KR20010094843A - Method for manufacturing premetal dielectric layer of semiconductor devices - Google Patents
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Abstract
Description
본 발명은 반도체 소자를 제조하는 공정에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 반도체 소자를 제조하는 공정 중 반도체 소자가 형성된 실리콘웨이퍼와 금속 배선층 사이를 전기적으로 절연하기 위한 반도체 소자의 금속전 절연막(premetal dielectric layer)을 제조하는 방법에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a process for manufacturing a semiconductor device, and more particularly, a premetal dielectric layer of a semiconductor device for electrically insulating between a silicon wafer on which a semiconductor device is formed and a metal wiring layer during a process of manufacturing a semiconductor device. It relates to a method of manufacturing).
일반적으로 반도체 소자를 제조하는 공정에서 모스 트랜지스터 등의 반도체 소자가 형성된 실리콘웨이퍼와 금속 배선층을 전기적으로 절연하기 위하여 금속전 절연막을 산화막으로 형성하게 되는 데, 산화막의 증착시 금속 배선층 형성 이전의평탄화, 나트륨 이온(Na+) 게터링(gettering) 등의 목적으로 붕소(boron)나 인(phosphorous)을 함유하는 반응물을 첨가하여 SiO2-B2O3-P2O5의 BPSG(borophospho silicate glass)막을 형성하고 있다.In general, in the process of manufacturing a semiconductor device, a metal insulating film is formed of an oxide film to electrically insulate a silicon wafer including a semiconductor device such as a MOS transistor and a metal wiring layer. Borophospho silicate glass (BPSG) of SiO 2 -B 2 O 3 -P 2 O 5 by adding a reactant containing boron or phosphorous for purposes such as sodium ion (Na + ) gettering Forming a film.
그러면, 도 1a와 도 1b를 참조하여 종래 반도체 소자의 금속전 절연막을 제조하는 방법을 개략적으로 설명한다.1A and 1B, a method of manufacturing a metal pre-insulating layer of a conventional semiconductor device will be described.
먼저 도 1a에 도시한 바와 같이, LOCOS(local oxidation of silicon) 공정이나 STI(shallow trench isolation) 공정 등으로 형성한 필드 산화막(2)에 의해 소자 분리 영역이 정의된 실리콘웨이퍼(1)의 소자 영역에 게이트 산화막과 폴리실리콘으로 형성된 게이트(G) 및 소스(S), 드레인(D)을 포함하는 모스 트랜지스터(3)를 형성한다. 그리고, 게이트(G) 및 소스(S), 드레인(D) 상부 표면에 후속 금속 배선층과의 콘택 저항을 저감하기 위한 실리사이드(4)를 형성한다. 이후, 후속 공정에 의해 증착되는 금속전 절연막인 BPSG막이 실리콘웨이퍼(1)에 바로 접촉할 경우 BPSG막에 함유된 붕소나 인 등의 불순물이 모스 트랜지스터(3)를 포함하는 실리콘웨이퍼(1)로 침투하는 것을 방지할 뿐만 아니라 후속 콘택홀 형성을 위한 BPSG막의 식각 공정에서 식각 정지층으로 사용하기 위하여 모스 트랜지스터(3)를 포함한 실리콘웨이퍼(1) 상부 전면에 라이너(liner) 질화막(5)을 증착한다.First, as shown in FIG. 1A, an element region of a silicon wafer 1 in which an element isolation region is defined by a field oxide film 2 formed by a local oxidation of silicon (LOCOS) process, a shallow trench isolation (STI) process, or the like. A MOS transistor 3 including a gate G, a source S, and a drain D formed of a gate oxide film and polysilicon is formed in the semiconductor wafer. The silicide 4 is formed on the upper surfaces of the gate G, the source S, and the drain D to reduce contact resistance with subsequent metal wiring layers. Subsequently, when the BPSG film, which is a metal pre-insulation film deposited by a subsequent process, directly contacts the silicon wafer 1, impurities such as boron or phosphorous contained in the BPSG film are transferred to the silicon wafer 1 including the MOS transistor 3. A liner nitride film 5 is deposited on the entire upper surface of the silicon wafer 1 including the MOS transistor 3 to prevent penetration and to be used as an etch stop layer in the etching process of the BPSG film for subsequent contact hole formation. do.
