KR20010107334A - Apparatus for letting out of the air in the chamber - Google Patents

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KR20010107334A
KR20010107334A KR1020000028763A KR20000028763A KR20010107334A KR 20010107334 A KR20010107334 A KR 20010107334A KR 1020000028763 A KR1020000028763 A KR 1020000028763A KR 20000028763 A KR20000028763 A KR 20000028763A KR 20010107334 A KR20010107334 A KR 20010107334A
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이종민
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윤종용
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Abstract

본 발명은 챔버 내 공기 배출 장치에 관한 것으로서, 챔버와, 상기 챔버로 웨이퍼를 안착시킬 때 외부로부터 유입된 공기의 압력을 기 설정된 일정 레벨로 낮추기 위해 그 공기를 1차 배출하는 제1 펌프와, 상기 제1 펌프에 의해 일정 레벨로 조절된 챔버내의 공기압을 반도체 공정 수행을 위해 설정된 레벨로 낮추기 위해 상기 챔버 내의 공기를 2차 배출하는 제2 펌프와, 다수개의 밸브로 구성되어 상기 챔버와 제1 펌프를 연결하는 제1 경로 또는 상기 챔버와 제2 펌프를 연결하는 제2 경로를 형성하는 공기 배출 경로부와, 상기 공기 배출 경로부를 구성하는 밸브들의 온/오프를 제어하는 공기 배출 경로 제어부로 구성되어, 그 공기 배출 경로를 단순화함으로써, 상기 공기 배출 장치의 구조를 간략화하고 그 펌핑 성능을 향상시킨 것을 특징으로 한다.The present invention relates to an air discharge apparatus in a chamber, comprising: a chamber, a first pump which first discharges the air to lower the pressure of air introduced from the outside to a predetermined level when the wafer is seated in the chamber; A second pump for discharging air in the chamber secondly to lower the air pressure in the chamber controlled by the first pump to a level set for performing a semiconductor process, and a plurality of valves, the chamber and the first An air discharge path part forming a first path connecting a pump or a second path connecting the chamber and the second pump, and an air discharge path control part controlling on / off of valves constituting the air discharge path part By simplifying the air discharge path, the structure of the air discharge device is simplified and the pumping performance is improved.

Description

챔버 내 공기 배출 장치{Apparatus for letting out of the air in the chamber}Apparatus for letting out of the air in the chamber}

본 발명은 챔버 내 공기 배출 장치에 관한 것으로서, 특히, 반도체의 스퍼터링 공정을 수행하기 위해 챔버 내의 공기를 배출하기 위한 장치에 있어서, 그 공기 배출 경로를 단순화함으로써, 상기 공기 배출 장치의 구조를 간략화하고 그 펌핑 성능을 향상시킨 것을 특징으로 하는 챔버 내 공기 배출 장치에 관한 것이다.The present invention relates to an air discharge device in a chamber, and more particularly, to an apparatus for discharging air in a chamber to perform a sputtering process of a semiconductor, by simplifying the air discharge path, thereby simplifying the structure of the air discharge device and It is related with the air discharge apparatus in a chamber characterized by the improvement of the pumping performance.

일반적인 반도체 공정에 있어서, 반도체의 초기 상태인 웨이퍼가 최종적으로 사용자가 원하는 형태의 반도체로 형성되기 위해서는 여러 단계의 공정을 거치게되는데, 상기 웨이퍼는 각 공정별로 필요한 조건을 갖춘 챔버를 통과하게 된다.In a general semiconductor process, the wafer, which is the initial state of the semiconductor, is processed through several steps in order to finally form a semiconductor of a desired shape, and the wafer passes through a chamber having necessary conditions for each process.

이 때, 상기 챔버는 이전 공정을 마친 후 내부에 안착된 웨이퍼에 대해 해당 단계의 공정을 처리하기 위해, 우선 웨이퍼가 로딩될 때 유입된 공기를 외부로 배출하여야 한다.At this time, the chamber must first discharge the introduced air when the wafer is loaded in order to process the process of the step for the wafer seated therein after completing the previous process.

따라서, 반도체 공정에 필요한 챔버에는 그 챔버 내 공기를 배출하기 위한 장치가 연결되어야 한다.Therefore, a chamber for the semiconductor process must be connected to an apparatus for exhausting air in the chamber.

