KR20010069169A - Method and apparatus for effluent gas treatment - Google Patents

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KR20010069169A
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Abstract

PURPOSE: A used gas disposing apparatus and method are provided to remove the toxic contents in the used gas which is generated in a semiconductor manufacturing device effectively. CONSTITUTION: The used gas disposing apparatus includes a canister(10). The canister includes an inlet and input hole, a lower plenum(12), an upper plenum and a concentrated bed(20). The lower plenum is coupled with the inlet by way of a distributive nozzle allocated inside thereof. The upper plenum is coupled with the input hole. The concentrated bed is implemented in the middle of the upper and lower plenums and includes the first and second screens which is near from the lower plenum and the upper plenum, respectively. The distributive nozzle includes a body and a slant terminal. The terminal further includes a plurality of first holes which are formed far from the terminal and inside of the input hole. The body further includes a plurality of second holes which are formed far from the body. The first and second holes face the bottom of the lower plenum.

Description

폐가스 처리방법 및 장치{Method and apparatus for effluent gas treatment}Waste gas treatment method and apparatus {Method and apparatus for effluent gas treatment}

본 발명은 가스 정화기에 관한 것으로, 보다 상세하게는 반도체 제조공정에서 발생되는 폐가스를 처리하기 위한, 충진된 레진 또는 건식 화학제 베드 가스 집진기 시스템에 관한 것이다.The present invention relates to a gas purifier, and more particularly, to a filled resin or dry chemical bed gas dust collector system for treating waste gases generated in a semiconductor manufacturing process.

반도체 디바이스의 제조과정에서는 할로겐족을 포함하여 유독한 부식성 가스가 에칭과 석출공정에서 사용된다. 프로세스 챔버에서의 사용후, 폐가스의 흐름은 외계로 방출되기 전에 처리과정을 거쳐야 한다. 프로세스 챔버의 방출에 적용가능한 여러가지 집진장치가 종래기술에서 알려져 있다.In the manufacture of semiconductor devices, toxic corrosive gases, including halogens, are used in etching and precipitation processes. After use in the process chamber, the waste gas stream must be treated before it is released to the outside world. Various dust collectors that are applicable to the discharge of the process chamber are known in the art.

알려진 집진장치는 일반적으로 다음 세 종류, 즉 폐가스 흐름중 연소 가능성분을 태우는 장치, 습식방법에 의해 폐가스 흐름중 물에 용해가능한 성분을 분해하는 장치, 및 화학적으로 그리고 물리적으로 유독성분을 분해하는 흡착제를 사용하여 유독성분을 흡착하는 장치로 이루어진다. 흡착형의 독립(stand-alone) 집진기는 흡착제가 유독성분의 흡착에 사용되어, 흡착제와 유독성분사이의 반응부산물에 의해 흡착제가 불활성화되어 감에 따라 주기적으로 교환되어야 한다.Known dust collectors are generally of the following three types: devices for burning combustible components in waste gas streams, devices for decomposing soluble components in water in waste gas streams by wet methods, and adsorbents for chemically and physically decomposing toxic components. It consists of a device that adsorbs toxic components using. Adsorbent stand-alone dust collectors should be exchanged periodically as the adsorbent is used to adsorb toxic components and the adsorbent is inactivated by the reaction by-products between the adsorbent and the toxic components.

독립형 집진기의 교환시기를 결정하는 문제를 기술함에 있어서, 선행기술의 장치는 일반적으로 두가지 기술을 채용하고 있다. 첫번째 기술은 집진기의 무게 변화를 추적한다. 그러한 기술은 에바라 주식회사의 모델 No. 3-0/6-0-/9-0 에서 실용화되었다. 이 기술은 흡착물질의 수명 소진을 표시하는 방법을 제공하나 흡착물질의 수명소진을 정확하게 예측하는 방법을 제공하지 못하며, 집진기의 무게가 변화하는 다른 원인들은 고려되지 않았기 때문에 특히 부정확하다.In describing the problem of deciding when to replace a stand alone dust collector, the prior art apparatus generally employs two techniques. The first technique tracks the weight change of the dust collector. Such technology is model No. of Ebara Corporation. 3-0 / 6-0- / 9-0. This technique provides a way of indicating the lifetime of the adsorbent, but it does not provide a way to accurately predict the lifetime of the adsorbent, and is particularly inaccurate because other causes of the change in the weight of the dust collector are not taken into account.

두번째 기술은 관찰창(sight glass)을 통하여 관찰될 수 있는 흡착레진(adsorbent resin)의 색상변화를 탐지하는 방법을 사용한다. 이러한 기술은 실제로 일본 파이오닉스 주식회사의 모델 No. PCF-60B-CT에서 실용화되었다. 첫번째 기술에서와 같이 두번째 기술도 흡착물질의 수명소진이 표시되는 방법을 제공하나 흡착물질의 수명소진을 정확하게 예측하는 방법을 제공하지는 못한다. 나아가 색상변화를 관찰하는 사람에 의해 주관적인 요소가 개입되므로 결국, 인적 실수가 수명소진 판단에 개입되게 된다.The second technique uses a method of detecting the color change of the absorbent resin that can be observed through the sight glass. This technology is actually a model No. Practical in PCF-60B-CT. As with the first technique, the second technique provides a way of indicating the lifetime of the adsorbent, but it does not provide a way to accurately predict the lifetime of the adsorbent. Furthermore, subjective factors are involved by the person who observes the color change, and ultimately, human error is involved in the judgment of exhaustion of life.

