KR20000051299A - Each wafer loading type semiconductor producing apparatus - Google Patents
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Abstract
Description
본 발명은 반도체 소자 제조장치에 관한 것으로, 상세하게는 확산공정 또는 CVD 공정을 수행하는 매엽식 반도체 제조장치에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a semiconductor device manufacturing apparatus, and more particularly, to a sheet type semiconductor manufacturing apparatus performing a diffusion process or a CVD process.
일반적으로 반도체 소자의 제조에는 다양한 제조공정을 거치게 되며, 그 중에서 폴리실리콘막, 질화막, 산화막 등을 웨이퍼 상에 증착시키는 데는 주로 확산공정 또는 화학기상증착(CVD: Chemical Vapor Deposition) 공정을 거치게 된다. 이러한 확산공정이나 CVD 공정을 수행하는 반도체 제조장치로는 하나의 웨이퍼를 처리하는 매엽방식의 장치와 복수의 웨이퍼를 동시에 처리하는 배치방식(Batch type)의 장치가 있다. 이중에서 매엽방식의 반도체 제조장치는 챔버내에 위치하는 서셉터 상에 웨이퍼를 하나씩 로딩한 후 공정을 진행하게 된다.In general, semiconductor devices are manufactured through various manufacturing processes, and polysilicon film, nitride film, oxide film, etc. are mainly deposited through a diffusion process or a chemical vapor deposition (CVD) process. As a semiconductor manufacturing apparatus for performing such a diffusion process or a CVD process, there is a single sheet type apparatus for processing one wafer and a batch type apparatus for simultaneously processing a plurality of wafers. In the double sheet type semiconductor manufacturing apparatus, the wafers are loaded one by one on a susceptor located in the chamber and the process is performed.
도 1은 종래의 매엽식 반도체 제조장치의 개략적 구성도이다.1 is a schematic configuration diagram of a conventional sheet type semiconductor manufacturing apparatus.
도 1을 참조하면, 종래의 매엽식 반도체 제조장치는 그 내부에서 공정이 진행되는 챔버가 구비되며, 상기 챔버는 챔버 베이스(110)와 챔버 벽체(120)와 챔버 돔(130)의 세부분으로 구성되어 있다. 상기 챔버 베이스(110)와 챔버 벽체(120)는 부식 방지 및 강도의 유지를 위해 통상 스테인레스 재질로 되어 있으며, 상기 챔버 돔(130)은 화학소스 가스에 의한 부식 방지를 위해 석영(Quartz) 재질로 되어 있다. 그리고, 상기 챔버 벽체(120)의 일측에는 챔버 내부로 웨이퍼(10)가 출입할 수 있도록 웨이퍼 출입구(121)가 마련되며, 다른 일측에는 터보펌프(20)와 연결되어 챔버 내부의 가스를 배출하기 위한 가스 배출구(122)가 마련되어 있다. 상기 웨이퍼 출입구(121)에는 게이트 밸브와 같은 개폐장치(180)가 설치된다.Referring to FIG. 1, a conventional sheet type semiconductor manufacturing apparatus includes a chamber in which a process is performed, and the chamber is divided into a chamber base 110, a chamber wall 120, and a chamber dome 130. Consists of. The chamber base 110 and the chamber wall 120 are usually made of stainless steel to prevent corrosion and maintain strength, and the chamber dome 130 is made of quartz to prevent corrosion by chemical source gas. It is. In addition, a wafer entrance 121 is provided at one side of the chamber wall 120 to allow the wafer 10 to enter and exit the chamber, and the other side is connected to the turbo pump 20 to discharge the gas inside the chamber. A gas outlet 122 is provided. The wafer entrance and exit 121 is provided with an opening and closing device 180 such as a gate valve.
상기 챔버의 내부에는 반도체 웨이퍼(10)가 그 상부에 안착되는 서셉터(140)가 설치되어 있으며, 상기 서셉터(140)의 내부에는 상기 웨이퍼(10)를 소정 온도로 가열하기 위한 히터가 마련되어 있다. 상기 서셉터(140)의 하부에는 승강장치(150)에 의해 승강하도록 된 승강로드(151)가 결합되어 있다.In the chamber, a susceptor 140 is installed on which the semiconductor wafer 10 is placed. The heater for heating the wafer 10 to a predetermined temperature is provided in the susceptor 140. have. The lifting rod 151 which is lifted by the lifting device 150 is coupled to the lower part of the susceptor 140.
