KR200165872Y1 - Structure of inner tube supporter for bell-shaped diffusion apparatus - Google Patents
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Abstract
본 고안은 종형식 확산로의 인너튜브 지지대 구조에 관한 것으로, 아웃튜브와 인너튜브 사이로 일부 반응부산물이 유입되어 증착되는 인너튜브 지지대의 안착부를 평평하게 형성하고, 그 평평해진 안착부에 인너튜브 안내홈을 형성함으로써, 상기 반응부산물의 증착면적을 확대하여 인너튜브에 가해지던 집중응력을 제거하므로 인너튜브의 파손을 미연에 방지하는 한편, 상기 인너튜브의 안착시 인너튜브 안내 홈을 이용하여 인너튜브를 안전하고 용이하게 설치할 수 있다.The present invention relates to the structure of the inner tube support of the longitudinal diffusion furnace, and forms a seating portion of the inner tube support on which the reaction byproducts are introduced and deposited between the out tube and the inner tube, and guides the inner tube to the flattened seating portion. By forming the groove, the concentrated area applied to the inner tube is removed by expanding the deposition area of the reaction byproduct, thereby preventing damage to the inner tube, and using the inner tube guide groove when the inner tube is seated. It can be installed safely and easily.
Description
제1도는 종래의 기술에 따른 종형식 확산로의 구성을 보인 종단면도.1 is a longitudinal sectional view showing the configuration of a vertical diffusion path according to the prior art.
제2도는 종래의 기술에 따른 아웃튜브와 인너튜브가 각각의 지지대에 지지된 상태를 보인 종단면도.Figure 2 is a longitudinal cross-sectional view showing a state in which the out tube and the inner tube according to the prior art is supported on each support.
제3도는 종래의 기술에 따른 인너튜브 지지대의 사시도.3 is a perspective view of the inner tube support according to the prior art.
제4도는 본 고안에 의한 종형식 확산로에서, 아웃튜브와 인너튜브가 각각의 지지대에 지지된 상태를 보인 종단면도.Figure 4 is a longitudinal cross-sectional view showing a state in which the out tube and the inner tube is supported on each support in the longitudinal diffusion path according to the present invention.
제5도는 본 고안에 의한 인너튜브 지지대의 사시도.5 is a perspective view of the inner tube support according to the present invention.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명* Explanation of symbols for main parts of the drawings
1 : 아웃튜브 2 : 인너튜브1: Out tube 2: Inner tube
4 : 아웃튜브 지지대 20 : 인너튜브 지지대4: out tube support 20: inner tube support
21 : 인너튜브 안착부 21a : 인너튜브 안내홈21: inner tube seating part 21a: inner tube guide groove
본 고안은 종형식 확산로에 관한 것으로, 특히 인너튜브 지지대에 증착되는 반응부산물에 의해 인너튜브가 파손되거나 또는 인너튜브가 오설치되는 것을 방지할 수 있는 종형식 확산로의 인너튜브 지지대 구조에 관한 것이다.The present invention relates to a vertical diffusion furnace, and more particularly, to an inner tube support structure of a vertical diffusion furnace which can prevent the inner tube from being damaged or the inner tube is incorrectly installed by the reaction by-product deposited on the inner tube support. will be.
일반적으로 산화막 형성작업은 저압 상태에서 실리콘 웨이퍼의 표면에 산화막을 증착시키는 것으로, 이러한 산화막 형성작업은 약 900℃ 내지 1200℃의 온도로 제어되는 확산로(Diffusion Furnace)속에서 30분 내지 수시간 동안 산소가스나 증기등에 반응물을 첨가하여 웨이퍼의 표면에 수천 Å의 산화막을 증착시키게 된다.In general, an oxide film is formed by depositing an oxide film on a surface of a silicon wafer at a low pressure, and the oxide film is formed for 30 minutes to several hours in a diffusion furnace controlled at a temperature of about 900 ° C to 1200 ° C. Reactants are added to oxygen gas or steam to deposit thousands of 산화 of oxide film on the wafer surface.
