KR200146659Y1 - 반도체 제조용 진공장비의 챔버 벤트장치 - Google Patents
반도체 제조용 진공장비의 챔버 벤트장치 Download PDFInfo
- Publication number
- KR200146659Y1 KR200146659Y1 KR2019930002430U KR930002430U KR200146659Y1 KR 200146659 Y1 KR200146659 Y1 KR 200146659Y1 KR 2019930002430 U KR2019930002430 U KR 2019930002430U KR 930002430 U KR930002430 U KR 930002430U KR 200146659 Y1 KR200146659 Y1 KR 200146659Y1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- chamber
- pressure difference
- microcomputer
- pressure
- signal
- Prior art date
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 18
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 16
- 238000002347 injection Methods 0.000 claims description 8
- 239000007924 injection Substances 0.000 claims description 8
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 3
- 230000002411 adverse Effects 0.000 abstract description 2
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 7
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Control Of Fluid Pressure (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Compressors, Vaccum Pumps And Other Relevant Systems (AREA)
Abstract
본 고안은 반도체 제조용 진공장비의 챔버 벤트 시스템에 관한 것으로, 각 챔버 간의 압력차로 인하여 파더클이 발생됨을 방지하기 위한 것이다.
종래에는 로드챔버에서 메인챔버 또는 메인챔버에서 로드챔버로 웨이퍼 이동시 각 챔버간의 압력차로 인하여 파더클이 발생함으로 웨이퍼에 치명적인 악영향을 주었다.
본 고안은 각 챔버간의 압력차를 감지하는 압력센서(7,8)와, 압력센서의 감지된 신호를 증폭하고 디지탈 신호로 변환하는 증폭기, A/D 변환기와 이 신호를 입력하여 압력차를 구하여 표시하고 압력차를 제거하기 위해 제어신호를 출력하는 마이콤(14)과, 마이콤(14)과, 마이콤(14)의 제어신호에 의해 각 챔버의 가스량을 제어하는 출력부와, 마이콤(14)에 설정값을 입력하기 위한 입력스위치 및 표시부로 구성되어, 각 챔버간의 압력차를 0으로 한 뒤 웨이퍼를 이동시키도록 한 것이다.
따라서, 파더클이 발생될 염려가 없어 우수한 품질의 반도체 장치를 제조할 수 있다.
Description
제1도는 종래의 반도체 제조용 진공장비 구성도.
제2도는 본 고안의 반도체 제조용 진공장비의 챔버 벤트장치 구성도.
제3도는 본 고안에 따른 동작 순서도.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
1,1a : 진공펌프 2,2a,2b : 차단밸브
3,3a,3b : 벤트용가스주입라인 4,6 : 로드챔버
5 : 메인챔버 7,8 : 격리용도어
9 : 웨이퍼 10 : 압력차감지용튜브
11,11a : 압력센서 12 : 증폭기
13 : A/D 변환기 14 : 마이콤
15 : 표시부 16 : 입력스위치
17 : 출력부 18 : 관
19,19a,19b : 밸브
본 고안은 반도체 제조용 진공장비에 관한 것으로, 특히 챔버 벤트시 파더클 발생을 최소화시키기 위해 반도체 제조용 진공장비에 간단히 부착가능하도록 반도체 제조용 진공장비의 챔버(Chamber) 벤트장치에 관한 것이다.
종래의 반도체 제조용 진공장비를 첨부된 도면을 참조하여 설명하면 다음과 같다.
제1도는 종래의 반도체 제조용 진공장비 구성도로써, 진공펌프(1), 차단밸브(2), 벤트용가스주입라인(3)이 구성된 입구쪽의 제1로드(Load)챔버(4)와, 진공펌프(1a), 차단밸브(2a), 벤트용가스주입라인(3a)이 구성된 메인챔버(5)와, 상기 제1로드챔버(4)에 구성된 동일의 진공펌프(1), 차단밸브(2b), 벤트용가스주입라인(3b)이 구성되어 출구쪽에 형성된 제2로드챔버(6)와, 제1로드챔버(4)와 메인챔버(5) 사이의 격리용도어(7)와, 메인챔버(5)와 제2로드챔버(6) 사이의 격리용도어(8)로 이루어진다.
이와 같은 종래의 반도체 제조용 진공장비는 공정진행시 제1로드챔버(4)에서 메인챔버(5) 또는 메인챔버(5)에서 제2로드챔버(6)로 웨이퍼(9) 이동시 중간에 격리용도어(7,8)를 열어 웨이퍼(9)를 이동시킨다.
그러나, 이와 같은 종래의 반도체 제조용 진공장비에 있어서는 장비시스템 전체를 제어함으로써, 격리용도어(7,8)을 오픈시킬 때 챔버간의 입력차이로 인하여 공기진동이 일어나 파더클(먼지)이 발생되어 웨이퍼(9)에 치명적인 악영향을 주는 문제점이 있다.