알려진 집진기의 또 다른 문제점은 흡착레진을 통한 폐가스의 흐름과 관련된 것이다. 흡착레진을 통과하는 이들 가스의 난류(turbulent flow)로 인하여 이 레진의 화학적 흡착능력이 고갈되는 영역에서는 흡착레진이 불균일하게 분포하게 된다. 뿐만 아니라, 그와 같은 흐름은 레진의 흡착능력이 사용되지 않는 경우 레진에 사각지역(dead spaces)을 형성하게 된다. 결국, 난류는 흡착레진의 수명소진시기를 정확하게 판단하는 것을 더욱 복잡하게 만든다.Another problem with known dust collectors is related to the flow of waste gas through the adsorption resin. The turbulent flow of these gases through the adsorption resin results in non-uniform distribution of the adsorption resin in the region where the chemical adsorption capacity of the resin is depleted. In addition, such flows create dead spaces in the resin when the adsorption capacity of the resin is not used. As a result, turbulence makes it more complicated to accurately determine the lifetime of the adsorption resin.

일반적으로 충진레진을 통한 층류흐름이 난류에 의해 생성된 사각지역을 제거하고, 실질적으로 충진된 베드를 통한 발열파두의 균일한 움직임을 제공하는 것으로 알려져 있다. 발열파두의 움직임은 레진 혹은 건식 화학제 충진 베드의 수명을 예측하기 위하여 사용된다.In general, it is known that the laminar flow through the filling resin eliminates the dead zone created by the turbulence and provides uniform movement of the heating head through the substantially filled bed. Exothermic wave movement is used to predict the life of a resin or dry chemical packed bed.

따라서 충진된 베드를 통과하는 층류흐름을 제공하는 충진레진 또는 건식 화학제 베드형의 독립 가스집진기 시스템이 요구되어진다. 상기 집진기 시스템은 바람직하게는 축적된 입자를 제거하기 위하여 인시츄 정화할 수 있으며, 이로 인하여 집진기를 통과하는 층류흐름을 촉진할 수 있다.There is therefore a need for an independent gas precipitator system of the filling resin or dry chemical bed type that provides laminar flow through the packed bed. The dust collector system may preferably be in situ purified to remove accumulated particles, thereby facilitating laminar flow through the dust collector.

본 발명은 반도체 제조공정중에 생성되는 폐가스의 처리를 위한 충진된 레진또는 건식 화학제 베드형 집진 시스템과 그 방법에 관한 것이다. 바람직한 실시예에서, 상기 시스템은 제2 레진 또는 건식 화학제로 이루어지는 두개의 층 사이에 충진된 제1 레진 또는 건식 화학제의 층을 가지는 충진레진 또는 건식 화학제 베드를 포함한다. 하단 스크린과 상단 스크린은 캐니스터 내에서 충진 레진 또는 건식 화학제 베드를 지지하기 위하여 제공되며, 충진된 레진 또는 건식 화학제 베드를 통한 폐가스의 층류흐름을 실질적으로 제공한다.The present invention relates to a filled resin or dry chemical bed type dust collection system and method for the treatment of waste gases produced during semiconductor manufacturing processes. In a preferred embodiment, the system comprises a filling resin or dry chemical bed having a layer of a first resin or dry chemical filled between two layers of a second resin or dry chemical. The bottom and top screens are provided to support the filling resin or dry chemical bed in the canister and substantially provide laminar flow of waste gas through the filled resin or dry chemical bed.

충진된 레진 또는 건식 화학제 캐니스터는 충진된 레진 또는 건식 화학제 베드의 양 말단부에 위치하는 하단 플리넘과 상단 플리넘을 포함한다. 분산노즐은 하단 플레넘과 연결되어 형성된 유입구에 있는 하단 플리넘 내부에 위치한다. 상기 분산노즐은 반도체 제조기기로부터 하부 플리넘으로 폐가스의 흐름을 유도하는 다수개의 구멍을 포함한다. 상기 구멍은 반도체 제조기기로의 배압을 제거하며, 하단 플리넘으로 폐가스를 확산시켜 계속해서 층류를 충진된 레진 또는 건식 화학제 베드로 흐르도록 유도하는 모양과 형태를 가지고 있다.The filled resin or dry chemical canister includes a lower plenum and an upper plenum positioned at both ends of the filled resin or dry chemical bed. The dispersion nozzle is located inside the lower plenum at the inlet formed in connection with the lower plenum. The dispersion nozzle includes a plurality of holes for directing the flow of waste gas from the semiconductor manufacturing device to the lower plenum. The hole has a shape and shape that eliminates back pressure to the semiconductor manufacturing device and diffuses waste gas into the lower plenum and continues to flow laminar flow into the filled resin or dry chemical bed.

캐니스터의 상단부는 상단 플리넘과 연결된 유출구를 포함한다. 상기 상단부는 반구 형태의 단면을 갖는 돔을 포함한다. 이러한 형태는 충진된 레진 또는 건식 화학제 베드를 통한 폐가스의 실질적인 층류 흐름의 제공을 최적화하기 위함이다.The upper end of the canister includes an outlet connected to the upper plenum. The upper end includes a dome having a hemispherical cross section. This form is to optimize the provision of a substantial laminar flow of waste gas through the filled resin or dry chemical bed.

