KR200169689Y1 - Nozzle in a cvd - Google Patents
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Abstract
본 고안은 화학기상증착장치의 노즐에 관한 것으로, 종래 기술에 의한 화학기상증착장치의 노즐은 그 노즐의 노즐판에 설치된 순환라인이 용접고정된 국부적인 부분만을 냉각하게 되므로 증착가스의 온도가 균일하지 못하였고, 또 상기 노즐의 몸체에 충진된 오일에 의하여 냉각되는 노즐은 그 몸체 부분은 냉각할 수 있지만 상기 노즐판의 냉각은 난이하게 되어 상기 증착가스의 온도가 균일하지 못하였다. 이와 같이 균일하지 못한 온도분포에 의하여 상기 증착가스의 조성균일도가 떨어지게 됨과 아울러 상기 반도체 웨이퍼의 증착속도가 저하되고, 또 균일하지 못한 증착 두께가 형성되게 되는 문제점을 초래하였다. 이러한 문제점을 해결하기 위하여 본 고안은 아래 도면에 도시된 바와 같이 증착가스를 공급할 수 있는 공급관(11a)이 형성된 몸체(11b)와, 그 공급관(11a)의 단부에 설치되고 오일이나 가스등을 순환할 수 있는 냉각매체 순환라인(11c)이 형성됨과 아울러 상기 증착가스가 분사되는 노즐구멍(11d)이 형성된 노즐판(11e)을 구비하여 구성된 것을 특징으로 하는 화학기상증착장치의 노즐(11)로서, 반도체 웨이퍼를 증착하는 증착가스가 균일한 온도분포를 형성함과 더불어 균일한 조성을 이루게 되어 상기 반도체 웨이퍼의 증착속도가 향상되고, 또 균일한 증착 두께를 형성할 수 있게 되는 효과가 있게 된다.The present invention relates to a nozzle of a chemical vapor deposition apparatus, the nozzle of the chemical vapor deposition apparatus according to the prior art cools only the localized portion where the circulation line installed in the nozzle plate of the nozzle is welded and fixed, so that the temperature of the deposition gas is uniform. In addition, the nozzle cooled by the oil filled in the body of the nozzle can cool the body portion, but the cooling of the nozzle plate is difficult, the temperature of the deposition gas was not uniform. Such uneven temperature distribution causes the composition uniformity of the deposition gas to be lowered, the deposition rate of the semiconductor wafer is lowered, and a non-uniform deposition thickness is formed. In order to solve this problem, the present invention is installed at the end of the body (11b) having a supply pipe (11a) that can supply the deposition gas, and the supply pipe (11a) as shown in the drawings to circulate oil or gas, etc. The nozzle 11 of the chemical vapor deposition apparatus, characterized in that the cooling medium circulation line (11c) is formed and the nozzle plate (11e) formed with a nozzle hole (11d) for the deposition gas is injected, As the deposition gas for depositing the semiconductor wafer forms a uniform temperature distribution and a uniform composition, the deposition rate of the semiconductor wafer is improved and the uniform deposition thickness can be formed.
Description
본 고안은 화학기상증착장치의 노즐에 관한 것으로, 특히 노즐판에 균일한 온도분포를 갖도록 오일이나 가스의 냉각매체 순환라인을 설치하여 반도체 웨이퍼의 증착속도와 조성 균일도 및 두께의 균일도를 향상할 수 있도록 한 화학기상증착장치의 노즐에 관한 것이다.The present invention relates to a nozzle of a chemical vapor deposition apparatus, and in particular, by installing a cooling medium circulation line of oil or gas so as to have a uniform temperature distribution on a nozzle plate, it is possible to improve the deposition rate, composition uniformity and thickness uniformity of a semiconductor wafer. To a nozzle of a chemical vapor deposition apparatus.
