KR200144713Y1 - Power circuit - Google Patents
Power circuit Download PDFInfo
- Publication number
- KR200144713Y1 KR200144713Y1 KR2019930026477U KR930026477U KR200144713Y1 KR 200144713 Y1 KR200144713 Y1 KR 200144713Y1 KR 2019930026477 U KR2019930026477 U KR 2019930026477U KR 930026477 U KR930026477 U KR 930026477U KR 200144713 Y1 KR200144713 Y1 KR 200144713Y1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- voltage
- power supply
- overvoltage
- transistor
- overcurrent
- Prior art date
Links
Abstract
본고안은 과전압, 과전류 상태가 발생하는 경우 부품의 파괴없이 전원 회로를 보호하고, 대기전원과 주전원을 겸용하여 사용하는 전원보호에 관한 것이다. 이를 위하여 비정상적으로 과대전류가 흐르는 것을 검출하는 과전압 검출부와, 피드백계의 고장으로 전압이 과도하게 상승하는 것을 검출하는 과전압 검출부와, 상기 과전류 검출부와 과전압 검출부에서 과전류, 과전압이 검출되면 보호상태를 유지하는 기억회로부와, 이상발생시 상기 기억회로부의 출력을 받아 스위칭 트랜지스터의 동작을 정지시키는 발진정지제어부와 동시에 자주발진바이어스를 차단하여 전원부의 재기동을 방지하는 자주방지 제어부를 구비한다.This paper is concerned with the protection of power supply circuits without destroying parts when overvoltage and overcurrent conditions occur, and the protection of power supply using both standby and main power. To this end, an overvoltage detector for detecting abnormally excessive current flow; an overvoltage detector for detecting excessive rise in voltage due to a failure of a feedback system; And an oscillation stop control section which stops the operation of the switching transistor in response to an output of the memory circuit section, and an independence prevention control section which cuts off the frequent oscillation bias and prevents restart of the power supply section.
Description
제1도는 종래 전원회로에 대한 회로도.1 is a circuit diagram of a conventional power supply circuit.
제2도는 본 고안의 실시예에 따른 전원회로의 블럭도.2 is a block diagram of a power supply circuit according to an embodiment of the present invention.
제3도는 과전류, 과전압 검출부의 검출소자가 트랜지스터 및 제어다이오드로 구성된 전원회로에 대한 상세회로도.3 is a detailed circuit diagram of a power supply circuit in which the detection elements of the overcurrent and overvoltage detection unit are composed of transistors and control diodes.
제4도는 과전류, 과전압 검출부의 검출소자가 집적회로로 구성된 전원회로에 대한 상세회로도.4 is a detailed circuit diagram of a power supply circuit in which the detection elements of the overcurrent and overvoltage detection unit are integrated circuits.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명* Explanation of symbols for main parts of the drawings
10 : 과전류 검출부 20 : 과전압 검출부10: overcurrent detector 20: overvoltage detector
30 : 기억회로부 40 : 발진정지 제어부30: memory circuit 40: oscillation stop control
50 : 자주방지 제어부50: self-prevention control unit
본 고안은 텔레비젼의 주전원으로 사용하고 있는 SMPS(Switch Mode Power Supply)전원회로에 있어서, 특히 과전압, 과전류 상태가 발생할 경우 전원을 신속히 차단하여 회로부품의 파손을 방지하는 전원회로에 관한 것이다.The present invention relates to a power supply circuit for switching mode power supply (SMPS) used as a main power source of a television, in particular, in the event of an overvoltage or overcurrent condition, the power supply is quickly cut off to prevent damage to circuit components.
통상적으로 SMPS 전원회로는 전원전압을 정류하고, 상기 정류된 전압을 40 ~60KHZ 정도의 주파수로 스위칭하여 텔레비젼구동에 필요한 전압을 얻고 있다.In general, the SMPS power circuit rectifies the power supply voltage, and switches the rectified voltage to a frequency of about 40 to 60 KHZ to obtain a voltage required for driving a television.
