KR200147796Y1

KR200147796Y1 - 반도체 장치의 가스 공급 시스템

Info

Publication number: KR200147796Y1
Application number: KR2019960001516U
Authority: KR
Inventors: 김창진; 김재호
Original assignee: 윤종용; 삼성전자주식회사
Priority date: 1996-01-31
Filing date: 1996-01-31
Publication date: 1999-06-15
Also published as: KR970050339U

Abstract

본 고안은 반도체 장치의 가스 공급 시스템에 관한 것으로, 본 고안에 의한 가스 공급 시스템은 2개의 가스 용기로부터 각각 제1 라인 및 제2 라인을 통해 반도체 장치의 입구로 가스를 공급하고, 상기 제1 라인과 제2 라인 사이에 유체가 통할 수 있는 병렬 라인이 연결되고, 상기 병렬 라인은 유체의 흐름을 개방 또는 폐쇄시킬 수 있는 개폐 수단을 포함한다. 본 고안에 의하면 1개의 가스 용기에 충전된 가스를 다 사용한 후에도 가스 공급 시스템의 운전을 중단시킬 필요 없이 나머지 다른 가스 용기내의 가스를 계속 사용할 수 있으므로, 사용되는 가스의 교체 주기가 증가되고, 따라서 작업 효율을 향상시킬 수 있다.

Description

반도체 장치의 가스 공급 시스템

제1도는 종래의 반도체 장치의 가스 공급 시스템을 개략적으로 도시한 것이다.

제2도는 본 고안의 바람직한 실시예에 따른 반도체 장치의 가스 공급 시스템을 개략적으로 도시한 것이다.

* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명

110, 112 : 제1 및 제2 가스 용기 120, 140 : 제1 및 제2 라인

200 : 바이패스 라인 220 : 개폐 수단

224 : 라인 개폐용 밸브

본 고안은 반도체 장치의 가스 공급 시스템에 관한 것으로, 특히 가스 용기의 교체 주기를 증가시킬 수 있는 반도체 장치의 가스 공급 시스템에 관한 것이다.

반도체 장치, 예를 들면 이온 주입 장치 등의 입구측에는 사용될 가스를 공급하는 가스 공급 시스템을 갖추고 있다.

제1도는 종래의 반도체 장치의 가스 공급 시스템을 개략적으로 도시한 것이다. 제1도를 참조하면, 2개의 가스 용기, 즉 제1 가스 용기(10) 및 제2 가스 용기(12)에 충전되어 있는 반도체 공정에 사용될 가스가 각각 배관 시설인 제1 라인(20) 및 제2 라인(40)을 통해 매뉴얼 밸브(manual valve)(60)를 거쳐서 반도체 장치, 예를 들면 이온 주입 장치(도시 생략)의 입구로 도입된다. 여기서, 상기 제1 가스 용기(10)로부터 상기 제1 라인(20)을 통해 흐르는 가스는 필터(24), 압력 조절 장치(26), 셧오프 밸브(28), 매뉴얼 밸브(32), MFC(Mass Flow Controller)(34)를 거쳐서 매뉴얼 밸브(60)를 통해 이온 주입 장치의 입구로 도입된다. 또한, 상기 제2 가스 용기(12)로부터 상기 제2 라인(40)을 통해 흐르는 가스는 필터(44), 압력 조절 장치(46), 셧오프 밸브(48), 매뉴얼 밸브(52), MFC(54)를 거쳐서 매뉴얼 밸브(60)를 통해 이온 주입 장치의 입구로 도입된다. 상기 압력 조절 장치(26, 46)는 각각 1차측 게이지(27, 47) 및 2차측 게이지(29, 49)를 갖추고 있다.

또한, 상기 제1 라인(20)으로부터 제1 퍼지(purge)용 라인(70)이 분기 되고, 상기 제2 라인(40)으로부터 제2 퍼지용 라인(80)이 분기되어, 가스 공급 시스템에서 잔류 가스를 제거하기 위하여 N₂가스에 의한 퍼지를 행할 때에 N₂가스가 밸브(72, 82) 및 체크 밸브(74, 84)를 통해 가스 공급 시스템 내로 도입된다.

상기와 같이 구성된 가스 공급 시스템에 있어서, 상기 제1 가스 용기(10) 및 제2 가스 용기(12)중 임의의 가스 용기에서의 가스 교체시에는 매뉴얼 밸브(32 또는 52)를 폐쇄시키고, 바이패스 밸브(36 또는 56)와 필터(58)를 갖춘 바이패스 라인(30 또는 50)을 통해 각 라인에서의 잔류 가스를 바이패스시킨다. 또한, 정상적인 가스 공급 동작 이외의 작업, 예를 들면 가스의 교체, 설비의 유지 보수 및 교체 등과 같은 작업을 행할 때에는 상기 매뉴얼 밸브(60)를 폐쇄시킨 상태에서 필요한 작업을 행하게 된다.

