KR20010076133A - Ultra-high-temperature heat treatment apparatus - Google Patents

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KR20010076133A
KR20010076133A KR1020000015402A KR20000015402A KR20010076133A KR 20010076133 A KR20010076133 A KR 20010076133A KR 1020000015402 A KR1020000015402 A KR 1020000015402A KR 20000015402 A KR20000015402 A KR 20000015402A KR 20010076133 A KR20010076133 A KR 20010076133A
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KR1020000015402A
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난부토시오
시노하라마코토
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난부 토시오
가부시기가이샤 신쿠기켄
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    • F27BFURNACES, KILNS, OVENS, OR RETORTS IN GENERAL; OPEN SINTERING OR LIKE APPARATUS
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    • C30B33/00After-treatment of single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure

Abstract

PURPOSE: To reduce repairing costs by replacing the heater of an ultra high- temperature heat-treating device by a new one in single units and to reduce the reaction with a furnace material and the shrinkage of the furnace material, by fixing only a power introduction part, without fixing the heat generation part of the heater directly. CONSTITUTION: In an electric furnace B for composing an ultra high-temperature heat-treating device A, a heater 1 that can be replaced by a new one in single units is fitted to an inner wall surface 3 of a heat-insulating material 2 in the furnace without adhesion. Also, only a power introduction part is fixed and fitted, without fixing a heat generation part 4 for composing the heater 1 that can be replaced by a new one in single units, without gluing to the inner wall surface 3 of the heat-insulating material 2 in the furnace.

Description

초고온 열처리장치{ULTRA-HIGH-TEMPERATURE HEAT TREATMENT APPARATUS}Ultra High Temperature Heat Treatment Equipment {ULTRA-HIGH-TEMPERATURE HEAT TREATMENT APPARATUS}

본 발명은 초고온 열처리장치에 관한 것이다.The present invention relates to an ultra high temperature heat treatment apparatus.

전기로를 갖고 웨이퍼 등의 열처리를 행하는 초고온 열처리장치가 알려져 있다. 종래 열처리장치의 전기로는 단일 일체식 히터요소로 구성된 히터를 가지며, 히터요소는 그 발열부를 전기로의 단열재에 직접 고정한 상태로 단열재의 내측벽면에 스파이럴상 또는 반 접은 모양으로 설치된다. 이와같은 일체형 히터구조에 의하면 히터요소의 일부분이 손상되면 히터 요소전체를 교환해야 하기 때문에 보수비용이 현저히 증대한다.BACKGROUND ART An ultra high temperature heat treatment apparatus that has an electric furnace and heat-treats a wafer or the like is known. An electric furnace of a conventional heat treatment apparatus has a heater composed of a single integral heater element, and the heater element is installed in a spiral shape or a half folded shape on the inner wall surface of the heat insulating material while fixing the heat generating portion directly to the heat insulating material of the electric furnace. According to such an integrated heater structure, if a part of the heater element is damaged, the maintenance cost is significantly increased because the entire heater element needs to be replaced.

상기 종래의 열처리장치는 수냉형 금속제 매니홀드와 그 위쪽에 설치되어 웨이퍼 등을 수용하는 SiC/CVD-SiC제 로심관(furnance tube)을 갖추고, 로심관과 금속제 매니홀드 사이의 접합부에는 외부로부터의 오염물 등의 침입을 방지하기 위한 O링이 삽입된다. 이와같은 구성에 의하면 로심관의 온도 균열장을 길게할 수 없으며 또한 로심관에 가해지는 열충격이 컸다.The conventional heat treatment apparatus includes a water-cooled metal manifold and a SiC / CVD-SiC furnace tube installed on the upper side to receive a wafer, and the like. O-rings are inserted to prevent intrusion of contaminants and the like. According to such a configuration, the temperature cracking field of the core tube cannot be lengthened, and the thermal shock applied to the core tube is large.

또 종래의 열처리장치는 로심관으로부터의 고온열을 차단하도록 배치되지만 그 때문에 SiC제 버퍼만을 이용하기 때문에 로심관 아래쪽으로의 열전도가 커서 열전도 방지를 위한 냉각에 원가가 많이 들었다.In addition, the conventional heat treatment apparatus is arranged to block the high temperature heat from the core tube, but because of this, only the SiC buffer is used, so that the thermal conductivity under the core tube is large, which is expensive to prevent heat conduction.

또 종래의 열처리장치에는 상기 매니홀드에 대해 상하이동하는 플랜지가 배치된다. 매니홀드와 플랜지 사이를 실드하기 위해 플랜지측의 평면부에 형성한 테이퍼홈(일반적으로는 장부 홈(dovetail groove)) 내에 O링을 끼워넣었다. 그러나 O링이 고온열 등으로 매니홀드에 달라붙어 플랜지의 테이퍼홈에서 분리되는 경우가 있었다.In the conventional heat treatment apparatus, a flange that moves up and down relative to the manifold is disposed. In order to shield between the manifold and the flange, an O-ring was inserted into a tapered groove (typically a dovetail groove) formed in the flat portion on the flange side. O-rings, however, sometimes stuck to the manifolds due to high temperature heat and were separated from the tapered grooves of the flange.

또한 종래 열처리장치는 링형상 홀더내에 웨이퍼를 수용함과 동시에 홀더에서 웨이퍼를 분리하는 분리기구를 갖추고, 이 분리기구는 웨이퍼를 밀어넣어 홀더내에 수용하도록 구성된다. 그러나 분리기구의 작업성이 양호하지 못했다.In addition, the conventional heat treatment apparatus is provided with a separation mechanism for accommodating the wafer from the holder while accommodating the wafer in the ring-shaped holder, which is configured to push the wafer into the holder. However, the workability of the separation mechanism was not good.

본 발명의 하나의 목적은 전기로의 히터를 구성하는 여러개의 히터요소를 따로 독립적으로 교환할 수 있도록 하여 히터의 보수비를 현저히 절감할 수 있는 초고온 열처리장치를 제공하는 데에 있다. 바람직하게는 열처리장치는 각 히터요소의 발열부와 로재를 구성하는 단열재의 반응을 억제하고, 단열재의 수축을 저감할 수 있어 전기로의 수명을 길게한다.One object of the present invention is to provide an ultra-high temperature heat treatment apparatus that can significantly reduce the maintenance cost of the heater to be able to independently exchange a plurality of heater elements constituting the heater of the electric furnace. Preferably, the heat treatment apparatus suppresses the reaction between the heat generating portion of each heater element and the heat insulator constituting the furnace material, and reduces the shrinkage of the heat insulator, thereby extending the life of the electric furnace.