그 다음 도 1b에 도시한 바와 같이, 라이너 질화막(5) 상부 전면에 금속전 절연막으로 TEOS(tetraethylorthosilicate)계 BPSG막(6)을 APCVD(atmospheric pressure chemical vapor deposition) 또는 SACVD(sub-atmospheric chemical vapordeposition) 방법에 의해 약 14000Å 정도의 두께로 증착한다. 이때, 증착된 BPSG막(6)은 B-O, P-O, Si-O 간의 결합이 느슨하여 외부의 화학적, 기계적 충격에 쉽게 끊어지는 특징이 있다. 따라서 안정된 BPSG막(6)을 얻기 위하여 700℃ 정도의 온도에서 치밀화 공정을 진행한다. 그러면 치밀화 공정에 의해 BPSG막(6)은 치밀화 공정 이전에 비하여 화학적, 기계적 강도가 약 3배 정도 강화된다. 이후, BPSG막(6)을 평탄화함으로써 반도체 소자의 금속전 절연막을 완성한다.Then, as shown in FIG. 1B, a tetraethylorthosilicate (TEOS) -based BPSG film (6) (APOS) or sub-atmospheric chemical vapor deposition (SACVD) is used as a pre-metal insulating film on the upper surface of the liner nitride film 5. By the method, it is deposited to a thickness of about 14000 kPa. At this time, the deposited BPSG film 6 is characterized in that the bond between the B-O, P-O, Si-O is loose and easily broken by external chemical and mechanical impact. Therefore, the densification process is performed at a temperature of about 700 ° C. in order to obtain a stable BPSG film 6. By the densification process, the BPSG film 6 is then strengthened by about three times its chemical and mechanical strength as compared to before the densification process. Thereafter, the BPSG film 6 is planarized to complete the metal pre-insulating film of the semiconductor element.
이와 같은 종래의 방법에서 라이너 질화막(5)을 증착하기 위하여 플라즈마와 저온을 이용하는 PECVD(plasma enhanced chemical vapor deposition) 방법과 저압, 고온을 이용하는 LPCVD(low pressure chemical vapor depositio) 방법 등을 사용하고 있으며, 특히 최근에는 저온 공정이 가능한 PECVD 방법을 주로 사용하고 있다. 그러나, PECVD 방법에 의한 사일렌(SiH4)과 암모니아(NH3)의 반응에 의해 증착된 라이너 질화막(5)은 LPCVD 방법에 의해 증착된 라이너 질화막에 비하여 비정량적이며, 이러한 이유로 PECVD 라이너 질화막(5)은 도 1b의 A1에 도시한 바와 같이 사일렌과 암모니아의 분해과정에서 생성되는 수소(H)를 다량 함유(약 20 내지 30 mole% ; LPCVD 방법에 의한 수소 함량은 4 내지 6 mole%)하고 있으며 그 존재 형태는 Si-H, Si-H2, Si-H3, N-H, N-H2등 다양하다. 이는 막의 내부뿐만 아니라 라이너 질화막(5)의 표면에서도 이러한 결합들을 유지하고 있으며, 이러한 결합들 중 Si-H는 그 결합력이 아주 미약하여 외부의 화학적 충격에 쉽게 결합력을 잃는다. 이때, 도 1b의 A1은 라이너 질화막(5) 상부에 BPSG막(6)을 증착할 경우 라이너 질화막(5)과 BPSG막(6) 계면에서의 화학적 구조를 개략적으로 도시한 것이다.In the conventional method, a plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD) method using plasma and low temperature and a low pressure chemical vapor depositio (LPCVD) method using low pressure and high temperature are used to deposit the liner nitride film 5. In particular, recently, the PECVD method capable of low temperature process is mainly used. However, the liner nitride film 5 deposited by the reaction of silica (SiH 4 ) and ammonia (NH 3 ) by the PECVD method is non-quantitative compared to the liner nitride film deposited by the LPCVD method, and for this reason, the PECVD liner nitride film ( 5) contains a large amount of hydrogen (H) generated in the decomposition process of xylene and ammonia, as shown in A1 of FIG. 1B (about 20 to 30 mole%; hydrogen content by LPCVD method is 4 to 6 mole%) and the presence and type can vary, such as Si-H, Si-H 2 , Si-H 3, NH, NH 2. It maintains these bonds not only inside the film but also on the surface of the liner nitride film 5, and among these bonds, Si-H has a very weak bonding force and easily loses the bonding force to external chemical impact. In this case, A1 of FIG. 1B schematically illustrates a chemical structure at the interface between the liner nitride film 5 and the BPSG film 6 when the BPSG film 6 is deposited on the liner nitride film 5.