그리고, 상기 챔버 내부로 화학소스 가스를 주입하기 위한 가스 주입관(160)이 챔버 내부에 마련되며, 상기 챔버 돔(130)의 외측 상부에는 챔버 내부를 소정 온도로 가열하기 위한 종형 히터(170)가 설치되어 있다. 상기 종형 히터(170)는 소정의 승강수단에 의해 승강가능하도록 설치되며, 그 상승시에 상기 챔버 돔(130)을 분해하여 챔버 내부를 세척할 수 있도록 되어 있다.In addition, a gas injection tube 160 for injecting a chemical source gas into the chamber is provided inside the chamber, and a vertical heater 170 for heating the inside of the chamber to a predetermined temperature on an outer upper portion of the chamber dome 130. Is installed. The vertical heater 170 is installed to be lifted by a predetermined lifting means, and when it is raised, the chamber dome 130 is disassembled to clean the inside of the chamber.
이와 같은 구성을 갖는 종래의 매엽식 반도체 제조장치의 작동을 설명하면, 우선 웨이퍼(10)가 웨이퍼 출입구(121)를 통해 챔버 내부로 로딩될 때에는 상기 승강장치(150)가 서셉터(140)를 하강시켜 로딩되는 웨이퍼(10)가 서셉터(140)의 상면에 안착될 수 있도록 한다. 웨이퍼(10)의 로딩이 완료되면, 승강장치(150)에 의해 서셉터(140)는 상승되고, 챔버 내부는 터보펌프(20)에 의해 진공 상태로 된다. 이때 가스 주입관(160)을 통해 화학소스 가스가 주입되어 웨이퍼(10) 상에 소정의 막질이 증착된다. 공정 완료 후에는 승강장치(150)에 의해 서셉터(140)가 하강하게 되고, 웨이퍼(10)는 웨이퍼 출입구(121)를 통해 외부로 언로딩된다.Referring to the operation of the conventional single wafer type semiconductor manufacturing apparatus having such a configuration, first, when the wafer 10 is loaded into the chamber through the wafer entrance 121, the lifting device 150 moves the susceptor 140. The lower loaded wafer 10 may be seated on the upper surface of the susceptor 140. When the loading of the wafer 10 is completed, the susceptor 140 is lifted by the elevator 150, and the inside of the chamber is vacuumed by the turbo pump 20. At this time, the chemical source gas is injected through the gas injection tube 160 to deposit a predetermined film quality on the wafer 10. After completion of the process, the susceptor 140 is lowered by the elevator 150, and the wafer 10 is unloaded to the outside through the wafer entrance 121.
한편, 종래의 매엽식 반도체 제조장치에 있어서는 스테인레스 재질로 된 챔버 베이스(110)나 챔버 벽체(120)가 화학소스 가스, 예컨데 실란(SiH4) 가스나 포스핀(PH3) 가스와 직접 접촉되도록 노출되어 있으므로, 이러한 가스들이 챔버 베이스(110)나 챔버 벽체(120)에 침적되어 주기적으로 챔버 내부를 세척할 필요가 있게 된다. 그런데, 챔버 내부의 세척을 위해서는, 화학성분의 잔존으로 인한 공정 이상발생의 문제점으로 인해 화학물질로 된 세척제를 사용할 수 없으므로, 거친 솔이나 수세미 등으로 직접 닦아내는 작업을 하게 된다. 이는 매우 불편하고 시간도 많이 소요되며, 구석 부위까지 완벽하게 세척하기 곤란한 문제점을 가지고 있다. 또한, 상술한 바와 같이 물리적 세척 방법에 의한 마찰로 인해 파티클이 발생하여 공정 불량을 야기시키거나, 구석 부위에 잔존한 침적물이 후속 공정에서 고온으로 가열됨으로써 가스화하게 되어 공정에 이상발생을 가져오게 되는 문제점이 있다.Meanwhile, in the conventional sheet type semiconductor manufacturing apparatus, the chamber base 110 or the chamber wall 120 made of stainless material is in direct contact with a chemical source gas, for example, a silane (SiH 4 ) gas or a phosphine (PH 3 ) gas. Since they are exposed, these gases are deposited on the chamber base 110 or the chamber wall 120 and need to periodically clean the inside of the chamber. However, in order to clean the inside of the chamber, the cleaning agent made of chemicals cannot be used due to the problem of process abnormality caused by the remaining chemicals, and thus, the brush is directly wiped with a coarse brush or a loofah. This is very inconvenient and time consuming, and has a problem that is difficult to completely clean up to the corner. In addition, as described above, particles are generated due to friction by the physical cleaning method, causing process defects, or deposits remaining in corners are gasified by heating to a high temperature in a subsequent process, thereby causing abnormalities in the process. There is a problem.