제1도는 종래 종형식 확산로의 일례를 도시한 것으로, 종래의 종형식 확산로는 외관을 이루는 아웃튜브(1)와, 그 아웃튜브(1)의 내측에 일정간격을 두고 설치되는 인너튜브(2)와, 상기 아웃튜브(1)의 외주부에 설치되어 상기 확산로를 가열하는 히터와 같은 가열부재(3)와, 상기 아웃튜브(1)와 인너튜브(2)의 하면에 설치되어 상기 아웃튜브(1)및 인너튜브(2)를 각각 받쳐주는 아웃튜브 지지대(이하, 메니폴더와 혼용함)(4) 및 인너튜브 지지대(5)와, 상기 인너튜브(2)의 내측에 설치되어 인너튜브의 내부로 반응가스를 공급하는 반응가스공급용 노즐(6)과, 상기 인너튜브 지지대(Guide Ring)(5)에 형성되어 반응가스가 유입 배출되는 가스유입구(7) 및 가스배기구(8)로 구성되어 있다.FIG. 1 shows an example of a conventional vertical diffusion path, and a conventional vertical diffusion path includes an out tube 1 forming an outer appearance and an inner tube provided at a predetermined interval inside the out tube 1. 2) and a heating member 3, such as a heater, installed at an outer circumference of the out tube 1 to heat the diffusion path, and a bottom surface of the out tube 1 and the inner tube 2, and the out Out tube support (hereinafter mixed with manifold) (4) and inner tube support (5) for supporting the tube (1) and inner tube (2), respectively, and the inner tube 2 is installed inside the inner tube (2) A reaction gas supply nozzle 6 for supplying a reaction gas into the tube, and a gas inlet 7 and a gas exhaust port 8 formed in the inner tube guide ring 5 to introduce and discharge the reaction gas. Consists of
상기 아웃튜브 지지대(Manifolder)(4)는 그 내주면에 반응부산물이 증착되는 것을 최소화 하기 위한 석영재질의 메니폴더 커버(4a)가 장착되고, 상기 아웃튜브(1)와의 사이에는 반응가스의 누설을 방지하는 오-링(0-Ring)(0)이 개재되어 있다.The outer tube supporter (Manifolder) (4) is equipped with a quartz manifold cover (4a) for minimizing the deposition of reaction by-products on the inner peripheral surface, the leakage of the reaction gas between the out tube (1) There is an O-ring (0) intervening to prevent it.
상기 인너튜브 지지대(5)는 그 상단면에 인너튜브(2)가 얹혀지는 인너튜브 안착부(5a)가 형성되고, 그 인너튜브 안착부(5a)의 바깥쪽에는 인너튜브의 외주면과 일정간격을 두고 대응되는 인너튜브 안내턱(5b)이 단자져 형성되어 있다.The inner tube support 5 has an inner tube seating portion 5a on which the inner tube 2 is placed, and an outer circumferential surface of the inner tube seating portion 5a is spaced apart from the outer circumferential surface of the inner tube. Corresponding inner tube guide jaw (5b) is formed terminally.
도면중 미설명 부호인(W)(B)(S)(C)는 각각 웨이퍼. 웨이퍼 탑재용 보트. 보트지지대. 튜브밀폐용 캡 이다.(W) (B) (S) (C) which are not described in the drawings are each a wafer. Wafer mounting boat. Boat support. Tube sealing cap.
상기와 같이 구성된 종래의 종형식 저압 증착장치는, 일단 공정이 개시되면 웨이퍼(W)를 탑재한 보트(B)가 상승하여 인너튜브(2)의 내부로 삽입된 다음에 상기 캡(C)이 각 튜브(1)(2)의 하부를 복개한다.In the conventional vertical low pressure deposition apparatus configured as described above, once the process is started, the boat B on which the wafer W is mounted is lifted up and inserted into the inner tube 2, and then the cap C is closed. The lower part of each tube 1 and 2 is covered.
다음, 상기 반응가스가 노즐(6)과 가스 유입구(7)를 통해 인너튜브(2)의 내부로 유입되고, 이 유입된 반응가스는 상기 웨이퍼(W)의 상측에서 분사되어 보트(B)에 탑재된 웨이퍼(W)의 표면에 산화막을 형성시키게 된다.Next, the reaction gas is introduced into the inner tube 2 through the nozzle 6 and the gas inlet 7, and the introduced reaction gas is injected from the upper side of the wafer W to the boat B. An oxide film is formed on the surface of the mounted wafer W.
