KR20010112499A - Palladium electroplating bath and process for electroplating - Google Patents

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KR20010112499A
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루센트 테크놀러지스 인크
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Abstract

본 발명은 귀금속-술폰산 착물 및 유리 술폰산을 포함하는 전기도금욕에 관한 것이다. 상기 귀금속은 Pd, Au, 경질 Au(경화제로 Ni 또는 Co 함유), Pt, Rh, Ru, Ag 및 이들의 합금을 포함한다.The present invention relates to an electroplating bath comprising a noble metal-sulfonic acid complex and a free sulfonic acid. The precious metals include Pd, Au, hard Au (containing Ni or Co as hardener), Pt, Rh, Ru, Ag and alloys thereof.

Description

팔라듐 전기도금욕 및 전기도금방법{PALLADIUM ELECTROPLATING BATH AND PROCESS FOR ELECTROPLATING}Palladium Electroplating Bath and Electroplating Method {PALLADIUM ELECTROPLATING BATH AND PROCESS FOR ELECTROPLATING}

본 발명은 전기도금, 더 구체적으로는 전기도금 염, 전기도금욕 및 전기도금방법에 관한 것이다.The present invention relates to electroplating, more particularly to electroplating salts, electroplating baths and electroplating methods.

귀금속은 전기접촉 표면, 도전 경로 및 흡열부(heat sink)와 같은 전기 회로를 포함하는 다양한 공업적 용도로 사용된다. 귀금속은 여러 가지 특성으로 인해 상기와 같은 용도로 매우 유리하게 사용할 수 있다. 이와 같이 유리한 특성으로는 물리 화학적 안정성, 높은 전기 전도성, 낮은 다공성 및 높은 열 전도성이 포함된다. 귀금속은 상기 언급한 특성중 하나 이상으로 인해 종종 집적회로와 같은 고밀도 회로에 사용된다.Precious metals are used in a variety of industrial applications, including electrical circuits such as electrical contact surfaces, conductive paths, and heat sinks. Precious metals can be very advantageously used for such applications due to various properties. Such advantageous properties include physicochemical stability, high electrical conductivity, low porosity and high thermal conductivity. Precious metals are often used in high density circuits such as integrated circuits due to one or more of the above mentioned properties.

귀금속 전기도금 공정에서는 초기에 도금욕에 전기도금 금속을 공급하기 위한 적합한 화합물의 선택과 관련된 문제가 있다. 이 화합물은 안정적이고, 상당히 순수한 형태로 쉽게 제조되어야 하며 전기도금욕에 쉽게 용해되어야 한다. 이러한 문제는 다량의 팔라듐 도금이 급속히 수행되어야 하는 경우에는 특히 곤란하다. 이러한 경우, 비교적 많은 양의 팔라듐 금속이 도금되고, 따라서 다량의 팔라듐이 도금욕에 첨가되어야 한다. 이러한 환경하에서는 높은 용해도 및 빠른 용해 속도가 극히 중요하다.In the precious metal electroplating process, there are problems associated with the selection of suitable compounds for initially supplying the electroplating metal to the plating bath. This compound should be easily prepared in a stable, fairly pure form and easily dissolved in an electroplating bath. This problem is particularly difficult when a large amount of palladium plating must be performed rapidly. In this case, a relatively large amount of palladium metal is plated, and therefore a large amount of palladium must be added to the plating bath. Under these circumstances, high solubility and fast dissolution rate are extremely important.

또한, 도금욕의 복잡성 뿐만 아니라 팔라듐 화합물의 성분들(착물, 음이온 등)의 상용성은 주 도금탱크에 오염물질을 제공할 수 있을 뿐만 아니라 전기도금욕의 수명을 제한할 수 있고 도금욕의 전기도금 특징을 변경할 수 있는 요인이므로 실용상 매우 중요하다.In addition, the complexity of the plating bath as well as the compatibility of the components of the palladium compound (complexes, anions, etc.) can not only provide contaminants to the main plating tank, but can also limit the life of the electroplating bath and electroplating of the plating bath. It is very important for practical use because it can change the characteristics.

도 1은 귀금속을 전기도금하기 위해 도금 금속을 도금욕(bath) 또는 도금액에 공급하는데 사용하기 위한 금속-술폰산 착물 또는 염 또는 전해질을 합성하는 본 발명의 일반적인 방법의 흐름도를 나타낸 것이다.1 shows a flowchart of the general method of the present invention for synthesizing a metal-sulfonic acid complex or salt or electrolyte for use in supplying a plating metal to a plating bath or plating solution for electroplating precious metals.

도 2는 귀금속을 전기도금하기 위해 금속-술폰산 착물을 포함하는 도금욕 또는 도금액을 사용하는 본 발명의 일반적인 방법의 흐름도를 나타낸 것이다.2 shows a flow chart of the general method of the present invention using a plating bath or plating solution containing a metal-sulfonic acid complex to electroplat a precious metal.

도 3a 내지 3d는 도 1 및 2의 방법에 의해 기판 또는 피도금체에 여러 두께로 침착된 Pd 층을 주사 전자 현미경을 사용하여 촬영한 사진이다.3A to 3D are photographs taken using a scanning electron microscope of Pd layers deposited in various thicknesses on a substrate or a plated body by the method of FIGS. 1 and 2.

한 실시 양태에 따르면 전기도금욕은 귀금속-술폰산 착물 및 유리 술폰산을 포함한다. 본원에서 "귀금속"이라는 용어는 Pd, Au, 경질 Au(경화제로 Ni 또는 Co를 첨가함), Pt, Rh, Ru, Ag 및 이들의 합금을 포괄한다.According to one embodiment the electroplating bath comprises a noble metal-sulfonic acid complex and a free sulfonic acid. The term "noble metal" herein encompasses Pd, Au, hard Au (adding Ni or Co as hardener), Pt, Rh, Ru, Ag and alloys thereof.