그러나 보호회로가 적용되지 않는 종래 전원회로를 사용하는 도중 피드백 계통의 고장으로 전압이 과도하게 상승하거나, 과전류가 연속적으로 흐를 경우 스위칭 TR이 파괴되거나 또한 대기전원과 주전원을 겸용할 시에는 주전원 차단시 대기전원도 동작을 멈추므로 보호상태를 유지할 전원을 공급받을 수 없는 문제점을 가지고 있었다.However, if the voltage rises excessively due to the failure of the feedback system or the overcurrent flows continuously while using the conventional power circuit without the protection circuit, the switching TR is destroyed or when the main power and the main power are used together. Since standby power also stops operating, there was a problem in that power cannot be supplied to maintain a protected state.
상기 문제점을 도면 제1도를 참조하여 상세히 설명하기로 한다.The problem will be described in detail with reference to FIG. 1.
제1도는 종래 대기전원과 주전원을 겸용한 전원회로에 대한 회로도이다.1 is a circuit diagram of a power supply circuit that combines a conventional standby power supply and a main power supply.
동도면에서, 전원(AC Line)전압이 브릿지 다이오드에 의해 정류되어 전해 콘덴서(Ca)에 완충전되면, 저항(R1)과 제어다이오드(ZD1)에 의해 일정 전압이 설정되면, 상기 설정전압에 의해 저항(R2)을 경유하여 트랜지스터(TR1)의 베이스에 미약한 전류가 흐르게 된다.In the same figure, when the AC line voltage is rectified by the bridge diode and fully charged in the electrolytic capacitor Ca, the predetermined voltage is set by the resistor R 1 and the control diode ZD 1 . As a result, a weak current flows to the base of the transistor TR 1 via the resistor R 2 .
상기 트랜지스터(TR1)의 콜렉터에 Hfe x Ib 만큼의 전류가 흘러 SMPS 트랜스 T1에 흐르는 전류는 상기 SMPS 트랜스 T2의 도트(dot)쪽에 양의 전압을 유지시킨다.The current flowing through the transistor Hfe x Ib flows SMPS transformer T 1 as the collector current of the (TR 1) is to maintain the positive voltage side of the dot (dot) of the SMPS transformer T 2.
상기 트랜스 T2의 도트쪽에 걸린 양의 전압은 콘덴서(C2), 저항(R6)을 통하여 상기 저항(R2)을 통하여 유입된 트랜지스터(TR1)의 베이스에 전류와 중첩시키면 상기 트랜지스터(TR1)는 콘덴서(C2)와 저항(R6)의 곱에 해당하는 시간동안 턴-온 되고, 상기 시간이 지나면 바로 턴-오프 된다.The positive voltage across the dot of the transformer T 2 overlaps with the current in the base of the transistor TR 1 introduced through the resistor R 2 through the capacitor C 2 and the resistor R 6 . TR 1 ) is turned on for a time corresponding to the product of condenser C 2 and resistor R 6 , and immediately turns off after this time.
상기 트랜지스터(TR1)가 턴-오프 되면 SMPS 트랜스에서 역기전력이 발생하고, 축적된 에너지는 2차측으로 방출하여 트랜스 T2에서는 다이오드(D1)와 STR 내부의 다이오드를 통해 콘덴서(C3)를 충전시킨다.When the transistor TR 1 is turned off, back electromotive force is generated in the SMPS transformer, and the accumulated energy is emitted to the secondary side. In the transformer T 2 , the capacitor C 3 is transferred through the diode D 1 and the diode inside the STR. Charge it.
전해 콘덴서(Cb)에는 저항(R4)(R9)에 의해 음전압이 충전되고 저항(R11)과 다이오드(D3)에 의해 콘덴서(C8)가 충전된다.The electrolytic capacitor C b is charged with a negative voltage by the resistor R 4 and R 9 , and the capacitor C 8 by the resistor R 11 and the diode D 3 .
