KR20010088997A - Superposition Measurement Method in Semiconductor Process - Google Patents

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Abstract

PURPOSE: A method for measuring overlap status during semiconductor processes is provided to be capable of excluding measurement error caused due to deformed patterns by improving a prior method that simply designated only the centers of overlap patterns, and be capable of minimizing the deformation due to processes as well as saving costs and time taken to design overlap patterns of new style. CONSTITUTION: First, signal areas of images to be used are set and positions representing respective setting areas are set in outer bar patterns so that the center points of both edges are obtained under the state that both edge images of an outer bar are in a parallel movement relation. Then, the distance(D) between setting areas is calculated.

Description

반도체 공정에서 중첩도 측정 방법{omitted}Method of measuring overlap in semiconductor process {omitted}

본 발명은 반도체 제조 공정 중 리소그래피 공정에 있어서, 중첩도를 측정하는 방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 중첩도 측정용 패턴이 제조 공정으로 인하여 변형이 이루어진 경우에도 변형에 의한 영향을 배제할 수 있는 측정 알고리즘의 고안에 관한 것이다.The present invention relates to a method for measuring the degree of overlap in the lithography process of the semiconductor manufacturing process, and more particularly, even if the pattern for measuring the degree of overlap is modified due to the manufacturing process can be excluded the effect of the deformation The invention of the measurement algorithm.

반도체 제조 공정에서 중첩도란 이전(以前) 포토공정에 의하여 형성된 층(layer)과 현재 진행중인 포토공정간의 중첩되는 정도를 일컫는다. 중첩도를 기계장치를 이용하여 측정하기 위해서는 중첩도 패턴을 이용하여 이루어지는데 그 모양은 박스-인-박스(BOX-IN-BOX), 바인바(BAR-IN-BAR) 등 다양한 형태를 지닌다.In the semiconductor manufacturing process, the degree of overlap refers to the degree of overlap between a layer formed by a previous photo process and an ongoing photo process. In order to measure the degree of overlap using a mechanical device, the degree of overlap is formed by using a pattern of overlapping shapes such as a box-in-box and a bar-in-bar.

패턴을 이용한 중첩도 측정은 도 1에서와 같이 각기 다른 층에서 형성된 아웃터 박스와 이너 박스의 상대적인 위치를 측정함으로써 이루어진다. (가)는 일반적인 중첩도 패턴 단면도이고, (나)는 그에 대응하는 평면도이다.The overlapping measurement using the pattern is performed by measuring the relative positions of the outer box and the inner box formed in different layers as shown in FIG. 1. (A) is a cross-sectional view of a general overlapping pattern, and (B) is a plan view corresponding thereto.

일반적인 예를들면 현재 진행되는 층에서 이너 박스(①)를, 이전 층에서에서 이미 형성해놓은 아웃터 박스(②) 내부에 형성되도록 한 후 이너 박스와 아웃터 박스의 상대적인 위치를 측정하여 이를 중첩도로 삼는다.For example, the inner box (①) is formed inside the outer box (②) already formed in the previous layer, and the relative position of the inner box and the outer box is measured by using the overlapping degree.

중첩도 측정 장비에서 중첩도의 측정은 일반적으로 다음의 순서를 따른다.In the degree of overlap measurement equipment, the measurement of the degree of overlap is generally performed in the following order.

(1) 이너 박스와 아웃터 박스 각각의 가장자리를 인식한 후에 인식된 가장자리의 중심을 정한다. 이때 일반적으로 이너 박스와 또는 아웃터 박스의 상하좌우 끝단에서 이미지 상으로 밝은 정도를 시그널 처리(③)하고 이를 소프트웨어적(soft ware)으로 가능한 수학적 가공을 거친 후에 최종적으로 양측 가장자리의 증심점을 정한다.(1) After recognizing the edges of the inner box and the outer box, determine the center of the recognized edge. In this case, signal processing (③) of the brightness on the image at the upper, lower, left and right ends of the inner box and the outer box is generally performed through mathematical processing as possible by software, and finally the thickening point of both edges is determined.

