KR20010086688A - Cleaning equipment for producing accurately diluted HF solution. - Google Patents

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KR20010086688A
KR20010086688A KR1020000010384A KR20000010384A KR20010086688A KR 20010086688 A KR20010086688 A KR 20010086688A KR 1020000010384 A KR1020000010384 A KR 1020000010384A KR 20000010384 A KR20000010384 A KR 20000010384A KR 20010086688 A KR20010086688 A KR 20010086688A
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이광욱
박임수
권영민
심우관
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윤종용
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    • B08B3/08Cleaning involving contact with liquid the liquid having chemical or dissolving effect

Abstract

PURPOSE: A cleaning equipment for supplying fluoric solution diluted at a precise dilution ratio is to fabricate the fluoric solution diluted at the precise dilution ratio to use the fluoric solution in a cleaning process of a wafer. CONSTITUTION: A fluorine gas supplying portion supplies fluorine gas through a fluorine gas supplying pipe. A wafer to be cleaned is disposed in a cleaning bath(100). A diffuser(200) is connected through a circulating pipe(310,350) to the cleaning bath and also connected to the fluorine gas supplying pipe to dissolve the fluorine gas in solvent supplied through the circulating pipe from the cleaning bath and thus fabricate diluted fluoric solution. The fabricated fluoric solution is supplied through the circulating pipe to the cleaning bath. A cleaning equipment further has a controlling valve(470) and a regulator(450) disposed at the fluorine gas supplying pipe to supply a desired amount of fluorine gas.

Description

정확한 희석비의 희석 불산 용액을 제공하는 세정 설비{Cleaning equipment for producing accurately diluted HF solution.}Cleaning equipment for producing accurately diluted HF solution

본 발명은 반도체 소자 제조용 설비에 관한 것으로, 특히, 웨이퍼를 세정하는 데 사용되는 희석 불산 용액을 제공하는 세정 설비에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to equipment for manufacturing semiconductor devices, and more particularly, to cleaning equipment for providing a dilute hydrofluoric acid solution used for cleaning wafers.

반도체 소자의 선폭이 미세해지고 보다 얇은 게이트 산화막의 필요성이 증가하고 있다. 이에 따라, 웨이퍼를 세정하는 공정을 상대적으로 작은 식각 속도로 제어하는 것이 요구되고 있다. 이를 위해서, 반도체 소자에 사용되는 여러 종류의 절연막을 식각 세정하는 데 사용되는 희석 불산 용액의 희석비를 높여 식각 속도를 낮추는 것이 요구되고 있다. 예를 들어, 500:1 내지 1000:1 이상의 희석비를 갖는 희석 불산 용액의 사용이 확대되고 있다.The line width of semiconductor devices is becoming finer and the necessity of thinner gate oxide films is increasing. Accordingly, it is required to control the process of cleaning the wafer at a relatively small etching rate. To this end, it is required to lower the etching rate by increasing the dilution ratio of the dilute hydrofluoric acid solution used to etch and clean various types of insulating films used in semiconductor devices. For example, the use of dilute hydrofluoric acid solutions with dilution ratios of 500: 1 to 1000: 1 or more is expanding.

이와 같이 높은 희석비로 희석된 희석 불산 용액은, 순수와 같은 용매의 양에 비해 매우 작은 양의 불산 용액을 순수와 혼합하는 정량 방식으로 제조되고 있다. 상세하게 설명하면, 불산 용액을 일정량 세정조에 공급하여 세정조에 이미 제공된 순수와 혼합되게 하여 희석 불산 용액을 제조하고 있다. 이와 같은 방식으로 세정조에 희석 불산 용액을 포함하는 세정액을 공급하기 위해서는 다음의 도 1 및 도 2에 제시된 바와 같은 세정 설비가 이용되고 있다.Dilute hydrofluoric acid solution diluted at such a high dilution ratio is manufactured by the quantitative method of mixing a very small amount of hydrofluoric acid solution with pure water compared with the amount of a solvent such as pure water. In detail, a dilute hydrofluoric acid solution is prepared by supplying a hydrofluoric acid solution to a predetermined amount of the washing tank and mixing it with pure water already provided in the washing tank. In order to supply the cleaning liquid containing the dilute hydrofluoric acid solution to the cleaning tank in this manner, a cleaning facility as shown in FIGS. 1 and 2 is used.