상기 트랜스에 축적된 에너지는 방출하면 다시 역기전력이 발생하여 콘덴서(C3)에 축적된 에너지는 저항(R5) 및 트랜지스터(TR3)를 통하여 트랜지스터(TR1)의 베이스에 흘러서 상기 트랜지스터(TR1)를 턴-온 시킨다.When the energy accumulated in the transformer is released, back electromotive force is generated again, and the energy accumulated in the capacitor C 3 flows to the base of the transistor TR 1 through the resistor R 5 and the transistor TR 3 , and thus the transistor TR 1 ) Turn on.
콘덴서(C8)에 충전된 전압은 저항(R7)(R12)을 경유하여 음전압으로 충전된 전해 콘덴서(Cb)쪽으로 방전하게 되는데, 트랜지스터(TR2)(TR5)의 전압이 상기 저항(R12) 쪽의 전위보다 높을 경우 턴-온 된다.The voltage charged in the capacitor (C 8 ) is discharged to the electrolytic capacitor (C b ) charged to the negative voltage via the resistor (R 7 ) (R 12 ), the voltage of the transistor (TR 2 ) (TR 5 ) When it is higher than the potential of the resistance (R 12 ) side is turned on.
상기 트랜지스터(TR2)(TR5)가 턴-온 되면, 트랜지스터(TR1)의 베이스 전류를 기저전위로 뮤트시켜 상기 트랜지스터(TR1)를 턴-오프 시키도록 동작한다.When turned on, to mute the base current of the transistor (TR 1) to the ground voltage turns the transistor (TR 1) - - the transistor (TR 2) (TR 5) turn operates to off.
상기 트랜지스터(TR1)의 콜렉터전류가 감소하면 트랜스 T2에 역기전류가 발생하고, 저항(R6) 및 콘덴서(C2)를 통하여 상기 트랜지스터(TR1)의 베이스에 역전압이 걸리므로 더욱 턴-오프를 가속시킨다.When the collector current of the transistor TR 1 decreases, a counter electromotive current is generated in the transformer T 2 , and a reverse voltage is applied to the base of the transistor TR 1 through the resistor R 6 and the capacitor C 2 . Accelerate turn-off.
이와같이 2차측으로 부터의 궤환이 없는 한 저항(R7)(R12) 및 콘덴서(C8)에 의한 시정수에 따라 SMPS는 자주발진을 하게 된다.As such, unless there is a feedback from the secondary side, the SMPS oscillates frequently according to the time constant by the resistors R 7 (R 12 ) and the capacitor (C 8 ).
한편, 트랜스의 T5에 나타나는 전압을 정류하여 B+로 쓰고, 여기에 연결된 제1집적회로는 B+전압을 감지하여 상기 B+전압크기에 반비례하는 전류를 포토커플러(PC1)내의 발광다이오드에 흐르게 한다.Meanwhile, the voltage represented by T 5 of the transformer is rectified and written as B + , and the first integrated circuit connected thereto detects the B + voltage and supplies a current which is inversely proportional to the B + voltage, in the photocoupler PC 1 . To flow on.
상기 발광다이오드에 흐르는 전류의 양에 비례하여 포토커플러(PC1)내의 출력트랜지스터에 흐르는 콜렉터전류가 증가하고, 상기 트랜지스터는 저항(R12)과 병렬로 연결되어 있어, 콘덴서(C8)의 방전은 포토커플러(PC1)의 출력트랜지스터에 흐르는 전류량에 따라 방전시간이 변화한다.The collector current flowing through the output transistor in the photocoupler PC 1 increases in proportion to the amount of current flowing through the light emitting diode, and the transistor is connected in parallel with the resistor R 12 to discharge the capacitor C 8 . The discharge time changes depending on the amount of current flowing through the output transistor of the photocoupler PC 1 .