술폰산은 하기 구조를 갖는 산일 수 있다:Sulfonic acid may be an acid having the structure:

R[SO3]-XR [SO 3 ] -X

상기 식에서,Where

R은 알킬 또는 아릴기이고 X는 양이온계 화합물이다.R is an alkyl or aryl group and X is a cationic compound.

술폰산은 예를 들어 메탄 술폰산(MSA)일 수 있다. 생성된 도금욕은 2.5 미만, 특히 1.0 미만의 pH를 가질 수 있다.The sulfonic acid can be for example methane sulfonic acid (MSA). The resulting plating bath may have a pH of less than 2.5, in particular less than 1.0.

전기도금욕은 증백제(brightener)와 같은 한가지 첨가제만을 포함할 수도 있다.The electroplating bath may comprise only one additive, such as a brightener.

귀금속 합금이 도금될 때, 전기도금욕은 첨가 금속(alloying metal)-술폰산 착물을 또한 포함할 수 있다. 예를 들어, Pd-Ni 합금을 도금하기위한 도금욕은 Pd-술폰산 착물 및 Ni-술폰산 착물을 포함할 수 있다. 두 금속 착물의 농도는 합금의 바라는 조성 %에 크게 좌우된다.When the noble metal alloy is plated, the electroplating bath may also include an alloying metal-sulfonic acid complex. For example, the plating bath for plating Pd-Ni alloys may include Pd-sulfonic acid complexes and Ni-sulfonic acid complexes. The concentration of the two metal complexes depends largely on the percent desired composition of the alloy.

또다른 실시 양태에서 금속을 피도금체(예: 기판)에 전기도금하는 방법은, 도금욕에 전류를 인가하면서 도금될 피도금체를 귀금속을 갖는 금속-술폰산 착물 및 유리 술폰산을 포함하는 용액에 유지시키는 것을 포함한다. 피도금체는 술폰산중에 예비침지될 수 있다.In another embodiment, a method of electroplating a metal to a plated body (e.g., a substrate) comprises applying a current to the plating bath to a solution comprising a metal-sulfonic acid complex having a noble metal and a free sulfonic acid. Maintenance. The plated body may be presoaked in sulfonic acid.

한 예에서, 귀금속은 구리 또는 구리 합금과 같은 기판 상에 침지 침착된 Pd일 수 있다.In one example, the precious metal may be Pd immersed on a substrate such as copper or a copper alloy.

다른 실시 양태, Pd 또는 Pd 합금을 전기도금할 전기도금욕에 사용할 금속염이 제공된다. Pd염의 화학식은 하기 화학식으로 나타낼 수 있다:In another embodiment, a metal salt is provided for use in an electroplating bath to electroplat Pd or Pd alloy. The chemical formula of the Pd salt can be represented by the formula:

Pd(NH3)xMSA2 Pd (NH 3 ) x MSA 2

상기 식에서,Where

x는 0 내지 4이다.x is 0-4.

추가적인 실시 양태에서는, 도금 금속을 전기도금욕에 제공하기 위해 사용할 금속염의 합성 방법이 제공된다. 상기 방법은 술폰산과 귀금속 이온의 공급원을 혼합하여 슬러리를 형성하는 단계; 상기 슬러리를 여과하여 귀금속-술폰산 염을 수거하는 단계; 수거한 염을 알콜로 세척하는 단계; 및 세척된 염을 건조하는 단계를 포함할 수 있다. 혼합은 대략 실온에서 수행될 수 있다.In a further embodiment, a method of synthesizing a metal salt for use in providing a plated metal to an electroplating bath is provided. The method includes mixing a source of sulfonic acid and a noble metal ion to form a slurry; Filtering the slurry to collect precious metal-sulfonic acid salts; Washing the collected salt with alcohol; And drying the washed salt. Mixing can be performed at approximately room temperature.

본 발명의 여타 추가적인 측면은 첨부된 도면을 참조하며 하기의 상세한 설명을 읽음으로써 명확해질 것이다.Other additional aspects of the present invention will become apparent from the following detailed description with reference to the accompanying drawings.

본 발명은 도금 금속을 전기도금욕에 공급하기 위한 금속 조성물, 특히 메탄 술폰산(MSA)의 금속 착물, 및 금속-MSA 착물의 합성 방법에 관한 것이다.The present invention relates to metal compositions for supplying plated metal to an electroplating bath, in particular metal complexes of methane sulfonic acid (MSA), and methods of synthesizing metal-MSA complexes.

본 발명은 또한 술폰산의 금속 착물을 포함하는 전기도금욕, 및 피도금체(예: 기판) 상에 귀금속을 전기도금하기 위해 상기 도금욕을 사용하는 방법에 관한 것이다. 본원에서 "귀금속"이라는 용어는 Pd, Au, 경질 Au(경화제로 Ni 또는 Co를 함유), Pt, Rh, Ru, Ag 및 이들의 합금을 포함한다.The invention also relates to an electroplating bath comprising a metal complex of sulfonic acid, and a method of using the plating bath to electroplat a precious metal onto a plated body (eg a substrate). The term "noble metal" herein includes Pd, Au, hard Au (containing Ni or Co as hardener), Pt, Rh, Ru, Ag and alloys thereof.