하단 플리넘, 분산 노즐, 및 하단 스크린의 관찰을 위해 관찰창이 구비된다. 상기 관찰창은 제거가능하며, 이로 인하여 정화, 보수 등의 이유로 하단 플리넘이접근할 수 있는 구멍을 캐니스터에 제공한다.Observation windows are provided for observation of the lower plenum, the dispersion nozzle, and the lower screen. The viewing window is removable, thereby providing a canister with a hole through which the lower plenum can be accessed for reasons of purification, maintenance, and the like.

도 1은 개시된 실시예에 따른 캐니스터의 측면도,1 is a side view of a canister in accordance with the disclosed embodiment;

도 2는 제1 레진 또는 건식 화학물질의 대표적인 반응을 나타낸 도표,2 is a table showing a typical reaction of the first resin or dry chemical,

도 3은 제2 레진 또는 건식 화학물질의 대표적인 반응을 나타낸 도표,3 is a diagram showing a typical reaction of a second resin or dry chemical,

도 4는 발열파두가 충진된 레진 또는 건식 화학제 베드를 통과함에 따른 예시적 온도를 나타낸 도표,4 is a diagram showing an exemplary temperature as it passes through a bed of resin or dry chemical filled with exothermic wave;

도 5는 분산노즐의 부분단면도,5 is a partial cross-sectional view of the dispersion nozzle,

도 6은 분산노즐의 말단부의 밑면도,6 is a bottom view of the distal end of the dispersion nozzle,

도 7은 돔의 측면도,7 is a side view of the dome,

도 8은 스크린의 평면도,8 is a plan view of the screen,

도 9는 관찰창의 부분단면도,9 is a partial cross-sectional view of the observation window;

도10은 캐니스터의 저면도, 및10 is a bottom view of the canister, and

도 11은 하단 플리넘의 인시츄 정화(in-situ cleaning)를 보여주는 개략도이다.FIG. 11 is a schematic showing in-situ cleaning of the lower plenum.

*도면의 주요부분에 대한 부호의 설명* Explanation of symbols for main parts of the drawings

10 : 캐니스터 12 :캐니스터 하단 플리넘10: canister 12: canister lower plenum

14 : 캐니스터 상단 플리넘 20 : 충진레진 또는 건식 화학제 베드14: Canister upper plenum 20: Filling resin or dry chemical bed

30, 40 : 제1 및 제2 스크린 32, 42 : 제1 및 제2 플랜지30, 40: first and second screens 32, 42: first and second flanges

50,52,54 : 써모커플 60 : 분산노즐50,52,54: Thermocouple 60: Dispersion Nozzle

70 : 유입포트 80 : 돔70: inlet port 80: dome

90 : 유출포트 100 : 관찰창90: outlet port 100: observation window

110 : 캐스터110: caster

본 발명에 개시된 수명소진 예측시스템은 통상 상온(예를 들어 약 25℃)에서 레진 또는 건식 화학제 베드를 통과하는 발열파두의 균일한 움직임을 이용한다. 이러한 균일한 움직임을 얻기 위해 충진된 베드 캐니스터(10)는 충진된 레진 또는 건식 화학제 베드(20)와, 반도체 제조기기로부터 캐니스터(10)를 통한 상방향으로의 층류 폐가스 흐름을 촉진하는 구성요소 및 형태로 이루어진다. 종래기술에서 예상되듯이 응용과 다른 요인에 따라 여러 종류의 레진 및 건식 화학물질이 예시된 집진기 시스템에 사용될 수 있다. 따라서, 기술된 레진 혹은 건식 화학제는 예시적인 것이며, 레진 혹은 건식 화학제의 종류를 제한하는 것은 아니다.The life expectancy prediction system disclosed herein typically utilizes uniform movement of the exothermic wave through the resin or dry chemical bed at room temperature (eg, about 25 ° C.). Filled bed canister 10 is a component that promotes laminar flow of waste gas upwards from filled semiconductor or dry chemical bed 20 through canister 10 from the semiconductor manufacturing equipment to achieve this uniform movement. And forms. As expected in the prior art, various types of resins and dry chemicals may be used in the illustrated dust collector system, depending on the application and other factors. Accordingly, the resins or dry chemicals described are exemplary and do not limit the type of resin or dry chemical.

상기 충진된 레진 또는 건식 화학제 베드(20)는 하기에서 상세하게 설명되는 제1 스크린(30)과 제2 스크린(40) 사이에 설치된다. 상기 충진된 레진 또는 건식 화학제 베드(20)는 제2 레진 또는 건식 화학제 베드로 이루어진 제1 실린더 층을 포함하며, 상기 제1 실린더 층은 충진된 레진 또는 건식 화학제 베드(20)의 총부피의 약 10%를 차지한다. 제2 레진 또는 건식 화학물질은 반도체 제조기기(미도시)에서 생성되는 폐가스 내의 할로겐족을 미리 처리하는 타입으로 이루어진다. 제2레진 또는 건식 화학물질은 압출 및 미립화된 클레이 기판상의 금속수산화물로 이루어진, 산을 중화시키는 조성물이다. 제2 레진 또는 건식 화학물질은 C&M Inc.의 CM2로 상용화되어 있다. 도 3에 첫번째 층(22)의 대표적 반응을 나타낸 도표가 나타나 있다.The filled resin or dry chemical bed 20 is installed between the first screen 30 and the second screen 40 which will be described in detail below. The filled resin or dry chemical bed 20 comprises a first cylinder layer consisting of a second resin or dry chemical bed, the first cylinder layer comprising a total volume of filled resin or dry chemical bed 20. Accounted for about 10% of the total. The second resin or dry chemical is of a type that pre-treats the halogen groups in the waste gas generated in the semiconductor manufacturing equipment (not shown). Second resins or dry chemicals are compositions that neutralize acids, consisting of metal hydroxides on extruded and atomized clay substrates. The second resin or dry chemical is commercialized as C & M Inc.'s CM2. 3 is a diagram showing a representative response of the first layer 22.