도 1 및 도 2는 종래의 희석 불산 용액을 제공하는 세정 설비를 개략적으로 나타낸다.1 and 2 schematically illustrate a cleaning facility providing a conventional dilute hydrofluoric acid solution.

도 1을 참조하면, 정량조(10)에는 중앙 불산 공급부(central HF supply part;20)로부터 제1배관(31)을 통해서 불산 원액(15)이 제공된다. 이러한 불산 원액(15)은 정량조(10)에 채워져 대기 상태로 유지된다. 정량조(10) 내에는 다수의 감지 센서(detecting sensor;40)가 설치되어 세정조(60)에 공급될 불산 원액(15)의 양을 정량한다.Referring to FIG. 1, the hydrofluoric acid stock solution 15 is provided to the quantitative tank 10 through a first pipe 31 from a central HF supply part 20. This hydrofluoric acid stock solution 15 is filled in the metering tank 10 and maintained in the standby state. A plurality of detecting sensors 40 are installed in the metering tank 10 to quantify the amount of the hydrofluoric acid stock 15 to be supplied to the washing tank 60.

정량조(10)의 하부에는 세정조(60)에 연결되는 제2배관(35)이밸브(valve;50)와 함께 체결된다. 밸브(50)를 열어줌으로써, 정량조(10)내의 케미컬 원액(15)은 자유 낙하 방식으로 세정조(60)에 공급된다. 세정조(60)에는 순수와 같은 용매가 채워져 있으며, 공급되는 불산 원액(15)이 용매에 용해 혼합되어 세정액, 즉, 희석 불산 용액이 제조된다. 이때, 밸브(50)의 개폐 제어는 상기한 감지 센서(40)에 의한 불산 원액(15)의 농도와 희석하는 용매의 양을 바탕으로 이루어진다.A second pipe 35 connected to the cleaning tank 60 is fastened together with a valve 50 to the lower portion of the metering tank 10. By opening the valve 50, the chemical stock solution 15 in the metering tank 10 is supplied to the washing tank 60 in a free-falling manner. The washing tank 60 is filled with a solvent such as pure water, and the supplied hydrofluoric acid stock solution 15 is dissolved and mixed in a solvent to prepare a washing liquid, that is, a diluted hydrofluoric acid solution. At this time, the opening and closing control of the valve 50 is made based on the concentration of the hydrofluoric acid stock solution 15 by the detection sensor 40 and the amount of the diluting solvent.

또는, 도 2에 도시된 바와 같이 제2배관(35)에 펌프(55)를 설치하여 펌프(55)의 스트로크(stroke) 수를 제어함으로써 소량의 불산 원액(15)을 세정조(60)에 공급할 수 있다.Alternatively, as shown in FIG. 2, by installing the pump 55 in the second pipe 35 to control the number of strokes of the pump 55, a small amount of the hydrofluoric acid stock solution 15 is transferred to the washing tank 60. Can supply

그러나, 상기한 바와 같은 자유 낙하 방식은 상대적으로 공급되는 불산 원액(15)의 양을 미소량으로 제어하기가 어렵다. 이에 따라, 정확한 희석비로 500:1 또는 1000:1 이상으로 희석된 희석 불산 용액을 제조하기가 어렵다. 또한, 도 2에서와 같이 펌프(55)를 이용할 경우에도, 공급되는 불산 원액(15)의 양을 미소량으로 제어하는 데에는 펌프의 스트로크 수에 따른 제약이 있으며, 내구성에 관련된 스트로크의 안정성 등에 문제가 발생할 수 있다.However, in the free fall method as described above, it is difficult to control the amount of the hydrofluoric acid stock solution 15 relatively supplied. As a result, it is difficult to prepare a dilute hydrofluoric acid solution diluted to 500: 1 or 1000: 1 or more with an accurate dilution ratio. In addition, even in the case of using the pump 55 as shown in FIG. 2, there is a restriction on the number of strokes of the pump to control the amount of the hydrofluoric acid stock solution 15 supplied to a small amount. May occur.

따라서, 보다 정확한 희석비로, 500:1 또는 1000:1 이상의 높은 희석비로 희석 불산 용액을 제조하여 세정조에 안정적으로 공급할 수 있는 새로운 방안이 요구되고 있다.Therefore, with a more accurate dilution ratio, there is a need for a new method for producing a dilute hydrofluoric acid solution at a high dilution ratio of 500: 1 or 1000: 1 or higher and stably supplying it to a washing tank.