전기도금욕에 도금 금속을 공급하여 피도금체의 표면에 귀금속을 전기도금하기 위해서 일반적으로 술폰산의 금속 착물이 사용될 수 있는 것으로 밝혀졌다. 본원에서는 하부 금속의 낭비를 최소화하면서 금속염을 고수율로 수득할 수 있게 하는 금속-술폰산 착물을 형성하는 방법을 제공하고 있다.It has been found that metal complexes of sulfonic acid can generally be used to supply the plating metal to the electroplating bath to electroplate the precious metal on the surface of the plated body. Provided herein is a method of forming a metal-sulfonic acid complex that enables metal salts to be obtained in high yields while minimizing waste of underlying metals.

상기 금속-술폰산 착물을 사용함으로써 피도금체에 스트라이크 또는 하부층을 도금하는데 특히 적합한 귀금속 전기도금용 강산성 도금욕을 얻을 수 있다. 추가로, 금속-술폰산 착물은, 보다 소량의 화학 약품 및 첨가물을 필요로 하고, 주 도금탱크의 오염 또는 오염 가능성을 감소시키며, 양질의 도금 제품을 생산하고, 주 도금탱크의 총 유지비용을 줄일 수 있는 전해질 도금욕 또는 도금액을 제공한다.By using the metal-sulfonic acid complex, a strong acid plating bath for precious metal electroplating can be obtained which is particularly suitable for plating strikes or underlayers on the plated body. In addition, metal-sulfonic acid complexes require smaller amounts of chemicals and additives, reduce the risk of contamination or contamination of the main plating tank, produce high quality plating products, and reduce the total cost of maintenance of the main plating tank. It provides an electrolyte plating bath or plating solution that can be.

제 1 실시 양태에 따르면, 전해질 도금욕 또는 도금액은 피도금체의 표면상에 귀금속을 도금하기 위해 제공된다. 도금욕 또는 도금액은 귀금속-술폰산 착물 또는 염, 및 유리 술폰산을 포함한다. 도금욕은 또한 귀금속 합금을 도금하기 위한 첨가 금속-술폰산 착물 또는 염을 포함할 수 있다. 상기 배열은 pH 2.5 미만, 바람직하게는 pH 1.0 미만의 산성 도금욕을 위해 제공된다.According to the first embodiment, an electrolytic plating bath or plating liquid is provided for plating a noble metal on the surface of the plated body. Plating baths or plating solutions include noble metal-sulfonic acid complexes or salts, and free sulfonic acids. The plating bath may also include an additive metal-sulfonic acid complex or salt for plating the noble metal alloy. This arrangement is provided for acidic plating baths of less than pH 2.5, preferably less than pH 1.0.

한 예에서는, 도금욕 또는 도금액은 증백제 또는 여타 공지된 도금 첨가제와 같은 한가지 첨가제만으로 제한될 수 있다. 예를 들어, Pd 도금에 사용되는 첨가제 시스템은 전형적으로 하기 두 유형으로 나눌 수 있다.In one example, the plating bath or plating liquid may be limited to only one additive, such as brighteners or other known plating additives. For example, additive systems used for Pd plating can typically be divided into the following two types.

제 1 유형의 증백제는 일반적으로 술폰기의 알파- 또는 베타-위치에 불포화기를 갖는 불포화 술폰 화합물이다. 상기 화합물은 화학식 A-SO3-B(여기서, A는 치환된 또는 치환되지 않은 아릴기 또는 알킬렌기이고, B는 OH, OR, OM, NH2등일 수 있다)를 가진다.Brighteners of the first type are generally unsaturated sulfone compounds having an unsaturated group in the alpha- or beta-position of the sulfone group. The compound has the formula A-SO 3 -B wherein A is a substituted or unsubstituted aryl or alkylene group, B may be OH, OR, OM, NH 2, or the like.

제 2 유형의 유기 증백제는 일반적으로 불포화 또는 카보닐 유기 화합물이다. 예는 >C=O, >C=C<, >C=N-, (-N=N-) 등을 함유하는 화합물이다.Organic brighteners of the second type are generally unsaturated or carbonyl organic compounds. Examples are compounds containing> C = O,> C = C <,> C = N-, (-N = N-) and the like.

따라서, 도금욕 또는 도금액중의 화학 약품을 줄이거나 최소화함으로써 주 도금탱크의 오염 또는 오염 가능성을 감소시킬 수 있다.Therefore, by reducing or minimizing chemicals in the plating bath or the plating liquid, it is possible to reduce the contamination or the possibility of contamination of the main plating tank.

다른 실시 양태에 따르면, 귀금속의 도금방법이 본원에 제공된다. 도금방법은 일반적으로 피도금체(예: 기판)를 귀금속-술폰산 착물을 함유하는 도금욕 또는 도금액에 유지시키면서 전류를 도금욕을 통과하도록 인가시키는 것을 포함한다. 귀금속 합금을 도금하기 위해서, 도금욕은 첨가 금속-술폰산 착물을 추가로 포함할 수 있다.According to another embodiment, provided herein is a method for plating a noble metal. The plating method generally includes applying a current to pass through the plating bath while maintaining the plated body (eg, a substrate) in a plating bath or a plating solution containing a noble metal-sulfonic acid complex. To plate the noble metal alloy, the plating bath may further comprise an additive metal-sulfonic acid complex.

상기 방법은 귀금속의 스트라이크 또는 하부층을 침착시키는데 이용될 수 있다.The method can be used to deposit strikes or underlying layers of precious metals.