본 고안은 이와 같은 문제점을 해결하기 위하여 안출한 것으로서, 각 챔버간의 압력차를 제거하여 파더클 발생을 최소화하는데 그 목적이 있다.
이와 같은 목적을 달성하기 위한 본 고안의 반도체 제조용 진공장비의 챔버 벤트장치를 첨부된 도면을 참조하여 상세히 설명하면 다음과 같다.
제2도는 본 고안의 반도체 제조용 진공장비의 챔버 벤트장치 구성도로써, 제1로드챔버(4)와 제2로드챔버(6)를 진공하기 위한 진공펌프(1)가 제1, 제2로드챔버(4,6)에 관(18)을 통해 연결되어 있고 진공펌프(1)와, 제1, 제2로드챔버(4,6) 사이의 관(8)에 차단용밸브(2,2b)와 벤트용가스주입라인(3,3b) 및 밸브(19,19b)가 설치되며, 메인챔버(5)도 마찬가지로 진공펌프(1a), 차단용밸브(2a), 벤트용가스주입라인(3a) 및 밸브(19a)가 설치된다.
그리고 제1로드챔버(4)와 메인챔버(5) 사이, 메인챔버(5)와 제2로드챔버(6) 사이에는 각각 격리용도어(7,8)가 설치되고, 제1, 제2로드챔버(4,6) 및 메인챔버(5) 하측에 압력차감지용튜브(10)가 설치되고, 압력차감지용튜브(10)의 제2로드챔버(4)와 메인챔버(5) 사이, 메인챔버(5)와 제2로드챔버(6) 사이에 압력센서(11,11a)가 설치되며, 압력센서(11,11a)로부터의 신호를 증폭하는 증폭기(12)와, 증폭된 신호를 디지탈 신호 로 변환하는 A/D 변환기(13)와, 디지탈로 변환된 데이타를 입력하여 설정값에 따라 제1, 제2로드챔버(4,6) 및 메인챔버(5)의 압력차를 제어하고 압력차를 표시하는 마이콤(14)과, 마이콤(14)에 각종 설정값을 입력하기 위한 입력스위치부(16)와, 마이콤(14)에 의해 각 챔버의 압력차를 표시하기 위한 표시부(15)와, 마이콤(14)의 신호에 의해 각 벤트용가스주입라인(3,3a,3b)에 설치된 밸브(19,19a,19b)를 조절하는 출력부(17)로 구성된다.
이와 같이 구성된 본 고안의 반도체 제조용 진공장비의 챔버 벤트장치의 동작은 다음과 같다.
제3도는 본 고안의 동작 순서도로써, 제1로드챔버(4)와 메인챔버(5) 사이, 제2로드챔버(6)와 메인챔버(5) 사이의 압력차를 압력센서(11,11a)로 검출하고, 검출된 신호는 증폭기(9)에서 적절한 이득으로 증폭시켜 A/D 변환기(13)에서 디지탈신호로 변환시킨다.
변환된 디지탈 데이타를 마이콤(14)이 입력하여 압력차를 구한다.
즉, 메인챔버(5)보다 제1, 제2로드챔버(4,6)의 압력이 작을 때는 압력센서(11,11a)가 (-)전압을 출력하고, 메인챔버(5)보다 제1, 제2로드챔버(4,6)의 입력이 클 때에는 (+)전압을 출력하므로 마이콤(14)은 이 신호를 비교판단하여 압력차를 표시부(15)에 표시한다.
따라서, 입력스위치(16)를 통해 표시부(15)를 보면서 압력차가 가장 작도록 설정값을 마이콤(14)에 입력하면, 메인챔버(5)보다 제1, 제2로드챔버(4,6)의 압력이 작을 때는 마이콤(14)이 밸브(19,19b)를 제어하도록 출력부(17)에 제어신호를 보내어 압력차가 0이 될 때까지 가스량을 조절한다.
메인챔버(5)보다 제1, 제2로드챔버(4,6)의 압력이 클 때는 마이콤(14)이 밸브(19a)를 제어하도록 출력부(17)에 제어신호를 보내어 압력차가 0이 될 때까지 가스량을 조절한다.
이와 같이 압력차를 제거하여 웨이퍼(9)를 이동하면 된다.
이때 가스량은 입력스위치(16)에서 설정된 펙타값 즉, 슬로우 벤트가 되도록 시간(Time) 설정압력 곡선 등을 설정가능하도록 되어 있다.
이상에서 설명한 바와 같이 본 고안의 반도체 제조용 진공장비의 챔버 벤트장치에 있어서는 공정진행중 발생하는 압력차에 의한 파더클을 최소화시킬 수 있으며 기존 장비에 외부에서 손쉽게 장착 가능하므로 모든 장비에 적용할 수 있는 효과가 있다.