본 발명은 상기와 같은 종래 기술의 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로, 특히 챔버 내부에 석영 재질로 된 자켓을 설치하여 챔버 베이스와 챔버 벽체가 화학소스 가스에 직접 노출되는 것을 방지할 수 있도록 된 매엽식 반도체 제조장치를 제공하는데 목적이 있다.The present invention has been made to solve the above problems of the prior art, in particular, by installing a jacket made of quartz material inside the chamber to prevent the chamber base and the chamber wall directly exposed to the chemical source gas An object is to provide a leaf type semiconductor manufacturing apparatus.
도 1은 종래의 매엽식 반도체 제조장치의 개략적 구성도,1 is a schematic configuration diagram of a conventional sheet type semiconductor manufacturing apparatus,
도 2는 본 발명에 따른 매엽식 반도체 제조장치의 개략적 구성도.2 is a schematic configuration diagram of a sheet type semiconductor manufacturing apparatus according to the present invention.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명><Explanation of symbols for the main parts of the drawings>
10...웨이퍼20...터보펌프10 ... Wafer 20 ... Turbo Pump
110,210...챔버 베이스 120,220...챔버 벽체110,210 ... chamber base 120,220 ... chamber wall
121,221...웨이퍼 출입구 122,222...가스 배출구121,221 ... wafer entrance 122,222 ... gas outlet
130,230...챔버 돔 140,240...서셉터130,230 ... chamber dome 140,240 ... susceptor
150,250...승강장치 151,251...승강로드150,250 ... Elevator 151,251 ... Elevation Rod
160,260...가스 주입관 170,270...종형 히터160,260 ... Gas injection line 170,270 ... Type heater
280...개폐장치 290...자켓280 ... Opening and closing device 290 ... Jacket
291...슬롯 292...배기구291 Slot 292 Exhaust
상기 목적을 달성하기 위하여 본 발명에 따른 매엽식 반도체 제조장치는: 웨이퍼 출입구와 가스 배출구가 마련된 챔버 벽체와, 상기 챔버 벽체의 하부에 설치되는 챔버 베이스와, 상기 챔버 벽체의 상부에 설치되는 챔버 돔을 구비하는 챔버; 상기 챔버의 내부에 승강 가능하도록 설치되며, 상면에는 웨이퍼가 안착되는 서셉터; 및 상기 챔버 내부에 화학소스 가스를 주입하는 가스 주입관;을 포함하는 매엽식 반도체 제조장치에 있어서, 상기 챔버 벽체와 상기 챔버 베이스가 상기 화학소스 가스에 직접 노출되지 않도록 차단하는 석영 재질의 자켓이 상기 챔버 내부에 설치되는 것을 특징으로 한다.In order to achieve the above object, a sheet type semiconductor manufacturing apparatus according to the present invention includes: a chamber wall provided with a wafer entrance and a gas discharge port, a chamber base installed below the chamber wall, and a chamber dome installed above the chamber wall. A chamber having a; A susceptor that is installed to be elevated in the chamber and has a wafer seated thereon; And a gas injection tube for injecting a chemical source gas into the chamber, wherein the jacket of quartz material blocks the chamber wall and the chamber base from being directly exposed to the chemical source gas. It is characterized in that it is installed inside the chamber.
여기에서, 상기 자켓은 상기 서셉터를 둘러싸는 형태로 설치되며, 상기 가스 주입관은 상기 자켓 내부로 상기 화학소스 가스를 주입하도록 된 것이 바람직하다.Here, the jacket is installed in a form surrounding the susceptor, and the gas injection tube is preferably configured to inject the chemical source gas into the jacket.