제1 레진 또는 건식 화학 물질로 이루어지는 제1 실린더 층(24)은 충진된 레진 또는 건식 화학제 베드의 부피의 약 80%를 차지하며 제2 레진 또는 건식 화학물질로 이루어지는 첫번째층(22)과 제2 실린더 층(26) 사이에 위치한다. 제1 레진 또는 건식 화학물질은 도 2의 표에서 보여진 바와 같이 할로겐족 및 플루오르치환 화합물(perfluoro compound)과 반응하는 타입이다. 제1 레진 또는 건식 화학 물질은 증기 활성화되어 배출된 카본기판상의 질산염 화합물로 이루어지는 조성물이다. 제1 레진 또는 제1 건식 화학물질은 C&M Inc.의 CM1으로 실용화되어 있다. 제2 레진 또는 건식 화학물질로 이루어지는 제2 실린더층(26)은 폐가스가 충진된 레진 또는 건식 화학제 베드(20)를 통과함에 따라, 방출되는 폐가스내의 염소이온(Cl-) 족과 반응하며, 이에 대해서 높은 흡착능력을 가진다.The first cylinder layer 24 made of the first resin or dry chemical comprises about 80% of the volume of the filled resin or dry chemical bed and the first layer 22 made of the second resin or dry chemical Located between two cylinder layers 26. The first resin or dry chemical is of the type that reacts with the halogen group and the perfluoro compound as shown in the table of FIG. 2. The first resin or dry chemical is a composition consisting of a nitrate compound on a carbon substrate that is released by vapor activation. The first resin or first dry chemical is commercialized as C & M Inc.'s CM1. The second cylinder layer 26 made of a second resin or dry chemical reacts with the chlorine ions (Cl ) group in the waste gas discharged as it passes through the resin or dry chemical bed 20 filled with waste gas, This has a high adsorption capacity.

수명소진 탐지 및 예측 시스템에 대한 바람직한 실시예는 제1 레진 또는 건식 화학제로 구성된 제1 층(24)내에 설치되는 다수개의 써모커플을 포함한다. 각각의 써모커플은 상기 제1 층(24) 내 가장자리 위치(미도시)에 설치된다. 써모커플들은 바람직하게는 pt 100옴타입이 사용된다. 바람직하게는 제1 써모커플(50)은 제1 레진 또는 건식 화학물질로 이루어진 제1 층(24)내에서 하단 스크린(30)에 인접한 하부면과 상단 스크린(40)에 인접한 상부면까지의 거리 중 약 4/10되는 지점에 위치하는 제1 위치에 설치된다. 제2 써모커플(52)은 바람직하게는 제1 레진 또는 건식 화학물질로 이루어진 제1 층(24) 내에서 하단스크린(30)으로부터 상단스크린(40)쪽으로 6/10 되는 지점에 존재하는 제2 위치에 설치된다. 제3 써모커플(54)는 바람직하게는 제1 레진 또는 건식 화학물질로 이루어진 제1 층(24) 내에서 하부스크린(30)으로부터 상부스크린(40)쪽으로 8/10 되는 지점에 존재하는 제3 위치에 설치된다. 이러한 배치에서 제1위치와 제2위치 사이의 거리는 제2위치와 제3위치 사이의 거리와 동일하다. 더 나아가 제1 레진 또는 건식 화합물질로 이루어지는 제1 층(24)과 제2 레진 또는 건식 화합물질로 이루어지는 제2 층(26) 사이의 계면과 제3위치 사이의 거리는 제2위치와 제3위치 사이의 거리의 절반이다.A preferred embodiment for the burnout detection and prediction system includes a plurality of thermocouples installed in a first layer 24 composed of a first resin or dry chemical. Each thermocouple is installed at an edge location (not shown) in the first layer 24. Thermocouples are preferably of pt 100 ohm type. Preferably, the first thermocouple 50 is the distance between the bottom surface adjacent to the bottom screen 30 and the top surface adjacent to the top screen 40 in the first layer 24 of the first resin or dry chemical. It is installed in a first position located at about 4/10 of the points. The second thermocouple 52 is preferably located at a point 6/10 from the bottom screen 30 to the top screen 40 in the first layer 24 of the first resin or dry chemical. Is installed in position. The third thermocouple 54 is preferably present at a point 8/10 from the bottom screen 30 to the top screen 40 in the first layer 24 of the first resin or dry chemical. Is installed in position. In this arrangement the distance between the first position and the second position is equal to the distance between the second position and the third position. Furthermore, the distance between the third position and the interface between the first layer 24 of the first resin or dry compound and the second layer 26 of the second resin or dry compound is Half of the distance between.