종래 기술에 의한 노즐을 구비한 화학기상증착장치는 상기 도1에 도시된 바와 같이, 소정의 크기를 갖는 밀폐된 챔버(1)가 형성되어 있고, 그 챔버(1)의 내측 하부에는 반도체 웨이피(2)에 일정한 온도를 가함과 아울러 그 반도체 웨이퍼(2)를 고정하는 스테이지(3)가 설치되어 있으며, 상기 챔버(1)의 상부에는 상기 반도체 웨이퍼(2)를 증착할 수 있는 증착가스를 공급하는 노즐(4)이 설치되어 있다.In the conventional chemical vapor deposition apparatus having a nozzle, as shown in FIG. 1, a hermetically sealed chamber 1 having a predetermined size is formed, and a semiconductor wafer is formed at an inner lower portion of the chamber 1. A stage 3 for applying a constant temperature to the substrate 2 and fixing the semiconductor wafer 2 is provided, and a deposition gas capable of depositing the semiconductor wafer 2 is provided on the chamber 1. The nozzle 4 to supply is provided.
상기 노즐(4)은 상기 도2에 도시된 바와 같이, 상기 증착가스가 공급되는 확산된 공급관(4a)이 형성된 몸체(4b)가 있고, 상기 공급관(4a)의 단부에는 다수개의 노즐구멍(4c)이 형성된 노즐판(4d)이 설치되어 있으며, 상기 노즐판(4d)의 상부에는 오일이나 가스를 순환시킬 수 있는 순환라인(4e)이 용접고정되어 있다.As shown in FIG. 2, the nozzle 4 has a body 4b having a diffused supply pipe 4a through which the deposition gas is supplied, and a plurality of nozzle holes 4c at the end of the supply pipe 4a. Is provided with a nozzle plate 4d, and a circulation line 4e for circulating oil or gas is welded to the upper portion of the nozzle plate 4d.
상기와 같이 구성된 노즐(4)은 상기 반도체 웨이퍼(2)를 증착하는 증착가스가 상기 공급관(4a)을 거쳐 상기 노즐판(4d)의 노즐구멍(4c)으로 분사되며, 이때 상기 챔버(1)내의 스테이지(3)로부터 복사된 복사열에 의하여 상기 노즐(4)이 가열되지만, 상기 노즐판(4d)의 상부에 설치된 순환라인(4e)을 통하여 공급되는 오일이나 가스에 의하여 상기 노즐판(4d)이 일정한 온도로 냉각되게 되어 상기 증착가스는 일정한 온도를 유지하게 되는 것이다.In the nozzle 4 configured as described above, the deposition gas for depositing the semiconductor wafer 2 is injected into the nozzle hole 4c of the nozzle plate 4d via the supply pipe 4a, and the chamber 1 The nozzle 4 is heated by radiant heat radiated from the stage 3 in the chamber, but the nozzle plate 4d is provided by oil or gas supplied through a circulation line 4e provided on the nozzle plate 4d. The deposition temperature is cooled to maintain the constant temperature.
그리고, 상기 도3에 도시된 바와 같이 종래 기술에 의한 다른 노즐(4')은, 상기 증착가스가 공급되는 확산된 공급관(4a')이 형성된 몸체(4b')가 있고, 그 몸체(4b')에는 비열이 큰 오일(o)을 충진되어 있으며, 상기 공급관(4a')의 단부에는 다수개의 노즐구멍(4c')이 형성된 노즐판(4d')이 설치되어 있다.As shown in FIG. 3, another nozzle 4 'according to the prior art has a body 4b' formed with a diffused supply pipe 4a 'to which the deposition gas is supplied, and the body 4b'. ) Is filled with a large specific heat oil o, and a nozzle plate 4d 'having a plurality of nozzle holes 4c' is provided at the end of the supply pipe 4a '.
상기와 갈이 구성된 노즐(4')은 상기 반도체 웨이퍼(2)를 증착하는 증착가스가상기 공급관(4a')을 거쳐 상기 노즐판(4d')의 노즐구멍(4c')으로 분사되며, 이때 상기 챔버(1)내의 스테이지(3)로부터 복사된 복사열에 의하여 상기 노즐(4')이 가열되지만, 상기 몸체(4b')에 충진되어 있는 오일(o)에 의하여 상기 노즐(4')은 일정한 온도로 냉각되게 되어 상기 증착가스는 일정한 온도를 유지하게 되는 것이다.In the nozzle 4 ', which is composed of the above, the deposition gas for depositing the semiconductor wafer 2 is injected through the supply pipe 4a' into the nozzle hole 4c 'of the nozzle plate 4d'. The nozzle 4 'is heated by radiant heat radiated from the stage 3 in the chamber 1, but the nozzle 4' is fixed by the oil o filled in the body 4b '. The deposition gas is cooled to a temperature to maintain a constant temperature.