또다른 실시 양태에서는 Pd와 같은 귀금속을 도금하는데 사용하기 위한 전해질 또는 염 및 이들을 제조하는 방법이 제공된다. Pd 전해질 또는 염은 하기 화학식 3의 팔라듐-아민 메탄 술폰산 착물을 포함할 수 있다:In another embodiment, electrolytes or salts for use in plating precious metals such as Pd and methods of making them are provided. The Pd electrolyte or salt may comprise a palladium-amine methane sulfonic acid complex of formula

Pd(NH3)xMSA2 Pd (NH 3 ) x MSA 2

상기 식에서,Where

x는 0 내지 4이고,x is from 0 to 4,

MSA는 메탄 술폰산이다.MSA is methane sulfonic acid.

술폰산의 Pd 착물은 일반적으로 유리 술폰산(상기 예에서는 MSA이다)을 Pd의 이온 공급원, 예컨대 Pd염을 함유하는 용액과 혼합하여 형성될 수 있다.Pd complexes of sulfonic acids can generally be formed by mixing free sulfonic acids (MSA in this example) with a solution containing an ion source of Pd, such as a Pd salt.

금속-술폰산 염을 사용하면 종래의 방법을 능가하는 많은 효과와 이점이 있다. 예를 들어, Pd-MSA 염을 사용하면 대략적인 두께가 10 내지 20 마이크로인치인 여타 유형의 금속층의 도금 뿐만 아니라 스트라이크(예: 대략적인 두께가 3 내지 4 마이크로인치인 층)의 도금에 적어도 pH 2.5 미만, 바람직하게는 pH 1.0 미만의 강산성 도금욕을 제공하는 것이 특히 유용하다. 도금욕이 강산성이면 도금욕의 복잡성과 비용을 전형적으로 증가시키는 추가적인 화학 약품 또는 첨가제를 필요로 하지 않으면서 도금될 기판의 표면층(예: 산화물 층)을 세척한다. 도금욕은 한 가지 첨가제로 제한될 수 있다.The use of metal-sulfonic acid salts has many effects and advantages over conventional methods. For example, using Pd-MSA salts at least pH for plating of strikes (e.g., layers having an approximate thickness of 3 to 4 microinches) as well as plating of other types of metal layers having an approximate thickness of 10 to 20 microinches. It is particularly useful to provide a strongly acidic plating bath of less than 2.5, preferably less than pH 1.0. If the plating bath is strongly acidic, the surface layer (eg oxide layer) of the substrate to be plated is cleaned without the need for additional chemicals or additives that typically increase the complexity and cost of the plating bath. The plating bath may be limited to one additive.

화학 약품 및 첨가제의 필요량이 감소되므로, 종래의 도금 조작시에 기판 부식 및/또는 탱크로 유입된 금속염으로 인해 발생되는 주 도금탱크의 오염 또는 오염 가능성이 실질적으로 감소될 수 있다. 주 도금탱크의 오염이 줄어들면 양질의 도금 제품 생산이 확보되고, 주 도금탱크의 총 유지비용이 줄어든다.Since the required amount of chemicals and additives is reduced, the possibility of contamination or contamination of the main plating tank caused by substrate corrosion and / or metal salts entering the tank in conventional plating operations can be substantially reduced. Reducing contamination of the main plating tank ensures the production of high quality plating products and reduces the total maintenance cost of the main plating tank.

또한, Pd-MSA 염은 스트라이크를 침착시키는데 특히 적합한 도금욕을 제공한다. 이것은 Ni와 같은 용이하게 패시베이팅된 표면상의 개선된 접착력, 후속적인 침착물의 다공성의 감소를 포함한 추가적인 이점을 제공하고, 추가적으로 종래의 도금 조작시에 기판 부식 및 유입된 금속염으로 오염되는 것을 방지한다.The Pd-MSA salt also provides a plating bath that is particularly suitable for depositing strikes. This provides additional advantages, including improved adhesion on easily passivated surfaces such as Ni, and reduced porosity of subsequent deposits, and further prevents substrate corrosion and contamination with the introduced metal salt during conventional plating operations. .

또한, Pd-MSA 염은 주 도금탱크에서 수행될 수 있는 다른 도금 조작에도 적합한 도금욕, 예컨대 비할라이드계 및 할라이드계 화합물을 제공한다.Pd-MSA salts also provide plating baths, such as non-halide and halide-based compounds, which are also suitable for other plating operations that can be performed in the main plating tank.

Pd-MSA 염, 예를 들어 Pd(NH3)x[MSA]2의 제조와 관련된 반응식은 하기 반응식 1로 나타낼 수 있다:Schemes relating to the preparation of Pd-MSA salts, for example Pd (NH 3 ) x [MSA] 2 , can be represented by the following scheme 1:

[Pd(NH3)x]A + 과량 MSA --> [Pd(NH3)x][MSA]2+ MSA + HA[Pd (NH 3 ) x ] A + excess MSA-> [Pd (NH 3 ) x ] [MSA] 2 + MSA + HA

상기 식에서,Where

x는 바람직하게는 0 내지 4이고,x is preferably 0 to 4,

A는 음이온이다.A is an anion.

이 예에서, 술폰산은 메탄 술폰산이고 Pd 금속 이온의 공급원은 Pd(NH3)A 염이며, 음이온 A는 예를 들어 설페이트, 할라이드(예: 불소, 염소, 브롬 및 요드), 니트레이트, 니트라이트, 아세테이트, 포스페이트 또는 설파메이트이다. 반응식 1에서, NH3는 제거되어서 순수한 금속-술폰산 착물을 제공하거나 다른 유기 아민으로 치환되어 Pd-MSA 염의 착물을 제공할 수 있다.In this example, the sulfonic acid is methane sulfonic acid and the source of Pd metal ions is the Pd (NH 3 ) A salt and the anion A is for example sulfates, halides (e.g. fluorine, chlorine, bromine and iodine), nitrates, nitrites , Acetate, phosphate or sulfamate. In Scheme 1, NH 3 can be removed to provide pure metal-sulfonic acid complexes or substituted with other organic amines to provide complexes of Pd-MSA salts.