써모커플들(50, 52, 54)은 캐니스터(10)를 통해 폐가스가 흐름에 따라 충진된 레진 또는 건조 화학제 베드(20)를 통해 움직이는 발열파두의 이동을 탐지하기 위해 동작하는 프로세서(미도시)에 결합되어 작동한다. 상기 파두면은 시스템을 통한 상방향으로의 층류가스흐름을 촉진함으로써 가능한 한 균일하게 유지되어진다. 써모커플(50, 52, 54)을 프로세서에 연결시키는 케이블이 내장되는 다수개의 벽체형의 커넥터(미도시)가 캐니스터(10) 내에 형성되어 있다. 종래의 기술에 따라 프로세서에 마이크로프로세서, 프로그래머블 로직 콘트롤러 및 개별소자 또는 다른장치나 회로가 포함될 수 있다. 상기 프로세서는 작동하여 시간의 흐름에 따라 써모커플들(50, 52, 54)을 샘플링하고, 각각의 제1 내지 제3 위치에서의 온도를 기록하여, 발열파두의 움직임을 탐지한다. 한정되지 않는 예시에 의해 제1 레진 또는 건식 화학물질로 이루어진 제1 층(24)의 수명소진을 예측하는 방법이 도 4에 의한 표를 참조하여 설명될 것이다. 여기서, 실제 온도는 실시예를 설명하기 위해 단순화시키기로 한다.The thermocouples 50, 52, 54 are processors (not shown) that operate to detect the movement of the exothermic wave moving through the resin or dry chemical bed 20 filled with waste gas as it flows through the canister 10. Works in conjunction with The wavefront is kept as uniform as possible by promoting laminar gas flow upward through the system. A plurality of wall-shaped connectors (not shown) in which the cables connecting the thermocouples 50, 52, and 54 to the processor are built is formed in the canister 10. FIG. According to the prior art, a processor may include a microprocessor, a programmable logic controller and individual elements or other devices or circuits. The processor operates to sample the thermocouples 50, 52, 54 over time and to record the temperature at each of the first to third locations to detect movement of the heating head. By way of non-limiting example, a method of predicting the lifespan of the first layer 24 made of the first resin or dry chemical will be described with reference to the table by FIG. 4. Here, the actual temperature will be simplified to explain the embodiment.

도 4에서, 초기시간 T1에서는 제1 써모커플(50), 제2 써모커플(52)과 제3 써모커플(54)은 제1 위치, 제2 위치와 제3 위치에서 각각 50℃, 25℃, 20℃의 온도를 지시한다. 시간 T2에서는 제1 써모커플(50), 제2 써모커플(52)과 제3 써모커플(54)은 제1 위치, 제2 위치와 제3 위치에서 각각 25℃, 50℃, 25℃의 온도를 지시한다. 시간 T3에서는 제1 써모커플(50), 제2 써모커플(52)과 제3 써모커플(54)은 제1 위치, 제2 위치와 제3 위치에서 각각 20℃, 25℃, 50℃의 온도를 지시한다. 종래기술에 따르면, 제1 레진 또는 건식 화학물질로 이루어지는 제1층(24)안의 제1, 제2 혹은 제3 위치에서의 상승된 온도(50℃)가 발열 파두면의 위치를 가르킴을 예상할 수 있다. 상기 프로세서는 작동하여 △T21=T2-T1과 △T32=T3-T2를 계산된다. △T21은 △T32와 대략적으로 동일할 것으로 예측된다. 다음, 제1 레진과 건식 화학물질로 이루어 지는 제1 층(24)의 수명은 △T21/2로 계산된다. 왜냐하면 발열파두는 제1 레진과 건식 화학물질로 이루어 지는 제1 층(24)의 나머지 부분을 그 절반의 시간동안 통과하는 것으로 예측되기 때문이다.In FIG. 4, at the initial time T1, the first thermocouple 50, the second thermocouple 52, and the third thermocouple 54 are 50 ° C. and 25 ° C. at the first position, the second position, and the third position, respectively. And a temperature of 20 ° C. At time T2, the first thermocouple 50, the second thermocouple 52 and the third thermocouple 54 are at temperatures of 25 ° C., 50 ° C. and 25 ° C. at the first position, the second position and the third position, respectively. To indicate. At time T3, the first thermocouple 50, the second thermocouple 52 and the third thermocouple 54 are at temperatures of 20 ° C, 25 ° C and 50 ° C at the first, second and third positions, respectively. To indicate. According to the prior art, it is expected that the elevated temperature (50 ° C.) at the first, second or third position in the first layer 24 of the first resin or dry chemical will indicate the location of the exothermic head surface. Can be. The processor operates to calculate DELTA T21 = T2-T1 and DELTA T32 = T3-T2. ΔT21 is expected to be approximately equal to ΔT32. Next, the lifetime of the first layer 24 consisting of the first resin and the dry chemical is calculated as ΔT 21/2. This is because the exothermic wave is expected to pass through the remaining portion of the first layer 24 composed of the first resin and the dry chemical for half of that time.

충진된 레진 또는 건식 화학베드(20)를 통한 발열파두면의 균일한 움직임을 촉진하기 위해서 반도체 제조기기로부터 충진된 레진 또는 건식 화학제 베드(20)를 통한 폐가스의 층류흐름이 제공되어진다. 충진된 레진 또는 건식 화학제 베드(20)를 통한 층류흐름은 캐니스터 유입 포트(70)와 연통하여 캐니스터 하단 플리넘(12)에 있는 폐가스를 분산시키는 확산노즐(60)과, 캐니스터(10) 내부의 폐가스를 분산시켜 배포하는 제1 및 제2 스크린(30, 40)과, 캐니스터의 상단 플리넘(14)을 덮고 있는 반구형 돔(80)을 설치함으로써 확립된다.Laminar flow of waste gas through the resin or dry chemical bed 20 filled from the semiconductor manufacturing equipment is provided to facilitate uniform movement of the exothermic wavefront through the filled resin or dry chemical bed 20. The laminar flow through the filled resin or dry chemical bed 20 communicates with the canister inlet port 70 to diffuse the waste nozzles 60 in the canister bottom plenum 12 to disperse the waste gas, and inside the canister 10. And the hemispherical dome 80 covering the upper plenum 14 of the canister and the first and second screens 30 and 40 for distributing and distributing the waste gas.