도 1은 이러한 챔버 내 공기 배출 장치에 대한 종래의 실시예로서, 도 1을 참조하면, 챔버 내 공기 배출 장치는 챔버(10)와, 웨이퍼 로딩부(20)와, 제1 펌프(30)와, 제2 펌프(40)와, 공기 배출 경로 제어부(50)와, 공기 배출 경로부(60)로 구성된다.FIG. 1 is a conventional embodiment of such an in-chamber air exhaust device. Referring to FIG. 1, the in-chamber air exhaust device includes a chamber 10, a wafer loading unit 20, a first pump 30, And a second pump 40, an air discharge path control unit 50, and an air discharge path unit 60.

이 때, 상기 제1 펌프(30)는 상기 챔버(10)내에 웨이퍼가 로딩될 때 외부에서 유입된 공기를 1차적으로 배출하기 위한 장치로서, 일반적으로 오일(oil)에 의한 펌핑을 수행하는 러핑 펌프(roughing pump)를 사용한다.At this time, the first pump 30 is a device for primarily discharging air introduced from the outside when the wafer is loaded in the chamber 10, and generally roughing to perform pumping by oil. Use a roughing pump.

한편, 상기 제2 펌프(40)는 상기 제1 펌프(30)에 의해 1차적으로 조절된 챔버(10)내의 공기압을 반도체 공정을 수행하기 위해 설정된 공기압으로 조절하기 위해 남은 공기를 배출하기 위한 장치로서, 일반적으로 크라이오 펌프(cryo pump)를 사용한다.On the other hand, the second pump 40 is a device for discharging the remaining air to adjust the air pressure in the chamber 10 primarily controlled by the first pump 30 to the air pressure set to perform the semiconductor process As a general rule, a cryo pump is used.

상기 공기 배출 경로부(60)는 다수개의 밸브(V1, V2, V3, V4)를 포함하여, 상기 챔버내의 공기압 조절을 위한 공기 배출 경로를 선택적으로 형성하도록 하며, 이를 위해, 상기 공기 배출 경로 제어부(50)에서 인가되는 제어 신호(C1, C2, C3,C4)에 의해 상기 다수개의 밸브(V1, V2, V3, V4)들이 선택적으로 '온(on)' 또는 '오프(off)'된다.The air discharge path unit 60 includes a plurality of valves (V1, V2, V3, V4) to selectively form an air discharge path for adjusting the air pressure in the chamber, for this purpose, the air discharge path controller The plurality of valves V1, V2, V3, V4 are selectively 'on' or 'off' by the control signals C1, C2, C3, C4 applied at 50.

상기와 같이 챔버 내 공기 배출을 위한 장치가 다수개의 펌프에 의해 구성되는 이유는, 일반적으로 반도체 공정에 적합한 챔버 내의 공기압은 5.0E-7Torr 인데, 이러한 조건을 맞추기 위한 공기 배출 작업을 하나의 펌프에서 수행할 경우 그 펌프에 무리가 가기 때문이다.The reason why the apparatus for evacuating the air in the chamber is constituted by a plurality of pumps as described above is that in general, the air pressure in the chamber suitable for the semiconductor process is 5.0E -7 Torr. This is because the pump is overwhelming if it is performed at.

따라서, 상기 제1 펌프(30)에 의해 챔버 내 공기압을 5.0E-2Torr정도로 1차 조절하고, 상기 제2 펌프(40)에서 최종 목표인 5.0E-7Torr로 공기압을 조절하는 것이다.Therefore, the first air pressure in the chamber is first adjusted to about 5.0E -2 Torr by the first pump 30, and the air pressure is adjusted to 5.0E -7 Torr as the final target by the second pump 40.

그런데, 종래의 경우 상기 제1 펌프(30)로서 오일(oil)에 의해 공기 배출을 수행하는 오일 러핑 펌프(oil roughing pump)를 사용함으로써, 상기 제1 펌프(300)에 의한 공기 배출을 한 방향으로 장시간 수행할 경우, 상기 오일이 역류(oil back stream)하는 현상이 발생한다.However, in the related art, by using an oil roughing pump that performs air discharge by oil as the first pump 30, air is discharged by the first pump 300 in one direction. When the oil is carried out for a long time, the oil back stream occurs.

따라서, 상기 오일 역류 현상을 방지하기 위해 종래에는 챔버(10)에서 상기 제1 펌프(30)로 연결되는 공기 배출 경로를 복수 개로 구성하고, 외부에서 인가되는 제어 신호에 의해 상기 복수개의 공기 배출 경로를 선택하도록 하는 방법을 사용하였다.Therefore, in order to prevent the oil backflow phenomenon, a plurality of air discharge paths connected to the first pump 30 from the chamber 10 are conventionally configured, and the plurality of air discharge paths are controlled by a control signal applied from the outside. A method of selecting was used.