상기에서 Pd-MSA 염의 한 실시예를 포함하는 반응식을 설명하고 있으나, 첨가 금속-술폰 염을 수득하는데 뿐만 아니라 여타 귀금속-술폰산을 수득하기 위해 동일하거나 유사한 음이온 교환 반응이 일반적으로 적용될 수 있다.Although a reaction scheme involving one embodiment of the Pd-MSA salt is described above, the same or similar anion exchange reaction can generally be applied to obtain additional metal-sulfone salts as well as to obtain other precious metal-sulfonic acids.

예를 들어, 첨가 금속-MSA 염의 반응식은 일반적으로 하기 반응식 2로 나타낸다:For example, the scheme of the additive metal-MSA salt is generally represented by Scheme 2:

[M][A]+MSA(과량) --> [M][MSA]+MSA+HA[M] [A] + MSA (excess)-> [M] [MSA] + MSA + HA

상기 식에서,Where

M은 Ni, Co, Ag, Sn 등의 첨가 금속이며,M is an additive metal such as Ni, Co, Ag, Sn,

MSA는 메탄 술폰산이다.MSA is methane sulfonic acid.

반응식 1과 마찬가지로, 음이온 A는 설페이트, 할라이드(예: 불소, 염소, 브롬 및 요드), 니트레이트, 니트라이트, 아세테이트, 포스페이트 또는 설파메이트일 수 있다. M은 Ni, Co, Ag 또는 Sn과 같은 임의의 원하는 첨가 금속일 수 있으며, 원하는 용도에 따라 선택될 수 있다. 첨가 금속 M은 첨가 금속을 포함하는 금속염과 같이 처음에는 첨가 금속 이온 공급원의 형태일 수 있다. 첨가 금속의 농도는 침착될 합금 조성에 좌우된다(10 중량% 내지 95중량% Pd).Like Scheme 1, Anion A can be sulfate, halides (eg fluorine, chlorine, bromine and iodine), nitrate, nitrite, acetate, phosphate or sulfamate. M can be any desired additive metal, such as Ni, Co, Ag or Sn, and can be selected according to the desired use. The additive metal M may initially be in the form of an additive metal ion source, such as a metal salt comprising the additive metal. The concentration of the additive metal depends on the alloy composition to be deposited (10 wt% to 95 wt% Pd).

합금을 도금할 때, 도금욕 또는 도금액은 첨가 금속-MSA 착물 용액을 Pd-MSA 착물 및 유리 MSA와 혼합하여 제조될 수 있다.When plating an alloy, a plating bath or plating solution can be prepared by mixing an additive metal-MSA complex solution with Pd-MSA complex and free MSA.

합금의 도금을 용이하게 하기 위해서, 혼합 리간드 시스템이 또한 필요시에 사용될 수도 있다. 원하는 합금 내의 금속에 따라 적절한 리간드가 선택될 수 있다. 예를 들어, Pd의 리간드는 암모니아이다.In order to facilitate plating of the alloy, mixed ligand systems may also be used if necessary. The appropriate ligand can be selected depending on the metal in the desired alloy. For example, the ligand of Pd is ammonia.

상기 내용은 메탄 술폰산에 대하여 설명되었지만, 구조 R[SO3]-X를 갖는 군(R는 알킬기 또는 아릴기이고 X는 양이온계 화학종, 예컨대 H+또는 Na+등이다)중의 다른 술폰산이 금속-술폰산 착물, 및 이를 포함하는 귀금속 전기도금욕을 제공하기 위해 사용될 수 있다.Although the above has been described for methane sulfonic acid, other sulfonic acids in the group having the structure R [SO 3 ] -X (R is an alkyl or aryl group and X is a cationic species such as H + or Na +, etc.) are metals. -Sulfonic acid complexes, and precious metal electroplating baths comprising the same.

도 1에서, 도금욕에 귀금속 도금 금속을 공급하는데 사용할 술폰산의 귀금속 착물을 합성하는 일반적인 방법은 (a) 귀금속 이온의 공급원(예: 귀금속염)을 함유한 용액에 술폰산을 첨가하여 슬러리를 형성하는 단계, (b) 침전물이 생성된 슬러리를 적절한 시간동안 교반하는 단계, (c) 슬러리를 여과하여 금속-술폰산 염을 수거하는 단계, (d) 상기 염을 이소프로판올과 같은 알콜로 세척하는 단계, 및 (e) 세척된 금속-술폰산 염을 공기 건조하는 단계를 포함한다.In Figure 1, a general method of synthesizing a noble metal complex of sulfonic acid for use in supplying a noble metal plated metal to a plating bath is to (a) add a sulfonic acid to a solution containing a source of precious metal ions (e.g. (B) stirring the slurry from which the precipitate has been produced for a suitable time, (c) filtering the slurry to collect the metal-sulfonic acid salt, (d) washing the salt with an alcohol such as isopropanol, and (e) air drying the washed metal-sulfonic acid salt.

잔여 여과물 및 알콜은 수거하여 적절히 재순환시킨다.Residual filtrate and alcohol are collected and properly recycled.

상기 방법은 금속 낭비를 최소화하면서 금속-술폰산 염, 특히 Pd-MSA 염을 상당히 고수율로 제조하는 효율적인 공정을 제공한다. 이는 비싼 귀금속을 다룰 때는 특히 중요하다.The method provides an efficient process for producing metal-sulfonic acid salts, in particular Pd-MSA salts, with significantly higher yields with minimal metal waste. This is especially important when dealing with expensive precious metals.