도 5를 참조하면, 분산노즐(60)은 캐니스터 유입포트(70)로 부터 길게 확장된 실린더부(62)와 아랫쪽을 향하여 기울어지는 말단부(64)를 포함하고 있다. 다수개의 구멍(66)은 확장부(62)를 따라 이격적으로 형성되어 있으며, 그 맞은 편에도 다수개의 구멍(미도시)이 형성되어 있다. 또한 상기 구멍(66)은 유입 폐가스를 하단 플리넘(도 1의 12)의 바닥을 향하도록 하기 위해 적도면 아래의 확장부(62)에 형성되어진다.Referring to FIG. 5, the dispersion nozzle 60 includes a cylinder portion 62 extending from the canister inlet port 70 and a distal end portion 64 inclined downward. A plurality of holes 66 are formed spaced apart along the expansion portion 62, a plurality of holes (not shown) are formed on the opposite side. The aperture 66 is also formed in the extension 62 below the equator to direct the incoming waste gas towards the bottom of the lower plenum (12 in FIG. 1).

도 6에 도시된 바와 같이, 한쌍의 구멍(68)이 아랫쪽으로 기울어진 말단부(64)에 형성되어 있다. 아랫쪽으로 기울어진 말단부(64)의 방향에 의해 상기 구멍(68)을 통해 흐르는 폐가스는 하단 플리넘(12)의 바닥으로 향한다.As shown in FIG. 6, a pair of holes 68 are formed in the distal end portion 64 inclined downward. Waste gas flowing through the hole 68 by the direction of the distal end 64 inclined downward is directed to the bottom of the lower plenum 12.

구멍(66)과 구멍(68)의 면적의 합은 확장된 실린더부(62)의 단면적보다 커서, 배압이 커져 폐가스가 반도체 제조기기로 반송될 확률을 낮추고 있다.The sum of the areas of the hole 66 and the hole 68 is larger than the cross-sectional area of the expanded cylinder portion 62, which increases the back pressure, thereby lowering the probability that the waste gas is returned to the semiconductor manufacturing equipment.

도 7를 참조하면, 돔(80)은 반구형태의 윤곽을 가진다. 돔(80)에는 일반적으로 팬이나 진공소스(미도시)가 연결된 유출포트(90)를 포함하고 있어 캐니스터 (10)을 통과한 폐가스를 제거하고 있다. 상기 돔(80)은 두번째 층(26)에 근접한 영역에 있는 충진된 레진 또는 건식 화학제 베드(20)에서의 사각지역을 감소시키고, 캐니스터(10)을 통한 폐가스의 층류흐름을 증진시키는데 기여하는 형태를 가지고 있다.Referring to FIG. 7, the dome 80 has a hemispherical contour. The dome 80 generally includes an outlet port 90 to which a fan or a vacuum source (not shown) is connected to remove waste gas passing through the canister 10. The dome 80 reduces blind spots in the filled resin or dry chemical bed 20 in the region proximate the second layer 26 and contributes to the enhancement of laminar flow of waste gas through the canister 10. It has a form.

도 1에서 보여지듯이, 제1, 제2 스크린(30, 40)은 각각 캐니스터(10) 내의 충진된 레진 또는 건식 화학제 베드(20)를 둘러싸고 있다. 도 8에서 보여지듯이, 제1 스크린(30)은 10mm의 두께를 가지며 다수개의 구멍(32)이 형성된 둥근 부재를 포함한다. 상기 구멍(32)은 상기 제1 스크린(30) 위로 충진된 레진 베드(20)를 유지할 수 있는 형태와 크기를 가진다. 제2 충진된 레진 또는 건식 화학베드가 3mm이상의 지름을 가지기 때문에 상기 구멍(32)은 3mm 이내의 지름을 가지는 것이 바람직하다. 도 1에서 보여지듯이, 제1 스크린(30)은 제2 레진 또는 건조 화학제 베드로 이루어지는 첫번째 층(22)을 지지하며, 나아가 충진된 레진 또는 건식 화학물질(20)과 하부 플리넘(12)사이의 경계를 제공한다. 종래의 기술에서 예상되는 바와 같이, 구멍(32)은 분산노즐(60)에 의해 분산되는 폐가스를 더 분산시키며, 그에의해 충진된 레진 또는 건식 화학제 베드(20)을 통한 층류흐름을 제공한다.As shown in FIG. 1, the first and second screens 30, 40 respectively enclose a filled resin or dry chemical bed 20 in the canister 10. As shown in FIG. 8, the first screen 30 has a thickness of 10 mm and includes a round member having a plurality of holes 32. The hole 32 is shaped and sized to hold the resin bed 20 filled over the first screen 30. Since the second filled resin or dry chemical bed has a diameter of 3 mm or more, the hole 32 preferably has a diameter within 3 mm. As shown in FIG. 1, the first screen 30 supports a first layer 22 consisting of a second resin or dry chemical bed, further extending between the filled resin or dry chemical 20 and the lower plenum 12. To provide a boundary. As expected in the prior art, the aperture 32 further disperses the waste gas dispersed by the dispersion nozzle 60, thereby providing laminar flow through the filled resin or dry chemical bed 20.