상기 콘덴서(C8)의 방전시간이 빨라지면, 트랜지스터(TR1)의 턴-온 시간이 그 만큰 짧아지게 되므로, 출력트랜지스터의 출력전압에 따라 상기 트랜지스터(TR1)의 스위칭시간이 제어되어 정전압을 출력한다.As the discharge time of the capacitor C 8 is shortened, the turn-on time of the transistor TR 1 becomes shorter. Therefore, the switching time of the transistor TR 1 is controlled according to the output voltage of the output transistor, thereby providing a constant voltage. Outputs
그러나, 종래방식에는 과전압, 과전류의 보호대책이 없어 피드백계통의 고장으로 인하여 전압이 과도하게 상승하거나, 과전류가 연속적으로 흐를 경우 회로부품의 파손이 발생하는 문제점이 있었다.However, in the conventional method, there is no protection against overvoltage and overcurrent, so that the voltage rises excessively due to the failure of the feedback system, or the circuit component breaks when the overcurrent continuously flows.
따라서, 본 고안의 목적은 과전압, 과전류상태가 발생할 경우 부품의 파괴없이 전원회로를 보호하고, 대기전원을 겸용하여 사용하는 전원회로에 관한 것이다.Accordingly, an object of the present invention is to provide a power circuit that protects the power supply circuit without destroying components when overvoltage and overcurrent conditions occur, and uses a standby power supply.
상기 목적을 달성하기 위하여, 본 공나에 따른 전원회로를 비정상적으로 과대전류가 흐르는 것을 검출하는 과전류 검출부와, 피드백계의 고장으로 전압이 과도하게 상승하는 것을 검출하는 과전압 검출부와, 상기 과전류 검출부와 과전압 검출부에서 과전류, 과전압이 검출되면 보호상태를 유지하는 기억회로부와, 이상발생시 상기 기억회로부의 출력을 받아 스위칭 트랜지스터의 동작을 정지시키는 발진정지 제어부와, 상기 발진정지 제어부와 동시에 자주발진바이어스를 차단하여 전원부의 재기동을 방지하는 자주방지 제어부로 구성된 것을 특징으로 한다.In order to achieve the above object, an overcurrent detector for detecting abnormally excessive current flow in the power supply circuit according to the present disclosure, an overvoltage detector for detecting excessive rise in voltage due to a failure of a feedback system, and the overcurrent detector and overvoltage When the detection unit detects an overcurrent and an overvoltage, the memory circuit unit maintains a protection state, an oscillation stop control unit which stops the operation of the switching transistor by receiving the output of the memory circuit unit when an abnormality occurs; Characterized in that the self-preventing control unit for preventing the restart of the power supply unit.
이하 예시된 도면을 참조하여 본 고안을 더욱 상세히 설명하기로 한다.Hereinafter, the present invention will be described in more detail with reference to the illustrated drawings.
제2도는 본 고안의 실시예에 따른 전원회로의 블럭도이고, 제3도는 과전류, 과전압 검출부가 트랜지스터 및 제어다이오드로 구성된 전원회로의 상세회로도이고, 제4도는 과전류, 과전압 검출부가 집적회로로 구성된 전원회로의 상세회로도이다.FIG. 2 is a block diagram of a power supply circuit according to an embodiment of the present invention, and FIG. 3 is a detailed circuit diagram of a power circuit including an overcurrent and an overvoltage detection unit comprising a transistor and a control diode, and FIG. 4 is an integrated circuit with the overcurrent and overvoltage detection unit Detailed circuit diagram of the power supply circuit.
본 고안에 따른 전원회로는 제2도에 도시된 바와 같이 구성되는데, 과전류 검출부(10)는 트랜스 2차측의 단락으로 인하여 과대전류가 수 사이클 동안 계속 흐를 경우 이를 감지하여 기억회로부(30)에 연결하도록 구성되어 있다.The power supply circuit according to the present invention is configured as shown in FIG. 2, and the overcurrent detection unit 10 detects the excessive current continuously flowing for several cycles due to a short circuit on the secondary side of the transformer and connects it to the memory circuit unit 30. It is configured to.