본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는, 정확한 희석비로 500:1 또는1000:1 이상의 높은 희석비로 희석된 희석 불산 용액을 제조하여 세정조 제공할 수 있는 세정 설비를 제공하는 데 있다.SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in an effort to provide a cleaning apparatus capable of providing a washing tank by preparing a diluted hydrofluoric acid solution diluted at a high dilution ratio of 500: 1 or 1000: 1 or more with an accurate dilution ratio.

도 1 및 도 2는 종래의 희석 불산 용액을 제공하는 세정 설비를 설명하기 위해서 개략적으로 도시한 도면들이다.1 and 2 are diagrams schematically illustrating a cleaning apparatus providing a conventional dilute hydrofluoric acid solution.

도 3은 본 발명의 실시예에 의한 희석 불산 용액을 제공하는 세정 설비를 설명하기 위해서 개략적으로 도시한 도면이다.3 is a view schematically illustrating a cleaning facility for providing a dilute hydrofluoric acid solution according to an embodiment of the present invention.

도 4는 도 3의 세정 설비에 채용되는 디퓨저(diffuser)를 설명하기 위해서 개략적으로 도시한 도면이다.FIG. 4 is a view schematically illustrating a diffuser employed in the cleaning apparatus of FIG. 3.

100; 세정조; 200; 디퓨저,100; Washing tank; 200; defuser,

210; 디퓨저 셀(diffuser cell); 310, 350; 순환 배관,210; Diffuser cells; 310, 350; Circulation tubing,

410; 불산 가스 봄베(bombe), 450; 레귤레이터,410; Hydrofluoric acid gas bombe, 450; regulator,

470; 조절 밸브.470; Regulating valve.

상기의 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명의 일 관점은, 불산 가스 공급관을 통해 불산 가스를 공급하는 불산 가스 공급부와, 세정될 웨이퍼가 장착되는 세정조, 및 상기 세정조와 순환 배관으로 연결되며, 제공되는 불산 가스 공급관이 연결되어 상기 불산 가스 공급관으로부터 공급된 불산 가스를 상기 순환 배관을 통해 상기 세정조로부터 공급되는 용매에 용해시켜 희석 불산 용액을 제조한 후, 상기 불산 용액을 상기 순환 배관을 통해 상기 세정조로 공급하는 디퓨저를 포함하는 세정 설비를 제공한다.One aspect of the present invention for achieving the above technical problem, the hydrofluoric acid gas supply unit for supplying the hydrofluoric acid gas through the hydrofluoric acid gas supply pipe, the cleaning tank on which the wafer to be cleaned, and the cleaning tank is connected to the circulation pipe, The hydrofluoric acid gas supply pipe is connected to dissolve the hydrofluoric acid gas supplied from the hydrofluoric acid gas supply pipe in a solvent supplied from the cleaning tank through the circulation pipe to prepare a dilute hydrofluoric acid solution, and then the hydrofluoric acid solution is supplied through the circulation pipe. Provided is a cleaning facility including a diffuser for supplying to a cleaning tank.

여기서, 세정 설비는 상기 불산 가스 공급관에 조절 밸브 및 레귤레이터를 더 구비하여 상기 디퓨저에 일정량의 불산 가스를 공급한다. 상기 디퓨저는 상기 불산 가스 공급관에 연결되어 상기 디퓨저 내부에 설치되고 상기 불산 가스 공급관으로부터 공급되는 상기 불산을 상기 디퓨저 내부로 확산시켜 상기 디퓨저에 공급되는 상기 용매에 상기 불산이 용해되도록 하는 적어도 하나 이상의 디퓨저 셀을 포함한다.Here, the cleaning equipment further includes a control valve and a regulator in the hydrofluoric acid gas supply pipe to supply a predetermined amount of hydrofluoric acid gas to the diffuser. The diffuser is connected to the hydrofluoric acid gas supply pipe and is installed in the diffuser and diffuses the hydrofluoric acid supplied from the hydrofluoric acid gas supply pipe into the diffuser so that the hydrofluoric acid is dissolved in the solvent supplied to the diffuser. Contains a cell.