그리고, 이러한 라이너 질화막(5) 상부에 BPSG막(6)을 증착할 경우 반응식 1에서와 같이 라이너 질화막(5)의 표면과 표면 근처의 Si-H가 증착되는 BPSG막(6)의 불안정한 B-O, P-O, Si-O와 만나게 되며, 이때 BPSG막(6)의 증착 온도인 400℃ 내지 500℃ 정도의 열에너지를 받게 된다. 이러한 열에너지로 인하여 Si-H는 그 결합력이 더욱 약해지고, 이러한 상태에서 B-O, P-O, Si-O와 만나게 되어 쉽게 반응을 일으킨다. 이때, 반응은 서로 안정화할 수 있는 방향으로 이루어지며, 결국 라이너 질화막(5) 표면의 수소와 B-O의 산소가 결합하여 안정화되고 수소가 떨어져 나간 자리를 B-O나 P-O, Si-O가 채우게 된다. 결국 산소를 잃은 붕소 이온(B+)만이 남게 되며, 이러한 붕소 이온은 작은 원자 반경과 뛰어난 이동도로 라이너 질화막(5)을 투과하거나 라이너 질화막(5) 내부에 잔존하게 된다. 이러한 경우는 B, P, Si에 다 발생할 수 있으나 P, Si는 원자 반경이 크며 이동도가 붕소에 비하여 현저히 작아 라이너 질화막(5)을 투과하지는 못한다.When the BPSG film 6 is deposited on the liner nitride film 5, the unstable BO of the BPSG film 6 in which Si-H is deposited on the surface of the liner nitride film 5 and near the surface, as shown in Scheme 1, PO and Si-O are encountered, and at this time, thermal energy of 400 ° C. to 500 ° C., which is a deposition temperature of the BPSG film 6, is received. Due to such thermal energy, Si-H has a weaker bonding force, and in this state, Si-H encounters BO, PO, and Si-O, and easily reacts. At this time, the reaction is made in a direction that can be stabilized with each other, eventually BO and PO, Si-O is filled in the place where hydrogen and hydrogen of BO on the surface of the liner nitride film 5 is bonded and stabilized. Eventually, only the oxygen-containing boron ions B + remain, and the boron ions pass through the liner nitride film 5 or remain inside the liner nitride film 5 with a small atomic radius and excellent mobility. In this case, all of B, P, and Si may occur, but P and Si do not penetrate the liner nitride film 5 because the atomic radius is large and the mobility is significantly smaller than that of boron.
그리고, BPSG막(6)이 증착되면 열공정을 통해 치밀화시키는 데, 이때 라이너 질화막(5) 내부에 잔존하는 붕소 이온이나 라이너 질화막(5)을 투과한 붕소 이온이실리콘웨이퍼(1)로 침투된다.When the BPSG film 6 is deposited, the BPSG film 6 is densified through a thermal process. At this time, the boron ions remaining in the liner nitride film 5 or the boron ions passing through the liner nitride film 5 penetrate into the silicon wafer 1. .