상기한 바와 같은 종래의 가스 공급 시스템을 사용하는 데 있어서, 제1 및 제2 가스 용기에 각각 다른 종류의 가스를 충전하여 사용하는 경우도 있으나, 동일한 종류의 가스가 충전된 용기를 제1 및 제2 가스 용기로서 별개의 2개의 용기로 사용하는 경우도 적지 않다. 이와 같은 경우에는, 상기 2개의 가스 용기중 1개의 용기만 비워지게 되어도 그 비워진 가스 용기를 교체하기 위하여 가스 공급 시스템 전체의 운전을 중단시켜야 하고, 가스 교체시마다 시스템의 누설 체크를 위한 시간이 소요되는 등 효율면에 있어 서 불리하다. 또한, 1개의 가스 용기가 비워질 때마다 가스를 교체해야 하므로, 가스 교체를 위한 교체 주기도 너무 짧아지고, 잦은 가스 교체에 따라 설비의 마모가 심해져서, 설비내의 가스 누설의 원인중 하나로 작용하게 된다.

따라서, 본 고안의 목적은 가스 용기의 교체 주기를 증가시킬 수 있는 반도체 장치의 가스 공급 시스템을 제공하는 것이다.

상기 목적을 달성 하기 위 하여 본 고안은,

2개의 가스 용기로부터 각각 제1 라인 및 제2 라인을 통해 반도체 장치의 입구로 가스를 공급하는 반도체 장치의 가스 공급 시스템에 있어서,

상기 제1 라인과 제2 라인 사이에는 상기 2개의 가스 용기의 가스 출구 근방에서 유체가 통할 수 있는 병렬 라인이 연결되고, 상기 병렬 라인은 유체의 흐름을 개방 또는 폐쇄시킬 수 있는 개폐 수단을 포함하고,

상기 제1 라인과 제2 라인중 적어도 1개의 라인상에서 상기 병렬 라인이 분기되는 분기점의 하류에 라인 개폐용 밸브를 갖춘 것을 특징으로 하는 가스 공급 시스템을 제공한다.

바람직하게는, 상기 개폐 수단은 매뉴얼 밸브(manual valve) 또는 에어 밸브(air valve)이다.

본 고안에 의하면, 사용되는 가스 용기의 교체 주기가 증가되고, 따라서 작업 효율을 향상시킬 수 있다.

다음에, 본 고안의 바람직한 실시예에 대하여 첨부 도면을 참조하여 상세히 설명한다.

제2도는 본 고안의 바람직한 실시예에 따른 반도체 장치의 가스 공급 시스템을 개략적으로 도시한 것이다. 제2도를 참조하면, 2개의 가스 용기, 즉 제1 가스 용기(110) 및 제2 가스 용기(112)에 충전되어 있는 반도체 공정에 사용될 가스가 각각 배관 시설인 제1 라인(120) 및 제2 라인(140)을 통해 매뉴얼 밸브(160)를 거쳐서 반도체 장치, 예를 들면 이온 주입 장치(도시 생략)의 입구로 도입된다. 여기서, 상기 제1 가스 용기(110)로부터 상기 제1 라인(120)을 통해 흐르는 가스는 필터(124), 압력 조절 장치(126), 셧오프 밸브(128), 매뉴얼 밸브(132), MFC(134)를 거쳐서 매뉴얼 밸브(160)를 통해 이온 주입 장치의 입구로 도입된다. 또한, 상기 제2 가스 용기(112)로부터 상기 제2 라인(140)을 통해 흐르는 가스는 필터(144), 압력 조절 장치(146), 셧오프 밸브(148), 매뉴얼 밸브(152), MFC(154)를 거쳐서 매뉴얼 밸브(160)를 통해 이온 주입 장치의 입구로 도입된다. 상기 압력 조절 장치(126, 146)는 각각 1차측 게이지(127, 147) 및 2차측 게이지(129, 149)를 갖추고 있다.

또한, 상기 제1 라인(120)으로부터 제1 퍼지용 라인(170)이 분기되고, 상기 제2 라인(140)으로부터 제2 퍼지용 라인(180)이 분기되어, 가스 공급 시스템에서 잔류 가스를 제거하기 위하여 N₂가스에 의한 퍼지를 행할 때에 N₂가스가 밸브(172, 182) 및 체크 밸브(174, 184)를 통해 가스 공급 시스템 내로 도입된다.