이하, 첨부 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 상세히 설명한다. 그러나, 본 발명의 실시예들은 여러 가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래에서 상술하는 실시예들로 인해 한정되어지는 것으로 해석되어져서는 안된다. 본 발명의 실시예들은 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 보다 완전하게 설명하기 위해서 제공되어지는 것이다. 따라서, 도면에서의 요소의 형상 등은 보다 명확한 설명을 강조하기 위해서 과장되어진 것이며, 도면 상에서 동일한 부호로 표시된 요소는 동일한 요소를 의미한다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. However, embodiments of the present invention may be modified in many different forms, and the scope of the present invention should not be construed as being limited by the embodiments described below. Embodiments of the present invention are provided to more completely explain the present invention to those skilled in the art. Accordingly, the shape and the like of the elements in the drawings are exaggerated to emphasize a more clear description, and the elements denoted by the same reference numerals in the drawings means the same elements.

본 발명의 실시예는, 웨이퍼를 세정하기 위해서 500:1 또는 1000:1 이상의 높은 희석비로 희석된 세정액으로, 정확한 희석비로 정밀하게 제조된 희석된 불산 용액을 제공하는 방안을 제시한다. 본 발명의 실시예에서는 용매에 불산 가스를 직접적으로 용해시켜, 상기한 바와 같은 초희석된 불산 용액을 정밀한 희석비로 제조하는 방안을 설명한다. 이하, 도면을 참조하여 보다 상세하게 본 발명의 실시예를 설명한다.Embodiments of the present invention provide a method of providing a diluted hydrofluoric acid solution precisely prepared at an accurate dilution ratio with a cleaning solution diluted at a high dilution ratio of at least 500: 1 or 1000: 1 for cleaning the wafer. In an embodiment of the present invention, a method of preparing a superdiluted hydrofluoric acid solution as described above by dissolving hydrofluoric acid gas directly in a solvent at a precise dilution ratio will be described. Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in more detail with reference to the drawings.

도 3은 본 발명의 실시예에 의한 희석 불산 용액을 제공하는 세정 설비를 개략적으로 나타내고, 도 4는 본 발명의 실시예에 의한 세정 설비에 채용되는 디퓨저(diffuser)를 개략적으로 나타낸다.FIG. 3 schematically shows a cleaning facility for providing a dilute hydrofluoric acid solution according to an embodiment of the present invention, and FIG. 4 schematically shows a diffuser employed in the cleaning facility according to an embodiment of the present invention.

도 3을 참조하면, 정확한 희석비로 희석 불산 용액과 같은 세정액을 제공하기 위해서, 불산 가스를 직접 용매에 적당량 용해시켜 희석 불산 용액 또는 희석 불산 용액을 포함하는 세정액을 제공한다. 이를 위해서, 본 발명의 실시예에 의한 세정 설비는 세정조(100)에 연결된 디퓨저(200)를 포함한다.Referring to FIG. 3, in order to provide a cleaning liquid such as a dilute hydrofluoric acid solution at an accurate dilution ratio, an appropriate amount of hydrofluoric acid gas is directly dissolved in a solvent to provide a cleaning liquid including a dilute hydrofluoric acid solution or a dilute hydrofluoric acid solution. To this end, the cleaning equipment according to the embodiment of the present invention includes a diffuser 200 connected to the cleaning tank (100).

세정조(100)는 내조(inner bath;110)와 외조(outer bath;150)를 포함하여 이루어지며, 디퓨저(200)는 세정조(100)와 순환 배관(circulation line;310, 350)에 의해서 연결된다. 순환 배관(310, 350)은, 디퓨저(200)로부터 내조(110)로 연결되는 제1배관(310)과, 외조(150)로부터 디퓨저(200)에 연결되는 제2배관(350)을 포함하여 이루어진다. 제2배관(350)의 중간에는 순환 펌프(550)가 설치되어 구동력을 제공한다.The washing tank 100 includes an inner bath 110 and an outer bath 150, and the diffuser 200 is formed by the washing tank 100 and circulation lines 310 and 350. Connected. The circulation pipes 310 and 350 include a first pipe 310 connected from the diffuser 200 to the inner tank 110, and a second pipe 350 connected from the outer tank 150 to the diffuser 200. Is done. A circulation pump 550 is installed in the middle of the second pipe 350 to provide driving force.