이하, 첨부된 도면을 참조하면서 본 발명에 따른 매엽식 반도체 제조장치의 바람직한 실시예를 상세히 설명한다.Hereinafter, a preferred embodiment of a sheet type semiconductor manufacturing apparatus according to the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
도 2는 본 발명에 따른 매엽식 반도체 제조장치의 개략적 구성도이다.2 is a schematic configuration diagram of a sheet type semiconductor manufacturing apparatus according to the present invention.
도 2에 도시된 바와 같이, 본 발명에 따른 매엽식 반도체 제조장치는 반도체 웨이퍼(10) 상에 폴리실리콘막, 질화막, 산화막 등을 증착시키는 확산공정 또는 화학기상증착 공정을 수행하는 장치로서, 그 내부에서 공정이 진행되는 챔버와 상기 챔버 내부에 설치되는 자켓(290)과 웨이퍼(10)가 안착되는 서셉터(240)를 구비한다.As shown in FIG. 2, the sheet type semiconductor manufacturing apparatus according to the present invention is a device for performing a diffusion process or a chemical vapor deposition process for depositing a polysilicon film, a nitride film, an oxide film, etc. on a semiconductor wafer 10. A chamber in which a process is performed therein, a jacket 290 installed inside the chamber, and a susceptor 240 on which the wafer 10 is seated.
상기 챔버는 챔버 베이스(210)와 챔버 벽체(220)와 챔버 돔(230)의 세부분으로 구성된다. 상기 챔버 벽체(220)는 화학소스 가스에 의한 부식을 방지하고 그 강도를 유지하기 위해 스테인레스 재질로 제작되며, 일측에는 상기 챔버 내부로 웨이퍼(10)가 출입할 수 있도록 웨이퍼 출입구(221)가 마련되고, 다른 일측에는 터보펌프(20)와 연결되어 챔버 내부의 가스를 배출하기 위한 가스 배출구(222)가 마련된다. 그리고, 상기 웨이퍼 출입구(221)에는 게이트 밸브와 같은 개폐장치(280)가 설치된다. 상기 챔버 베이스(210)는 챔버 벽체(220)의 하부에 설치되며, 챔버 벽체(220)와 동일하게 스테인레스 재질로 되어 있다. 상기 챔버 돔(230)은 챔버 벽체(220)의 상부에 설치되며, 화학소스 가스에 의한 부식 방지를 위해 석영(Quartz) 재질로 제작된다. 그리고, 상기 챔버 돔(230)의 외측 상부에는 챔버 내부를 소정 온도로 가열하기 위한 종형 히터(270)가 설치된다. 상기 종형 히터(270)는 소정의 승강수단에 의해 승강가능하도록 설치되며, 그 상승시에 상기 챔버 돔(230)을 분해하여 챔버 내부를 세척할 수 있도록 되어 있다.The chamber is composed of chamber base 210, chamber walls 220, and chamber domes 230. The chamber wall 220 is made of stainless material to prevent corrosion by chemical source gas and maintain its strength, and a wafer entrance 221 is provided at one side to allow the wafer 10 to enter and exit the chamber. The other side is connected to the turbo pump 20 is provided with a gas outlet 222 for discharging the gas inside the chamber. In addition, an opening / closing device 280 such as a gate valve is installed at the wafer entrance 221. The chamber base 210 is installed below the chamber wall 220, and is made of stainless steel in the same manner as the chamber wall 220. The chamber dome 230 is installed on the upper side of the chamber wall 220, and is made of quartz material to prevent corrosion by chemical source gas. In addition, a vertical heater 270 is installed at an outer upper portion of the chamber dome 230 to heat the inside of the chamber to a predetermined temperature. The vertical heater 270 is installed to be elevated by a predetermined lifting means, and when the ascending, disassembles the chamber dome 230 to clean the inside of the chamber.