Claims (1)
- 벤트용가스주입라인(3,3a,3b)이 각각 설치되고 도어(7,8)에 의해 상호격리된 제1로드챔버(4), 메인챔버(5), 제2로드챔버(6)를 구비한 반도체 제조용 진공장비에 있어서, 각 챔버와 통하여지게 연결되어 제1, 제2로드챔버(4,6)와 메인챔버(5)간의 압력차를 감지하는 제1, 제2압력센서(11,11a)가 설치되는 압력차감지용튜브(10)와, 상기 각 압력센서(7,8)에 연결되어 압력센서에서 감지된 신호를 증폭하는 증폭기(12)와, 상기 증폭기(12)의 증폭된 신호를 디지탈 신호로 변환하는 A/D 변환기(13)와, 변환된 디지탈 신호를 입력하여 각 챔버간의 압력차를 구하고 이를 외부에 알려주며, 압력차를 제거하기 위해 제어신호를 출력하는 마이콤(14)과, 압력차에 따라 압력차를 0으로 하기 위한 설정값을 마이콤(14)에 입력하기 위한 입력스위치(16)와, 상기 벤트용가스주입라인에 각각 설치되어 각 챔버내로 가스를 공급하는 밸브(19,19a,19b)와, 상기 마이콤(14)의 제어신호에 따라 밸브(19,19a,19b)를 제어하는 출력부(17)와, 상기 마이콤(14)에서 각 챔버의 압력차를 알려주기 위해 압력차를 표시하는 표시부(15)를 포함하여 구성됨을 특징으로 하는 반도체 제조용 진공장비의 챔버 벤트장치.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR2019930002430U KR200146659Y1 (ko) | 1993-02-22 | 1993-02-22 | 반도체 제조용 진공장비의 챔버 벤트장치 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR2019930002430U KR200146659Y1 (ko) | 1993-02-22 | 1993-02-22 | 반도체 제조용 진공장비의 챔버 벤트장치 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR940021331U KR940021331U (ko) | 1994-09-24 |
| KR200146659Y1 true KR200146659Y1 (ko) | 1999-06-15 |
Family
ID=19351084
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR2019930002430U KR200146659Y1 (ko) | 1993-02-22 | 1993-02-22 | 반도체 제조용 진공장비의 챔버 벤트장치 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR200146659Y1 (ko) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101501426B1 (ko) * | 2006-06-02 | 2015-03-11 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 차압 측정들에 의한 가스 유동 제어 |
-
1993
- 1993-02-22 KR KR2019930002430U patent/KR200146659Y1/ko not_active IP Right Cessation
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101501426B1 (ko) * | 2006-06-02 | 2015-03-11 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 차압 측정들에 의한 가스 유동 제어 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR940021331U (ko) | 1994-09-24 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR101117747B1 (ko) | 진공 압력 제어 시스템 | |
| US7076920B2 (en) | Method of using a combination differential and absolute pressure transducer for controlling a load lock | |
| KR970067539A (ko) | 기판처리장치 | |
| KR200146659Y1 (ko) | 반도체 제조용 진공장비의 챔버 벤트장치 | |
| US5029610A (en) | Flow-control type piezoelectric element valve | |
| KR20170113632A (ko) | 압력 제어 장치 | |
| JP2826409B2 (ja) | ドライエッチング装置 | |
| EP1333187A2 (en) | Exhaust apparatus with control means for a multistage labyrinth seal of a hydrostatic bearing used in vacuum | |
| JPH0679159A (ja) | 真空室用ガス導入装置 | |
| JP4095733B2 (ja) | 真空圧力制御システム | |
| JPH09144705A (ja) | 負空気圧サーボシステム | |
| KR100676197B1 (ko) | 로드락 챔버의 공기흐름 조절장치 | |
| JPH05283367A (ja) | 気密室の常圧復帰装置 | |
| JP2949521B2 (ja) | 排気装置用制御装置 | |
| JP2627039B2 (ja) | 真空排気装置 | |
| JPS6311827A (ja) | 差圧計の零点補正装置 | |
| JPH08139085A (ja) | 半導体製造装置 | |
| JPH1019005A (ja) | 電空変換器の出力制御方法およびシステム | |
| CN217886082U (zh) | 一种恒压气腹机 | |
| JPH10128690A (ja) | 電子式圧力スイッチ及びこれを用いた真空部品吸着装置 | |
| JP2000181548A (ja) | 真空処理装置及びその圧力制御方法 | |
| JPH05251543A (ja) | 半導体処理装置 | |
| KR0122609Y1 (ko) | 반도체 제조용 로드락챔버의 대기압일치장치 | |
| JPH05302862A (ja) | 近似ゲージ圧の表示装置及び絶対圧力を測定して近似ゲージ圧を表示する方法 | |
| JP2784541B2 (ja) | エアモータのトルク制御装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
| REGI | Registration of establishment | ||
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20070221 Year of fee payment: 9 |
|
| EXPY | Expiration of term |