실시예 1Example 1

Pd-MSA 염을 합성하는 방법의 예를 여기서 제공한다. 본 실시예에서, 70 g/L의 Pd(금속 형태)를 함유하는 [Pd(NH3)4][SO4] 1L에 메탄 술폰산(70% v/v 용액) 250 ml를 천천히 첨가하면서 실온에서 교반하였다. MSA를 완전히 첨가한 후, 생성된 옅은 황색 현탁액을 추가적인 30분동안 연속적으로 교반하였다. 반응 용기의내용물 전부를 큰 뷰흐너 깔때기에 부었다. 약간 회색이 도는 백색 미정질 생성물을 40 ml 분량의 이소프로판올(IPA)로 3회 세척하고 공기 건조시켰다. 이로써 Pd-MSA 염 220 g을 수득하였다([Pd(NH3)4][SO4] 용액의 Pd 70 g/L를 기준으로 91%).Examples of methods for synthesizing Pd-MSA salts are provided herein. In this example, 250 ml of methane sulfonic acid (70% v / v solution) was slowly added to 1 L of [Pd (NH 3 ) 4 ] [SO 4 ] containing 70 g / L of Pd (metal form) at room temperature. Stirred. After complete addition of MSA, the resulting pale yellow suspension was stirred continuously for an additional 30 minutes. The entire contents of the reaction vessel were poured into a large Buchner funnel. The slightly greyish white microcrystalline product was washed three times with 40 ml portions of isopropanol (IPA) and air dried. This gave 220 g of Pd-MSA salt (91% based on 70 g / L of Pd of [Pd (NH 3 ) 4 ] [SO 4 ] solution).

잔여 여과물을 수거하고 Pd 회수를 위해 재순환시켰다. 필요시에는, 생성물을 세척하는데 사용된 알콜이 또한 표준 장비를 사용하는 증발 및 응축에 의해 재순환될 수 있다.The remaining filtrate was collected and recycled for Pd recovery. If necessary, the alcohol used to wash the product can also be recycled by evaporation and condensation using standard equipment.

도 2에서, 귀금속을 공급하기 위해 금속-술폰산을 포함하는 도금욕을 사용하여 피도금체(예: 기판) 상에 귀금속을 전기도금할 수 있는 일반적인 방법은 (a) 귀금속 또는 귀금속 합금, 예컨대 팔라듐 또는 팔라듐 합금으로 도금될 표면부가 노출되어 있는 피도금체를 도금 금속-술폰산 염과 상용성이 있는 술폰산중에 예비침지시키는 단계; (b) 피도금체를 헹구는 단계; (c) 처리 유형(예: 랙(rack)식 또는 연속식)에 따라 도금욕에 5 mA/cm2보다 큰 전류 밀도를 인가하는 단계; 및 (d) 바라는 두께의 귀금속 층이 노출된 표면부에 전개되기에 충분한 시간동안 도금욕중에 피도금체를 유지시키는 단계를 포함한다.In Fig. 2, a general method of electroplating a noble metal on a plated body (e.g., a substrate) using a plating bath comprising metal-sulfonic acid to supply the noble metal includes (a) a noble metal or a noble metal alloy such as palladium Or pre-immersing the plated body to which the surface portion to be plated with the palladium alloy is exposed in sulfonic acid compatible with the plating metal-sulfonic acid salt; (b) rinsing the plated body; (c) applying a current density greater than 5 mA / cm 2 to the plating bath depending on the type of treatment (eg, rack or continuous); And (d) maintaining the plated body in the plating bath for a time sufficient to cause the noble metal layer of desired thickness to develop on the exposed surface portion.

상기 전기도금 방법은 Cu 또는 Cu 합금과 같은 기판 상에 Pd를 침지 침착시키는데 사용될 수 있다.The electroplating method can be used to immerse and deposit Pd on a substrate such as Cu or Cu alloy.

Pd 또는 Pd 합금에 대한 도금욕 또는 도금액의 예를 하기에 제공한다. 도금욕은 랙 탑재 물품(rack mounted article)에 전형적인 저속 도금, 또는 전기 부품(예: 커넥터, 인쇄 회로판(printed circuit board), 프린트 배선판용 오픈릴식 연속공급에 전형적인 고속 도금과 같은 여러 도금 방법과 함께 사용될 수 있다.Examples of plating baths or plating solutions for Pd or Pd alloys are provided below. Plating baths come with several plating methods, such as low speed plating typical for rack mounted articles, or high speed plating typical for open reel continuous supply for electrical components such as connectors, printed circuit boards, and printed wiring boards. Can be used.

실시예 2Example 2

본 실시예에서는 Pd 전기도금용 도금욕 또는 도금액의 조성을 하기 표 1에 제공한다. 단일 첨가제는 상기 논의한 바와 같이 제 1 유형 또는 제 2 유형의 증백제일 수 있다. Pd는 pH 1 미만에서 침착될 수 있다.In this embodiment, the composition of the plating bath or plating solution for Pd electroplating is provided in Table 1 below. The single additive may be a first type or a second type of brightener as discussed above. Pd may be deposited below pH 1.

