KR200165883Y1

KR200165883Y1 - E-shower apparatus of semiconductor wafer

Info

Publication number: KR200165883Y1
Application number: KR2019970001616U
Authority: KR
Inventors: 노정래
Original assignee: 김영환; 현대반도체주식회사
Priority date: 1997-02-04
Filing date: 1997-02-04
Publication date: 2000-02-01
Also published as: KR19980057405U

Abstract

본 고안은 반도체 웨이퍼 이온주입장비의 이-샤워장치에 관한 것으로, 종래에는 타겟에 쇼트되어 있는 본체를 통하여 2차전자의 발생되는 상태를 모니터하게 되는데, 그 본체의 전류누설, 로스 등에 의하여 정확한 2차전자값을 감지하지 못하는 문제점이 있었다. 본 고안 반도체 웨이퍼 이온주입장비의 이-샤워장치는 상기 타켓(13)의 브라켓(13a)과 본체(11)의 브라켓(11a) 사이에 절연체(20)를 설치하고, 상기 타겟(13)에 2차전자를 모니터하기 위한 와이어(21)를 연결설치하며, 그 와이어(21)의 단부에 콘트롤러에 연결된 라인 컨넥터(22)를 연결설치하여, 타겟(13)에서 발생되는 2차전자를 와이어(21)를 통하여 콘트롤러에서 직접 모니터링할 수 있도록 함으로서, 종래와 같이 본체를 통하여 모니터링하는 경우에 누설전류가 발생하던 것을 방지하게 되고, 따라서 2차전자의 발생양을 정확히 감지하여 조절하는 효과가 있다.The present invention relates to an e-shower device of a semiconductor wafer ion implantation apparatus. In the related art, a state of secondary electrons is monitored through a main body shorted to a target. There was a problem in not detecting the vehicle value. In the E-shower device of the semiconductor wafer ion implantation device of the present invention, an insulator 20 is provided between the bracket 13a of the target 13 and the bracket 11a of the main body 11, The wire 21 for monitoring the vehicle is connected and installed, and the line connector 22 connected to the controller is connected to the end of the wire 21 to connect the secondary electrons generated from the target 13 to the wire 21. By directly monitoring by the controller, it is possible to prevent the leakage current occurs when monitoring through the main body as in the prior art, and thus has the effect of accurately detecting and adjusting the amount of secondary electrons generated.

Description

E-shower device for semiconductor wafer ion implantation equipment

본 고안은 반도체 웨이퍼 이온주입장비의 이-샤워(E-SHOWER)장치에 관한 것으로, 특히 웨이퍼 차지(WAFER CHARGE)현상을 방지하기 위하여 발생시키는 2차전자의 값을 정확하게 모니터링(MONITERING)할 수 있도록 하는데 적합한 반도체 웨이퍼 이온주입장비의 이-샤워장치에 관한 것이다.The present invention relates to an E-SHOWER device of a semiconductor wafer ion implantation equipment, and in particular, to accurately monitor the value of secondary electrons generated to prevent wafer charge phenomenon. A two-shower device for semiconductor wafer ion implantation equipment suitable for

일반적으로 상온에서 웨이퍼에 B, As, Ph₃등의 불순물을 주입하기 위하여 고전류의 이온주입장비를 사용하게 되는데, 이와 같은 이온주입장비에서는 필라멘트에서 발생된 1차전자 값을 중성화시켜서 포토레지스트(PHOTO RESIST)를 손상시키는 웨이퍼 차지현상을 방지하기 위한 2차전자 발생장치인 이-샤워장치를 사용하게 되며, 이와같은 이-샤워장치가 도1에 도시되어 있는 바, 이를 간단히 설명하면 다음과 같다.In general, high current ion implantation equipment is used to inject impurities such as B, As, and Ph ₃ into the wafer at room temperature. E-shower device, which is a secondary electron generating device, is used to prevent the wafer charge phenomenon damaging the RESIST).