본 발명의 다른 목적은 로심관(furnance tube)과 매니홀드 사이의 접합부를 고온환경에 배치가능하고 또한 온도균열장을 길게할 수 있는 초고온 열처리장치를 제공하는 데에 있다. 바람직하게는 열처리장치는 매니홀드의 윗면에 형성한 슬릿을 통하는 배기에 의해 접합부를 실드하고 또 금속오염을 감소시킨다.Another object of the present invention is to provide an ultra high temperature heat treatment apparatus capable of arranging a junction between a furnace tube and a manifold in a high temperature environment and extending the temperature cracking field. Preferably, the heat treatment apparatus shields the junction portion by exhausting through the slit formed on the upper surface of the manifold and reduces metal contamination.

본 발명의 다른 목적은 로심관에서의 열전도를 단열처리에 의해 저감하고 또 단열장치의 버퍼설치부의 냉각을 간단하고 저원가로 행할 수 있는 초고온 열처리장치를 제공하는 데에 있다.It is another object of the present invention to provide an ultra high temperature heat treatment apparatus which can reduce the heat conduction in a core tube by heat insulation treatment and can perform the cooling of the buffer installation part of a heat insulation device simply and at low cost.

본 발명의 다른 목적은 오염방지장치를 구성하는 매니홀드 및 플랜지 사이에 배치되는 O링을 이탈할 수 없도록 고정하여 확실하게 오염방지를 도모할 수 있는 초고온 열처리장치를 제공하는 데에 있다.Another object of the present invention is to provide an ultra-high temperature heat treatment apparatus that can be secured by preventing the O-ring disposed between the manifold and the flange constituting the pollution prevention device to be detachable.

본 발명의 다른 목적은 열처리 대상 바람직하게는 웨이퍼와 이를 고정하는 링형상 홀더를 간단하게 분리하여 작업성을 현저하게 높인 초고온 열처리장치를 제공하는 데에 있다.Another object of the present invention is to provide an ultra-high temperature heat treatment apparatus which significantly improves workability by simply separating a wafer and preferably a ring-shaped holder for fixing the wafer.

본 발명의 하나의 양태에 의한 초고온 열처리장치는 서로 개별로 독립적으로 교환가능하게 배치된 여러개의 히터요소로 이루어지는 히터를 포함하는 전기로를 갖추고, 각 히터요소는 전기로 단열재의 내측벽면에 밀착하지 않고 배치되는 것을 특징으로 한다.The ultra high temperature heat treatment apparatus according to one aspect of the present invention includes an electric furnace including a heater consisting of a plurality of heater elements disposed independently of each other and interchangeably, and each heater element does not adhere to the inner wall surface of the electric furnace insulation material. It is characterized in that the arrangement.

본 발명의 열처리장치에 의하면 전기로 히터의 히터요소를 하나 단위로 교환할 수 있어 히터의 제조원가 및 보수원가를 현저히 절감할 수 있다.According to the heat treatment apparatus of the present invention, it is possible to replace the heater elements of the electric heater by one unit, which can significantly reduce the manufacturing cost and maintenance cost of the heater.

바람직하게는 각 상기 히터요소는 상기 단열재의 내측벽면을 따라 또한 이 내측벽면에 밀착하지 않고 배치되는 발열부와, 상기 단열재에 고정되는 부착부를 갖는 것을 특징으로 한다.Preferably, each said heater element is characterized by having a heat generating portion disposed along the inner wall surface of the heat insulating material and not in close contact with the inner wall surface, and an attachment portion fixed to the heat insulating material.

이 적합한 양태에 의하면 각 히터요소의 발열부와 단열재와의 반응 및 단열재의 수축을 저감할 수 있어 히터요소의 발열동작을 고온에서 안정되게 행할 수 있다. 또 히터요소의 발열부를 기계적으로 구속하지 않기 때문에 열변형 응력에 기인하는 내구성 열화가 일어나지 않아 히터의 수명을 연장할 수 있다.According to this suitable aspect, reaction of the heat generating part of each heater element and a heat insulating material, and shrinkage of a heat insulating material can be reduced, and the heat generating operation of a heater element can be performed stably at high temperature. In addition, since the heat generating portion of the heater element is not mechanically constrained, durability deterioration due to thermal strain stress does not occur, thereby extending the life of the heater.

본 발명의 다른 양태에 의한 초고온 열처리장치는 로심관 바람직하게는 다공질 SiC/CVD-SiC제 로심관과, 상기 로심관의 아래쪽에 설치되는 석영제 매니홀드를 갖춘 것을 특징으로 한다.The ultra-high temperature heat treatment apparatus according to another aspect of the present invention is characterized by having a core core, preferably a porous core SiC / CVD-SiC core core, and a quartz manifold provided below the core core.

본 발명의 초고온 열처리장치에 의하면 로심관 바람직하게는 다공질SiC/CVD-SiC제 로심관의 아래쪽에 석영제 매니홀드를 설치함으로써 로심관의 온도균열장을 길게할 수 있게 되고, 또 SiC/CVD-SiC제 로심관으로의 열충격도 완화할 수 있다.According to the ultra-high temperature heat treatment apparatus of the present invention, the temperature core of the core tube can be lengthened by providing a quartz manifold below the core tube, preferably the porous core SiC / CVD-SiC tube. The thermal shock to the SiC core core tube can also be alleviated.

바람직하게는 상기 로심관과 접합하는 상기 석영제 매니홀드의 윗면에 슬릿부를 배치하고 또 상기 슬릿부에 진공배기시스템을 접속하는 것을 특징으로 한다.Preferably, a slit portion is arranged on an upper surface of the quartz manifold joined to the furnace core tube, and a vacuum exhaust system is connected to the slit portion.

이 바람직한 양태에 의하면 로심관과 석영제 매니홀드의 접합면에 배치되어 진공배기시스템에 접속된 슬릿부를 통해 중간배기가 가능해져 접합면을 실드할 수 있다. 특히 SiC/CVD-SiC제 로심관을 배기시스템에 접속한 석영제 매니홀드와 병용한 경우 금속오염을 감소할 수 있다.According to this preferred embodiment, the intermediate surface can be vented through a slit portion disposed at the joint surface of the furnace core tube and the quartz manifold and connected to the vacuum exhaust system, thereby shielding the joint surface. In particular, when a SiC / CVD-SiC core core tube is used in combination with a quartz manifold connected to the exhaust system, metal contamination can be reduced.

본 발명의 또 다른 양태에 의한 초고온 열처리장치는 로심관 바람직하게는 다공질 SiC/CVD-SiC제 로심관과, 이 로심관내에 끼워져 상기 로심관으로부터 전도하는 열을 차단하는 단열장치를 갖추고, 상기 단열장치는 SiC제 버퍼와 그 아래쪽에 설치되는 석영제 버퍼를 포함하는 것을 특징으로 한다.The ultra-high temperature heat treatment apparatus according to another aspect of the present invention includes a core core, preferably a porous core core made of SiC / CVD-SiC, and a heat insulator fitted into the core tube to block heat conducted from the core tube. The apparatus is characterized in that it comprises a SiC buffer and a quartz buffer provided below it.