상기 자켓(290)은 본 발명의 특징부로서 상기 챔버 내부에 설치되며, 그 내부에는 화학소스 가스를 주입하기 위한 가스 주입관(260)과, 웨이퍼(10)가 안착되는 서셉터(240)가 설치된다. 상기 자켓(290)은 화학소스 가스에 의한 부식을 방지하기 위해 석영 재질로 제작된다. 그리고, 상기 자켓(290)은 상기 서셉터(240)를 완전히 둘러싸는 형태로 설치되며, 상기 가스 주입관(260)은 상기 자켓(290) 내부로 화학소스 가스를 주입하도록 설치된다. 상기 자켓(290)의 일측에는 상기 챔버 벽체(220)에 마련된 웨이퍼 출입구(221)와 대응되는 위치에 웨이퍼(10)가 출입할 수 있도록 슬롯(221)이 마련되며, 타측에는 상기 가스 배출구(222)와 대응되는 위치에 배기구(292)가 마련된다. 이와 같이, 상기 자켓(290)은 화학소스 가스가 스테인레스 재질로 된 챔버 벽체(220)와 챔버 베이스(210)에 접촉하는 것을 차단하게 된다. 따라서, 챔버 벽체(220)와 챔버 베이스(210)에 화학소스 가스가 침적되지 않으므로, 주기적으로 행해지는 세척작업이 간편해지고 시간도 절약된다. 또한, 고온 가열로 인해 스테인레스 재질로 된 챔버 벽체(220)에서 발생되는 불순 가스가 웨이퍼(10)로 유입되는 것이 자켓(290)에 의해 차단됨으로써 공정 불량이 방지된다. 그리고, 상기 자켓(290)에 의해 챔버 벽체(220)와 챔버 베이스(210)를 통한 챔버 내부의 열손실이 줄어들게 되므로 챔버 내부의 온도가 안정화된다.The jacket 290 is installed in the chamber as a feature of the present invention, and therein is a gas injection tube 260 for injecting a chemical source gas, and a susceptor 240 on which the wafer 10 is seated. Is installed. The jacket 290 is made of quartz material to prevent corrosion by chemical source gas. The jacket 290 is installed to completely surround the susceptor 240, and the gas injection pipe 260 is installed to inject a chemical source gas into the jacket 290. A slot 221 is provided at one side of the jacket 290 to allow the wafer 10 to enter and exit at a position corresponding to the wafer entrance 221 provided in the chamber wall 220, and the gas outlet 222 at the other side of the jacket 290. ), An exhaust port 292 is provided. As such, the jacket 290 prevents the chemical source gas from contacting the chamber wall 220 and the chamber base 210 made of stainless steel. Therefore, since the chemical source gas is not deposited on the chamber wall 220 and the chamber base 210, the periodic cleaning operation is simplified and the time is saved. In addition, the impurity gas generated in the chamber wall 220 made of stainless material due to the high temperature heating is blocked by the jacket 290 to prevent inflow of the impurity gas into the wafer 10, thereby preventing process defects. In addition, since the heat loss inside the chamber through the chamber wall 220 and the chamber base 210 is reduced by the jacket 290, the temperature inside the chamber is stabilized.
한편, 상기 챔버의 상부에는 석영 재질로 된 챔버 돔(230)이 설치되어 있으므로, 상기 자켓(290)은 그 상부가 개방된 형태로도 설치될 수 있다.On the other hand, since the chamber dome 230 is made of a quartz material is installed on the upper portion of the chamber, the jacket 290 may also be installed in an open form.
상기 서셉터(240)의 상면에는 웨이퍼 출입구(221)를 통해 챔버 내부로 로딩된 웨이퍼(10)가 안착되며, 그 내부에는 웨이퍼(10)를 소정 온도로 가열하기 위한 히터가 마련된다. 그리고, 상기 서셉터(240)의 하부에는 서셉터(240)를 승강시키기 위한 승강로드(251)와 승강장치(250)가 설치된다.On the upper surface of the susceptor 240, a wafer 10 loaded into the chamber through the wafer entrance 221 is seated, and a heater for heating the wafer 10 to a predetermined temperature is provided therein. In addition, a lifting rod 251 and a lifting device 250 for lifting the susceptor 240 are installed below the susceptor 240.