도1은 종래 반도체 웨이퍼 이온주입장비의 이-샤워장치의 구조를 개략적으로 보인 사시도로서, 도시된 바와 같이, 종래 이-샤워장치는 본체(1)와, 그 본체(1)의 일측에 설치되는 바이아스 아파츄어(BIAS APERTURE)(2)와, 그 바이아스 아파츄어의 전방에 설치되며 2차전자를 생성하는 알루미늄 타겟(TARGET)(3)과, 상기 바이아스 아파츄어(2)와 알루미늄 타겟(3) 사이에 설치되며 1차전자를 생성하는 필라멘트(FILAMENT)(4)와, 상기 알루미늄 타겟(3)에 연결설치되며 웨이퍼(W)에 주입되는 불순물이 통과되는 익스텐션 튜브(EXTENTION TUBE)(5)로 구성되어 있다.1 is a perspective view schematically showing the structure of an e-shower device of a conventional semiconductor wafer ion implantation equipment. As shown in the drawing, the conventional e-shower device is provided on a main body 1 and one side of the main body 1. BIAS APERTURE (2), an aluminum target (TARGET) (3) which is installed in front of the vias apache to generate secondary electrons, and the vias aperture (2) and aluminum target An extension tube installed between the filaments 4 to generate primary electrons, and connected to the aluminum target 3, and through which impurities injected into the wafer W pass. It consists of 5).

그리고, 상기 알루미늄 타겟(3)의 하방으로 형성된 브라켓(3a)과 상기 본체(1)의 상방으로 형성된 브라켓(1a)은 전기가 통하도록 연결설치되어 있다.The bracket 3a formed below the aluminum target 3 and the bracket 1a formed above the main body 1 are connected to each other so as to allow electricity to flow therethrough.

상기와 같이 구성되어 있는 종래 이-샤워장치는 5V, 200A의 필라멘트(4)로 부터 방출된 프라이머리 전자인 1차전자가 알루미늄 타겟(3)에 충돌하면 타겟(3)에 2차전자가 발생하게 된다. 이 2차전자가 빔에 이끌려 웨이퍼(W)로 흘러들어가 양(+)이온과 중성화되어 웨이퍼 차징을 방지하게 된다. 프라이머리 전자(PRIMARY ELECTRON)인 1차전자를 직접 사용하지 않는 이유는 상당한 에너지(300eV)를 가지고 있어서 네거티브 차지(NEGATIVE CHARGE)에 의해 웨이퍼에 손상을 줄 수 있기 때문에 상대적으로 작은 에너지(20eV)를 가지고 있는 2차전자를 이용한다. 이와 같이 발생되는 2차전자는 타겟(3)에 쇼트(SHORT)되어 있는 본체(1)를 통하여 모니터하고, 그 값이 규정치를 벗어날 경우에 웨이퍼(W)의 손상을 방지하기 위하여 장비를 멈추게 된다.In the conventional E-shower device configured as described above, secondary electrons are generated in the target 3 when primary electrons, which are primary electrons emitted from the filament 4 of 5 V and 200 A, collide with the aluminum target 3. Done. These secondary electrons are attracted to the beam and flow into the wafer W to be neutralized with positive ions to prevent wafer charging. The primary reason for not directly using primary electrons, which are primary electrons, is that they have significant energy (300 eV), which can damage wafers by negative charge (NEGATIVE CHARGE), so they produce relatively small energy (20 eV). Use the secondary electron you have. The secondary electrons generated as described above are monitored through the main body 1 which is shorted to the target 3, and the equipment is stopped to prevent damage to the wafer W when the value is out of the prescribed value. .

그러나, 상기와 같은 종래 이-샤워장치는 타겟(3)에 쇼트되어 있는 본체(1)를 통하여 2차전자의 발생되는 상태를 모니터하게 되는데, 그 본체(1)의 전류누설, 로스(LOSS)등에 의하여 정확한 2차전자 값을 감지하지 못하는 문제점이 있었다.However, the conventional e-shower device as described above monitors the generated state of the secondary electrons through the main body 1 shorted to the target 3, and the current leakage and loss of the main body 1, LOSS. There was a problem that can not detect the correct secondary electron value.

상기와 같은 문제점을 감안하여 안출한 본 고안의 목적은 타겟(3)에서 발생되는 2차전자 값을 정확하게 모니터하여 웨이퍼 차지현상을 방지하도록 하는데 적합한 반도체 웨이퍼 이온주입장비의 이-샤워장치를 제공함에 있다.The object of the present invention devised in view of the above problems is to provide an E-shower device of a semiconductor wafer ion implantation equipment suitable for accurately monitoring secondary electron values generated in the target 3 to prevent wafer charge phenomenon. have.