본 발명의 초고온 열처리장치에 의하면 로심관 바람직하게는 다공질 SiC/CVD-SiC제 로심관으로부터 아래쪽으로의 열전도가 단열장치에 의해 저감할 수 있고 또 단열장치의 버퍼설치부의 냉각을 간단하게 저원가로 행할 수 있다.According to the ultra-high temperature heat treatment apparatus of the present invention, the heat conduction from the low core tube, preferably the porous SiC / CVD-SiC low core tube, can be reduced by the heat insulating device, and the cooling of the buffer installation portion of the heat insulating device can be easily performed at low cost. Can be.

본 발명의 또 다른 양태에 의한 초고온 열처리장치는 로심관 바람직하게는 다공질 SiC/CVD-SiC제 로심관과, 이 로심관의 아래쪽에 설치되어 상기 로심관내의 오염을 방지하는 오염방지수단을 갖추고, 상기 오염방지장치는 석영제 매니홀드와 그 아래쪽에 설치되는 석영제 플랜지를 포함한다. 상기 석영제 매니홀드 및 상기석영제 플랜지는 경사주면을 갖는 링형상으로 형성됨과 동시에 각각 경사주면에 있어 접합하고, 상기 석영제 매니홀드 및 상기 석영제 플랜지의 상기 경사주면의 한쪽에 형성된 오목부에 O링이 끼워진 것을 특징으로 한다.The ultra-high temperature heat treatment apparatus according to another aspect of the present invention includes a core core, preferably a porous core core made of SiC / CVD-SiC, and a pollution prevention means installed below the core tube to prevent contamination in the core tube. The pollution prevention device includes a quartz manifold and a quartz flange installed below it. The quartz manifold and the quartz flange are formed in a ring shape having an inclined main surface, and are joined to each inclined main surface, and are formed in a recess formed on one side of the inclined main surface of the quartz manifold and the quartz flange. It is characterized in that the O-ring is fitted.

본 발명의 초고온 열처리장치에 의하면 오염방지장치를 구성하는 석영제 매니홀드 및 석영제 매니홀드 사이에 O링이 이탈할 수 없도록 고정되어 오염방지장치에 의해 로심관내의 오염이 확실하게 방지된다.According to the ultra-high temperature heat treatment apparatus of the present invention, the O-ring is fixed between the quartz manifold and the quartz manifold constituting the pollution prevention device so that the O-ring cannot be detached and the contamination in the core tube is reliably prevented by the pollution prevention device.

본 발명의 또 다른 양태에 의한 초고온 열처리장치는 로심관 바람직하게는 다공질 SiC/CVD-SiC제 로심관내에서 열처리되는 열처리대상 바람직하게는 웨이퍼를 열처리대상의 외경보다도 큰 외경을 갖고 또한 열처리대상을 고정하는 링형상 홀더로부터 분리하는 분리기구를 구비한다. 상기 분리기구는 상기 링형상 홀더의 외주테두리부를 고정하는 고정부와, 상기 분리기구의 중심축선에 정합하여 배치되어 상기 고정부보다도 높이가 크고 또한 상기 링형상 홀더의 내경보다도 작은 외경을 갖는 적치다이를 포함한다.In the ultra-high temperature heat treatment apparatus according to another aspect of the present invention, a heat treatment target to be heat-treated in a low-core tube, preferably a porous SiC / CVD-SiC low-core tube, preferably the wafer has an outer diameter larger than the outer diameter of the heat treatment target, and the heat treatment target is fixed. And a separating mechanism for separating from the ring holder. The separating mechanism includes a fixing part for fixing an outer circumferential edge of the ring-shaped holder and an outer diameter that is disposed in conformity with the central axis of the separating mechanism, the outer diameter being higher than the fixing part and smaller than the inner diameter of the ring-shaped holder. It includes.

본 발명의 초고온 열처리장치에 의하면 링형상 홀더와 이에 고정된 열처리대상 바람직하게는 웨이퍼를 상기 분리기구에 올려놓으면, 적치다이가 링형상 홀더의 중앙공을 삽통하면서 링형상 홀더는 분리기구의 적치다이의 윗면보다도 아래쪽의 높이레벨에 이르러 이 높이레벨에 있어 링형상 홀더의 외주테두리부가 분리기구의 고정부에 의해 고정되는 한편 열처리대상은 분리장치의 적치다이의 윗면에 지지된다. 이 결과 링형상 홀더로부터 열처리대상이 분리된다. 이와같이 열처리대상 및 홀더를 상기 분리장치에 올려놓는 것 만으로 열처리대상과 홀더를 극히 간단히 분리할 수 있다.According to the ultra-high temperature heat treatment apparatus of the present invention, when the ring-shaped holder and the heat treatment target preferably fixed to the wafer are placed on the separating mechanism, the placing holder inserts the center hole of the ring-shaped holder while the ring-shaped holder is placed in the separating mechanism of the separating mechanism. At this height level, the outer rim of the ring-shaped holder is fixed by the fixing portion of the separating mechanism, while the heat treatment object is supported on the upper surface of the stocking die of the separating apparatus. As a result, the heat treatment object is separated from the ring holder. Thus, the heat treatment object and the holder can be separated very simply by placing the heat treatment object and the holder on the separator.

바람직하게는 상기 분리기구는 상기 고정부를 지지하는 하우징을 갖고, 상기 고정부는 상기 홀더의 외경보다도 작은 내경을 갖는 링형상으로 형성되며, 상기 적치다이는 그 하부로부터 반경방향 외측으로 뻗는 링형상 적치다이 연장부를 가지고, 상기 링형상 적치다이 연장부는 그 외주테두리부가 상기 분리기구의 상기 링형상 고정부의 윗면에 의해 고정된다.Preferably, the separating mechanism has a housing for supporting the fixing portion, and the fixing portion is formed in a ring shape having an inner diameter smaller than the outer diameter of the holder, and the placing die is a ring-shaped pile which extends radially outward from its lower portion. A die extension portion is provided, wherein the ring-shaped deposition die extension portion is secured by an upper surface of the ring-shaped fixing portion of the separation mechanism.

그 바람직한 양태에 의하면 상기 분리기구의 하우징에 의해 고정된 링형상 고정부에 분리기구의 적치다이를 올려놓으면 링형상의 적치다이 연장부가 그 외주테두리부에 있어 링형상 고정부에 의해 고정되고 적치다이가 분리기구의 중심축선에 정합하여 배치된다.According to a preferred embodiment of the present invention, when the placing mechanism of the separating mechanism is placed on the ring-shaped fixing portion fixed by the housing of the separating mechanism, the ring-shaped placing die extension part is fixed by the ring-shaped fixing portion at its outer peripheral edge thereof. Is aligned with the central axis of the separation mechanism.

더욱 바람직하게는 상기 분리기구는 하우징 높이방향으로 간격을 두고 배치된 여러개의 분리기구부를 포함하고, 각각 분리기구는 상기 하우징에 의해 고정되는 링형상 고정부와 링형상의 적치다이 연장부를 갖는 적치다이를 포함한다.More preferably, the separating mechanism includes a plurality of separating mechanism portions arranged at intervals in the height direction of the housing, each separating mechanism having a ring-shaped fixing portion and a ring-shaped loading die extension portion fixed by the housing. It includes.