반응 조건Reaction conditions 수치shame [Pd(NH3)4]MSA2 [Pd (NH 3 ) 4 ] MSA 2 Pd 0.5 내지 20 g/LPd 0.5 to 20 g / L 단일 첨가제Single additive 0.5 내지 10 mL/L0.5 to 10 mL / L 유리 MSAYuri MSA 50 내지 300 mL/L50 to 300 mL / L pHpH 1 미만Less than 1 온도Temperature 실온Room temperature 전류 밀도Current density 5 내지 50 ASF5 to 50 ASF 회전rotation 100 내지 500 rpm100 to 500 rpm

실시예 3Example 3

본 실시예에서는, 하기 표 2에서 Pd-Ni 합금의 전기도금용 도금욕 또는 도금액의 조성이 제공된다. 단일 첨가제는 상기 논의된 대로 제 1 유형 또는 제 2 유형의 증백제일 수 있다. Pd-Ni 합금은 pH 1 미만에서 침착될 수 있다.In this embodiment, the composition of the plating bath or plating solution for electroplating Pd-Ni alloy is provided in Table 2 below. The single additive may be a first type or a second type of brightener as discussed above. Pd-Ni alloys may be deposited below pH 1.

반응 조건Reaction conditions 수치shame [Pd(NH3)4]MSA2 [Pd (NH 3 ) 4 ] MSA 2 Pd 0.5 내지 20 g/LPd 0.5 to 20 g / L Ni[MSA]Ni [MSA] Ni 0.5 내지 20 g/LNi 0.5-20 g / L 단일 첨가제Single additive 0.5 내지 10 mL/L0.5 to 10 mL / L 유리 MSAYuri MSA 50 내지 300 mL/L50 to 300 mL / L pHpH 1 미만Less than 1 온도Temperature 실온Room temperature 전류 밀도Current density 5 내지 50 ASF5 to 50 ASF 회전rotation 100 내지 500 rpm100 to 500 rpm

예컨대 Cu로부터 형성된 피도금체 또는 기판 상에 Pd를 전기도금하기 위한 Pd-MSA의 사용을 연구하기 위해 여러 가지 시험을 행하였고, 그 결과를 하기에 기술하였다.Various tests have been conducted to study the use of Pd-MSA for electroplating Pd, for example, on a substrate or substrate formed from Cu, the results of which are described below.

도 3a 내지 3d는 도 1 및 2의 방법을 사용하여 기판 또는 피도금체 상에 침착된 상이한 두께 수준의 Pd 층을 2200x로 주사 전자 현미경을 사용하여 촬영한 사진이다. 도시된 바와 같이, 침착된 층에서는 미세균열이 전혀 나타나지 않았다.3A-3D are photographs taken using a scanning electron microscope at 2200 × of Pd layers of different thickness levels deposited on a substrate or plated body using the method of FIGS. 1 and 2. As shown, no microcracks appeared in the deposited layer.

Pd-MSA 욕을 사용하여 구리 기판상에 침지 침착한 결과, 밝은 백색 Pd 층이 생성되었다. 상기 현상은 전기공업에 특히 유용할 것이다. 더욱 구체적으로는, 프린트 배선판(PWB), 인쇄 회로판(PCB) 제조 및 플라스틱상에 도금시에 유용할 것이다.Immersion deposition on a copper substrate using a Pd-MSA bath resulted in a bright white Pd layer. This phenomenon will be particularly useful in the electrical industry. More specifically, it will be useful in the manufacture of printed wiring boards (PWB), printed circuit boards (PCB) and plating on plastics.

주 도금탱크의 금속성 오염을 시험하기 위해서, Ni 및 Cu는 침착 품질에 역효과를 미치지 않으면서 둘다 50 ppm 정도까지 증가되었다. 여타 도금 조작시의 유입 문제를 우려하여, 20 ml/l에 달하는 양이 문제를 발생시키지 않으면서 할라이드 및 비할라이드 시스템 둘 다에 신중하게 첨가되었다.To test metallic contamination of the main plating tanks, both Ni and Cu were increased to around 50 ppm without adversely affecting the deposition quality. Concerning the problem of inflow during other plating operations, amounts up to 20 ml / l were carefully added to both halide and non-halide systems without causing problems.

당해 분야의 숙련자는 본 발명에 여러 변경 및 변형을 쉽게 가할 수 있으므로, 본 발명이 본원에 설명되고 기술된 구성 및 조작으로 엄격히 한정되는 것으로 의도되어서는 아니되며, 따라서 모든 적합한 변경 및 등가물은 본원 청구 범위의 범주에 포함되는 것으로 해석되어야 한다.As those skilled in the art can readily make various changes and modifications to the present invention, it is not intended that the present invention be strictly limited to the configurations and operations described and described herein, so that all suitable changes and equivalents are claimed herein. It should be construed as being included in the scope of the scope.

본 발명의 전기도금용 염, 전기도금욕 및 전기도금방법을 사용하여, 귀금속을 낭비하지 않으면서 물리 화학적 안정성, 높은 전기 전도성, 낮은 다공성 및 높은 열전도성을 특징으로 하는 귀금속 전기도금을 안정되게 행할 수 있다.Using the electroplating salts, electroplating baths and electroplating methods of the present invention, it is possible to stably perform precious metal electroplating characterized by physicochemical stability, high electrical conductivity, low porosity and high thermal conductivity without wasting precious metals. Can be.