(2) 이너 박스와 아웃터 박스의 두 중심간의 상대적 거리를 계산하여 이를 두 층(layer)간의 중첩도로 삼는다. 도 2에서 Cin(x), Cin(y), Cout(x), Cout(y)는 각각 이너 박스의 중심좌표(x방향, y방향), 아웃터 박스의 중심좌표(x방향, y방향)을 나타내며,ΔX,ΔY는 각각 이너 박스와 아웃터 박스 중심간의 거리(x방향, y방향)을 나타낸다. 최종적으로 중첩도 값은ΔX,ΔY값이 된다.(2) Calculate the relative distance between the centers of the inner box and the outer box and use this as the overlap between the two layers. In FIG. 2, Cin (x), Cin (y), Cout (x), and Cout (y) denote center coordinates (x direction and y direction) of the inner box and center coordinates (x direction and y direction) of the outer box, respectively. represents, Δ x, Δ Y denotes a distance (x direction, y direction) between each of the inner box and the outer box center. Finally overlap value is Δ X, Δ Y values.

기존의 중첩도 측정 장비에서는 이너 박스 및 아웃터 박스의 중심을 정할 때, 양측에 두 시그널 모양이 거울면에 대칭인 관계에 있다는 것을 기본 전제로 삼는다.In existing superimposition measuring equipment, when centering the inner box and the outer box, the basic premise is that the two signal shapes on both sides are symmetrically mirrored.

그러나 아웃터 박스는 공정을 거치는 동안에 변형되어(여기서 변형이라함은 물리적 변형이나 또는 단순히 시각적으로 변형되게 보이는 변형을 통칭함) 좌우 양측(또는 상단과 하단) 부위의 시그널 모양이 거울면에 대칭이라는 가정에 들어맞지 않게 된다. 도 3의 (가)는 아웃터 박스 위로 금속막이 증착된(④) 경우인데 이 때 금속막의 증착 상태가 아웃터 박스 좌측과 우측의 모양이 다르게 되어있다. 금속막이 완만한 경사로 증착된 경우(⑥)에 반사되는 빛이 되돌아오지 않기때문에 어둡게 보이게된다. 한편 금속 증착이 수평하게 된 경우는(⑤) 평면도상의 밝기가 밝게보인다. 도 3의 (다)는 ⓐ에서 ⓑ로 향하는 방향으로 아웃터 박스의 이미지 상의 밝기 시그널를 나타낸다. 이 경우에 좌측과 우측의 시그널이 임의의 ⓒ 지점에 대하여 거울면의 대칭관계에 있지 않기때문에 거울면에 대칭이라는 가정 하에 얻어진 중심점은 오차가 매우 심하여 신뢰성있는 중첩도값을 얻을 수 없게 된다.However, the outer box is deformed during the process (where deformation refers to physical deformation, or simply visually deformable), and assumes that the signal shape at the left and right sides (or top and bottom) is symmetrical to the mirror surface. Will not fit into. 3A illustrates a case in which a metal film is deposited on the outer box (4), and the deposition state of the metal film is different from the left and right sides of the outer box. In the case where the metal film is deposited with a gentle slope (6), the reflected light does not return, so that it appears dark. On the other hand, when the metal deposition becomes horizontal (⑤), the brightness on the plan view appears bright. 3 (c) shows brightness signals on the image of the outer box in a direction from ⓐ to ⓑ. In this case, since the left and right signals are not in the mirror plane symmetry relationship with respect to any point ⓒ, the center point obtained under the assumption that the mirror plane is symmetrical is very errored, and thus a reliable overlapping value cannot be obtained.

박스인박스 모양의 중첩도 패턴에 있어서 공정에 의해 생기는 변형을 보정하기가 매우 어렵기때문에 박스인바 형태의 중첩도 패턴이 사용되기도 한다. 그러나 박스인바 패턴의 경우에도 변형에 의한 측정 오차를 완전히 제거하기는 불가능하다. 도 4는 금속 증착에 의해 박스인바 패턴의 아웃터 바가 변형된 상태(가,나) 및 이미지 상의 시그널(다) 형태를 나타내고 있다.In the box-in-box overlap pattern, the box-in-bar overlap pattern may be used because it is very difficult to correct deformation caused by the process. However, even in the case of a box-in-bar pattern, it is impossible to completely eliminate the measurement error due to deformation. FIG. 4 shows a state (a) and a state (a) of a signal on an image in which an outer bar of a box in bar pattern is deformed by metal deposition.