이 바람직한 양태에 의하면 맨 아래쪽의 분리기구부의 링형상 고정부에 링형상 적치다이 연장부를 올려놓아 적치다이를 위치결정 한 후 링형상 홀더와 이에 고정된 열처리대상을 맨 아래쪽의 분리기구부에 올려놓으면, 열처리대상 및 홀더는 맨 아래쪽의 분리기구부의 적치다이 및 지지부의 각각에 의해 분리되어 고정된다. 이어서 아래쪽에서 2번째 분리기구부의 링형상 고정부에 링형상 적치다이 연장부를 올려놓고, 다시 열처리대상 및 홀더를 동 기구부에 있어 분리하여 고정할 수 있다. 이 순서를 반복하는 것에 의해 여러개의 열처리대상 바람직하게는 웨이퍼를 분리기구부내에 높이방향으로 간격을 두고 배치할 수 있다.According to this preferred embodiment, the ring-shaped gearing die extension portion is placed on the ring-shaped fixing portion of the lowermost separating mechanism portion to position the stocking die, and then the ring-shaped holder and the heat treatment object fixed thereto are placed on the lowering-separating mechanism portion. The object to be heat treated and the holder are separated and fixed by each of the dropping die and the supporting portion of the separation mechanism portion at the bottom. Subsequently, the ring-shaped loading die extension portion is placed on the ring-shaped fixing portion of the second separating mechanism portion from the lower side, and the heat treatment object and the holder can be separated and fixed on the same mechanism portion. By repeating this procedure, a plurality of heat treatment targets, preferably wafers, can be arranged in the separation mechanism at intervals in the height direction.

또한 상술한 본 발명의 제 1 내지 제 5의 양태 및 그것들의 적합한 양태의 구성적 특징은 여러가지 조합할 수 있다.Furthermore, the structural features of the first to fifth aspects of the present invention and their suitable aspects can be combined in various ways.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 의한 초고온 열처리장치를 도시한 정면도.1 is a front view showing an ultra-high temperature heat treatment apparatus according to an embodiment of the present invention.

도 2는 도 1에 도시한 열처리장치의 배면도.FIG. 2 is a rear view of the heat treatment apparatus shown in FIG. 1. FIG.

도 3은 열처리장치에 있어 요부의 일부 절개 확대 정면도.Figure 3 is an enlarged front view of a partial incision in the main portion in the heat treatment apparatus.

도 4는 열처리장치의 전기로의 히터요소를 도시하고, 도 4a 및 도 4b는 이 히터요소의 일부 절개 정면도와 우측면도.4 shows a heater element of an electric furnace of the heat treatment apparatus, and FIGS. 4A and 4B show a partial cutaway front view and a right side view of the heater element.

도 5는 도 1에 도시한 열처리장치의 개략도.5 is a schematic view of the heat treatment apparatus shown in FIG.

도 6은 열처리장치 요부의 일부 절개 확대 종단면도.6 is an enlarged longitudinal sectional view of a part of the heat treatment apparatus main portion.

도 7은 열처리장치의 석영제 매니홀드의 사시도.7 is a perspective view of a quartz manifold of a heat treatment apparatus.

도 8은 열처리장치에 있어 피열처리 대상인 웨이퍼를 홀더로부터 분리시키는 분리기구의 종단 정면도.8 is a longitudinal front view of a separation mechanism for separating a wafer to be subjected to heat treatment from a holder in a heat treatment apparatus;

도 9는 도 8에 도시한 분리기구의 우측면도.9 is a right side view of the separating mechanism shown in FIG. 8;

도 10은 분리기구의 평면도.10 is a plan view of the separation mechanism;

다음 첨부도면을 참조하여 본 발명의 일 실시예에 관한 종형의 초고온 열처리장치를 설명한다.Next, a longitudinal ultra high temperature heat treatment apparatus according to an embodiment of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings.

도 1 내지 도 3과 같이 초고온 열처리장치(A)는 그 주요부를 구성하는 1,500℃대응의 전기로(B)를 포함하고 있다. 전기로(B)의 히터는 도 4a,도 4b에 도시하는 히터요소(1)로 이루어지고, 이들 히터요소(1)는 전기로(B) 단열재(2)의 내측벽면(3)에 밀착하지 않고 전기로(B)내에 설치됨과 동시에 하나 단위로 교환가능하다. 각 히터요소(1)는 도 4a,도 4b에 도시하는 것과 같이 정면에서 보아 U자모양의 발열부(4)와, 이 발열부(4)의 기단에서 예를들면 직각을 이루며 뻗는 2개의 부착부(5)로 이루어진다.As shown in Figs. 1 to 3, the ultra-high temperature heat treatment apparatus A includes an electric furnace B corresponding to 1,500 ° C constituting the main part thereof. The heater of the electric furnace B consists of the heater elements 1 shown to FIG. 4A and FIG. 4B, These heater elements 1 do not adhere closely to the inner wall surface 3 of the heat insulation material 2 of the electric furnace B. FIG. It is installed in the electric furnace (B) without being replaced at the same time as one unit. Each heater element 1 has a U-shaped heat generating portion 4 as seen from the front as shown in Figs. 4A and 4B, and two attachments extending at right angles, for example, at the base end of the heat generating portion 4. It consists of a part (5).

전기로(B)로의 히터장치에 있어 도 1 내지 도 3과 같이 히터요소(1)의 부착부(5)를 전기로(B)의 단열재(2)를 관통하여 배치하고, 히터요소(1)의 발열부(4)를 단열재(2)의 내측벽면(3)에 밀착시키지 않으며 또한 단열재(2)에 고정시키지 않은 상태에서 단열재(2)의 벽면(3)을 따라 배치한다. 또한 단열재(2)를 소정간격을 두고 피복하는 외측벽부(2-1)에 히터요소(1)의 부착부(5)를 고정한다. 상세하게는 부착부(5)의 외측벽부(2-1)보다도 아래쪽으로 돌출시킨 기단부를, 스토퍼(5-1)와망선(5-2)으로써 외측벽부(2-1)에 고정한다. 이와같이 히터의 히터요소(1)를 서로 따로 독립적으로 단열재(2)에 장착하기 때문에 손상된 하나 또는 여러개의 히터요소를 하나 단위로 교환가능하다. 이 점에서 본 실시예의 히터는 일체로 구성된 히터의 일부가 손상되면 히터전체를 교환해야 했던 종래의 히터구조와는 현저히 다르고, 보수공사비용을 현저히 저감할 수 있었다. 참조부호 6은 히터요소(1)의 발열부(4)와 단열재(2)의 내측벽면(3) 사이의 간극부이다.In the heater device to the electric furnace (B), as shown in Figs. 1 to 3, the attachment portion (5) of the heater element (1) is disposed through the heat insulating material (2) of the electric furnace (B), the heater element (1) The heat generating portion 4 is arranged along the wall surface 3 of the heat insulating material 2 without being in close contact with the inner wall surface 3 of the heat insulating material 2 and not being fixed to the heat insulating material 2. In addition, the attachment part 5 of the heater element 1 is fixed to the outer wall part 2-1 which covers the heat insulating material 2 at predetermined intervals. In detail, the base end which protruded below the outer wall part 2-1 of the attachment part 5 is fixed to the outer wall part 2-1 by the stopper 5-1 and the mesh wire 5-2. In this way, since the heater elements 1 of the heaters are mounted on the heat insulating material 2 independently of each other, one or several damaged heater elements can be replaced by one unit. From this point of view, the heater of this embodiment is remarkably different from the conventional heater structure in which the whole heater has to be replaced when a part of the heater integrally formed is damaged, and the cost of repair work can be significantly reduced. Reference numeral 6 is a gap between the heat generating portion 4 of the heater element 1 and the inner wall surface 3 of the heat insulating material 2.

