KR200144805Y1 - Heat sink for semiconductor IC - Google Patents
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Abstract
본 고안은 반도체 아이씨용 방열판에 관한 것으로, 공지의 형상을 가지는 기부 둘레에 상호 대응되게 앰보싱가공되어 하측으로 돌출형성된 하부돌기와, 기부 중앙 상측으로 돌출형성된 상면돌부에 장공이 형성되어 구비되는 방열판을 구비하므로 보호층이 부품들의 상하부에 고루 도포, 응고되게 하므로 부품들간의 결합력을 향상시키도록 하였고 하부돌기에 의해 방열판의 다수 적재된 상태가 견고하도록 하였다.The present invention relates to a heat sink for a semiconductor IC, and the heat sink is formed with a long hole is formed in the upper projection protruded to the upper side and the lower projection formed by the embossing protruding downward corresponding to the periphery of the base having a known shape Since the protective layer is applied and solidified evenly on the upper and lower parts of the parts to improve the bonding force between the parts and by the lower projections to ensure that the state of a large number of heat sinks loaded.
Description
제1도는 일반적인 반도체 아이씨용 방열판 설치구조를 보이는 부분절제사시도.1 is a partial ablation perspective view showing a heat sink installation structure for a general semiconductor IC.
제2도는 본 고안 방열판을 보이는 부분절제사시도.2 is a partial ablation perspective view showing the heat sink of the present invention.
제3도는 본 고안방열판이 설치된 상태를 보이는 부분단면도.3 is a partial cross-sectional view showing a state in which the present invention heat sink is installed.
제4도는 본 고안 방열판이 다수 적재된 상태를 보이는 개략적 측면도이다.4 is a schematic side view showing a state in which a plurality of heat sinks of the present invention are loaded.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명* Explanation of symbols for main parts of the drawings
13 : 방열판 13a : 장공13: heat sink 13a: long hole
13b : 상면돌부 13c : 기부13b: Top protrusion 13c: Base
13d : 하부돌기 13e : 유입부13d: lower protrusion 13e: inlet
본 고안은 전자부품에 해당하는 집적회로로 이루어진 반도체에 관한 것으로, 특히 집적회로소자에서 전기 도통으로 인해 발생되는 열적작용을 방열토록 하는 방열판에 관한 것이다.The present invention relates to a semiconductor consisting of an integrated circuit corresponding to an electronic component, and more particularly, to a heat sink to dissipate thermal effects generated by electrical conduction in an integrated circuit device.
일반적으로 반도체 아이씨(IC)용 방열판은 반도체 IC를 구성하고 있는 집적회로 소자에서 지속적인 기능수행을 진행하면서 과부하에 의한 회로소자에서 발생되는 열작용을 외부로 방열토록 하여 신뢰성 있는 기능수행 및 발열로 인한 부작용을 방지하려는 목적으로 개발사용되고 있다.In general, the heat sink for the semiconductor IC (IC) heat dissipates heat generated in the circuit device due to overload to the outside while continuing to perform the function in the integrated circuit device constituting the semiconductor IC to the side effect of reliable performance and heat generation It is being developed and used to prevent this.
이러한 방열판은 제1도에 도시한 바와 같이 다른부품과 연계 설치사용되는바, 리이드프레임(1) 중앙 상면에 회로소자(2)가 안착되어 있고, 리이드프레임(1) 하면에 방열판(3)이 배치된 내부구조를 지니면서 외부를 보호층(4)으로 감싼 구조를 갖는다. 여기서, 방열판(3)은 가장자리에 장공(3a)이 형성되고 중앙에 상면돌부(3b)가 형성되며, 이 상면돌부(3b)엔 리이드프레임(1)이 밀착된 상태에서 보호층(4)이 도포되어 상호지지 고정되는 것이다.This heat sink is used in conjunction with other components as shown in Figure 1, the circuit element 2 is seated on the upper surface of the lead frame (1), the heat sink 3 is located on the lower surface of the lead frame (1) It has a structure wrapped around the outside with a protective layer (4) having an internal structure disposed. Here, the heat sink 3 has a long hole (3a) is formed at the edge and the upper surface portion (3b) is formed in the center, the protective layer (4) in the state that the lead frame (1) in close contact with the upper surface portion (3b) It is applied and fixed to each other.
그런데 이러한 방열판을 보호층(4) 내에 적절히 매립시키기 위해서는 이를 보호층(4) 바닥면으로부터 소정거리 이격시킨 상태에서 보호층(4)을 보포, 응고시켜야 하는데, 종래에는 이와 같이 방열판(3)을 보호층(4) 바닥면으로부터 이격시킬 별도의 방법이 없어 방열판(3)을 보호층(4) 내에 적절히 매립시키지 못하여 부품들간의 결합력이 그다지 크지 못하는 문제가 있었다.However, in order to embed the heat sink in the protective layer 4 properly, the protective layer 4 should be covered and solidified in a state of being spaced apart from the bottom surface of the protective layer 4 by a predetermined distance. Since there is no separate method to separate from the bottom surface of the protective layer 4, the heat sink 3 is not properly embedded in the protective layer 4, there is a problem that the coupling force between the components is not very large.
상술한 문제를 감안하여 본 고안의 목적은 방열판의 바닥면에 여러 개의 하부돌기가 형성되어 방열판을 기준면으로부터 일정거리 이격시킬 수 있어 보호층내에 적절히 매립시킬 수 있도록 한 반도체 아이씨용 방열판에 관한 것이다.In view of the above-described problems, an object of the present invention relates to a heat dissipation plate for a semiconductor IC in which a plurality of lower protrusions are formed on a bottom surface of a heat dissipation plate so that the heat dissipation plate may be spaced a predetermined distance from the reference plane so that the heat dissipation plate may be properly embedded in the protective layer.