금속 증착 공정 외에, 씨엠피(CMP;chemical & mechanical polishing) 공정이나 에취 백(etch-back)과 같은 공정에 의해서도 중첩도 패턴의 변형이 일어난다. 도 5는 웨이퍼(wafer)상의 위치 별로 변형된 아웃터 바의 실제 이미지를 보여주고 있다. 웨이퍼내에 왼쪽 끝단 부분(가), 중심부(나), 오른쪽 끝단(다)에서의 중첩도 패턴 이미지, 특히 아웃터 바의 모양이 각기 다름을 알 수 있다.In addition to the metal deposition process, the superimposition pattern is also deformed by a process such as CMP (chemical & mechanical polishing) process or etch-back. 5 shows an actual image of an outer bar deformed by position on a wafer. It can be seen that the overlapping patterns at the left end (a), the center (b), and the right end (c) in the wafer are different from each other in the shape of the pattern bar, especially the outer bar.

중첩도 측정용 패턴은 대략 ∼ 20 X 20㎛2정도의 크기를 가지며 여러 공정(금속 증착, 씨엠피 등)에 의해 패턴의 변형이 발생한다. 리소그래피 이외의 공정은주로 웨이퍼 크기 수준[∼200mm]의 공정이기(⑧)때문에 변형은 중첩도 패턴 전체에 걸쳐서 일괄적인 형태를 띠게된다. 즉 한 중첩도 패턴에 있어서 좌우 양측(또는 상하) 가장자리가 같은 방향 및 거의 같은 정도로 변형이 이루어지게 된다(⑦). 이 경우, 좌우 양측의 가장자리의 변형은 거울면에 대칭이라는 가정이 들어맞지 않게되고, 우측의 가장자리 형태는 단순히 좌측의 가장자리를 평행 이동시켜서 얻어질 수 있는 형태를 띠게된다.The pattern for measuring the degree of overlap has a size of approximately ˜20 × 20 μm 2 and deformation of the pattern occurs by various processes (metal deposition, CMP, etc.). Processes other than lithography are mainly wafer-sized [~ 200 mm] (8), so deformations are collectively shaped throughout the overlap pattern. That is, in one overlapping pattern, the left and right (or top and bottom) edges are deformed in the same direction and about the same degree (⑦). In this case, the assumption that the deformation of the left and right edges is symmetrical to the mirror surface does not fit, and the right edge form has a form that can be obtained by simply moving the left edge in parallel.

결론적으로 아웃터 바(또는 이너 바)의 중심을 구함에 있어서, 공정에 의해 변형된 패턴의 중심점은 단순히 좌우(또는 상하) 양측 가장자리의 이미지가 평행이동 관계에 있다고 가정하고 그 중심점을 구하는 것이 보다 더 타당한 방법이라고 할 수 있다. 도 7은 변형된 아웃터 패턴의 단면도(가) 및 이미지 시그널(나)를 나타내고 있으며, (다)는 양측 이미지 시그널이 거울면에 대칭임을 가정하여 아웃터 패턴의 중심을 구하는 경우를 설명하고 있고, (라)는 양측 이미지 시그널이 서로 평행 이동의 관계에 있다고 가정하여 중심을 구하는 경우를 설명하고 있다. (라)경우가 (다)경우보다 중심점을 구하는 과정에 있어서 보다 신뢰성있는 방법이라고 할 수 있다.In conclusion, in finding the center of the outer bar (or inner bar), the center point of the pattern deformed by the process is more simply assuming that the images of both left and right (or top and bottom) edges are in a parallel relationship. That's a reasonable way. 7 illustrates a cross-sectional view (a) and an image signal (b) of the deformed outer pattern, (c) illustrates a case where the center of the outer pattern is obtained assuming that both image signals are symmetrical to the mirror surface. D) describes a case where the center is obtained assuming that both image signals are in a parallel movement relationship with each other. The case (D) is more reliable in the process of finding the center point than the case (C).