또한 전기로(B)에서는 상술한 것과 히터의 히터요소(1)의 발열부(4)가 단열재(2)의 벽면(3)에 소정의 간격을 갖고 배치되고, 이 때문에 발열부(4)와 단열재(2) 사이의 좋지 않은 반응 및 단열재(2)의 수축이 억제된다. 또 히터의 발열동작을 소정 온도까지 안정되게 행하도록 하고 있다. 또 히터는 히터요소(1)의 발열부(4)가 기계적으로 구속되지 않기 때문에 열변형 응력에 기인하는 내구성 열화가 생기기 어려워 수명을 연장할 수 있었다. 또한 히터요소(1)의 발열부(4)가 단열재(2)에 직접 닿지 않기 때문에 발열부(4)의 발열로스도 저감할 수 있다.Moreover, in the electric furnace B, the heat generating part 4 of the heater element 1 of the heater mentioned above is arrange | positioned at the wall surface 3 of the heat insulating material 2 at predetermined intervals, and for this reason, the heat generating part 4 and Unfavorable reaction between the heat insulating materials 2 and shrinkage of the heat insulating materials 2 are suppressed. In addition, the heating operation of the heater is stably performed to a predetermined temperature. In addition, since the heater 4 of the heater element 1 is not mechanically constrained, the heater is less likely to suffer from deterioration in durability due to thermal strain stress, thereby extending its life. In addition, since the heat generating portion 4 of the heater element 1 does not directly contact the heat insulating material 2, the heat loss of the heat generating portion 4 can be reduced.

히터를 구성하는 히터요소(1)의 수에 대해서는 전기로(B)의 치수나 소요성능 등에 따라 적절히 바꿀 수 있다.The number of heater elements 1 constituting the heater can be appropriately changed depending on the size of the electric furnace B, the required performance, and the like.

본 실시예의 열처리장치(A)를 다시 설명한다.The heat treatment apparatus A of this embodiment will be described again.

도 1 ∼ 도 3 및 도 5와 같이 열처리장치(A)는 다공질 SiC/CVD-SiC제 로심관(furnance tube)(7)과, 그 아래쪽에 설치된 매니홀드(8)를 갖추며, 이 매니홀드(8)가 석영제인 것에 특징이 있다.1 to 3 and 5, the heat treatment apparatus A includes a furnace core tube 7 made of porous SiC / CVD-SiC, and a manifold 8 provided below the manifold. 8) is characterized by being made of quartz.

종래의 열처리장치에서는 수냉형 금속매니홀드를 이용하고, 로심관(7)과 수냉형 금속매니홀드사이의 접합부에는 외부로부터의 오염물 등의 침입을 방지하기 위해 O링 등을 끼워넣었다. 이 때문에 관 길이나 균열장이 긴 로심관은 작제가 곤란했었다.In the conventional heat treatment apparatus, a water-cooled metal manifold is used, and an O-ring or the like is inserted into the junction between the core core 7 and the water-cooled metal manifold to prevent intrusion of contaminants from the outside. For this reason, a low core tube with a long pipe length or crack length was difficult to construct.

이에 대해 석영제 매내홀드(8)를 이용한 본 실시예에서는 로심관(7)과 매니홀드(8)의 접합부를 고온환경에 배치할 수 있게 되어 온도균열장을 길게할 수 있게 되었다. 또한 다공질 SiC/CVD-SiC제 로심관(7)으로의 열충격도 완화할 수 있어 열처리장치(A)의 제조원가도 저감할 수 있었다.On the other hand, in the present embodiment using the quartz indentation holder 8, the junction part of the core tube 7 and the manifold 8 can be arranged in a high temperature environment, thereby making it possible to lengthen the temperature cracking field. Furthermore, the thermal shock to the porous core 7 made of porous SiC / CVD-SiC can be alleviated, and the manufacturing cost of the heat treatment apparatus A can be reduced.

도 6, 도 7과 같이 다공질 SiC/CVD-SiC제 로심관(7)과 접합되는 석영제 매니홀드(8)의 윗면(11)에 링형상 슬릿부(9)를 배치하고, 상기 슬릿부(9)에 진공배기경로(10)를 접속했다. 또한 상기 슬릿부(9)의 형상치수 등은 도면과 같은 것에 한정되지 않는다.As shown in Figs. 6 and 7, a ring-shaped slit portion 9 is arranged on the upper surface 11 of the quartz manifold 8 joined to the porous SiC / CVD-SiC core core 7 and the slit portion ( The vacuum exhaust path 10 was connected to 9). In addition, the shape dimension of the said slit part 9 is not limited to the thing like drawing.

로심관(7)과 매니홀드(8)사이의 접합부에 슬릿부(9)를 배치하는 이유는 접합부에 O링 등을 넣으면 고온환경하에 놓여져 열화가 생기기 때문이다. 한편 매니홀드(8)의 윗면(11)에 형성한 슬릿부(9)를 진공배기경로(10)에 접속시키면 슬릿부(9)에 발생하는 부압에 의해 로심관(7)을 매니홀드(8)에 밀착시켜 접합부를 실드할 수 있다. 또 접합부주변의 고온열이 배출된다. 배기경로(10)를 석영제 매니홀드(8)에 배치함과 동시에 SiC/CVD-SiC제의 로심관(7)에 개구하므로 금속오염을 줄일 수 있었다.The reason for arranging the slit portion 9 at the junction between the core core 7 and the manifold 8 is that the O-ring or the like is placed in the junction to deteriorate under a high temperature environment. On the other hand, when the slit portion 9 formed on the upper surface 11 of the manifold 8 is connected to the vacuum exhaust path 10, the lower core 7 is closed by the negative pressure generated in the slit portion 9. ), The joint can be shielded. In addition, the high temperature heat around the junction is discharged. The exhaust path 10 was disposed in the quartz manifold 8 and opened in the core tube 7 made of SiC / CVD-SiC, thereby reducing metal contamination.