도1은 종래 반도체 웨이퍼 이온주입장비의 이-샤워장치의 구조를 개략적으로 보인 사시도.1 is a perspective view schematically showing the structure of an e-shower device of a conventional semiconductor wafer ion implantation apparatus.

도2는 본 고안 반도체 웨이퍼 이온주입장비의 이-샤워장치의 구조를 개략적으로 보인 사시도.Figure 2 is a perspective view schematically showing the structure of the E-shower device of the semiconductor wafer ion implantation device of the present invention.

* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명* Explanation of symbols for main parts of the drawings

11 : 본체 11a : 브라켓11: body 11a: bracket

13 : 타겟 13a : 브라켓13 target 13a bracket

20 : 절연체 21 : 와이어20: insulator 21: wire

22 : 라인 컨넥터22: line connector

상기와 같은 본 고안의 목적을 달성하기 위하여 필라멘트에서 발생되는 1차전자가 타겟에 충돌하여 2차전자를 발생시키는 반도체 웨이퍼 이온주입장비의 이-샤워장치에 있어서, 상기 타켓의 브라켓과 본체의 브라켓 사이에 절연체를 설치하고, 상기타겟에 2차전자를 모니터하기 위한 와이어를 연결설치하며, 그 와이어의 단부에 라인 컨넥터를 연결설치하여서 구성된 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 이온주입장비의 이-샤워장치가 제공된다.In order to achieve the object of the present invention as described above, in the e-shower device of a semiconductor wafer ion implantation apparatus in which primary electrons generated from a filament collide with a target to generate secondary electrons, the bracket of the target and the bracket of the main body E-shower device for semiconductor wafer ion implantation equipment comprising an insulator installed therebetween, connecting wires for monitoring secondary electrons to the target, and connecting line connectors to the ends of the wires. Is provided.

이하, 상기와 같이 구성되는 본 고안 반도체 웨이퍼 이온주입장비의 이-샤워장치를 첨부된 도면의 실시예를 참고하여 보다 상세히 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, the e-shower device of the inventive semiconductor wafer ion implantation device configured as described above will be described in more detail with reference to an embodiment of the accompanying drawings.

도2는 본 고안 반도체 웨이퍼 이온주입장비의 이-샤워장치의 구조를 개략적으로보인 사시도로서, 도시된 바와 같이, 본 고안 반도체 웨이퍼 이온주입장비의 이-샤워장치는 본체(11)와, 그 본체(11)의 일측에 설치되는 바이아스 아파츄어(12)와, 그 바이아스 아파츄어(12)의 전방에 설치되며 2차전자를 생성하는 알루미늄 타겟(13)과, 상기 바이아스 아파츄어(12)와 알루미늄 타겟(13) 사이에 설치되며 1차전자를 생성하는 필라멘트(14)와, 상기 알루미늄 타겟(13)에 연결설치되며 웨이퍼(W)에 주입되는 불순물이 통과되는 익스텐션 튜브(15)로 구성되어 있다. 그리고, 상기 알루미늄 타겟(13)의 하방으로 형성된 브라켓(13a)과 상기 본체(11)의 상방으로 형성된 브라켓(11a)이 결합되어 있는 구성은 종래와 동일하다.Figure 2 is a perspective view schematically showing the structure of the E-shower device of the semiconductor wafer ion implantation device of the present invention, as shown, the E-shower device of the semiconductor wafer ion implantation device of the present invention is a main body 11, and the main body A vias 12 installed on one side of the 11, an aluminum target 13 installed in front of the vias 12, and generating secondary electrons, and the vias 12 ) And an extension tube 15 installed between the aluminum target 13 and the filament 14 generating primary electrons, and connected to the aluminum target 13 to allow impurities injected into the wafer W to pass therethrough. Consists of. In addition, the configuration in which the bracket 13a formed below the aluminum target 13 and the bracket 11a formed above the main body 11 are combined is the same as in the related art.