이렇게 침투한 붕소 이온은 특히 붕소를 소스(S), 드레인(D)의 도펀트로 이용하는 P모스에서 문제를 일으키는 데, 침투한 붕소 이온은 실리콘 내에서 이동하여 P모스의 문턱 전압을 감소시킬뿐만 아니라 게이트의 채널을 제거하기 위하여 인가 전압을 제거하여도 채널이 미약하게 형성되어 있는 등의 누설 전류를 야기시킨다.This penetrated boron ions cause problems in PMOS, which uses boron as a dopant for source (S) and drain (D). In addition, the penetrated boron ions move in silicon to reduce the threshold voltage of PMOS, Even if the applied voltage is removed to remove the channel of the gate, a leakage current such as a weakly formed channel is generated.
본 발명은 이와 같은 문제점을 해결하기 위한 것으로, 그 목적은 반도체 소자의 금속전 절연막인 BPSG막 증착시 붕소 이온이 실리콘웨이퍼측으로 침투하는 것을 방지할 수 있도록 하는 데 있다.The present invention has been made to solve the above problems, and its object is to prevent boron ions from penetrating into the silicon wafer during deposition of the BPSG film, which is a pre-metal insulating film of a semiconductor device.
도 1a 내지 도 1b는 종래 반도체 소자의 금속전 절연막을 제조하는 방법을 개략적으로 도시한 공정도이고,1A to 1B are process diagrams schematically showing a method of manufacturing a metal pre-insulating film of a conventional semiconductor device.
도 2a 내지 도 2c는 본 발명의 일 실시예에 따라 반도체 소자의 금속전 절연막을 제조하는 방법을 개략적으로 도시한 공정도이다.2A to 2C are process diagrams schematically illustrating a method of manufacturing a pre-metal insulating film of a semiconductor device according to an embodiment of the present invention.
상기와 같은 목적을 달성하기 위하여, 본 발명은 PECVD에 의해 증착된 라이너 질화막의 표면을 자외선 오존 처리하여 라이너 질화막 표면의 수소를 제거한 후 BPSG막을 증착함으로써 붕소 이온이 형성되지 않도록 하는 것을 특징으로 한다.In order to achieve the above object, the present invention is characterized in that boron ions are not formed by depositing a BPSG film after removing hydrogen on the surface of the liner nitride film by ultraviolet ozone treatment of the surface of the liner nitride film deposited by PECVD.
즉, 본 발명은 소자 분리 영역이 정의된 실리콘웨이퍼의 소자 영역에 게이트, 소스, 드레인을 포함하는 반도체 소자를 형성하는 단계와, 상기 반도체 소자를 포함한 실리콘웨이퍼 상부 전면에 PECVD 방법에 의해 라이너 질화막을 증착하는 단계와, 상기 라이너 질화막의 표면 및 표면 근처의 수소를 제거하기 위하여 상기 라이너 질화막의 표면을 자외선 오존 처리하는 단계와, 상기 라이너 산화막 상부 전면에 금속전 절연막으로 BPSG막을 증착하고, 치밀화하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.That is, the present invention comprises forming a semiconductor device including a gate, a source, and a drain in a device region of a silicon wafer in which a device isolation region is defined, and forming a liner nitride film on the upper surface of the silicon wafer including the semiconductor device by PECVD. Depositing, ultraviolet ozone treating the surface of the liner nitride film to remove hydrogen near the surface and the surface of the liner nitride film; Characterized in that it comprises a.
상기에서 라이너 질화막의 표면을 자외선 오존 처리하는 단계는, 상기 라이너 질화막이 증착된 실리콘웨이퍼를 오존 분위기의 챔버에 장입하고, 자외선을 40초 내지 80초 동안 조사하는 것을 특징으로 한다.In the ultraviolet ozone treatment of the surface of the liner nitride film, the silicon wafer on which the liner nitride film is deposited is charged into a chamber in an ozone atmosphere, and the ultraviolet rays are irradiated for 40 to 80 seconds.
상기에서 오존 분위기를 형성하기 위하여 상기 챔버 내로 오존을 분당 5000cc 내지 7000cc로 흘려주는 것이 바람직하다.In order to form an ozone atmosphere in the above, it is preferable to flow ozone into the chamber at 5000cc to 7000cc per minute.