그러나, 상기와 같이 구성된 화학기상증착장치의 노즐에 있어서, 상기 노즐판에 설치된 순환라인은 그 순환라인이 용접고정된 국부적인 부분만을 냉각하게 되므로 상기 증착가스의 온도가 균일하지 못하였고, 또 상기 몸체에 충진된 오일에 의하여 냉각되는 노즐은 그 몸체 부분은 냉각할 수 있지만 상기 노즐판의 냉각은 난이하게 되어 상기 증착가스의 온도가 균일하지 못하였다.However, in the nozzle of the chemical vapor deposition apparatus configured as described above, the circulation line installed in the nozzle plate is cooled only the local part of the circulation line is welded and fixed, the temperature of the deposition gas was not uniform, and The nozzle cooled by the oil filled in the body can cool the body portion, but the cooling of the nozzle plate is difficult and the temperature of the deposition gas is not uniform.
상기와 같이 균일하지 못한 온도분포에 의하여 상기 증착가스의 조성균일도가 떨어지게 됨과 아울러 상기 반도체 웨이퍼의 증착속도가 저하되고, 또 균일하지 못한 증착 두께가 형성되게 되는 문제점을 초래하였다.As a result of the non-uniform temperature distribution, the composition uniformity of the deposition gas is decreased, the deposition rate of the semiconductor wafer is lowered, and a non-uniform deposition thickness is formed.
따라서, 본 고안의 목적은 균일한 냉각을 하여 온도분포가 균일한 증착가스를 공급하므로써, 상기 증착가스의 조성균일도를 향상함과 아울러 상기 반도체 웨이퍼의 증착속도를 향상하고, 또 균일한 증착 두께를 형성할 수 있는 화학기상증착장치의 노즐을 제공함에 있다.Accordingly, an object of the present invention is to provide a deposition gas having a uniform temperature distribution by uniform cooling, thereby improving the composition uniformity of the deposition gas, increasing the deposition rate of the semiconductor wafer, and improving the uniform deposition thickness. In providing a nozzle of a chemical vapor deposition apparatus that can be formed.
도1은 종래 기술에 의한 노즐을 구비한 화학기상증착장치의 구조를 보인 개략도.1 is a schematic view showing the structure of a chemical vapor deposition apparatus having a nozzle according to the prior art.
도2는 종래 기술에 의한 화학기상증착장치의 노즐의 구조를 보인 단면도.Figure 2 is a cross-sectional view showing the structure of the nozzle of the chemical vapor deposition apparatus according to the prior art.
도3은 종래 기술에 의한 화학기상증착장치의 다른 노즐의 구조를 보인 단면도.Figure 3 is a cross-sectional view showing the structure of another nozzle of the chemical vapor deposition apparatus according to the prior art.
도4는 본 고안에 의한 화학기상증착장치의 노줄의 구조를 보인 단면도.Figure 4 is a cross-sectional view showing the structure of the furnace of the chemical vapor deposition apparatus according to the present invention.
도5는 본 고안에 의한 화학기상증착장치의 노즐의 노즐판의 구조를 보인 사시도.Figure 5 is a perspective view showing the structure of the nozzle plate of the nozzle of the chemical vapor deposition apparatus according to the present invention.
도6a는 본 고안에 의한 화학기상증착장치의 다른 노즐의 노즐판의 구조를 보인 단면도.Figure 6a is a cross-sectional view showing the structure of the nozzle plate of another nozzle of the chemical vapor deposition apparatus according to the present invention.
도 6b는 본 고안에 의한 화학기상증착장치의 다른 노즐의 노즐판의 구조를 보인 평면도.Figure 6b is a plan view showing the structure of the nozzle plate of another nozzle of the chemical vapor deposition apparatus according to the present invention.
도7a는 본 고안에 의한 화학기상증착장치의 또 다른 노즐의 구조를 보인 단면도.Figure 7a is a cross-sectional view showing the structure of another nozzle of the chemical vapor deposition apparatus according to the present invention.