Claims (25)

귀금속-술폰산 착물; 및 유리 술폰산을 포함하는 전기도금욕.Precious metal-sulfonic acid complexes; And an electroplating bath comprising free sulfonic acid. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 하나의 첨가제만을 추가로 포함하는 전기도금욕.Electroplating bath further comprising only one additive. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 첨가 금속(alloying metal)-술폰산 착물을 추가로 포함하는 전기도금욕.An electroplating bath further comprising an alloying metal-sulfonic acid complex. 제 2 항에 있어서,The method of claim 2, 귀금속이 Pd이고 첨가 금속이 Ni, Co, Ag 및 Sn으로 이루어진 군으로부터 선택되는 전기도금욕.An electroplating bath wherein the precious metal is Pd and the additive metal is selected from the group consisting of Ni, Co, Ag and Sn. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, pH 2.5 미만인 전기도금욕.Electroplating baths with a pH of less than 2.5. 제 5 항에 있어서,The method of claim 5, pH 1.0 미만인 전기도금욕.Electroplating baths with a pH of less than 1.0. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 술폰산이 하기 화학식 1의 구조를 갖는 산인 전기도금욕:An electroplating bath wherein the sulfonic acid is an acid having the structure of Formula 1: 화학식 1Formula 1 R[SO3]-XR [SO 3 ] -X 상기 식에서,Where R은 알킬기 또는 아릴기이고 X는 양이온계 화학종이다.R is an alkyl group or an aryl group and X is a cationic species. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 하나의 첨가제가 본원에서 정의된 제 1 또는 제 2 유형의 증백제중 하나인 전기도금욕.An electroplating bath wherein one additive is one of the first or second type brighteners as defined herein. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 술폰산이 메탄 술폰산을 포함하고, 금속-술폰산 착물이 금속-메탄 술폰산 착물을 포함하는 전기도금욕.An electroplating bath wherein the sulfonic acid comprises methane sulfonic acid and the metal-sulfonic acid complex comprises a metal-methane sulfonic acid complex. 도금욕을 통해 전류를 인가하면서 귀금속 함유 금속-술폰산 착물 및 유리 술폰산을 포함하는 용액중에 피도금체를 유지시키는 단계를 포함하는, 피도금체 위에 금속을 전기도금하는 방법.A method of electroplating a metal on a plated body, the method comprising: maintaining the plated body in a solution comprising a noble metal containing metal-sulfonic acid complex and free sulfonic acid while applying a current through a plating bath. 제 10 항에 있어서,The method of claim 10, 피도금체를 술폰산중에 예비침지시키는 단계를 추가로 포함하는 전기도금하는 방법.The method of electroplating further comprising the step of pre-soaking the plated body in sulfonic acid. 도금욕이 하나의 첨가제만을 포함하는 제 10 항에 따른 전기도금욕.The electroplating bath according to claim 10, wherein the plating bath comprises only one additive. 도금욕이 첨가 금속-술폰산 염을 추가로 포함하는 제 10 항에 따른 전기도금욕.The electroplating bath according to claim 10, wherein the plating bath further comprises an additive metal-sulfonic acid salt. 제 13 항에 있어서,The method of claim 13, 귀금속이 Pd이고 첨가 금속이 Ni, Co, Ag 및 Sn으로 이루어진 군으로부터 선택되는 전기도금욕.An electroplating bath wherein the precious metal is Pd and the additive metal is selected from the group consisting of Ni, Co, Ag and Sn. pH 2.5 미만인 제 10 항에 따른 전기도금욕.The electroplating bath according to claim 10 which is less than pH 2.5. 제 15 항에 있어서,The method of claim 15, pH 1.0 미만인 전기도금욕.Electroplating baths with a pH of less than 1.0. 술폰산이 하기 화학식 1의 산인 제 10 항에 따른 전기도금욕:An electroplating bath according to claim 10 wherein the sulfonic acid is an acid of the formula: 화학식 1Formula 1 R[SO3]-XR [SO 3 ] -X 상기 식에서,Where R은 알킬기 또는 아릴기이고 X는 양이온계 화학종이다.R is an alkyl group or an aryl group and X is a cationic species. 술폰산이 메탄 술폰산을 포함하고 금속-술폰산 착물이 금속 메탄 술폰산 착물을 포함하는 제 10 항에 따른 전기도금욕.The electroplating bath according to claim 10, wherein the sulfonic acid comprises methane sulfonic acid and the metal-sulfonic acid complex comprises a metal methane sulfonic acid complex. 귀금속이 기판상에 침지 침착된 Pd인 제 10 항에 따른 전기도금욕.The electroplating bath according to claim 10, wherein the precious metal is Pd immersed and deposited on a substrate. 제 19 항에 있어서,The method of claim 19, 피도금체가 Cu 또는 Cu 합금 중 하나 이상을 포함하는 전기도금욕.An electroplating bath wherein the body to be plated comprises at least one of Cu or a Cu alloy. Pd 또는 Pd 합금을 전기도금하기 위해 전기도금욕에 사용되는, 하기 화학식 2의 염을 포함하는 금속염:A metal salt comprising a salt of formula (2), used in an electroplating bath to electroplat Pd or Pd alloy: 화학식 2Formula 2 Pd(NH3)xMSA2 Pd (NH 3 ) x MSA 2 상기 식에서,Where x는 0 내지 4이다.x is 0-4. 술폰산을 귀금속 이온의 공급원과 혼합하여 슬러리를 형성하는 단계; 및 상기 슬러리를 여과하여 귀금속-술폰산 염을 수거하는 단계를 포함하는, 도금 금속을 전기도금욕에 공급하기 위해 사용되는 금속염의 합성방법.Mixing the sulfonic acid with a source of precious metal ions to form a slurry; And collecting the precious metal-sulfonic acid salt by filtration of the slurry. 제 22 항에 있어서,The method of claim 22, 수거된 염을 알콜로 세척하는 단계; 및 세척된 염을 건조하는 단계를 추가로 포함하는 금속염의 합성방법.Washing the collected salt with alcohol; And drying the washed salt. 제 22 항에 있어서,The method of claim 22, 대략 실온에서 혼합하는 금속염의 합성방법.Method for synthesizing metal salts mixed at about room temperature. 제 22 항에 있어서,The method of claim 22, 귀금속이 Pd이고 술폰산이 메탄 술폰산인 금속염의 합성방법.A method for synthesizing metal salts wherein the noble metal is Pd and the sulfonic acid is methane sulfonic acid.
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