상기에서 자외선의 조사는 자외선 램프를 이용하며, 상기 라이너 질화막의 자외선 오존 처리 동안 상기 실리콘웨이퍼가 300℃ 내지 400℃의 온도를 유지하도록 하는 것이 바람직하다.In the above irradiation of the ultraviolet rays using an ultraviolet lamp, it is preferable that the silicon wafer to maintain a temperature of 300 ℃ to 400 ℃ during the ultraviolet ozone treatment of the liner nitride film.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명에 따른 바람직한 일 실시예를 설명한다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings.
도 2a 내지 도 2c는 본 발명의 일 실시예에 따라 반도체 소자의 금속전 절연막을 제조하는 방법을 개략적으로 도시한 공정도이다.2A to 2C are process diagrams schematically illustrating a method of manufacturing a pre-metal insulating film of a semiconductor device according to an embodiment of the present invention.
먼저 도 2a에 도시한 바와 같이, LOCOS 공정이나 STI 공정 등으로 형성한 필드 산화막(12)에 의해 소자 분리 영역이 정의된 실리콘웨이퍼(11)의 소자 영역에 게이트 산화막과 폴리실리콘으로 형성된 게이트(G)와 소스(S), 드레인(D)을 포함하는 반도체 소자, 일 예로 모스 트랜지스터(13)를 형성한다. 이때, 모스 트랜지스터(13)는 게이트(G) 측벽에 사이드월을 형성하고, 소스(S)와 드레인(D)을 LDD 구조로 형성할 수도 있다. 그리고, 게이트(G) 및 소스(S), 드레인(D) 상부 표면에 후속 금속 배선층과의 콘택 저항을 저감하기 위한 실리사이드(14)를 형성한다. 이후, 후속 공정에 의해 증착되는 금속전 절연막인 BPSG막이 실리콘웨이퍼(11)에 바로 접촉할 경우 BPSG막에 함유된 붕소나 인 등의 불순물이 모스 트랜지스터(13)를 포함하는 실리콘웨이퍼(11)로 침투하는 것을 방지할 뿐만 아니라 후속 콘택홀 형성을 위한 BPSG막의 식각 공정에서 식각 정지층으로 사용하기 위하여 모스 트랜지스터(13)를 포함한 실리콘웨이퍼(11) 상부 전면에 하부막으로 라이너 질화막(15)을 증착한다. 이때, 라이너 질화막(15)은 사일렌과 암모니아를 이용하여 PECVD 방법에 의해 일 예로 350℃ 내지 450℃ 정도의 온도에서 250Å 내지 350Å 정도의 두께로 증착하며, 증착되는 라이너 질화막(15)은 종래와 같이 사일렌과 암모니아의 분해 과정에서 생성되는 수소를 약 20 내지 30 mole% 정도로 다량 함유하게 되고 그 존재 형태는 Si-H, Si-H2, Si-H3, N-H, N-H2등 다양하다. 이는 라이너 질화막(15)의 내부 뿐만 아니라 라이너 질화막(15)의 표면에서도 이러한 결합들을 유지하고 있으며, 이러한 결합들 중 Si-H는 그 결합력이 아주 미약하여 외부의 화학적 충격에 쉽게 결합력을 잃는다.First, as shown in FIG. 2A, the gate G formed of the gate oxide film and the polysilicon in the device region of the silicon wafer 11 in which the device isolation region is defined by the field oxide film 12 formed by the LOCOS process, the STI process, or the like (G). ) And a MOS transistor 13 including a source S and a drain D, for example. In this case, the MOS transistor 13 may form sidewalls on the sidewalls of the gate G, and may form the source S and the drain D in an LDD structure. Then, silicide 14 is formed on the upper surfaces of the gate G, the source S, and the drain D to reduce contact resistance with subsequent metal wiring layers. Subsequently, when the BPSG film, which is a metal pre-insulation film deposited by a subsequent process, directly contacts the silicon wafer 11, impurities such as boron or phosphorous contained in the BPSG film are transferred to the silicon wafer 11 including the MOS transistor 13. The liner nitride film 15 is deposited as a lower layer on the entire upper surface of the silicon wafer 11 including the MOS transistor 13 to prevent penetration and to be used as an etch stop layer in the etching process of the BPSG film for subsequent contact hole formation. do. At this time, the liner nitride film 15 is deposited with a thickness of about 250 kPa to about 350 kPa at a temperature of about 350 to 450 ° C. by PECVD using silylene and ammonia, and the liner nitride film 15 to be deposited is conventional and Likewise, the hydrogen produced in the decomposition process of xylene and ammonia is contained in a large amount of about 20 to 30 mole%, and the present forms vary in Si-H, Si-H 2 , Si-H 3 , NH, NH 2, and the like. It maintains these bonds not only inside the liner nitride film 15 but also on the surface of the liner nitride film 15, and among these bonds, Si-H has a very weak bonding force and easily loses the bond to external chemical impact.