도7b는 본 고안에 의한 화학기상증착장치의 또 다른 노즐의 노즐판의 구조를 보인 평면도Figure 7b is a plan view showing the structure of the nozzle plate of another nozzle of the chemical vapor deposition apparatus according to the present invention
* 도면의 주요부분에 부호의 설명* Explanation of symbols in the main part of the drawing
11, 13 : 노즐 11a, 13a : 공급관11, 13: nozzle 11a, 13a: supply pipe
11b, 13b : 몸체 11c, 12d, 13h : 냉각매체 순환라인11b, 13b: Body 11c, 12d, 13h: Cooling medium circulation line
11d, 12b, 13c : 노즐구멍 11e, 12a, 13d : 노즐판11d, 12b, 13c: nozzle hole 11e, 12a, 13d: nozzle plate
11f, 12g, 13e : 공급라인 11g, 12h, 13f : 배출라인11f, 12g, 13e: Supply Line 11g, 12h, 13f: Discharge Line
12c, 13g : 가로막12c, 13g: diaphragm
본 고안의 목적은 증착가스를 공급할 수 있는 공급관이 형성된 몸체와, 상기 몸체의 하단에 결합되며 상기 공급관에 연통 연결되어 상기 증착가스가 분사되는 노즐구멍이 천공됨과 아울러 그 내부에 상기 노즐구멍들 사이를 통과하는 냉각매체 순환라인이 일체로 형성된 노즐판과, 상기 냉각매체 순환라인의 일측에 연통 연결되는 냉각매체 공급라인 및, 상기 냉각매체 순환라인의 타측에 연통 연결되는 냉각매체 배출라인을 구비하여 구성된 것을 특징으로 하는 화학기상증착장치의 노즐에 의하여 달성된다.An object of the present invention is a body formed with a supply pipe for supplying the deposition gas, the nozzle hole is coupled to the lower end of the body and connected to the supply pipe and the deposition gas is injected therein and between the nozzle holes therein It comprises a nozzle plate formed integrally with the cooling medium circulation line passing through, a cooling medium supply line connected to one side of the cooling medium circulation line, and a cooling medium discharge line connected to the other side of the cooling medium circulation line It is achieved by the nozzle of the chemical vapor deposition apparatus, characterized in that configured.
다음은, 본 고안에 의한 화학기상증착장치의 노즐의 바람직한 실시예를 첨부된 도면에 의거하여 상세하게 설명한다.Next, a preferred embodiment of the nozzle of the chemical vapor deposition apparatus according to the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
도4는 본 고안에 의한 화학기상증착장치의 노즐의 구조를 보인 단면도이고, 도5는 본 고안에 의한 화학기상증착장치의 노즐의 노즐판의 구조를 보인 사시도이며, 또 도 6a는 본 고안에 의한 화학기상증착장치의 다른 노즐의 노즐판의 구조를 보인 단면도이고, 도6b는 본 고안에 의한 화학기상증착장치의 다른 노즐의 노즐판의 구조를 보인 평면도이다.Figure 4 is a cross-sectional view showing the structure of the nozzle of the chemical vapor deposition apparatus according to the present invention, Figure 5 is a perspective view showing the structure of the nozzle plate of the nozzle of the chemical vapor deposition apparatus according to the present invention, Figure 6a is a present invention Fig. 6B is a sectional view showing the structure of the nozzle plate of another nozzle of the chemical vapor deposition apparatus according to the present invention, and Fig. 6B is a plan view showing the structure of the nozzle plate of another nozzle of the chemical vapor deposition apparatus according to the present invention.
그리고, 도7a는 본 고안에 의한 화학기상증착장치의 또 다른 노즐의 구조를 보인 단면도이고, 도7b는 본 고안에 의한 화학기상증착장치의 또 다른 노즐의 노즐판의 구조를 보인 평면도이다.And, Figure 7a is a cross-sectional view showing the structure of another nozzle of the chemical vapor deposition apparatus according to the present invention, Figure 7b is a plan view showing the structure of the nozzle plate of another nozzle of the chemical vapor deposition apparatus according to the present invention.