이와 같은 산화막 형성작업을 마치고 남은 반응가스는 인너튜브2)의 상단부를 넘어 상기 인너튜브(2)와 아웃튜브(1) 사이로 유입되고, 그 튜브(1)(2) 사이로 유입된 반응가스는 상기 아웃튜브 지지대(4)과 인너튜브 지지대(5)의 결합틈새를 거쳐 가스배기구(8)를 통해 외부로 배출되는 것이었다.The reaction gas remaining after the formation of the oxide film is introduced between the inner tube 2 and the out tube 1 beyond the upper end of the inner tube 2, and the reaction gas introduced between the tubes 1 and 2 is It was discharged to the outside through the gas exhaust pipe (8) through the coupling gap of the outtube support (4) and the inner tube support (5).
그러나, 상기와 같은 종래 종형식 확산로에 있어서는, 반응후 남은 반응부산물이 인너튜브 지지대(5)의 인너튜브 안착부(5a)와 인너튜브 안내턱(5b)의 사이에 증착하게 되는데, 이 반응부산물의 증착량이 일정량 이상이 되거나 튜브(1)(2)내의 온도가 하강시 경화되면서 인너튜브(2)의 벽면에 집중응력을 가하게 되어 인너튜브(2)가 파손되는 문제점이 있었다.However, in the conventional vertical diffusion furnace as described above, the reaction by-products remaining after the reaction are deposited between the inner tube seating portion 5a of the inner tube support 5 and the inner tube guide jaw 5b. As the deposition amount of the by-product is more than a predetermined amount or the temperature in the tubes 1 and 2 decreases, the inner tube 2 is damaged due to the concentrated stress applied to the wall of the inner tube 2.
이를 고려하여 상기 인너튜브 안내턱(5b)을 제거할 수도 있으나, 이는 인너튜브(2)의 설치시 그 기준이 소멸되므로 인해 인너튜브 설치작업이 난해하게 되는 것은 물론 인너튜브가 웨이퍼(W)와 접촉되어 웨이퍼의 불량을 초래하거나 가스배출에 장애를 발생시킬 우려도 있었다.In consideration of this, the inner tube guide jaw (5b) may be removed, but since the standard is extinguished when the inner tube 2 is installed, the inner tube installation work becomes difficult, and the inner tube is connected to the wafer (W). There was also a concern that the wafers may be in contact with the wafers and cause gas discharge.
따라서, 본 고안의 목적은 상기 인너튜브 지지대에 반응부산물이 증착되더라도 그 반응부산물에 의해 인너튜브가 파손되는 것을 방지할 수 있는 인너튜브 지지대를 제공하는데 있다.Accordingly, an object of the present invention is to provide an inner tube support that can prevent the inner tube from being damaged by the reaction by-product even if the reaction by-product is deposited on the inner tube support.
본 고안의 다른 목적은, 인너튜브가 인너튜브 지지대에 정확하게 안착되도록 하여 웨이퍼의 불량이나 가스배출의 장애가 발생되지 않도록 하는 인너튜브 지지대를 제공하는데 있다.Another object of the present invention is to provide an inner tube support that allows the inner tube to be accurately seated on the inner tube support so that defects in the wafer and gas discharge may not occur.
이와 같은 본 고안의 목적은, 내벽을 이루는 인너튜브의 내부에 수직으로 적지된 웨이퍼의 표면에 산화막을 형성시키는 종형식 확산로에 있어서, 상기 인너튜브가 얹혀지는 인너튜브 안착부가 편평하게 형성되되, 그 인너튜브 안착부에는 상기 인너튜브의 안착시 그 설치기준이 되는 인너튜브 안내홈이 적어도 인너튜브의 외경보다는 크게 형성되어 이루어지는 것을 특징으로 하는 종형식 확산로의 인너튜브 지지대 구조가 제공함으로써 달성된다.The purpose of the present invention, in the vertical diffusion path for forming an oxide film on the surface of the wafer vertically stacked in the inner tube forming the inner wall, the inner tube mounting portion on which the inner tube is placed is formed flat, The inner tube seating portion is achieved by providing an inner tube support structure of a longitudinal diffusion path, characterized in that the inner tube guide groove which is the installation standard when the inner tube is seated is formed at least larger than the outer diameter of the inner tube. .