즉, 상기 공기 배출 경로부(60)에 나타난 바와 같이 상기 챔버(10)에서 제1 펌프(30)로 연결되는 경로를 제1 밸브(V1)와 제3 밸브(V3)로 형성된 제1 경로와,제1 밸브(V1)와 제4 밸브(V4)로 형성된 제2 경로로 구성하고, 상기 공기 배출 경로 제어부(50)에서 인가되는 밸브 제어 신호(C3, C4)에 의해 상기 제3 밸브(V3) 또는 제4 밸브(V4) 중 하나의 밸브만을 '온'시킴으로써, 상기 제1 또는 제2 경로를 선택 구동시켰다.That is, as shown in the air discharge path 60, the path from the chamber 10 to the first pump 30 is connected to the first path formed by the first valve V1 and the third valve V3; And a second path formed of the first valve V1 and the fourth valve V4, and the third valve V3 by valve control signals C3 and C4 applied from the air discharge path controller 50. ) Or only one of the fourth valves V4 to selectively drive the first or second path.

그러나, 최근 들어 상기 제1 펌프(30)를 드라이 펌프(dry pump)로 교체함으로써, 상기와 같은 오일 역류 현상이 발생하지 않게 되었고, 따라서, 상기 오일 역류현상을 방지하기 위한 경로도 불필요하게 되었다.However, in recent years, by replacing the first pump 30 with a dry pump, the oil backflow phenomenon as described above does not occur, and thus, a path for preventing the oil backflow phenomenon is also unnecessary.

하지만, 종래에는 상기와 같이 제1 펌프(30)를 드라이 펌프(dry pump)로 교체하였음에도 불구하고, 오일 역류 현상 방지를 위한 복수개의 경로를 그대로 사용함으로써, 상기 챔버 내 공기 배출 장치가 불필요한 구성 요소를 포함하게 되고, 또한, 다수개의 밸브 및 연결 라인의 사용으로 그 펌핑 성능이 떨어진다는 단점이 있었다.However, in the related art, although the first pump 30 is replaced with a dry pump as described above, by using a plurality of paths as it is to prevent oil backflow, the air discharge device in the chamber is unnecessary. And also, the use of a plurality of valves and connecting lines had the disadvantage that the pumping performance is poor.

따라서, 본 발명에서는 상기와 같은 문제점을 해결하기 위해, 상기 오일 역류 현상 방지를 위한 경로를 제거하여 그 공기 배출 경로를 단순화함으로써, 상기 공기 배출 장치의 구조를 간략화하고 그 펌핑 성능을 향상시킨 것을 특징으로 하는 챔버 내 공기 배출 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.Therefore, in the present invention, in order to solve the above problems, by removing the path for preventing the oil backflow phenomenon to simplify the air discharge path, the structure of the air discharge device is simplified and the pumping performance is improved. An object of the present invention is to provide an air discharge device in a chamber.

상기 목적을 달성하기 위해 본 발명에서 제공하는 챔버 내 공기 배출 장치는 챔버와, 상기 챔버로 웨이퍼를 안착시킬 때 외부로부터 유입된 공기의 압력을 기 설정된 일정 레벨로 낮추기 위해 그 공기를 1차 배출하는 제1 펌프와, 상기 제1 펌프에 의해 일정 레벨로 조절된 챔버내의 공기압을 반도체 공정 수행을 위해 설정된 레벨로 낮추기 위해 상기 챔버 내의 공기를 2차 배출하는 제2 펌프와, 다수개의 밸브로 구성되어 상기 챔버와 제1 펌프를 연결하는 제1 경로 또는 상기 챔버와 제2 펌프를 연결하는 제2 경로를 형성하는 공기 배출 경로부와, 상기 공기 배출 경로부를 구성하는 밸브들의 온/오프를 제어하는 공기 배출 경로 제어부로 구성된다.In order to achieve the above object, the air discharge device in a chamber provided by the present invention is configured to discharge the air first to lower the pressure of the air introduced from the outside to a predetermined level when the wafer is seated in the chamber. A first pump, a second pump for secondaryly discharging air in the chamber to lower the air pressure in the chamber controlled by the first pump to a level set for performing a semiconductor process, and a plurality of valves. An air discharge path portion forming a first path connecting the chamber and the first pump or a second path connecting the chamber and the second pump, and air controlling on / off of valves constituting the air discharge path portion The discharge path control unit.