또한, 상기 제1 가스 용기(110) 및 제2 가스 용기(112)중 임의의 가스 용기에서의 가스 교체시에는 매뉴얼 밸브(132 또는 152)를 폐쇄시키고, 바이패스 밸브(136 또는 156)와 필터(158)를 갖춘 바이패스 라인(130 또는 150)을 통해 각 라인에서의 잔류 가스를 바이패스시킨다. 그리고, 정상적인 가스 공급 동작 이외의 작업, 예를 들면 가스의 교체, 설비의 유지 보수 및 교체 등과 같은 작업을 행할 때에는 상기 매뉴얼 밸브(160)를 폐쇄시킨 상태에서 상기한 바와 같은 작업을 행하게 된다.

그리고, 상기 제1 라인(120)과 제2 라인(140) 사이에는 상기 제1 가스 용기(110) 및 제2 가스 용기(112)의 각각의 가스 출구(111, 113) 근방에서 병렬 라인(200)이 연결된다. 상기 병렬 라인(200)은 개폐 수단(220)을 포함한다. 상기 개폐 수단(220)은 바람직하게는 매뉴얼 밸브 또는 에어 밸브(air valve)이다. 따라서, 상기 2개의 가스 용기(110, 112)중에서 1개의 용기가 비워졌을 때 그 가스 용기를 교체시킬 필요 없이, 단지 상기 개폐 수단(220)을 개방시킴으로써 나머지 가스 용기내의 가스를 계속 사용한다.

또한, 본 고안에 따른 가스 공급 시스템은 상기 제1 라인(120) 및 제2 라인(140)으로부터 상기 병렬 라인(200)이 분기되는 분기점(210, 230)중 적어도 1개의 하류에 라인 개폐용 밸브를 포함한다.

본 고안의 일 실시예를 도시한 제2도에서는 제2 라인(140)상에서 분기점(230)의 하류에. 구체적으로는 분기전(230)과 필터(144) 사이에 라인 개폐용 밸브(224)를 포함한다.

이와 같이 구성된 본 고안에 따른 가스 공급 시스템에서는, 예를 들면 제2 가스 용기(112) 내의 가스가 모두 소모되면 병렬 라인(200)상의 개폐 수단(220)은 개방시키고 라인 개폐용 밸브(224)는 폐쇄시킨 상태에서 가스 공급 시스템을 운전하게 되면, 제2 라인(140)을 사용하지 않고 제1 라인(120)만 사용하는 상태에서 제1 가스 용기(110)내의 가스에 의한 가스 공급 시스템을 계속 운전할 수 있다. 또한 상기 제1 가스 용기(110) 및 제2 가스 용기(112)중 어느 것도 완전히 소모되지 않은 상태에서, 상기 라인 개폐용 밸브(224)는 폐쇄시키고 상기 가폐 수단(220)을 개방시키면, 상기 제1 가스 용기(110) 및 제2 가스 용기(112)를 동시에 사용할 수 있어서 1개의 가스 용기만을 사용하는 경우보다 가스 용기의 교체 주기가 증가된다.

본 고안은 제2도에 도시한 실시예에 한정되지 않으며, 상기 라인 개폐용 밸브(224)는 제1 라인(120)상에 포함될 수도 있고, 제1 라인(120) 및 제2 라인(140)에 모두 포함될 수도 있다.

상기한 바와 같이, 본 고안에 의하면 2개의 가스 용기를 동시에 사용할 수도 있고, 1개의 가스 용기에 충전된 가스를 다 사용한 후에도 가스 공급 시스템의 운전을 중단시킬 필요 없이 나머지 다른 가스 용기내의 가스를 계속 사용할 수 있으므로, 사용되는 가스 용기의 교체 주기가 증가되고, 따라서 작업 효율을 향상시킬 수 있다.

Claims

2개의 가스 용기로부터 각각 제1 라인 및 제2 라인을 통해 반도체 장치의 입구로 가스를 공급하는 반도체 장치의 가스 공급 시스템에 있어서 , 상기 제1 라인과 제2 라인 사이에는 상기 2개의 가스 용기의 가스 출구 근방에서 유체가 통할 수 있는 병렬 라인이 연결되고, 상기 병렬 라인은 유체의 흐름을 개방 또는 폐쇄시킬 수 있는 개폐 수단을 포함하고, 상기 제1 라인과 제2 라인중 적어도 1개의 라인상에서 상기 병렬 라인이 분기되는 분기점의 하류에 라인 개폐용 밸브를 갖춘 것을 것을 특징으로 하는 가스 공급 시스템.
제1항에 있어서, 상기 개폐 수단은 매뉴얼 밸브(manual valve) 또는 에어 밸브(air valve)인 것을 특징으로 하는 가스 공급 시스템.