그 다음 도 2b에 도시한 바와 같이, 수소를 다량 함유하고 있는 라이너 질화막(15)의 표면을 자외선 오존(O3) 처리(T)한다. 즉, 라이너 질화막(15) 표면의 자외선 오존 처리(T)를 위하여 라이너 질화막(15)이 증착된 실리콘웨이퍼(11)를 챔버에 장입하고, 실리콘웨이퍼(11) 바람직하게는 라이너 질화막(15) 상부 표면으로 오존을 일 예로 분당 5000cc 내지 7000cc 정도로 흘려주어 오존 분위기를 형성하며 자외선을 일 예로 40초 내지 80초 동안 조사한다. 이때, 자외선의 조사는 자외선 램프 등을 포함하는 자외선 조사 장치를 이용하며, 실리콘웨이퍼(11)는 300℃ 내지 400℃ 정도의 온도를 유지하도록 하는 것이 바람직하다. 그러면 오존은 자외선의 열과 방사에 의해 O2와 O로 분해되고, 이 중 O가 라이너 질화막(15)의 표면에서 화학적 반응을 하므로 반응식 2에서와 같이 약한 결합을 갖는 라이너 질화막(15) 표면과 표면 근처의 수소들이 제거되고 일부는 산소로 치환된다. 그리고 라이너 질화막(15) 표면과 표면 근처의 수소가 제거된 자리는 이온화하여 반응성이 커진다.Then, as shown in Fig. 2B, the surface of the liner nitride film 15 containing a large amount of hydrogen is subjected to ultraviolet ozone (O 3 ) treatment (T). That is, for the ultraviolet ozone treatment (T) on the surface of the liner nitride film 15, the silicon wafer 11 on which the liner nitride film 15 is deposited is charged into the chamber, and the silicon wafer 11, preferably, on the liner nitride film 15. For example, ozone is flowed to the surface of about 5000cc to 7000cc per minute to form an ozone atmosphere, and ultraviolet rays are irradiated for example for 40 to 80 seconds. At this time, the irradiation of ultraviolet rays using an ultraviolet irradiation device including an ultraviolet lamp, etc., it is preferable that the silicon wafer 11 to maintain a temperature of about 300 ℃ to 400 ℃. Then, ozone is decomposed into O 2 and O by heat and radiation of ultraviolet rays, of which O reacts chemically on the surface of the liner nitride film 15, so that the surface and the surface of the liner nitride film 15 having a weak bond as in Scheme 2 Nearby hydrogens are removed and some are replaced by oxygen. In addition, the site where the hydrogen is removed from the surface of the liner nitride film 15 and near the surface is ionized to increase the reactivity.