이와 같은 구성을 갖는 본 발명에 따른 매엽식 반도체 제조장치의 작동을 설명하면, 우선 웨이퍼(10)가 챔버 벽체(220)에 마련된 웨이퍼 출입구(221)와 자켓(290)에 마련된 슬롯(291)을 통해 자켓(290) 내부로 로딩될 때에는 상기 승강장치(250)가 서셉터(240)를 하강시켜 로딩되는 웨이퍼(10)가 서셉터(240)의 상면에 안착될 수 있도록 한다. 웨이퍼(10)의 로딩이 완료되면, 승강장치(250)에 의해 서셉터(240)는 상승되고, 자켓(290) 내부는 터보펌프(20)에 의해 진공 상태로 된다. 이 상태에서 가스 주입관(260)을 통해 화학소스 가스가 주입되어 웨이퍼(10) 상에 소정의 막질이 증착된다. 공정 완료 후에는 승강장치(250)에 의해 서셉터(240)가 하강하게 되고, 웨이퍼(10)는 슬롯(291)과 웨이퍼 출입구(221)를 통해 외부로 언로딩된다.Referring to the operation of the sheet type semiconductor manufacturing apparatus according to the present invention having such a configuration, first, the wafer 10 has a wafer entrance 221 provided in the chamber wall 220 and a slot 291 provided in the jacket 290. When loaded into the jacket 290, the lifting device 250 lowers the susceptor 240 so that the loaded wafer 10 may be seated on the upper surface of the susceptor 240. When the loading of the wafer 10 is completed, the susceptor 240 is lifted by the elevating device 250, and the inside of the jacket 290 is vacuumed by the turbo pump 20. In this state, the chemical source gas is injected through the gas injection pipe 260 to deposit a predetermined film quality on the wafer 10. After completion of the process, the susceptor 240 is lowered by the elevating device 250, and the wafer 10 is unloaded to the outside through the slot 291 and the wafer entrance 221.
본 발명은 개시된 실시예를 참고로 설명되었으나, 이는 예시적인 것에 불과하며, 당해 분야에서 통상적 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 타 실시예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서, 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 첨부된 특허청구범위에 의해서 정해져야 할 것이다.Although the present invention has been described with reference to the disclosed embodiments, these are merely exemplary, and it will be understood by those skilled in the art that various modifications and equivalent other embodiments are possible. Therefore, the true technical protection scope of the present invention will be defined by the appended claims.
이상에서 설명한 바와 같이, 본 발명에 따른 매엽식 반도체 제조장치는 챔버 내부에 설치되는 석영 재질로 된 자켓을 구비한다. 따라서, 상기 자켓에 의해 챔버 베이스와 챔버 벽체가 화학소스 가스에 직접 노출되지 않게 되므로, 챔버 베이스와 챔버 벽체에 화학소스 가스가 침적되는 것을 방지할 수 있게 된다. 이에 따라 주기적으로 행해지는 세척작업이 간편해지고 시간도 절약된다. 또한, 고온 가열로 인해스테인레스 재질로 된 챔버 벽체에서 발생되는 불순 가스가 웨이퍼로 유입되는 것이 자켓에 의해 차단됨으로써 공정 불량이 방지되며, 챔버 내부의 열손실이 줄어들어 챔버 내부의 온도가 안정화되는 효과가 있다.As described above, the sheet type semiconductor manufacturing apparatus according to the present invention includes a jacket made of quartz material installed inside the chamber. Therefore, the chamber base and the chamber wall are not directly exposed to the chemical source gas by the jacket, so that the deposition of the chemical source gas on the chamber base and the chamber wall can be prevented. This simplifies the periodic cleaning operations and saves time. In addition, the inflow of impurities from the chamber wall made of stainless material into the wafer due to the high temperature heating is blocked by the jacket to prevent process defects, and the heat loss in the chamber is reduced to stabilize the temperature inside the chamber. have.
Claims (2)
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019990001653A KR20000051299A (en) | 1999-01-20 | 1999-01-20 | Each wafer loading type semiconductor producing apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019990001653A KR20000051299A (en) | 1999-01-20 | 1999-01-20 | Each wafer loading type semiconductor producing apparatus |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20000051299A true KR20000051299A (en) | 2000-08-16 |
Family
ID=19571873
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019990001653A KR20000051299A (en) | 1999-01-20 | 1999-01-20 | Each wafer loading type semiconductor producing apparatus |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR20000051299A (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100453987B1 (en) * | 2002-01-05 | 2004-10-20 | 주성엔지니어링(주) | Quartz jacket |
-
1999
- 1999-01-20 KR KR1019990001653A patent/KR20000051299A/en not_active Application Discontinuation
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100453987B1 (en) * | 2002-01-05 | 2004-10-20 | 주성엔지니어링(주) | Quartz jacket |
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