이하, 본 고안에 의한 종형식 확산로의 인너튜브 지지대 구조를 첨부한 도면에 의거하여 상세히 설명한다.Hereinafter, the inner tube support structure of the longitudinal diffusion path according to the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
제4도는 본 고안에 의한 확산로의 아웃튜브와 인너튜브가 각각의 지지대에 지지되는 상태를 보인 종단면도이고, 제5도는 본 고안에 의한 인너튜브 지지대의 사시도이다.Figure 4 is a longitudinal cross-sectional view showing a state in which the out tube and the inner tube of the diffusion path according to the present invention is supported on each support, Figure 5 is a perspective view of the inner tube support according to the present invention.
이에 도시된 바와 같이, 본 고안의 종형식 확산로는 그 외벽을 이루는 아웃튜브(1)와, 그 아웃튜브(1)의 내측에 일정간격을 두고 개재되어 내벽을 이루는 인너튜브(2)와, 상기 아웃튜브(1)를 하단에서 지지하는 아웃튜브 지지대(4)와, 그 아웃튜브 지지대(4)와 형합되며 상기 인너튜브(2)를 지지하는 인너튜브 지지대(20)와, 상기 아웃튜브 지지대(4)의 하측부를 관통하며 상기 인너튜브(2)의 내부로 반응가스를 주입하는 반응가스 공급용 노즐(6)로 구성된다.As shown in the drawing, the longitudinal diffusion path of the present invention includes an outer tube 1 constituting the outer wall, an inner tube 2 interposed at a predetermined interval inside the outer tube 1 to form an inner wall, An out tube support 4 for supporting the out tube 1 at the lower end, an inner tube support 20 for supporting the inner tube 2 in combination with the out tube support 4, and the out tube support It consists of a reaction gas supply nozzle 6 penetrating the lower part of (4) and injecting the reaction gas into the inner tube (2).
상기 인너튜브 지지대(20)는 아웃튜브 지지대(4)의 내주면에 형합되어 고정되는것으로, 그 상단면은 턱이 없이 고르게 형성되어 반응부산물이 증착되는 허용면적을 확대함과 아울러 설사 반응부산물이 상당량 증착되더라도 인너튜브(20)에 집중응력을 전가시키지 않는 편평형의 인너튜브 안착부(21)가 구비되고, 그 인너튜브 안착부(21)에는 인너튜브(20)의 안착시 그 설치기준이 되도록 인너튜브 안내홈(21a)이 적어도 인너튜브(20)의 외경보다 크게 구비된다.The inner tube support 20 is formed and fixed to the inner circumferential surface of the outtube support 4, the upper surface is formed evenly without a jaw to enlarge the allowable area where the reaction by-products are deposited and diarrhea reaction by-products a considerable amount. Even if it is deposited, the inner tube seating portion 21 is provided with a flat inner tube which does not transfer the concentrated stress to the inner tube 20, and the inner tube seating portion 21 has the inner standard to be installed when the inner tube 20 is seated. The tube guide groove 21a is provided at least larger than the outer diameter of the inner tube 20.
즉, 상기 인너튜브(20)의 설치시 그 인너튜브(20)가 웨이퍼와 접촉되지 않는 정확한 위치에 안착되었는지를 판단하기 위하여는 상기 인너튜브 안내홈(21a)이 인너튜브(20)의 외주면 바깥쪽에 보일 수 있는 크기로 형성되는 것이 바람직하다.That is, when the inner tube 20 is installed, the inner tube guide groove 21a is located outside the outer circumferential surface of the inner tube 20 in order to determine whether the inner tube 20 is seated at the correct position not in contact with the wafer. It is preferably formed to a size that can be seen on the side.
종래와 동일한 부분에 대하여는 동일한 부호를 부여하였다.The same code | symbol is attached | subjected about the same part as before.
도면중 미설명 부호인(4a)은 메니폴더 커버이다.Reference numeral 4a in the figure denotes a manifold cover.
이와 같이 구성된 본 고안에 의한 인너튜브 지지대의 작용효과를 설명하면 다음과 같다.Referring to the effect of the inner tube support according to the present invention configured as described above are as follows.