그 다음 도 2c에 도시한 바와 같이, 자외선 오존 처리(T)에 의해 표면과 표면 근처의 반응성이 커진 라이너 질화막(15) 상부 전면에 금속전 절연막으로 TEOS계 BPSG막(16)을 일 예로 APCVD 또는 SACVD 방법에 의해 약 12000Å 내지 16000Å 정도의 두께로 증착한다. 그러면, 도 2c의 A11에서와 같이 라이너 질화막(15)의 표면은 쉽게 B-O, P-O, Si-O로 채워지게 되며, 반응식 2에서와 같이 비교적 강한 공유 결합을 이루게 된다. 이때, 증착된 BPSG막(16)은 B-O, P-O, Si-O 간의 결합이 느슨하여 외부의 화학적, 기계적 충격에 쉽게 끊어지는 특징이 있다. 따라서 안정된 BPSG막(16)을 얻기 위하여 일 예로 600℃ 내지 800℃ 정도의 온도에서 치밀화 공정을 진행한다. 그러면 치밀화 공정에 의해 BPSG막(16)은 치밀화 공정 이전에 비하여 화학적, 기계적 강도가 약 3배 정도 강화되며, B-O 또한 열에너지를 받아 B2O3에 가깝게 더욱 안정화된다. 이후, BPSG막(16)을 평탄화함으로써 반도체 소자의 금속전 절연막을 완성한다.Then, as shown in FIG. 2C, the TEOS-based BPSG film 16 is used as an APCVD or the like as a pre-metal insulation film on the entire surface of the liner nitride film 15 whose surface and surface reactivity are increased by ultraviolet ozone treatment (T). It is deposited by the SACVD method to a thickness of about 12000 kPa to 16000 kPa. Then, as shown in A11 of FIG. 2C, the surface of the liner nitride film 15 is easily filled with BO, PO, and Si-O, and forms a relatively strong covalent bond as in Scheme 2. At this time, the deposited BPSG film 16 is characterized in that the bond between the BO, PO, Si-O is loose and easily broken by external chemical and mechanical impact. Therefore, in order to obtain a stable BPSG film 16, for example, the densification process is performed at a temperature of about 600 to 800 ℃. Then, the BPSG film 16 is strengthened by about three times the chemical and mechanical strength of the BPSG film 16 by the densification process, and the BO also receives thermal energy and is further stabilized closer to B 2 O 3 . Thereafter, the BPSG film 16 is planarized to complete the metal insulating film of the semiconductor device.
이와 같이 본 발명은 반도체 소자의 금속전 절연막인 BPSG막이 실리콘웨이퍼에 바로 접촉할 경우 BPSG막에 함유된 붕소나 인 등의 불순물이 반도체 소자를 포함하는 실리콘웨이퍼로 침투하는 것을 방지할 뿐만 아니라 후속 콘택홀 형성을 위한 BPSG막의 식각 공정에서 식각 정지층으로 사용하기 위하여 BPSG막의 증착 이전에 하부막으로 증착되는 라이너 질화막의 표면을 자외선 오존 처리를 하여 라이너 질화막의 표면 및 표면 근처의 수소를 제거한 후 BPSG막을 증착함으로써 종래와 같이 라이너 질화막 표면의 수소와 BPSG막의 B-O의 반응에 의한 붕소 이온의 생성을 방지하여 붕소 이온의 실리콘웨이퍼로의 침투를 미연에 방지할 수 있으며, 이로 인해 야기되는 PMOS에서의 문턱전압 감소나 누설 전류를 막아 반도체 소자의 열화를 방지할 수 있도록 한다.As described above, the present invention prevents impurities such as boron and phosphorus contained in the BPSG film from penetrating into the silicon wafer including the semiconductor device when the BPSG film, which is a metal insulating film of the semiconductor device, is directly in contact with the silicon wafer. In order to use as an etch stop layer in the etching process of the BPSG film for hole formation, the surface of the liner nitride film deposited as the lower film prior to the deposition of the BPSG film is subjected to ultraviolet ozone treatment to remove hydrogen from the surface and the surface of the liner nitride film and then remove the BPSG film. Deposition prevents the formation of boron ions due to the reaction of hydrogen on the surface of the liner nitride film with the BO of the BPSG film as in the prior art, thereby preventing the penetration of boron ions into the silicon wafer, thereby causing a threshold voltage in the PMOS. The reduction or leakage current can be prevented to prevent deterioration of the semiconductor device.
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