이 때, 상기 공기 배출 경로부는 일측이 상기 챔버와 연결된 제1 밸브와, 일측이 상기 제2 펌프에 연결되고 타측이 상기 제1 밸브의 타측에 연결된 제2 밸브와, 일측이 상기 제1 펌프에 연결되고 타측이 상기 제1 밸브 및 제2 밸브의 타측에 연결된 제3 밸브로 구성되며, 상기 공기 배출 경로 제어부는 상기 제1 펌프에 의한 상기 챔버 내의 1차적인 공기압 조절을 위해 상기 제1 밸브 및 제3 밸브를 '온'시키고, 상기 제2 밸브를 '오프'시켜 상기 공기 배출 경로부가 제1 경로를 형성하도록 제어한 후, 상기 챔버내의 공기압이 일정 레벨로 낮아지면, 상기 제2 펌프에 의한 상기 챔버 내의 최종 공기압 조절을 위해 상기 제1 밸브 및 제2 밸브를 '온'시키고, 상기 제3 밸브를 '오프'시켜 상기 공기 배출 경로부가 제2 경로를 형성하도록 제어하는 것을 특징으로 한다.At this time, the air discharge path portion of the first valve connected to the chamber, one side is connected to the second pump, the other side is connected to the other side of the first valve, and one side is connected to the first pump And a third valve connected to the other side of the first valve and the second valve, wherein the air discharge path controller is configured to control the first air pressure in the chamber by the first pump; After the third valve is 'on' and the second valve is 'off' to control the air discharge path portion to form the first path, and when the air pressure in the chamber is lowered to a predetermined level, the second pump The first valve and the second valve 'on' to control the final air pressure in the chamber, the third valve is characterized in that by controlling the air outlet path portion to form a second path.

도 1은 종래의 실시예에 따른 챔버 내 공기 배출 장치에 대한 블록도,1 is a block diagram of an apparatus for evacuating air in a chamber according to a conventional embodiment;

도 2는 본 발명의 실시예에 따른 챔버 내 공기 배출 장치에 대한 블록도.2 is a block diagram of an apparatus for evacuating air in a chamber according to an embodiment of the present invention.

<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명><Description of the symbols for the main parts of the drawings>

100 : 챔버 200 : 웨이퍼 로딩부100: chamber 200: wafer loading portion

300 : 제1 펌프 400 : 제2 펌프300: first pump 400: second pump

500 : 공기 배출 경로 제어부 600 : 공기 배출 경로부500: air discharge path control unit 600: air discharge path unit

이하, 첨부한 도면을 참조하여, 본 발명의 일 실시예를 좀 더 상세히 설명하고자 한다.Hereinafter, an embodiment of the present invention will be described in more detail with reference to the accompanying drawings.

도 2는 본 발명의 실시예에 따른 챔버 내 공기 배출 장치에 대한 블록도로서, 도 2를 참조하면, 본 발명의 챔버 내 공기 배출 장치는 챔버(100)와, 웨이퍼로딩부(200)와, 제1 펌프(300)와, 제2 펌프(400)와, 공기 배출 경로 제어부(500)와, 공기 배출 경로부(600)로 구성된다.FIG. 2 is a block diagram of an in-chamber air discharge device according to an embodiment of the present invention. Referring to FIG. 2, the in-chamber air discharge device includes a chamber 100, a wafer loading unit 200, The first pump 300, the second pump 400, the air discharge path controller 500, and the air discharge path unit 600 are configured.

이 때, 상기 제1 펌프(300)는 상기 챔버(100)로 웨이퍼가 로딩될 때 외부에서 유입된 공기의 압력을 기 설정된 일정 레벨로 낮추기 위해 그 공기를 1차적으로 배출하기 위한 장치로서, 일반적으로 드라이 펌프(dry pump)를 사용하여 챔버(100) 내 공기압을 5.0E-2Torr정도로 1차 조절한다.At this time, the first pump 300 is a device for primarily discharging the air to lower the pressure of the air introduced from the outside to a predetermined level when the wafer is loaded into the chamber 100, generally By using a dry pump (dry pump) to adjust the air pressure in the chamber 100 to about 5.0E -2 Torr first.