제2 스크린(40)은 제1 스크린(30)과 크기나 형태가 동일하며 제2 충진 레진 또는 건식 화학물질로 이루어지는 두번째 층(26)의 상단부에 위치한다. 제2 스크린 (40)은 나아가 상단 플리넘(14)의 바닥을 형성한다. 제2 스크린은 부가적으로 충진 레진 또는 건식 화학제 베드(20)을 통한 층류흐름을 제공한다.The second screen 40 is the same size or shape as the first screen 30 and is located at the top of the second layer 26 made of a second fill resin or dry chemical. The second screen 40 further forms the bottom of the upper plenum 14. The second screen additionally provides laminar flow through the fill resin or dry chemical bed 20.

도 1에 도시된 바와 같이, 캐니스터(10)는 세구역으로 구성되어 있다. 제1 구역(16)은 하단 플리넘(12)을 둘러싸고 있다. 제1 구역(16)은 바람직하게는 제1 플랜지(32)에서 충진된 레진 또는 건식 화학제 베드(20)를 둘러싸는 제2 구역(18)와 연결되어 있다. 돔(80)은 제2 플랜지(42)에서 제2 구역(18)과 연결되어 있다. 도시된 바와 같이, 제1, 제2 스크린(30, 40)은 각각 제1, 제2 플랜지(32, 42)에 위치된다.As shown in Figure 1, the canister 10 is composed of three zones. The first zone 16 surrounds the lower plenum 12. The first zone 16 is preferably connected with a second zone 18 surrounding the resin or dry chemical bed 20 filled in the first flange 32. The dome 80 is connected to the second zone 18 at the second flange 42. As shown, the first and second screens 30, 40 are located in the first and second flanges 32, 42, respectively.

충진된 레진 또는 건식 화학제 베드 집진기에서 빈번하게 발생하는 문제는 레진 또는 건식 화학물질과 폐가스의 반응에 의해 생성되는 입자에 의한 장치의 구멍막힘에 관한 것이다. 바람직한 실시예에 따르면, 도 1, 도 9 및 도 10에서 보여지는 바와 같이 관찰창(100)을 구비한다. 상기 관찰창(100)은 캐니스터(10)의 하단부에 위치하여 분산노즐(60)을 관찰할 수 있다. 캐니스터(10)의 외부에 형성된 플랜지(102)는 플랜지(102)로부터 제거가능한 유리부재(106)을 보호하기 위한 클로클램프(claw clamp, 104)를 포함하고 있다.A frequent problem with filled resin or dry chemical bed dust collectors relates to the blockage of the device by particles produced by the reaction of the resin or dry chemical with waste gases. According to a preferred embodiment, the viewing window 100 is provided as shown in FIGS. 1, 9 and 10. The observation window 100 may be located at the lower end of the canister 10 to observe the dispersion nozzle 60. The flange 102 formed on the outside of the canister 10 includes a claw clamp 104 to protect the removable glass member 106 from the flange 102.

관찰창(100)을 설치함으로써 하부 플리넘(12), 분산노즐(60), 및 제1 스크린 (30)의 시각적인 관찰이 가능해진다. 하단 플리넘(12), 분산노즐(60), 또는 제1 스크린(30) 중 어느 곳에서든지 입자생성이 관찰되는 경우, 유리부재(106)는 원래 위치에서 제거되고, 이들 구성요소들은 축적된 입자의 제거를 위해 도 11에 도시된 진공정화기(120)에 접근될 수 있다. 분산노즐(60)로부터의 입자제거는 반도체 제조기기에서의 배압의 증가를 방지하며, 상기 입자가 반도체 제조기기에 도달하는 것을 방지한다. 전술한 바와 같이, 제1 스크린(30)은 충진레진 또는 건식 화학제 베드(20)를 통한 층류흐름을 보장하므로, 상기 입자의 제거는 그러한 층류흐름을 유지하기 위해서 중요하다.By installing the observation window 100, visual observation of the lower plenum 12, the dispersion nozzle 60, and the first screen 30 is possible. If particle formation is observed in any of the lower plenum 12, the dispersing nozzle 60, or the first screen 30, the glass member 106 is removed from its original position and these components are accumulated particles. The vacuum cleaner 120 shown in FIG. 11 may be accessed for the removal of. Particle removal from the dispersion nozzle 60 prevents an increase in back pressure in the semiconductor manufacturing device and prevents the particles from reaching the semiconductor manufacturing device. As mentioned above, since the first screen 30 ensures laminar flow through the filling resin or dry chemical bed 20, removal of the particles is important to maintain such laminar flow.