여기서, 본 고안은 상기 타켓(13)의 브라켓(13a)과 본체(11)의 브라켓(11a) 사이에 절연체(20)를 설치하여 전기적인 절연을하고, 상기 타겟(13)의 일측에 2차전자를 모니터하기 위한 와이어(WIRE)(21)를 연결설치하며, 그 와이어(21)의 단부에 콘트롤러(미도시)에 연결되는 라인 컨넥터(LINE CONNECTOR)(22)를 연결설치하여서 구성된다.Here, the present invention is electrically insulated by installing an insulator 20 between the bracket 13a of the target 13 and the bracket 11a of the main body 11, and secondary to one side of the target 13. It is configured by connecting and installing a wire (WIRE) 21 for monitoring the electrons, and connecting a line connector (22) connected to a controller (not shown) to the end of the wire (21).

상기와 같이 구성되어 있는 본 고안 반도체 웨이퍼 이온주입장비의 이-샤워장치는 5V, 200A의 필라멘트(14)로 부터 방출된 프라이머리 전자인 1차전자가 알루미늄 타겟(13)에 충돌하면 타겟(13)에 2차전자가 발생하게 된다. 이 2차전자가 빔에 이끌려 웨이퍼(W)로 흘러들어가 양(+)이온과 중성화되어 웨이퍼 차징을 방지하게 된다.The E-shower device of the inventive semiconductor wafer ion implantation device configured as described above has a target 13 when primary electrons, which are primary electrons emitted from the filament 14 of 5V and 200A, collide with the aluminum target 13. Will generate secondary electrons. These secondary electrons are attracted to the beam and flow into the wafer W to be neutralized with positive ions to prevent wafer charging.

그리고, 상기와 같이 타겟(13)에서 발생되는 2차전자는 타겟(13)에 연결된 와이어(21)로 전달되고, 그 와이어(21)의 단부에 연결설치되며 콘트롤러(미도시)에 연결된 라인 커넥터(22)에 전달되어 콘트롤러(미도시)에서 정확한 2차전자의 발생값을 감지하여 콘트롤할 수 있게 되는 것이다. 그리고, 상기 타겟(13)의 브라켓(13a)과 본체(11)의 브라켓(11a)은 절연체(20)로 절연되어 있어서 2차전자의 누설이 차단된다.As described above, the secondary electrons generated by the target 13 are transferred to the wire 21 connected to the target 13, and are installed at the end of the wire 21 and connected to a controller (not shown). It is transmitted to (22) to be able to detect and control the correct value of the secondary electrons in the controller (not shown). In addition, the bracket 13a of the target 13 and the bracket 11a of the main body 11 are insulated by the insulator 20 to prevent leakage of secondary electrons.

이상에서 상세히 설명한 바와 같이 본 고안 반도체 웨이퍼 이온주입장비의 이-샤워장치는 상기 타켓의 브라켓과 본체의 브라켓 사이에 절연체를 설치하고, 상기 타겟에 2차전자를 모니터하기 위한 와이어를 연결설치하며, 그 와이어의 단부에 콘트롤러에 연결된 라인 컨넥터를 연결설치하여, 타겟에서 발생되는 2차전자를 와이어를 통하여 콘트롤러에서 직접모니터링할 수 있도록 함으로서, 종래와 같이 본체를 통하여 모니터링하는 경우에 누설전류가 발생하던 것을 방지하게 되고, 따라서 2차전자의 발생양을 정확히 감지하여 조절하는 효과가 있다.As described in detail above, the E-shower device of the inventive semiconductor wafer ion implantation apparatus installs an insulator between the bracket of the target and the bracket of the main body, and connects and installs a wire for monitoring secondary electrons to the target. By connecting and installing a line connector connected to the controller at the end of the wire, the secondary electrons generated from the target can be directly monitored by the controller through the wire, so that leakage current occurs when monitoring through the main body as in the prior art. It is prevented, and thus has the effect of accurately detecting and adjusting the amount of secondary electrons generated.

Claims

In the e-shower device of a semiconductor wafer ion implantation device in which primary electrons generated from a filament collide with a target to generate secondary electrons, an insulator is provided between the bracket of the target and the bracket of the main body, An e-shower device for semiconductor wafer ion implantation equipment, comprising: connecting and installing a wire for monitoring secondary electrons, and connecting and installing a line connector at an end of the wire.