열처리장치(A)는 다공질 SiC/CVD-SiC제 로심관(7)내에 끼워짐과 동시에 SiC제 버퍼(12)와 그 아래쪽에 설치되는 석영제 버퍼(13)를 포함하는 단열장치를 구비한다. 이 단열장치는 로심관(7)의 아래쪽으로의 열전도를 저감시킴과 동시에 상기 버퍼설치부의 냉각이 간단해진다. 그 때문에 SiC제 버퍼만으로 이루어지는 다공질 SiC/CVD-SiC제 로심관용의 종래 단열장치에 비해 원가저감을 도모할 수 있었다.The heat treatment apparatus A is provided with a heat insulating apparatus including a SiC buffer 12 and a quartz buffer 13 provided below and fitted in a porous core 7 made of porous SiC / CVD-SiC. This insulator reduces heat conduction to the bottom of the core tube 7 and simplifies cooling of the buffer mounting portion. Therefore, cost reduction was achieved compared with the conventional heat insulating apparatus for porous SiC / CVD-SiC core core tubes which consist only of SiC buffers.

도 6과 같이 열처리장치(A)는 다공질 SiC/CVD-SiC제 로심관(7)의 아래쪽에 설치되어 로심관(7)내의 오염을 방지하는 오염방지장치를 포함한다. 이 오염방지장치는 앞에 설명한 매니홀드(8)와, 이 매니홀드(8)의 아래쪽에 설치되는 석영제 플랜지(15)를 포함한다. 그리고 매니홀드(8) 및 플랜지(15)는 링형상으로 형성되고, 경사내주면(14) 및 경사외주면(16)을 각각 갖고 있다. 이 경사외주면(16)에 오목부(17)를 배치하고, O링(18)을 이 오목부(17)로 이탈하지 않도록 끼워넣은 것이다. 주목해야 할 것은 매니홀드(8)의 경사내주면(14)과 플랜지(15)의 경사외주면(16) 사이에 O링(18)을 단순히 끼워넣는 것이 아니라 매니홀드(8) 보다도 아래쪽의 플랜지(15)에 형성한 오목부(17)안에 O링(18)을 끼워넣고, O링(18)이 매니홀드(8)와 플랜지(15) 사이로부터 이탈하지 않도록 하고 있다. 경사주면(14)(16)의 경사각도에 대해서는 한정하지 않는다. 또한 O링은 내고온열 및 내구성에도 뛰어난 재질이기 때문이다.As shown in FIG. 6, the heat treatment apparatus A includes a pollution prevention device installed below the core core 7 made of porous SiC / CVD-SiC to prevent contamination in the core core 7. This pollution prevention device includes the manifold 8 described above and the quartz flange 15 provided below the manifold 8. And the manifold 8 and the flange 15 are formed in ring shape, and have the inclined inner peripheral surface 14 and the inclined outer peripheral surface 16, respectively. The recessed part 17 is arrange | positioned at this inclined outer peripheral surface 16, and the O-ring 18 is fitted so that it may not leave this recessed part 17. FIG. It should be noted that the flange 15 lower than the manifold 8 is not simply inserted between the inclined inner circumferential surface 14 of the manifold 8 and the inclined outer circumferential surface 16 of the flange 15. The O-ring 18 is inserted into the concave portion 17 formed in the c) so that the O-ring 18 does not separate from the manifold 8 and the flange 15. The inclination angles of the inclined circumferential surfaces 14 and 16 are not limited. In addition, the O-ring is because the material is excellent in high temperature heat and durability.

도 8 내지 도 10과 같이 열처리장치(A)는 다공질 SiC/CVD-SiC제 로심관(7)내에 있어 열처리되는 웨이퍼(19)를 웨이퍼(19)보다도 외경이 큰 링형상 홀더(20)로부터 분리하는 분리기구를 갖춘다. 이 분리기구는 홀더(20)의 외주테두리부(21)를 고정하는 고정부(23)를 갖고, 고정부(23)에는 여러가지 외경의 홀더(20)가 원하는 하나를 고정할 수 있도록 여러개의 단부(22)가 형성된다. 또 분리기구는 그 중심축선에 정합하여 배치되어 고정부(23)보다도 높이가 크고 또한 링형상 홀더(20)의 내경보다도 작은 외경을 갖는 적치다이(24)를 포함한다. 참조부호 25는 웨이퍼(19)를 흡인하는 진공배기통로이다.As shown in FIGS. 8 to 10, the heat treatment apparatus A separates the wafer 19 to be heat-treated in the porous core 7 made of porous SiC / CVD-SiC from the ring-shaped holder 20 having an outer diameter larger than that of the wafer 19. Is equipped with a separation mechanism. This separation mechanism has a fixing portion 23 for fixing the outer rim portion 21 of the holder 20, the fixing portion 23 has a plurality of ends so that the holder 20 of various outer diameters can fix the desired one (22) is formed. In addition, the separating mechanism includes an accumulator die 24 which is disposed in conformity with its central axis and has an outer diameter that is higher than the fixing portion 23 and smaller than the inner diameter of the ring-shaped holder 20. Reference numeral 25 denotes a vacuum exhaust passage that sucks the wafer 19.

링형상 홀더(20)와 이에 고정된 웨이퍼(9)를 분리기구에 올려놓으면 적치다이(24)가 링형상 홀더(20)의 중앙공을 삽통하면서 링형상 홀더(20)는 적치다이(24) 윗면보다도 아래쪽의 높이레벨에 이르고, 이 높이레벨에 있어 링형상 홀더(20)의 외주테두리부가 고정부(23)에 의해 고정되는 한편, 웨이퍼(19)는 적치다이(24)의 윗면에 지지된다. 이 결과 홀더(20)로부터 웨이퍼(19)가 분리된다. 그리고 적치다이(24)에 지지된 웨이퍼(19)는 자동반송장치를 통해 소정위치로 반송된다.When the ring holder 20 and the wafer 9 fixed thereto are placed on the separation mechanism, the housing holder 24 is inserted into the center hole of the ring holder 20 while the ring holder 20 is disposed on the housing holder 24. The outer peripheral edge of the ring-shaped holder 20 is fixed by the fixing portion 23 at the height level lower than the upper surface, while the wafer 19 is supported on the upper surface of the loading die 24. . As a result, the wafer 19 is separated from the holder 20. And the wafer 19 supported by the accumulator die 24 is conveyed to a predetermined position via an automatic conveyance apparatus.

본 실시예의 열처리장치(A)는 웨이퍼 등의 열처리를 행하는 것이지만 본 원 명세서에 있어서 인용하는 일본국 특개평 5-86478호 공보에 기재된 종형 기상성장(vertical vapor deposition)장치의 형식으로 구성할 수 있다.Although the heat treatment apparatus A of this embodiment performs heat treatment of a wafer or the like, it can be configured in the form of a vertical vapor deposition apparatus described in Japanese Patent Laid-Open No. 5-86478, which is cited in the present specification. .