이와 같은 목적을 달성하기 위한 본 고안의 반도체 아이씨용 방열판은 반도체 아이씨용 방열판에 있어서, 공지의 형상을 가지는 기부 둘레에 상호 대응되게 앰보싱가공되게 하측으로 돌출형성된 하부돌기와, 기부 중앙 상측으로 돌출형성된 상면돌부에 장공이 형성되어 구비되는 것을 특징으로 한다.The heat dissipation plate for semiconductor ICs of the present invention for achieving the above object is a heat dissipation plate for semiconductor ICs, the lower protrusion protruding downwardly to be embossed to correspond to the base circumference having a known shape, and protruding upward from the base center. It characterized in that the long hole is formed is provided in the upper protrusion.
본 고안의 구체적 특징 및 이점은 첨부된 도면을 참조한 이하의 설명으로 더욱 명확해 질 것이다.Specific features and advantages of the present invention will become more apparent from the following description with reference to the accompanying drawings.
제2도에서, 본 고안의 방열판(13)은 기부(13c)의 중앙에 리이드프레임(1)이 안착되도록 상면돌부(13b)가 형성되어 있고, 이 상면돌부(13b)에 방열판(13)의 상면과 하면에 보호층(4)이 골고루 도포되어 결속력을 강화시키도록 장공(13a)이 형성되어 있으며 상면돌부(13b) 주위의 기부(13c)에는 하측방향으로 엠보싱가공되어 방열판(13)을 보호층(4) 바닥면, 즉 기준면(P)으로 부터 소정거리 이격되도록 사방에 하부돌기(13d)가 형성되어 있다.In FIG. 2, the heat sink 13 of the present invention has an upper protrusion 13b formed at the center of the base 13c so that the lead frame 1 is seated thereon, and the heat sink 13b is formed on the upper protrusion 13b. A long hole 13a is formed to uniformly apply the protective layer 4 on the upper and lower surfaces and to strengthen the binding force, and the base 13c around the upper protrusion 13b is embossed downward to protect the heat sink 13. Lower projections 13d are formed on all sides of the layer 4 so as to be spaced apart from the reference surface P by a predetermined distance.
이러한 구성의 본 고안 방열판(13)을 제3도와 같이 기준면(P) 상에 올려놓으면 하부돌기(13d)에 의해 방열판(13)의 기부(13c)와 기준면(P)과 소정거리(D) 이격되고, 이와 같은 상태에서 상면돌부(13b)에 리이드프레임(1), 회로소자(2)를 순차적으로 안착시키며 그 위에 액상의 보호층(4)을 부어서 도포시킨다. 이때 액상의 보호층(4)은 방열판(13)의 장공(13a) 및 유입부(13e)를 통해 하부돌기(13d)에 의해 소정거리(D) 이격된 방열판(13) 하측으로 유입되어 응고되므로 부품들의 상, 하부간의 결합력을 증대시키게 된다.When the heat sink 13 of the present invention is placed on the reference plane P as shown in FIG. 3, the base 13c and the reference plane P of the heat sink 13 are separated by a predetermined distance D by the lower protrusion 13d. In this state, the lead frame 1 and the circuit element 2 are sequentially seated on the top protrusion 13b, and the liquid protective layer 4 is poured thereon and applied. In this case, the liquid protective layer 4 flows into the lower side of the heat dissipation plate 13 spaced apart by a predetermined distance D by the lower protrusion 13d through the long hole 13a and the inlet part 13e of the heat dissipation plate 13. The coupling force between the upper and lower parts of the parts is increased.
그러므로 본 고안의 반도체 아이씨용 방열판은 하부돌기(13d)에 의하면, 부품들이 안착된 상태에서 하측의 방열판을 기준면으로 부터 소정거리 이격시키게 되어 보호층을 도포시 부품들의 상부와 하부를 고루 도포, 응고되게 되어 부품들간의 결합력을 증대시키게되고 다수 적재된 방열판 들의 유동을 방지시켜 후속공정을 원활히 할 수 있도록 하는 효과가 있다.Therefore, according to the lower projection 13d, the heat sink for semiconductor IC of the present invention is spaced apart from the reference plane by a predetermined distance from the reference plane in the state where the parts are seated, so that the top and bottom of the parts are evenly applied and solidified when the protective layer is applied. It is to increase the bonding force between the parts and to prevent the flow of a plurality of heat sinks are effective to facilitate the subsequent process.
Claims (1)
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR2019960001983U KR200144805Y1 (en) | 1996-02-08 | 1996-02-08 | Heat sink for semiconductor IC |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR2019960001983U KR200144805Y1 (en) | 1996-02-08 | 1996-02-08 | Heat sink for semiconductor IC |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR970052869U KR970052869U (en) | 1997-09-08 |
| KR200144805Y1 true KR200144805Y1 (en) | 1999-06-15 |
Family
ID=60837159
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR2019960001983U KR200144805Y1 (en) | 1996-02-08 | 1996-02-08 | Heat sink for semiconductor IC |
Country Status (1)
| Country | Link |
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| KR (1) | KR200144805Y1 (en) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20030023985A (en) * | 2001-09-14 | 2003-03-26 | 주동욱 | Method of ensuring against electrical risk using oxidation treated heat-slug in a PBGA package |
-
1996
- 1996-02-08 KR KR2019960001983U patent/KR200144805Y1/en not_active IP Right Cessation
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR970052869U (en) | 1997-09-08 |
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