과전압 검출부(20)는 2차측 피드백계의 고장으로 인하여 비정상적으로 상승하는 과전압을 검출하여 기억회로부(30)에 연결하도록 구성되어 있다.The overvoltage detection unit 20 is configured to detect an overvoltage that rises abnormally due to a failure of the secondary side feedback system and connect it to the memory circuit unit 30.
기억회로부(30)는 과전류, 과전압 검출시 트리거되어 전원전압이 완전히 제거될 때까지 보호상태를 유지하도록 구성되어 있다.The memory circuit unit 30 is configured to be triggered upon detection of overcurrent and overvoltage so as to maintain a protected state until the power supply voltage is completely removed.
발진정지 제어부(40)는 상기 기억회로부(30)의 출력에 따라 스위칭 트랜지스터의 발진을 일시 정지시키도록 구성되어 있다.The oscillation stop control section 40 is configured to temporarily stop oscillation of the switching transistor in accordance with the output of the memory circuit section 30.
자주방지 제어부(50)는 상기 발진정지 제어부(40)와 동시에 여진전압을 기저전위로 뮤트시켜 전원부가 재기동하는 것을 방지하도록 구성되어 있다.The self-prevention control unit 50 is configured to mute the excitation voltage to the ground potential at the same time as the oscillation stop control unit 40 to prevent the power supply unit from restarting.
상기 제2도와 같이 구성된 본 고안의 동작을 상세히 설명하기로 한다.The operation of the present invention configured as shown in FIG. 2 will be described in detail.
제3도와 제4도는 과전류 검출부와 과전압 검출부를 구성하는 검출 소자 구성이 다르고 다른 부분은 동일하게 동작하므로 함께 설명하기로 ㅎ나다.3 and 4 have different detection element configurations constituting the overcurrent detector and the overvoltage detector, and the other parts operate in the same manner.
제3도에서, 전원전압이 브릿지 다이오드에 의해 정류되어 전해 콘덴서(Ca)에 충전된 전압을 방전시키기 위한 방전저항(Ra)에 흐르는 미약한 전류를 기억회로부(30)의 전원전압과 겸용하고, 저항(Ra)(Rb)에 의해 분압된 전압을 제어다이오드(ZD1)를 사용하여 입력전압변동에 관계없이 제어다이오드 전압(5.1V)의 정전압을 얻고 있다.In FIG. 3, the power supply voltage is rectified by the bridge diode electrolytic capacitor (C a), a discharge for discharging the charged voltage in the resistor (R a), a weak current storage power voltage and the combination of circuit 30 passing through the and a resistance (R a) gaining a constant voltage of the control diode voltage (5.1V) regardless of the input voltage variation, using the control voltage to the diode (ZD 1) divided by (R b).
만일, SMPS에 과전류가 흐를 경우 1차측 전류가 증가하여 저항(Rc)에 전압강하가 나타나고, 상기 전압은 저항(R1), 콘덴서(C1)로 구성된 로우패스 필터를 통과하여 나타나고, 트랜지스터(Q1)의 베이스에 인가하여 트랜지스터(Q1)가 턴-온 되어 기억회로부(30)를 트리거하게 된다.If an overcurrent flows in the SMPS, the primary current increases and a voltage drop appears in the resistor R c , and the voltage appears through a low pass filter composed of a resistor R 1 and a capacitor C 1 , and a transistor applied to the base of (Q 1), the transistor (Q 1) turned on so that the trigger is a memory circuit (30).