세정조(100)에는 순수와 같은 용매가 일정량 채워진다. 이때, 상기 용매는 필요에 따라 순수에 다른 화학물이 더 포함된 용액을 이용할 수 있다. 이와 같이 세정조(100)에 채워지는 용매는, 순환 펌프(550)에 의해서 제2배관(350)을 따라 흘러, 디퓨저(200)에 유입된다.The washing tank 100 is filled with a predetermined amount of a solvent such as pure water. In this case, the solvent may use a solution further containing other chemicals in the pure water as needed. The solvent filled in the washing tank 100 flows along the second pipe 350 by the circulation pump 550 and flows into the diffuser 200.

디퓨저(200)에는 상기한 용매 외에 불산 가스가 별도로 유입된다. 불산 가스는 불산 가스 봄베(bombe;410)와 같은 불산 가스 공급부로부터 디퓨저(200)에 연결된 가스 공급 배관(370)을 통해서 디퓨저(200) 내에 유입된다. 이때, 가스 공급 배관(370)의 중간에는 레귤레이터(regulator;450)와 조절 밸브(470)가 설치되어 불산 가스 공급 배관(370)을 통해서 제공되는 불산 가스의 유입량을 제어할 수 있다. 레귤레이터(450)는 불산 가스의 흐름량을 정밀하게 제어할 수 있으므로, 디퓨저(200)에 유입되는 불산 가스의 양은 비록 미소량일지라도 정밀하게 제어될 수 있다.In addition to the solvent described above, the diffuser 200 is separately introduced with hydrofluoric acid gas. Hydrofluoric acid gas is introduced into the diffuser 200 through a gas supply pipe 370 connected to the diffuser 200 from a hydrofluoric acid gas supply unit such as a hydrofluoric acid gas bomb (410). In this case, a regulator 450 and a control valve 470 may be installed in the middle of the gas supply pipe 370 to control the flow rate of the hydrofluoric acid gas provided through the hydrofluoric acid gas supply pipe 370. Since the regulator 450 may precisely control the flow amount of the hydrofluoric acid gas, the amount of hydrofluoric acid gas flowing into the diffuser 200 may be precisely controlled even though the amount is small.

이때, 조절 밸브(470)는 일정한 시간 동안만 열리도록 개폐 시간이 조절 가능한 시간 개폐 밸브인 것이 바람직하다. 이와 같이 일정 시간만 조절 밸브(470)가 열리도록 함으로써, 디퓨저(200)에 제공되는 불산 가스의 양이 일정하게 제어된다. 이때, 조절 밸브(470)가 열리는 시간은 세정조(100)에 채워진 용매의 양과 희석하여 얻고자 하는 희석비 및 레귤레이터(450)에서 제어되는 불산 가스의 흐름량으로부터 간단히 계산되어질 수 있다. 즉, 조절 밸브(470)가 열리는 시간을 제어함으로써, 얻고자 하는 희석된 불산 용액의 희석비를 정밀하게 제어할 수 있다.At this time, it is preferable that the control valve 470 is a time opening / closing valve whose opening / closing time can be adjusted to open only for a predetermined time. As such, the control valve 470 is opened only for a predetermined time, so that the amount of hydrofluoric acid gas provided to the diffuser 200 is constantly controlled. At this time, the opening time of the control valve 470 can be simply calculated from the amount of the solvent filled in the cleaning tank 100, the dilution ratio to be obtained by dilution and the flow rate of the hydrofluoric acid gas controlled by the regulator 450. That is, by controlling the opening time of the control valve 470, it is possible to precisely control the dilution ratio of the diluted hydrofluoric acid solution to be obtained.

디퓨저(200) 내에 유입된 불산 가스는, 마찬가지로 디퓨저(200) 내에 별도로 유입된 용매, 예컨대, 순수에 용해된다. 디퓨저(200)의 구조는 도 4에 도시된 바와 같이 나타내어질 수 있다. 디퓨저(200)는 멤브레인(membrane)을 이용하여 가스를 용액에 용해시키는 역할을 한다. 따라서, 디퓨저(200)는 내부에 유입되는 용매가 순환되는 통로(250)를 구비하고 있으며, 이러한 통로(250)는 다수의 디퓨저 셀(diffuser cell;210)들에 의해서 이루어진다.The hydrofluoric acid gas introduced into the diffuser 200 is likewise dissolved in a solvent, such as pure water, separately introduced into the diffuser 200. The structure of the diffuser 200 can be represented as shown in FIG. The diffuser 200 serves to dissolve a gas in a solution using a membrane. Accordingly, the diffuser 200 includes a passage 250 through which a solvent introduced therein is circulated, and the passage 250 is formed by a plurality of diffuser cells 210.