상기 도4에 도시된 바와 같이 본 고안에 의한 화학기상증착장치의 노즐(11)은,상기 반도체 웨이퍼를 증착하는 증착가스가 공급되는 확산된 공급관(11a)이 형성된 몸체(11b)가 있고, 상기 공급관(11a)의 단부에는 냉각할 수 있는 오일이나 가스를 순환시킬 수 있는 냉각매체 순환라인(11c)이 형성되고 상기 증착가스가 분사될 수 있는 다수개의 노즐구멍(11d)이 형성된 노즐판(11e)이 설치되어 있으며, 또 상기 노즐판(11e)에는 상기 냉각매체 순환라인(11c)에 오일이나 가스를 공급하여 순환시킬 수 있도록 상기 몸체(11b)를 관통하여 설치되어 있는 공급라인(11f)과 그 공급라인(11f)을 통하여 공급된 오일이나 가스가 상기 노즐판(11c)의 냉각매세 순환라인(11c)을 순환한 후, 배출될 수 있는 배출라인(11g)이 상기 몸체(11b)를 관통하여 설치되어 있다.As shown in FIG. 4, the nozzle 11 of the chemical vapor deposition apparatus according to the present invention includes a body 11b having a diffused supply pipe 11a supplied with a deposition gas for depositing the semiconductor wafer. At the end of the supply pipe 11a, a cooling medium circulation line 11c capable of circulating coolable oil or gas is formed and a nozzle plate 11e having a plurality of nozzle holes 11d through which the deposition gas can be injected. And a supply line (11f) installed through the body (11b) so that the nozzle plate (11e) is circulated by supplying oil or gas to the cooling medium circulation line (11c); After the oil or gas supplied through the supply line 11f circulates through the cooling medium circulation line 11c of the nozzle plate 11c, a discharge line 11g that can be discharged passes through the body 11b. It is installed.
상기 노즐판(11e)은 상기 도5에 도시된 바와 같이 소정의 두께를 갖는 원판상에 상기 증착가스가 분사될 수 있는 다수개의 노즐구멍(11d)이 형성되어 있고, 상기 노즐구멍(11d)의 사이사이에는 상기 공급라인(11f)을 통하여 공급된 오일이나 가스가 순환할 수 있는 냉각매체 순환라인(11c)이 형성되어 있으며, 그 냉각매체 순환라인(11c)은 상기 노즐구멍(11d)에 대하여 수직으로 형성된 다수개의 순환로(11c')와 그 순환로(11c')와 순환로(11c')를 지그재그로 연결한 연결로(11c")로 구성되어 있다.As shown in FIG. 5, the nozzle plate 11e is formed with a plurality of nozzle holes 11d through which the deposition gas can be injected onto a disc having a predetermined thickness. The cooling medium circulation line 11c through which the oil or gas supplied through the supply line 11f can circulate is formed between the cooling medium circulation lines 11c with respect to the nozzle hole 11d. It consists of a plurality of circulation paths 11c 'formed vertically, and a connection path 11c "zigzagly connecting the circulation path 11c' and the circulation path 11c '.
또, 상기 도6a와 6b에 도시된 바와 같이, 상기 노즐판(12a)은 상기 증착가스가 분사될 수 있는 다수개의 노즐구멍(12b)과 상기 노즐판(12a)을 냉각하기 위한 오일이나 가스를 지그자그로 순환시켜 상기 노즐판(12a)을 전체적으로 냉각할 수 있도록 가로막(12c)이 설치되어 형성된 냉각매체 순환라인(12d)을 갖는 하부노즐판(12e)과, 상기 하부노즐판(12e)의 상부에 결합되는 상부노즐판(12f)으로 구성되어 있고, 상기 상부노즐판(12f)에는 상기 노즐판(12a)을 냉각할 수 있는 오일이나 가스를 공급할 수 있는 공급라인(12g)과 그 공급라인(12g)을 통하여 공급된 오일이나 가스가 배출되는 배출라인(12h)이 설치되어 있다.6A and 6B, the nozzle plate 12a uses a plurality of nozzle holes 12b through which the deposition gas can be injected and oil or gas for cooling the nozzle plate 12a. A lower nozzle plate 12e having a cooling medium circulation line 12d formed by a diaphragm 12c so as to cool the nozzle plate 12a as a whole by zigzag and the lower nozzle plate 12e. It is composed of an upper nozzle plate (12f) coupled to the upper portion, the supply line (12g) and the supply line for supplying oil or gas for cooling the nozzle plate (12a) to the upper nozzle plate (12f) A discharge line 12h through which oil or gas supplied through 12g is discharged is provided.