한편, 상기 제2 펌프(400)는 상기 제1 펌프(300)에 의해 일정 레벨로 조절된 챔버(100)내의 공기압을 반도체 공정 수행을 위해 설정된 레벨로 낮추기 위해 상기 챔버 내의 공기를 2차 배출하기 위한 장치로서, 종래의 경우와 마찬가지로 크라이오 펌프(cryo pump)를 사용하며, 챔버(100)내 공기압을 최종 목표인 5.0E-7Torr로 조절한다.On the other hand, the second pump 400 is to discharge the air in the chamber secondary to lower the air pressure in the chamber 100 adjusted to a predetermined level by the first pump 300 to a level set for performing a semiconductor process. As a device for this purpose, a cryo pump is used as in the conventional case, and the air pressure in the chamber 100 is adjusted to the final target of 5.0E -7 Torr.

상기 공기 배출 경로부(600)는 일측이 상기 챔버(100)와 연결된 제1 밸브(V1)와, 일측이 상기 제2 펌프(400)에 연결되고 타측이 상기 제1 밸브(V1)의 타측에 연결된 제2 밸브(V2)와, 일측이 상기 제1 펌프(300)에 연결되고 타측이 상기 제1 밸브(V1) 및 제2 밸브(V2)의 타측에 연결된 제3 밸브(V3)로 구성되어, 상기 챔버(100)내의 공기압 조절을 위한 공기 배출 경로를 선택적으로 형성하도록 하는데, 챔버(100)와 제1 펌프(300)를 연결하는 제1 경로 또는 챔버(100)와 제2 펌프(400)를 연결하는 제2 경로 중 하나를 선택하여 형성한다.The air discharge path part 600 has one side connected to the first valve V1 connected to the chamber 100, one side connected to the second pump 400, and the other side to the other side of the first valve V1. The second valve (V2) is connected, and one side is connected to the first pump 300 and the other side is composed of a third valve (V3) connected to the other side of the first valve (V1) and the second valve (V2) In order to selectively form an air discharge path for adjusting the air pressure in the chamber 100, the first path or the chamber 100 and the second pump 400 connecting the chamber 100 and the first pump 300 Select one of the second path connecting to form.

이를 위해, 상기 공기 배출 경로 제어부(500)는 상기 밸브들(V1, V2, V3)의'온/오프'를 제어하기 위한 제1 내지 제4 제어 신호(C1, C2, C3, C4)를 상기 공기 배출 경로부(600)로 인가하는데, 상기 제1 제어신호(C1)는 제1 밸브(V1)의 '온/오프'를 제어하고, 제2 제어신호(C2)는 제2 밸브(V2)의 '온/오프'를 제어하고, 제3 및 제4 제어신호(C3, C4)는 제3 밸브(V3)의 '온/오프'를 제어한다.To this end, the air discharge path control unit 500 receives the first to fourth control signals C1, C2, C3, and C4 for controlling 'on / off' of the valves V1, V2, and V3. Is applied to the air discharge path 600, the first control signal (C1) controls the 'on / off' of the first valve (V1), the second control signal (C2) is the second valve (V2) Control the 'on / off', and the third and fourth control signals (C3, C4) controls the 'on / off' of the third valve (V3).

즉, 상기 공기 배출 경로 제어부(500)는 상기 제1 펌프(300)에 의한 챔버(100)내 1차 공기압 조절을 위해, 상기 제1 밸브(V1) 및 제3 밸브(V3)를 '온'시키고, 상기 제2 밸브(V2)를 '오프'시켜 상기 공기 배출 경로부가 제1 경로를 형성하도록 제어한다.That is, the air discharge path controller 500 'turns on' the first valve V1 and the third valve V3 to control the primary air pressure in the chamber 100 by the first pump 300. The second valve V2 is 'off' to control the air discharge path portion to form a first path.

그리고, 상기 챔버(100)내 압력이 기 설정된 일정 레벨 즉, 5.0E-2Torr가 되면, 상기 제2 펌프(400)에 의한 상기 챔버(100) 내의 최종 공기압 조절을 위해 상기 제1 밸브(V1) 및 제2 밸브(V2)를 '온'시키고, 상기 제3 밸브(V3)를 '오프'시켜 상기 공기 배출 경로부가 제2 경로를 형성하도록 제어한다.When the pressure in the chamber 100 reaches a predetermined level, that is, 5.0E -2 Torr, the first valve V1 is used to control the final air pressure in the chamber 100 by the second pump 400. ) And the second valve V2 is 'on', and the third valve V3 is 'off' to control the air discharge path portion to form a second path.

상기 제2 경로에 의해 상기 챔버(100) 내 압력이 반도체 공정을 수행하기 위한 최종 공기압 즉, 5.0E-7Torr가 되면 공기 배출 과정을 종료한다.When the pressure in the chamber 100 reaches the final air pressure, that is, 5.0E -7 Torr, by the second path, the air discharge process is terminated.