도 1은 일반적인 중첩도 측정 패턴의 단면도와 평면도1 is a cross-sectional view and a plan view of a general overlapping measurement pattern

도 2는 중첩도 계산 방법2 is a method of calculating the degree of overlap

도 3은 제조 공정에 의해 변형된 중첩도 측정 패턴 단면도와 평면도 그리고 중첩도 패턴의 밝기 강도 그래프3 is a cross-sectional view and plan view of the overlapped measurement pattern modified by the manufacturing process and a graph of brightness intensity of the overlapping pattern

도 4는 박스인바(BOX-IN-BAR) 형태의 중첩도 패턴의 단면도와 평면도 그리고 중첩도 패턴 밝기 강도 그래프4 is a cross-sectional view and a plan view of the overlapping pattern in the form of a box-in-bar and the overlapping pattern brightness intensity graph

도 5는 변형된 중첩도 패턴의 실제 단면도5 is an actual cross sectional view of a modified overlap pattern.

도 6은 제조 공정의 특성 및 중첩도 패턴의 변형 양태6 is a modified embodiment of the characteristics and overlap pattern of the manufacturing process

도 7은 변형된 중첩도 패턴에 있어서 중심을 결정하는 방법들7 shows methods for determining a center in a modified overlap pattern.

도 8은 평행이동 관계 하에서 중첩도 패턴의 중심을 결정하는 방법의 예8 is an example of a method of determining the center of a superimposition pattern under a translational relationship;

〈도면의 주요부분에 대한 부호의 설명〉<Explanation of symbols for main parts of drawing>

① : 이너 박스(inner box, 주로 포토레지스트이며, 현재 포토 공정에서 형성해 놓은 중첩도 패턴의 일부)①: inner box (mainly a photoresist and part of the overlapping pattern formed in the current photo process)

② : 아웃터 박스(이전 공정에서 형성해 놓은 중첩도 패턴의 일부)②: outer box (part of the overlapping pattern formed in the previous process)

③ : 중첩도 패턴의 이미지(image) 상의 밝기 시그널(signal)③: brightness signal on the image of the overlapping pattern

④ : 금속막④: metal film

⑤ : 금속막이 수평하게 증착된 부위(밝은 부위)⑤: the part where the metal film is deposited horizontally (bright part)

⑥ : 금속막이 경사지게 증착된 부위(어두운 부위)⑥: Metal film deposited obliquely (dark area)

⑦ : 아웃터 바(outer bar)⑦: outer bar

⑧ : 웨이퍼(wafer) 크기 수준의 공정의 특성 분포 모양⑧: Shape of characteristic distribution of process at wafer size level

도 8은 본 발명에서 제안하는 중첩도 측정 방법에 관하여 설명하고 있다.8 illustrates a method of measuring overlapping according to the present invention.

도 8의 (가)는 변형된 아웃터 바의 평면도를, (나)는 아웃터 바의 이미지 시그널을 각각 나타낸다.8A shows a plan view of the deformed outer bar, and FIG. 8B shows an image signal of the outer bar.

아웃터 바의 양측 가장자리 이미지가 서로 평행이동 관계라고 가정하고, 양측 가장자리의 중심점을 구하기 위해서는 다음의 두 가지 단계를 거쳐야 한다.Assuming that both edge images of the outer bar are parallel to each other, the following two steps must be taken to find the center point of both edges.

(1) 아웃터 바 패턴에 있어서 사용될 이미지상의 시그널 영역의 설정 및 설정된 각각의 영역을 대표하게 될 위치 설정.(1) The setting of the signal area on the image to be used in the outer bar pattern and the position setting that will represent each set area.

도 8의 (다)에 이미지 시그널 영역의 설정 및 영역들의 중심값 설정의 한 예를 나타내고 있다. 이미지 시그널 상의 특정 부위(그림에서는 시그널 피크부위)에서 일정한 간격을 두고(예를들면 1㎛ 등) 영역을 설정한다. 아웃터 바의 양측 가장자리 부근에서의 이미지 영역이 설정되면, 자연히 그 설정된 영역의 중심을 각각(A, B) 정할 수 있다.8 (c) shows an example of setting the image signal area and setting the center value of the areas. Set areas at regular intervals (for example, 1µm) on specific areas of the image signal (signal peaks in the figure). When the image area near both edges of the outer bar is set, the center of the set area can be naturally determined (A, B), respectively.

(2) 설정된 영역간의 거리(D) 계산.(2) Calculate the distance (D) between the set areas.