상기와 같이 구성된 화학기상증착장치의 노즐(11)은 상기 몸체(11b)에 형성된 공급관(11a)을 통하여 상기 증착가스가 공급되고, 그 공급관(11a)의 단부에 설치된 상기 노즐판(11e, 12a)의 노즐구멍(11d, 12b)을 통하여 상기 증착가스가 분사되게 된다.The nozzle 11 of the chemical vapor deposition apparatus configured as described above is supplied with the deposition gas through a supply pipe 11a formed in the body 11b, and the nozzle plates 11e and 12a provided at the end of the supply pipe 11a. The deposition gas is injected through the nozzle holes 11d and 12b of the?
이때, 상기 반도체 웨이퍼를 고정하는 스테이지에서 발생하는 복사열에 의하여 상기 노즐판(11e, 12a)이 가열되게 되면, 상기 노즐판(11e, 12a)에 설치된 공급라인(11f, 12g)을 통하여 상기 순환로(11c')와 연결로(11c") 또는 가로막(12c)에 의하여 형성된 냉각매체 순환라인(11c, 12d)에 상기 노즐판(11e, 12a)을 냉각할 수 있는 오일이나 가스가 순환되이 상기 배출라인(11g, 12h)으로 배출되므로써, 상기 노즐판(11e, 12a)이 전체적으로 균일하게 냉각되게 되어 상기 증착가스가 균일한 온도분포를 형성함과 아울러 균일한 조성으로 상기 노즐구멍(11d, 12b)으로 분사되게 되는 것이다.At this time, when the nozzle plates 11e and 12a are heated by radiant heat generated at the stage of fixing the semiconductor wafer, the circulation paths are provided through supply lines 11f and 12g provided in the nozzle plates 11e and 12a. 11c ') and an oil or gas for cooling the nozzle plates 11e and 12a is circulated through the cooling medium circulation lines 11c and 12d formed by the connection path 11c "or the diaphragm 12c. By discharging to 11g and 12h, the nozzle plates 11e and 12a are uniformly cooled as a whole to form a uniform temperature distribution and to the nozzle holes 11d and 12b with a uniform composition. To be injected.
그리고, 상기 도 7a와 7b에 도시된 바와 같이 본 고안에 의한 화학기상증작장치의 또 다른 노즐(13)은 반도체 웨이퍼에 증착할 증착가스가 공급되는 확산된 공급관(13a)이 형성된 몸체(13b)가 있고, 그 몸체(13b)의 공급관(13a)의 단부에는 상기 증착가스가 분사될 수 있도록 다수개의 노즐구멍(13c)이 형성된 노즐판(13d)이 설치되어 있으며, 또 상기 노즐판(13d)의 중심부에는 그 노즐판(13d)을 냉각할 수 있는 오일이나 가스를 공급할 수 있는 공급라인(13e)이 상기 공급관(13a)을 가로질러 설치되어 있고, 상기 노즐판(13d)의 가장자리에는 상기 공급라인(13e)을 통하여 공급된 오일이나 가스가 배출되는 배출라인(13f)이 상기 몸체(13b)를 가로질러 설치되어 있다.As shown in FIGS. 7A and 7B, another nozzle 13 of the chemical vapor deposition apparatus according to the present invention includes a body 13b having a diffused supply pipe 13a supplied with a deposition gas to be deposited on a semiconductor wafer. At the end of the supply pipe 13a of the body 13b, a nozzle plate 13d is formed in which a plurality of nozzle holes 13c are formed so that the deposition gas can be injected, and the nozzle plate 13d. The supply line 13e for supplying oil or gas which can cool the nozzle plate 13d is provided across the supply pipe 13a in the center of the nozzle plate, and the supply is provided at the edge of the nozzle plate 13d. A discharge line 13f through which the oil or gas supplied through the line 13e is discharged is provided across the body 13b.