상기와 같은 본 발명의 챔버 내 공기 배출 장치는 오일 역류 현상 방지를 위해 복수 개로 구성하여 사용하였던 공기 배출 경로를 하나의 경로로 단순화함으로써, 상기 공기 배출 장치의 구조가 간단하여 구성이 용이하다는 장점이 있다. 또한, 상기 경로를 구성하기 위해 필요하였던 밸브 및 연결 라인을 제거함으로써, 비용이 절감되고, 경로가 단순화됨으로써, 그 펌핑 성능이 향상된다는 장점이 있다.The air discharge device in the chamber of the present invention as described above has the advantage that the structure of the air discharge device is simple and easy to configure by simplifying the air discharge path, which is used in a plurality of configurations to prevent oil backflow, into one path. have. In addition, by eliminating the valves and connecting lines required to construct the path, there is an advantage that the cost is reduced and the path is simplified, thereby improving the pumping performance.

Claims (3)

챔버와,Chamber, 상기 챔버로 웨이퍼를 안착시킬 때 외부로부터 유입된 공기의 압력을 기 설정된 일정 레벨로 낮추기 위해 그 공기를 1차 배출하는 제1 펌프와,A first pump which first discharges the air to lower the pressure of air introduced from the outside to a predetermined predetermined level when the wafer is seated in the chamber; 상기 제1 펌프에 의해 일정 레벨로 조절된 챔버내의 공기압을 반도체 공정 수행을 위해 설정된 레벨로 낮추기 위해 상기 챔버 내의 공기를 2차 배출하는 제2 펌프와,A second pump for secondaryly discharging air in the chamber to lower the air pressure in the chamber controlled to a predetermined level by the first pump to a level set for performing a semiconductor process; 다수개의 밸브로 구성되어 상기 챔버와 제1 펌프를 연결하는 제1 경로 또는 상기 챔버와 제2 펌프를 연결하는 제2 경로를 형성하는 공기 배출 경로부와,An air discharge path part including a plurality of valves to form a first path connecting the chamber and the first pump or a second path connecting the chamber and the second pump; 상기 공기 배출 경로부를 구성하는 밸브들의 온/오프를 제어하는 공기 배출 경로 제어부로 구성된 것을 특징으로 하는 챔버 내 공기 배출 장치.And an air discharge path control unit configured to control on / off of valves constituting the air discharge path unit. 제1항에 있어서, 상기 공기 배출 경로부는The method of claim 1, wherein the air discharge path portion 일측이 상기 챔버와 연결된 제1 밸브와,A first valve having one side connected to the chamber, 일측이 상기 제2 펌프에 연결되고 타측이 상기 제1 밸브의 타측에 연결된 제2 밸브와,A second valve having one side connected to the second pump and the other side connected to the other side of the first valve, 일측이 상기 제1 펌프에 연결되고 타측이 상기 제1 밸브 및 제2 밸브의 타측에 연결된 제3 밸브로 구성된 것을 특징으로 하는 챔버 내 공기 배출 장치.Air discharge device in the chamber, characterized in that the one side is connected to the first pump and the other side is composed of a third valve connected to the other side of the first valve and the second valve. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 공기 배출 경로 제어부는The method of claim 1, wherein the air exhaust path control unit 상기 제1 펌프에 의한 상기 챔버 내의 1차적인 공기압 조절을 위해 상기 제1 밸브 및 제3 밸브를 '온'시키고, 상기 제2 밸브를 '오프'시켜 상기 공기 배출 경로부가 제1 경로를 형성하도록 제어한 후,'On' the first valve and the third valve to turn on the first valve and the third valve to control the primary air pressure in the chamber by the first pump, and to cause the air outlet path portion to form a first path. After controlling 상기 챔버내의 공기압이 일정 레벨로 낮아지면, 상기 제2 펌프에 의한 상기 챔버 내의 최종 공기압 조절을 위해 상기 제1 밸브 및 제2 밸브를 '온'시키고, 상기 제3 밸브를 '오프'시켜 상기 공기 배출 경로부가 제2 경로를 형성하도록 제어하는 것을 특징으로 하는 챔버 내 공기 배출 장치.When the air pressure in the chamber is lowered to a predetermined level, the first valve and the second valve are 'on' for the final air pressure adjustment in the chamber by the second pump, and the third valve is 'off' so that the air And / or control the discharge path portion to form a second path.
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