또, 피드백계의 고장으로 2차측 전압이 비정상적으로 상승하게 되면 각 권선의 권선수에 비례하는 전압이 피드백권선에 걸리게 되어, 전해 콘덴서(Cb)에 저항(R4)(R7)에 의해 음전압이 충전되고, 상기 전압의 절대치가 약 4V보다 커지면 제어다이오드(ZD2) 가 턴-온 하여 기억회로부(30)를 트리거시킨다,In addition, if the secondary voltage rises abnormally due to a failure of the feedback system, a voltage proportional to the number of turns of each winding is applied to the feedback winding, and the resistance R 4 (R 7 ) is applied to the electrolytic capacitor C b . When the negative voltage is charged and the absolute value of the voltage is greater than about 4 V, the control diode ZD 2 turns on to trigger the memory circuit unit 30.
상기 기억회로부(30)가 트리거되면 발진정지 제어부(40)의 저항(R6)에 의해 트랜지스터(Q5)가 턴-온 되어 음전압이 충전된 전해 콘덴서(Cb)의 전압이 일정시점까지 발진을 정지시키며 이와 동시에 자주방지 제어부(50)의 저항(R5)에 의해 트랜지스터(Q4)가 턴-온 되어 여진전압을 제거하여 전원부가 재기동하는 것을 방지한다.When the memory circuit unit 30 is triggered, the transistor Q 5 is turned on by the resistor R 6 of the oscillation stop controller 40 so that the voltage of the electrolytic capacitor C b charged with the negative voltage is constant until a certain point. The oscillation is stopped and at the same time, the transistor Q 4 is turned on by the resistor R 5 of the self-prevention control unit 50 to remove the excitation voltage, thereby preventing the power supply unit from restarting.
한편, 제4도에서 과전류 검출부(10)는 과전류가 흐르게 되면 저항(Rc)에 전압강하가 나타나고 저항(R1)ㆍ콘덴서(C1)에 의해 적분된 전압은 제2집적회로의 제1 비교기에 반전입력되고, 상기 전압이 저항(R4)(R5)에 의해 설정된 기준전압보다 높을 경우에 출력값이 로우가 되어 기억회로부(30)를 트리거시킨다.On the other hand, in FIG. 4, when the overcurrent flows, the overcurrent detector 10 shows a voltage drop across the resistor R c , and the voltage integrated by the resistor R 1 and the capacitor C 1 is the first voltage of the second integrated circuit. When the voltage is inverted into the comparator and the voltage is higher than the reference voltage set by the resistors R 4 and R 5 , the output value becomes low to trigger the memory circuit unit 30.
과전압 검출부(20)에서 스위칭 트랜지스터(STR-S6309)의 4번 핀에서 나타나는 전압이 상승하여, 상기 전압이 저항(R2)(R3) 및 콘덴서(C2)에 의해 적분된 전압을 제2집적회로의 제2비교기에 반전입력하고, 상기 전압이 기준전압보다 높을 경우에 소정의 논리값 로우를 출력하여 기억회로부(30)를 트리거시킨다.In the overvoltage detector 20, the voltage appearing at pin 4 of the switching transistor STR-S6309 increases, and the voltage is integrated by the resistor R 2 (R 3 ) and the capacitor C 2 . An inverting input is input to the second comparator of the integrated circuit, and when the voltage is higher than the reference voltage, a predetermined logic value low is output to trigger the memory circuit unit 30.
상기 과전류 검출부(10), 과전압 검출부(20)에 의해 트리거된 기억회로부(30)는 전원코드를 뽑아 전원전압이 완전히 제거될 때까지 보호모드에 머무르도록 보호상태를 유지한다.The memory circuit unit 30 triggered by the overcurrent detection unit 10 and the overvoltage detection unit 20 maintains a protection state so as to stay in the protection mode until the power supply voltage is completely removed by removing the power cord.
기억회로부(30)의 트랜지스터(Q1)가 턴-온하면 이에 따라 에미터에 부하선이 연결된 트랜지스터(Q2)가 턴-온된다.When the transistor Q 1 of the memory circuit unit 30 is turned on, the transistor Q 2 having a load line connected to the emitter is turned on.