상기 노즐판(13d)은 상기 증착가스가 분사될 수 있는 다수개의 노즐구멍(13c)과 상기 노즐판(13d)을 냉각하기 위한 오일이나 가스를 순환시켜 상기 노즐판(13d)을전체적으로 냉각할 수 있도록 와권된 가로막(13g)이 설치되어 형성된 냉각매체 순환라인(13h)을 갖는 하부노즐판(13i)과, 상기 하부노즐판(13i)의 상부에 결합되는 상부노즐판(13j)으로 구성되어 있고, 상기 상부노즐판(13j)의 중심부에는 상기 노즐판(13d)을 냉각할 수 있는 오일이나 가스를 공급할 수 있는 공급라인(13e)과 그 공급라인(13e)을 통하여 공급된 오일이나 가스가 배출되는 배출라인(13e)이 상기 상부노즐판(13j)의 가장자리에 설치되어 있다.The nozzle plate 13d may cool the nozzle plate 13d as a whole by circulating a plurality of nozzle holes 13c through which the deposition gas may be injected and oil or gas for cooling the nozzle plate 13d. It consists of a lower nozzle plate (13i) having a cooling medium circulation line (13h) formed by installing a horizontal film (13g) is wound so that the upper nozzle plate (13j) coupled to the upper portion of the lower nozzle plate (13i) In the center of the upper nozzle plate 13j, a supply line 13e for supplying oil or gas for cooling the nozzle plate 13d and oil or gas supplied through the supply line 13e is discharged. The discharge line 13e is provided at the edge of the upper nozzle plate 13j.
상기와 같이 구성된 노즐(13)은 상기 몸체(13b)에 형성된 공급관(13a)을 통하여 상기 증착가스가 공급되고, 그 공급관(13a)의 단부에 설치된 상기 노즐판(13d)의 노즐구멍(13c)을 통하여 상기 증착가스가 분사되게 된다.The nozzle 13 configured as described above is supplied with the deposition gas through a supply pipe 13a formed in the body 13b, and the nozzle hole 13c of the nozzle plate 13d provided at the end of the supply pipe 13a. Through the deposition gas is injected.
이때, 상기 반도체 웨이퍼를 고정하는 스테이지에서 발생하는 복사열에 의하여 상기 노즐판(13d)이 가열되게 되면, 상기 공급관(13a)을 가로질러 상기 상부노즐판(13j)에 설치된 공급라인(13e)을 통하여 상기 와권된 가로막(13g)에 의하여 형성된 냉각매체 순환라인(13h)에 상기 노즐판(13d)을 냉각할 수 있는 오일이나 가스가 순환되어 상기 상부노즐판(13j)의 가장자리에 설치된 배출라인(13f)으로 배출되므로써, 상기 노즐판(13d)이 전체적으로 균일하게 냉각되게 되어 상기 증착가스가 균일한 온도분포를 형성함과 아울러 균일한 조성으로 상기 노즐구멍(13c)으로 분사되게 되는 것이다.At this time, when the nozzle plate 13d is heated by radiant heat generated at the stage of fixing the semiconductor wafer, the supply plate 13e is provided on the upper nozzle plate 13j across the supply pipe 13a. Oil or gas capable of cooling the nozzle plate 13d is circulated to the cooling medium circulation line 13h formed by the spiral wound diaphragm 13g, and the discharge line 13f installed at the edge of the upper nozzle plate 13j. By discharging the nozzle plate 13d, the nozzle plate 13d is cooled uniformly as a whole, so that the deposition gas is uniformly distributed and sprayed into the nozzle hole 13c with a uniform composition.
상기와 같이 공급관의 단부에 설치된 노즐판을 전체적으로 냉각할 수 있도록 냉각라인을 형성하므로써, 상기 반도체 웨이퍼를 증착하는 증착가스가 균일한 온도분포를 형성함과 더불어 균일한 조성을 이루게 되어 상기 반도체 웨이퍼의 증착속도가 향상되고, 또 균일한 증착 두께를 형성할 수 있게 되는 효과가 있게 된다.By forming a cooling line to cool the nozzle plate provided at the end of the supply pipe as a whole as described above, the deposition gas for depositing the semiconductor wafer forms a uniform temperature distribution and a uniform composition to deposit the semiconductor wafer. The speed is improved, and there is an effect of being able to form a uniform deposition thickness.
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