 8, 9, and 10 positioned outside the second gas line 4 and generating heat according to an applied voltage; Thermocouples 14 for receiving the temperature values of the first to sixth gas line tape heaters 5 to 10 and mutually canceling each other to output the temperature values; A temperature sensing unit 15 for comparing and outputting the output value of the thermocouple 14 with a set value; The first and second temperature control units 12 and 13 apply power to the gas line tape heaters 5 to 10 according to the output signal of the temperature sensing unit 15.
이하, 상기와 같이 구성된 본 고안 반도체 장치의 동작을 설명한다.Hereinafter, the operation of the inventive semiconductor device configured as described above will be described.
먼저, 반도체 소자의 공정을 위해 요구되는 소정의 가스를 저장하는 가스저장부로 부터 사용자의 밸브(도면 미도시)조작으로인해 가스가 제 1 및 제 2가스라인(3),(4)을 통해 퍼난스(11)로 유입된다. 이때 제 1 및 제 2가스라인(3),(4)의 길이가 길게 되면, 액화 가스는 제 1 및 제 2가스라인(3),(4)의 내부에서 응결된다. 상기와 같은 액화 가스의 응결을 방지하기 위해 상기 제 1 및 제 2가스라인(3),(4)의 외부에 위치하는 제 1 내지 제 6가스라인 테이프 히터(5~10)중 특정한 다섯 개의 가스라인 테이프 히터의 온도를 검출하는 열전대(14)는 그 검출되는 온도에 따른 전압값을 극성의 변화없이 직렬로 연결하는 경우에 각 가스라인 테이프 히터의 온도값은 모두 더해진다. 또한, 상기 전압값의 극성이 변화하도록 직렬로 접속하면 각 가스라인 테이프 히터의 온도값은 상쇄되어 결국 하나의 가스라인 테이프 히터의 온도값이 출력된다. 상기와 같이 극성에 관계없이 다수의 가스라인 테이프 히터중 하나의 값이 이상이 있는 경우, 열전대(14)의 출력값은 변화하게 된다.First, a gas is pumped through the first and second gas lines 3 and 4 by a user's valve (not shown) operation from a gas storage unit storing a predetermined gas required for a semiconductor device process. It flows into the nonce 11. At this time, when the lengths of the first and second gas lines 3 and 4 become long, the liquefied gas condenses inside the first and second gas lines 3 and 4. In order to prevent condensation of the liquefied gas as described above, specific five gases among the first to sixth gas line tape heaters 5 to 10 located outside the first and second gas lines 3 and 4 are provided. When the thermocouple 14 which detects the temperature of a line tape heater connects the voltage value according to the detected temperature in series without a change in polarity, the temperature value of each gas line tape heater is added together. In addition, when connected in series so that the polarity of the voltage value changes, the temperature value of each gas line tape heater is canceled, and eventually the temperature value of one gas line tape heater is output. As described above, when one of the plurality of gas line tape heaters is abnormal regardless of the polarity, the output value of the thermocouple 14 is changed.
그 다음, 상기 열전대(14)의 출력값을 인가받은 온도감지부(15)는 제어신호를 제 1 및 제 2온도제어부(12),(13)에 인가함과 아울러 열전대(14)에서 출력되는 온도에 의한 전압값이 기준값과 다른 경우 알람을 발생한다.Then, the temperature sensing unit 15 receiving the output value of the thermocouple 14 applies a control signal to the first and second temperature control unit 12, 13, and the temperature output from the thermocouple 14 If the voltage value by is different from the standard value, an alarm is triggered.
그 다음, 제 1 및 제 2온도제어부(12),(13)은 각 가스라인(3),(4)의 외부에 위치하는 각각의 가스라인 테이프 히터(10)에 전원을 인가한다.Then, the first and second temperature control units 12 and 13 apply power to each gas line tape heater 10 located outside the respective gas lines 3 and 4.
그 다음, 상기 전원을 인가받은 제 1 내지 제 6가스라인 테이프 히터(5~10)는 열을 발생시키고, 그 발생되는 열에 의해 제 1 및 제 2가스라인(3),(4)를 통과하는 가스는 응결되지 않게 된다.Then, the first to sixth gas line tape heaters 5 to 10 to which the power is applied generate heat and pass through the first and second gas lines 3 and 4 by the generated heat. The gas will not condense.
상기한 바와 같이 본 고안 반도체 장치는 다수의 가스라인 테이프 히터의 온도값을 측정하고, 그 값을 열전대의 접속에 따라 각 가스라인 테이프 히터의 온도값이 전체 온도값에 영향을 주는 출력값으로 변환한 후, 기준값과 비교하여 가스라인 테이프 히터를 제어함으로써, 다수의 가스라인 테이프 히터중 하나의 가스라인 테이프 히터의 온도값이 다른 경우에 사용자에게 이상이 발생함을 인지시켜 가스의 응결로 인한 이상증착 및 이물의 발생을 방지하는 효과가 있다.As described above, the inventive semiconductor device measures a temperature value of a plurality of gas line tape heaters and converts the value into an output value in which the temperature value of each gas line tape heater affects the overall temperature value according to the connection of the thermocouple. After that, by controlling the gas line tape heater in comparison with the reference value, when the temperature value of one gas line tape heater of the plurality of gas line tape heaters is different, the user is aware that an abnormality occurs, thereby causing an abnormal deposition due to condensation of gas. And it is effective to prevent the generation of foreign matter.
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