열처리나 기상성장에 이용되는 열처리장치(A)는 상술한 것과 같이 플랜지 위에 배치된 매니홀드의 위쪽에 로심관이 수직으로 장착되고, 로심관 주위에 히터가 배치된다. 매니홀드와 로심관의 접합부는 기밀성을 유지하는 구조로 되어있다.In the heat treatment apparatus A used for heat treatment or vapor phase growth, the core tube is vertically mounted above the manifold disposed on the flange as described above, and the heater is arranged around the core tube. The junction between the manifold and the core tube is structured to maintain airtightness.

그리고 접합부의 근방에는 냉각수 순환부가 배치되고, 이 냉각수 순환부에는 냉각수가 공급되어 순환된다. 매니홀드에는 로심관내에 열처리용 분위기가스나 기상성장용 프로세스가스를 도입하기 위한 가스도입부가 배치됨과 동시에 로심관의 내부를 감압.진공으로 하기 위한 진공펌프 등에 연통하는 배기구가 배치된다. 전형적으로는 히터에 의해 로심관내를 가열하고 또한 진공펌프에 의해 로심관내를 감압한 후 분위기가스 또는 프로세스가스를 로심관내에 공급한다. 실리콘 웨이퍼 등의 피처리대상은 플랜지 위쪽에 설치한 보드에 탑재된다.And a cooling water circulation part is arrange | positioned in the vicinity of a junction part, and cooling water is supplied and circulated to this cooling water circulation part. The manifold is provided with a gas introduction section for introducing a heat treatment atmosphere gas or a gas phase growth process gas into the core tube, and an exhaust port communicating with a vacuum pump for depressurizing and vacuuming the inside of the core tube. Typically, the inside of the core tube is heated by a heater, and the inside of the core tube is reduced by a vacuum pump, and then an atmosphere gas or a process gas is supplied into the core tube. The object to be processed, such as a silicon wafer, is mounted on a board provided above the flange.

로심관의 가열, 감압, 가스공급, 보드이송에 관련하여 도 1 내지 도 3, 도 4 및 도 5와 같이 열처리장치(A)는 하기의 요소를 갖고 있다. 참조부호 26은 로심관(7)내를 상승하는 SiC제 보드 및 홀더, 부호 27은 단열재(2)의 하부내측에 부착한 울단열재 부착부이다. 부호 28은 매니홀드(8)의 록기구, 부호 29는 로내로의 가스도입부, 부호 30은 보드엘리베이터기구, 부호 31, 32는 냉각수 출입구, 부호 33은 내부측정용 SiC제 관, 부호 34는 배기관, 부호 35는 로입구 석영제 셔터유닛, 부호 36은 보드엘리베이터기구, 부호 37은 외기도입부, 부호 38은 원통형 단열재, 부호 39는 두개로 나눈 단열재이다. 부호 1a는 각 존마다의 온도측정용 열전대이다.In connection with heating, decompression, gas supply, and board transfer of the furnace core tube, the heat treatment apparatus A has the following elements as shown in FIGS. 1 to 3, 4, and 5. Reference numeral 26 denotes a board and a holder made of SiC that rises in the core tube 7, and reference numeral 27 denotes a wool insulating material attachment portion attached to the lower inner side of the heat insulating material 2. Reference numeral 28 is a lock mechanism of the manifold (8), 29 is a gas introduction portion into the furnace, 30 is a board elevator mechanism, 31 is a cooling water inlet, 33 is an internal measurement SiC pipe, and 34 is an exhaust pipe. The reference numeral 35 denotes a furnace inlet quartz shutter unit, reference numeral 36 denotes a board elevator mechanism, reference numeral 37 denotes an external air inlet, reference numeral 38 denotes a cylindrical insulator, and reference numeral 39 denotes an insulator divided into two. Reference numeral 1a denotes a thermocouple for temperature measurement in each zone.

전기로의 히터는 서로 따로 독립적으로 교환할 수 있도록 배치된 여러개의 히터요소로 이루어지고, 각 히터요소는 단열재의 내측벽면을 따라 또한 이 내측벽면에 밀착하지 않고 배치되는 발열부와, 단열재에 고정되는 부착부를 갖고 있다. 이 히터구성에 의하면 히터의 보수비를 현저히 절감할 수 있고, 발열부와 로재의 반응 및 로재의 수축을 저감할 수 있다.The heater of the electric furnace is composed of a plurality of heater elements arranged to be exchanged independently of each other, each heater element is fixed to the heat insulating portion and the heating portion disposed along the inner wall surface of the heat insulating material and not in close contact with the inner wall surface It has an attachment part. According to this heater structure, the maintenance cost of a heater can be remarkably reduced, reaction of a heat generating part and a furnace material, and reduction of shrinkage of a furnace material can be reduced.

Claims (12)