도 8의 (라)는 설정된 영역간의 거리를 구하는 방법을 나타내고있다. 좌측에 설정된 영역 전체를 우측으로 평행 이동해가면서, 좌측과 우측의 이미지 시그널들이 가장 잘 들어맞을 때(정합되는, 흔히 코릴레이션-correlation-이 잘 이루어졌을 때), 그 때의 영역의 이동거리(D)를 구하고, 이 이동거리(D)와 이동되는 영역의 중심(A)을 고려하면 간단히 아웃터 바의 중심을 구할 수 있다. 즉, 아웃터 바의 중심(C)은 C = A + D/2 으로 표시된다.8 (d) shows a method for obtaining the distance between the set regions. Moving the entire area set on the left in parallel to the right, when the left and right image signals are the best fit (when the matching, often the correlation is well done), the movement distance of the area at that time (D ), And considering the moving distance D and the center A of the area to be moved, the center of the outer bar can be obtained simply. In other words, the center C of the outer bar is represented by C = A + D / 2.

중첩도를 측정하는 장비에서 단순히 중첩도 패턴의 중심을 정하는 방식만을 개선함으로써 변형된 패턴에 의해 야기되는 측정 오차를 제거할 수 있으며, 공정에 의한 변형을 최소화하기 위해 새로운 형태의 중첩도 패턴을 설계하는 데에 드는 비용 및 시간을 절감할 수 있다.By improving the method of centering the overlap pattern simply by improving the method of centering the overlap pattern, the measurement error caused by the deformed pattern can be eliminated, and a new type of overlap pattern is designed to minimize the deformation caused by the process. This can save you money and time.

Claims (1)

정방형 형태를 띠거나 바 형태의 패턴을 정방으로 배열해 놓은 중첩도 패턴을 이용한 중첩도 측정에 있어서, 아웃터 패턴 또는 이너 패턴의 중심을 정할 때에 좌측과(또는 상단) 우측의(또는 하단) 패턴으로부터 생기는 1차 이미지 시그널 또는 수학적으로 가공된 시그널에 대하여, 한 측의 이미지 시그널의 전체 영역 또는 일부 영역들이 다른 한 측의 이미지 시그널에 대하여 서로 평행이동 관계에 있다는 가정 하에 양측 패턴간의 중심을 구하여 중첩도를 계산하는 경우.In the superimposition measurement using a superimposition pattern in which square or bar-shaped patterns are arranged in a square, from the left (or top) right (or bottom) pattern when centering an outer pattern or an inner pattern With respect to the generated primary image signal or mathematically processed signal, the degree of overlap between the two patterns is determined by assuming that all or some regions of one image signal are parallel to each other with respect to the other image signal. If you calculate.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9281250B2 (en) 2014-04-15 2016-03-08 Samsung Electronics Co., Ltd. Method of detecting an asymmetric portion of an overlay mark and method of measuring an overlay including the same

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4149085A (en) * 1978-01-16 1979-04-10 International Business Machines Corporation Automatic overlay measurements using an electronic beam system as a measurement tool
JPH09237749A (en) * 1996-02-29 1997-09-09 Nec Corp Overlap measurement
JPH11132716A (en) * 1997-10-27 1999-05-21 Sony Corp Overlapping accuracy measuring method in photolithography process and overlapping accuracy measuring mark in photolithography process
KR20000043582A (en) * 1998-12-29 2000-07-15 한신혁 Method for manufacturing target measuring overlay

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4149085A (en) * 1978-01-16 1979-04-10 International Business Machines Corporation Automatic overlay measurements using an electronic beam system as a measurement tool
JPH09237749A (en) * 1996-02-29 1997-09-09 Nec Corp Overlap measurement
JPH11132716A (en) * 1997-10-27 1999-05-21 Sony Corp Overlapping accuracy measuring method in photolithography process and overlapping accuracy measuring mark in photolithography process
KR20000043582A (en) * 1998-12-29 2000-07-15 한신혁 Method for manufacturing target measuring overlay

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9281250B2 (en) 2014-04-15 2016-03-08 Samsung Electronics Co., Ltd. Method of detecting an asymmetric portion of an overlay mark and method of measuring an overlay including the same

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