디퓨저 셀(210)은 테플론(teflon) 등의 재질로 내화학성을 가지도록 구성되며, 가스 공급 배관(370)에 연결되어 디퓨저(200)에 유입되는 불산 가스를 디퓨저(200) 내부로 확산시키는 역할을 한다. 디퓨저 셀(210)은 멤브레인 구조로 이루어져, 디퓨저 셀(210) 내부를 흐르는 불산 가스가 디퓨저(200) 내부를 순환하는 용매에 다다를 수 있도록 유도한다. 이에 따라, 디퓨저 셀(210)로부터 확산되는 불산 가스는 용매에 용해된다. 이와 같이 제조되는 희석된 불산 용액은 순환 배관(310, 350)의 제1배관(310)을 통해서 세정조(100)로 공급된다.The diffuser cell 210 is configured to have chemical resistance with a material such as teflon, and is connected to the gas supply pipe 370 to diffuse the hydrofluoric acid gas introduced into the diffuser 200 into the diffuser 200. Do it. The diffuser cell 210 has a membrane structure to induce the hydrofluoric acid gas flowing inside the diffuser cell 210 to reach a solvent circulating in the diffuser 200. Accordingly, the hydrofluoric acid gas diffused from the diffuser cell 210 is dissolved in the solvent. The dilute hydrofluoric acid solution thus prepared is supplied to the cleaning tank 100 through the first pipe 310 of the circulation pipes 310 and 350.

상기한 바와 같이 불산 가스를 직접적으로 순수를 포함하는 용매에 용해시킴으로써, 제조되는 세정액, 즉, 희석된 불산 용액의 희석비를 요구되는 수준, 예컨대, 1000:1로 정확하게 제어할 수 있다. 이는, 희석 불산 용액에 요구되는 불산 가스의 양이 비록 미량일지라도, 제공되는 불산 가스는 레귤레이터(450) 등에 의해서 미세한 양으로 제어될 수 있는 데 기인한다.By dissolving the hydrofluoric acid gas directly in a solvent containing pure water as described above, it is possible to accurately control the dilution ratio of the washing liquid to be produced, that is, the diluted hydrofluoric acid solution, to a required level, for example, 1000: 1. This is because even if the amount of hydrofluoric acid gas required in the dilute hydrofluoric acid solution is a small amount, the hydrofluoric acid gas provided can be controlled in a minute amount by the regulator 450 or the like.

한편, 필요에 따라 세정에 요구되는 희석된 불산 용액의 희석비에 비해 공급되는 희석된 불산 용액의 불산 농도가 낮을 경우, 이를 보상하기 위해서세정조(100)로 공급된 희석된 불산 용액을 디퓨저(200)로 재순환하여 추가의 불산 가스를 상기한 디퓨저 셀(210)에 공급하여 순환되는 희석된 불산 용액의 불산의 농도를 요구되는 수준까지 높일 수 있다. 이때, 세정조(100)에 공급된 희석된 불산 용액의 희석비는 통상의 불산 농도계(도시되지 않음)를 사용함으로써 용이하게 감지할 수 있다. 불산 농도계에 감지된 희석된 불산 용액의 농도는 조절 밸브(470)에 피드 백(feed back)되어 불산 가스가 디퓨저(200)에 계속 공급되도록 조절 밸브(470)을 오픈하는 시간을 제어하는 기본 데이터(data)로 활용된다. 이때, 세정조(100)로 공급된 희석된 불산 용액은 디퓨저(200)로 계속 재순환될 수 있다. 이에 따라, 원하는 희석비의 불산 용액을 얻을 수 있다.On the other hand, if the hydrofluoric acid concentration of the diluted hydrofluoric acid solution to be supplied is lower than the dilution ratio of the diluted hydrofluoric acid solution required for washing, if necessary, the diluted hydrofluoric acid solution supplied to the cleaning tank 100 is diffused ( 200 may be recycled to supply additional hydrofluoric acid gas to the diffuser cell 210 to increase the concentration of hydrofluoric acid in the diluted hydrofluoric acid solution to the required level. At this time, the dilution ratio of the diluted hydrofluoric acid solution supplied to the cleaning tank 100 can be easily detected by using a conventional hydrofluoric acid concentration meter (not shown). The concentration of the diluted hydrofluoric acid solution sensed by the hydrofluoric acid concentration meter is fed back to the regulating valve 470 to control basic time of opening the regulating valve 470 so that the hydrofluoric acid gas is continuously supplied to the diffuser 200. It is used as (data). At this time, the diluted hydrofluoric acid solution supplied to the cleaning tank 100 may be continuously recycled to the diffuser 200. Thereby, the hydrofluoric acid solution of desired dilution ratio can be obtained.