상기 기억회로부(30)가 트리거되면, 발진정지 제어부(40)의 저항(R10)에 의해 트랜지스터(Q4)가 턴-온되어 스위칭 트랜지스터(STR-S6309)의 발진을 일시적으로 정지시키고 자주방지 제어부(50)의 저항(R8)에 의해 트랜지스터(Q3)가 턴-온되어 여진전압을 제거하여 전원부의 재기동을 방지한다.When the memory circuit unit 30 is triggered, the transistor Q 4 is turned on by the resistor R 10 of the oscillation stop controller 40 to temporarily stop the oscillation of the switching transistor STR-S6309 and frequently prevent it. The transistor Q 3 is turned on by the resistor R 8 of the controller 50 to remove the excitation voltage, thereby preventing restart of the power supply unit.
이와같이, 전원 회로에서 과전류, 과전압 상태가 발생할 경우 신속하게 전원을 정지시켜 부품파괴를 방지하고, 보호회로를 적용하기 힘든 주전원과 대기전원을 겸용한 전원회로를 제공하는 잇점이 있다.As such, when an overcurrent or overvoltage condition occurs in the power supply circuit, the power supply is quickly stopped to prevent component destruction, and there is an advantage of providing a power supply circuit that uses both main and standby power, which are difficult to apply a protection circuit.
Claims (1)
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR2019930026477U KR200144713Y1 (en) | 1993-12-06 | 1993-12-06 | Power circuit |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR2019930026477U KR200144713Y1 (en) | 1993-12-06 | 1993-12-06 | Power circuit |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR950021739U KR950021739U (en) | 1995-07-28 |
| KR200144713Y1 true KR200144713Y1 (en) | 1999-06-15 |
Family
ID=60840881
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR2019930026477U KR200144713Y1 (en) | 1993-12-06 | 1993-12-06 | Power circuit |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR200144713Y1 (en) |
-
1993
- 1993-12-06 KR KR2019930026477U patent/KR200144713Y1/en not_active IP Right Cessation
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR950021739U (en) | 1995-07-28 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4685020A (en) | Shutdown circuit for blocking oscillator power supply | |
| US6542388B2 (en) | Intermittent switching power supply circuit | |
| JPH07123711A (en) | Overload and short-circuit protective device for switching power supply | |
| US6449180B1 (en) | World wide power supply apparatus that includes a relay switch voltage doubling circuit | |
| KR200144713Y1 (en) | Power circuit | |
| JP3327360B2 (en) | Overcurrent protection device for switching power supply circuit | |
| JP2003111399A (en) | Dc-dc converter | |
| KR200156377Y1 (en) | Overload cut-off circuit of power supply | |
| KR910005463B1 (en) | Switching mode power supply | |
| KR0123006B1 (en) | Power conversion device | |
| JPH0130845Y2 (en) | ||
| JPH08251919A (en) | Self-excited converter | |
| KR20040085019A (en) | Circuit for protecting over current | |
| KR100850309B1 (en) | Switching mode power supply | |
| KR100876112B1 (en) | Battery over discharge protection circuit | |
| JPH07163142A (en) | Switching power supply | |
| JPH05168230A (en) | Discharge protective circuit | |
| KR200145144Y1 (en) | Transient stabilization circuit of power supply | |
| KR100208394B1 (en) | Protective circuit of power supply apparatus | |
| JP3214314B2 (en) | Power supply circuit | |
| KR100347174B1 (en) | Protection circuit of SMPS | |
| KR100262729B1 (en) | Failure detection circuit of high pressure generating device | |
| KR0147219B1 (en) | Low voltage protection circuit of power supply system | |
| KR19990031364U (en) | Overvoltage Protection Circuit of Switching Mode Power Supply | |
| JP3188414B2 (en) | Power supply |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
| REGI | Registration of establishment | ||
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20070130 Year of fee payment: 9 |
|
| LAPS | Lapse due to unpaid annual fee |