상기 튜브(1)(2)내에서 웨이퍼(미도시)를 증착하고 남은 반응부산물은 인너튜브(2)를 넘어 아웃튜브(1)와의 사이로 유입되고, 그 반응부산물은 상기 인너튜브 지지대(20)의 인너튜브 안착부(21)를 거쳐 아웃튜브 지지대(4)의 하단부를 통해 외부로 배출된다.The reaction by-products remaining after depositing a wafer (not shown) in the tubes 1 and 2 are introduced into the tube 1 through the inner tube 2, and the reaction by-products are introduced into the inner tube support 20. Through the inner tube seating portion 21 of the out tube support 4 is discharged to the outside through the lower end.
이러한 과정을 거치면서 반응부산물은 인너튜브 지지대(20)의 상단면 즉 인너튜브 안착부(21)에 지속적으로 증착하게 되나, 이 인너튜브 안착부(21)에 종래의 인너튜브 안내턱(5b)을 대신하여 인너튜브 안내홈(21a)이 형성되므로 인해 반응부산물의 증착면적이 확대됨과 아울러 그 증착된 반응부산물이 인너튜브(20)에 집중응력을 전가하지 않게 된다.Through this process, the reaction by-products are continuously deposited on the upper surface of the inner tube support 20, that is, the inner tube seating portion 21, but the inner tube guide jaw 5b is formed on the inner tube seating portion 21. Since the inner tube guide groove 21a is formed in place, the deposition area of the reaction byproduct is increased, and the deposited reaction byproduct does not transfer the concentrated stress to the inner tube 20.
또한, 상기 인너튜브 안내턱(5b)이 구비되지 않더라도 이를 대신한 인너튜브 안내홈(21a)이 구비되므로, 상기 인너튜브(20)의 안착시 그 인너튜브(20)의 외경이 인너튜브의 안내홈(21a)보다 작아 인너튜브(20)를 설치한 위치가 웨이퍼와 접촉되지 않는 정확한 위치인가를 외부에서도 관찰할 수 있게 된다.In addition, even when the inner tube guide jaw 5b is not provided, the inner tube guide groove 21a is provided in place of the inner tube guide jaw 5b, so that when the inner tube 20 is seated, the outer diameter of the inner tube 20 guides the inner tube. It is possible to observe from the outside whether the position where the inner tube 20 is installed smaller than the groove 21a is the correct position where the inner tube 20 is not in contact with the wafer.
즉, 인너튜브의 설치후 인너튜브 안내홈이 진원형으로 보이면 인너튜브가 정확한 위치에 설치된 것이나, 상기 인너튜브 안내홈의 일부가 인너튜브에 가려졌다면 인너튜브의 설치위치가 정확하지 않으므로 재설치하여야 하는 것이다.That is, if the inner tube guide groove looks round after the installation of the inner tube, the inner tube is installed at the correct position, but if a part of the inner tube guide groove is covered by the inner tube, the installation position of the inner tube is not correct and should be reinstalled. will be.
이상에서 설명한 바와 같이, 본 고안에 의한 종형식 확산로의 인너튜브 지지대 구조는 아웃튜브와 인너튜브 사이로 일부 반응부산물이 유입되어 증착되는 인너튜브 지지대의 안착부를 평평하게 형성하고, 그 평평해진 안착부에 인너튜브 안내홈을 형성함으로써, 상기 반응부산물의 증착면적을 확대하여 인너튜브에 가해지던 집중응력을 제거하므로 인너튜브의 파손을 미연에 방지하는 한편, 상기 인너튜브의 안착시 인너튜브 안내홈을 이용하여 인너튜브를 안전하고 용이하게 설치할 수 있다.As described above, the inner tube support structure of the longitudinal diffusion path according to the present invention forms a seating portion of the inner tube support, in which some reaction by-products are introduced and deposited between the out tube and the inner tube, and the flattened seating portion The inner tube guide groove is formed in the inner side, thereby increasing the deposition area of the reaction byproduct to remove the concentrated stress applied to the inner tube, thereby preventing damage to the inner tube, and the inner tube guide groove when the inner tube is seated. Inner tube can be installed safely and easily.
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Family Applications (1)
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