이상, 본 발명을 구체적인 실시예를 통하여 상세히 설명하였으나, 본 발명은 이에 한정되지 않고, 본 발명의 기술적 사상 내에서 당 분야의 통상의 지식을 가진 자에 의해 그 변형이나 개량이 가능함이 명백하다.As mentioned above, although this invention was demonstrated in detail through the specific Example, this invention is not limited to this, It is clear that the deformation | transformation and improvement are possible by the person of ordinary skill in the art within the technical idea of this invention.

상술한 본 발명에 따르면, 희석된 불산 용액을 포함하는 세정액을 제조하여 세정조에 공급할 때, 불산 가스를 직접적으로 용매에 용해시킴으로써, 용매에 용해되는 불산 가스의 양을 미세한 양까지 제어할 수 있다. 따라서, 제조되는 희석된 불산 용액의 희석비는 요구되는 수준에 정확하게 맞출 수 있다.According to the present invention described above, when the cleaning liquid containing the diluted hydrofluoric acid solution is prepared and supplied to the cleaning tank, the hydrofluoric acid gas can be directly dissolved in the solvent, so that the amount of the hydrofluoric acid gas dissolved in the solvent can be controlled to a minute amount. Thus, the dilution ratio of the diluted hydrofluoric acid solution prepared can be exactly matched to the required level.

Claims (3)

불산 가스 공급관을 통해 불산 가스를 공급하는 불산 가스 공급부;Hydrofluoric acid gas supply unit for supplying hydrofluoric acid gas through the hydrofluoric acid gas supply pipe; 세정될 웨이퍼가 장착되는 세정조; 및A cleaning tank on which the wafer to be cleaned is mounted; And 상기 세정조와 순환 배관으로 연결되며, 제공되는 불산 가스 공급관이 연결되어 상기 불산 가스 공급관으로부터 공급된 불산 가스를 상기 순환 배관을 통해 상기 세정조로부터 공급되는 용매에 용해시켜 희석 불산 용액을 제조한 후, 상기 불산 용액을 상기 순환 배관을 통해 상기 세정조로 공급하는 디퓨저를 포함하는 것을 특징으로 하는 세정 설비.The hydrofluoric acid gas supply pipe is connected to the cleaning tank and the circulation pipe, and the hydrofluoric acid gas supplied from the hydrofluoric acid gas supply pipe is dissolved in a solvent supplied from the cleaning tank through the circulation pipe to prepare a dilute hydrofluoric acid solution. And a diffuser for supplying the hydrofluoric acid solution to the cleaning tank through the circulation pipe. 제1항에 있어서, 상기 세정 설비는 상기 불산 가스 공급관에 조절 밸브 및 레귤레이터를 더 구비하여 상기 디퓨저에 일정량의 불산 가스를 공급하는 것을 특징으로 하는 세정 설비.The cleaning equipment according to claim 1, wherein the cleaning equipment further includes a control valve and a regulator in the hydrofluoric acid gas supply pipe to supply a predetermined amount of hydrofluoric acid gas to the diffuser. 제1항에 있어서, 상기 디퓨저는The method of claim 1, wherein the diffuser 상기 불산 가스 공급관에 연결되어 상기 디퓨저 내부에 설치되고 상기 불산 가스 공급관으로부터 공급되는 상기 불산을 상기 디퓨저 내부로 확산시켜 상기 디퓨저에 공급되는 상기 용매에 상기 불산이 용해되도록 하는 적어도 하나 이상의 디퓨저 셀을 포함하는 것을 특징으로 하는 세정 설비.At least one diffuser cell connected to the hydrofluoric acid gas supply pipe and installed inside the diffuser to diffuse the hydrofluoric acid supplied from the hydrofluoric acid gas supply pipe into the diffuser to dissolve the hydrofluoric acid in the solvent supplied to the diffuser. Washing equipment characterized in that.
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