서로 따로 독립적으로 교환할 수 있도록 배치된 여러개의 히터요소로 이루어지는 히터를 포함하는 전기로를 갖추고, 각 히터요소는 전기로 단열재의 내측벽면에 밀착하지 않고 배치되는 것을 특징으로 하는 초고온 열처리장치.An electric furnace comprising a heater consisting of a plurality of heater elements arranged to be exchanged independently of each other, each heater element is characterized in that the heater is arranged in close contact with the inner wall surface of the furnace insulation. 제 1항에 있어서,The method of claim 1, 각 상기 히터요소는 상기 단열재의 내측벽면을 따라 또한 이 내측벽면에 밀착되지 않고 배치되는 발열부와, 상기 단열재에 고정되는 부착부를 갖는 것을 특징으로 하는 초고온 열처리장치.And the heater element has a heat generating portion disposed along the inner wall surface of the heat insulating material and not in close contact with the inner wall surface, and an attachment portion fixed to the heat insulating material. 로심관(furnance tube)과, 상기 로심관의 아래쪽에 설치되는 석영제 매니홀드를 구비하는 것을 특징으로 하는 초고온 열처리장치.An ultra-high temperature heat treatment apparatus comprising a furnace core tube and a quartz manifold disposed below the furnace core tube. 제 3항에 있어서,The method of claim 3, wherein 상기 로심관이 다공질 SiC/CVD-SiC제인 것을 특징으로 하는 초고온 열처리장치.Ultra-high temperature heat treatment apparatus characterized in that the core tube is made of porous SiC / CVD-SiC. 제 4항에 있어서,The method of claim 4, wherein 상기 로심관과 접합하는 상기 석영제 매니홀드 윗면에 슬릿부를 배치하고 또상기 슬릿부에 진공배기시스템을 접속하는 것을 특징으로 하는 초고온 열처리장치.An ultra-high temperature heat treatment apparatus characterized by arranging a slit portion on the quartz manifold upper surface to be joined to the furnace core tube and connecting a vacuum exhaust system to the slit portion. 로심관과, 이 로심관내부에 끼워져 상기 로심관으로부터 전도하는 열을 차단하는 단열장치를 갖추고, 상기 단열장치는 SiC제 버퍼와 그 아래쪽에 설치되는 석영제 버퍼를 포함하는 것을 특징으로 하는 초고온 열처리장치.And a heat insulation device inserted into the furnace core pipe to block heat conducted from the furnace core pipe, wherein the heat insulation device includes a SiC buffer and a quartz buffer installed below it. Device. 제 6항에 있어서,The method of claim 6, 상기 로심관이 다공질 SiC/CVD-SiC제인 것을 특징으로 하는 초고온 열처리장치.Ultra-high temperature heat treatment apparatus characterized in that the core tube is made of porous SiC / CVD-SiC. 로심관과, 이 로심관의 아래쪽에 설치되어 상기 로심관내의 오염을 방지하는 오염방지장치를 구비하고, 상기 오염방지장치는 석영제 매니홀드와 그 아래쪽에 설치되는 석영제 플랜지를 포함하며, 상기 석영제 매니홀드 및 상기 석영제 플랜지는 경사주면을 갖는 링형상으로 형성됨과 동시에 각각 경사주면에 있어 접합하여 상기 석영제 매니홀드 및 상기 석영제 플랜지의 상기 경사주면 한쪽에 형성된 오목부에 O링이 끼워진 것을 특징으로 하는 초고온 열처리장치.A furnace core pipe and a pollution prevention device installed below the furnace core pipe to prevent contamination in the furnace core pipe, wherein the pollution prevention device includes a quartz manifold and a quartz flange installed below it. The quartz manifold and the quartz flange are formed in a ring shape having an inclined main surface, and are joined to each inclined main surface so that an O-ring is formed in the recess formed on one side of the inclined main surface of the quartz manifold and the quartz flange. Ultra high temperature heat treatment apparatus, characterized in that sandwiched. 제 8항에 있어서,The method of claim 8, 상기 로심관이 다공질 SiC/CVD-SiC제인 것을 특징으로 하는 초고온 열처리장치.Ultra-high temperature heat treatment apparatus characterized in that the core tube is made of porous SiC / CVD-SiC. 로심관에서 열처리되는 열처리대상을 열처리대상의 외경보다도 큰 외경을 가지며 또한 열처리대상을 고정하는 링형상 홀더로부터 분리하는 분리기구를 갖추고, 상기 분리기구는 상기 링형상 홀더의 외주테두리부를 고정하는 고정부와, 상기 분리기구의 중심축선에 정합하여 배치되어 상기 고정부보다도 높이가 크고 또한 상기 링형상 홀더의 내경보다도 작은 외경을 갖는 적치다이를 포함하는 것을 특징으로 하는 초고온 열처리장치.A separation mechanism for separating the heat treatment object to be heat-treated in the core tube from the ring-shaped holder having an outer diameter larger than the outer diameter of the heat treatment object and fixing the heat treatment object, wherein the separation mechanism is a fixing portion for fixing the outer rim of the ring-shaped holder. And a dropping die which is disposed in conformity with the center axis of the separation mechanism and has an outer diameter that is higher than the fixing portion and smaller than the inner diameter of the ring-shaped holder. 제 10항에 있어서,The method of claim 10, 상기 로심관이 다공질 SiC/CVD-SiC제이며, 상기 열처리대상이 웨이퍼인 것을 특징으로 하는 초고온 열처리장치.And said core tube is made of porous SiC / CVD-SiC and said heat treatment target is a wafer. 서로 따로 독립적으로 교환할 수 있도록 배치된 여러개의 히터요소로 이루어지는 히터를 포함하는 전기로와,An electric furnace including a heater comprising a plurality of heater elements arranged to be exchanged independently of each other; 다공질 SiC/CVD-SiC제 로심관과,A core tube made of porous SiC / CVD-SiC, 상기 로심관내에 끼워져 상기 로심관으로부터 전도하는 열을 차단하는 단열장치와,An insulation device inserted into the core tube to block heat conducted from the core tube; 상기 로심관 아래쪽에 설치되어 상기 로심관내의 오염을 방지하는 오염방지장치와,A pollution prevention device installed below the core tube to prevent contamination in the core tube; 상기 로심관내에서 열처리되는 열처리대상을 상기 열처리대상의 외경보다도큰 외경을 가지며 또한 상기 열처리대상을 고정하는 링형상 홀더로부터 분리하는 분리기구를 갖추고,A separation mechanism for separating the heat treatment target to be heat-treated in the core tube from the ring-shaped holder having an outer diameter larger than that of the heat treatment target and fixing the heat treatment target, 각 상기 히터요소가 상기 단열재의 내측벽면을 따라 또한 이 내측벽면에 밀착하지 않고 배치되는 발열부와, 상기 단열재에 고정되는 부착부를 가지며,Each said heater element has a heat generating portion disposed along the inner wall surface of said heat insulating material and not in close contact with said inner wall surface, and an attachment portion fixed to said heat insulating material, 상기 단열장치는 SiC제 버퍼와 그 아래쪽에 설치되는 석영제 버퍼를 포함하고,The heat insulating device includes a buffer made of SiC and a buffer made of quartz installed thereunder, 상기 오염방지장치는 상기 로심관의 아래쪽에 설치되는 석영제 매니홀드와 그 아래쪽에 설치되는 석영제 플랜지를 포함하고, 상기 석영제 매니홀드 및 상기 석영제 플랜지는 경사주면을 갖는 링형상으로 형성됨과 동시에 각각 경사주면에서 접합되며, 상기 석영제 매니홀드 및 상기 석영제 플랜지의 상기 경사주면의 한쪽에 형성된 오목부에 O링이 끼위지고,The pollution prevention device includes a quartz manifold installed below the core tube and a quartz flange installed below the core, wherein the quartz manifold and the quartz flange are formed in a ring shape having an inclined main surface. At the same time, the respective joints are joined on the inclined main surface, and the O-ring is fitted to the recess formed in one side of the inclined main surface of the quartz manifold and the quartz flange, 상기 로심관과 접합하는 상기 석영제 매니홀드의 윗면에 슬릿부를 배치하고, 또 상기 슬릿부에 진공배기시스템을 접속하며,A slit portion is arranged on an upper surface of the quartz manifold joined to the furnace core tube, and a vacuum exhaust system is connected to the slit portion, 상기 분리기구는 상기 링형상 홀더의 외주테두리부를 고정하는 고정부와, 상기 분리기구의 중심축선에 정합하여 배치되어 상기 고정부보다도 높이가 크고 또한 상기 링형상 홀더의 내경보다도 작은 외경을 갖는 적치다이를 포함하는 것을 특징으로 하는 초고온 열처리장치.The separating mechanism includes a fixing part for fixing an outer circumferential edge of the ring-shaped holder and an outer diameter that is disposed in conformity with the central axis of the separating mechanism, the outer diameter being higher than the fixing part and smaller than the inner diameter of the ring-shaped holder. Ultra high temperature heat treatment apparatus comprising a.
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