실제로 반도체 제조기기의 폐가스는 유입포트(70)를 통해 캐니스터(10)으로 유입된다. 상단 플리넘(14)과 하단 플리넘(12)의 압력차는 유출포트(90)에 연결된 유출 또는 진공 소스에 의해 형성되어진다. 바람직하게는 상단 플리넘(14)의 압력은 대기압에 비해 수주 100mm의 압력만큼 낮고, 하단 플리넘(12)의 압력은 대기압에 비해 수주 95mm의 압력만큼 낮아 상단 플리넘(14)와 하단 플리넘(12) 사이의 압력차는 수주 5mm로 설정된다. 폐가스는 분산노즐(60)에 의해 분산되어 하단 플리넘(12)의 바닥으로 흐른다. 이후, 폐가스는 하단 스크린(30)과 충진된 레진 또는 건식 화학제 베드(20)을 통하여 흐른다. 충진된 레진 또는 건식 화학제베드(20)를 통한 층류흐름은 충진된 레진 또는 건식 화학제 베드(20)내의 구성성분과 폐가스의 반응에 따라 충진된 레진 또는 건식 화학제 베드(20)를 통과하는 균일한 발열파두를 제공한다. 프로세서에 결합된 써모커플(50, 52, 54)은 발열파두의 움직임을 탐지하고, 프로세서는 충진된 레진 또는 건식 화학제 베드(20)의 수명소진시기를 예측한다.In practice, the waste gas of the semiconductor manufacturing apparatus flows into the canister 10 through the inlet port 70. The pressure difference between the upper plenum 14 and the lower plenum 12 is formed by an outlet or vacuum source connected to the outlet port 90. Preferably, the pressure of the upper plenum 14 is as low as several hundred millimeters of pressure relative to atmospheric pressure, and the pressure of the lower plenum 12 is less than several hundred millimeters of pressure relative to atmospheric pressure. The pressure difference between 12 is set to several orders of 5 mm. The waste gas is dispersed by the dispersion nozzle 60 and flows to the bottom of the lower plenum 12. The waste gas then flows through the bottom screen 30 and the filled resin or dry chemical bed 20. Laminar flow through the filled resin or dry chemical bed 20 passes through the filled resin or dry chemical bed 20 in accordance with the reaction of the components and waste gas in the filled resin or dry chemical bed 20. Provides even heat generation. Thermocouples 50, 52, and 54 coupled to the processor detect the movement of the heating head, and the processor predicts the end of life of the filled resin or dry chemical bed 20.

바람직한 실시예에서 캐니스터(10)은 스테인리스스틸로 만들어지며, 1370mm의 높이와 444mm의 내부직경을 가진다. 돔(80)은 222mm의 구반지름을 가지며, 제2스크린(40)의 위치에 상응하는 위치에서 캐니스터의 상부에 결합된다. 충진된 레진 또는 건식 화학제 베드(20)는 876mm의 깊이를 가지고 있으며, 하단 플리넘(12)은 151.5mm의 깊이를 가진다. 제1, 제2스크린(30, 40)은 440mm의 직경을 가진다. 도 1에 도시된 바와 같이, 캐니스터(10)를 움직일 수 있게 하기 위해 그 바닥에 다수개의 캐스터(caster, 110)를 포함한다.In a preferred embodiment the canister 10 is made of stainless steel and has a height of 1370 mm and an inner diameter of 444 mm. The dome 80 has a radius of 222 mm and is coupled to the top of the canister at a position corresponding to the position of the second screen 40. Filled resin or dry chemical bed 20 has a depth of 876 mm and bottom plenum 12 has a depth of 151.5 mm. The first and second screens 30 and 40 have a diameter of 440 mm. As shown in FIG. 1, a plurality of casters 110 are included at the bottom of the canister 10 to be movable.

상기 분산노즐(60)은 바람직하게는 길이가 260mm이고 직경이 38.1mm이며, 절곡부(64)는 분산노즐의 끝부분에서 아래방향으로 기울어지면서 확장되어 분산노즐의 끝부분에서 38mm 위치에서 마무리된다.The dispersion nozzle 60 preferably has a length of 260 mm and a diameter of 38.1 mm, and the bent portion 64 extends while inclining downward from the end of the dispersion nozzle to finish at a 38 mm position at the end of the dispersion nozzle. .

상술한 바와 같이 본 발명에 따르면, 충진된 레진 또는 건조 화학제 베드형의 독립형 집진기 시스템에 있어서 반도체 제조기기에서 발생하는 폐가스내의 유독성분을 효율적으로 제거하는 것이 가능하다.As described above, according to the present invention, it is possible to efficiently remove the toxic components in the waste gas generated in the semiconductor manufacturing apparatus in the filled resin or dry chemical bed type independent dust collector system.

상기의 다양한 실시예에 의해 알 수 있듯이, 예시적인 방법에 의해 개시되어 있으나 그 범위로 한정되지는 않는다. 그리하여 개시된 발명의 실시예의 범위는 상기의 설명된 예시적 실시예에 의해 한정되어 질 수 없으며, 다음에 따르는 청구범위와 그들의 등가물에 의해 정의되어야 한다.As can be seen by the various embodiments described above, the present invention is disclosed by way of example, but is not limited thereto. Thus, the scope of the disclosed embodiments should not be limited by the above-described exemplary embodiments, but should be defined by the following claims and their equivalents.

Claims (18)

반도체 제조기기에서 발생하는 폐가스 내의 유독성분을 제거하는 가스집진기에 있어서, 캐니스터가,In the gas dust collector for removing toxic components in the waste gas generated in the semiconductor manufacturing apparatus, the canister, 유입구 및 유출구;Inlet and outlet; 그 내부에 위치한 분산노즐을 통해 상기 유입구에 연결되는 하단 플리넘;A lower plenum connected to the inlet through a dispersion nozzle located therein; 상기 유출구와 연결되는 상단 플리넘; 및An upper plenum connected to the outlet; And 상기 하단 플리넘과 상단 플리넘의 중간에 위치하며, 상기 하단 플리넘에 인접한 제1 스크린과 상기 상단 플리넘에 인접한 제2 스크린으로 경계지어지는 충진된 베드로 이루어짐을 특징으로 하는 가스집진기.And a packed bed positioned between the lower plenum and the upper plenum and bounded by a first screen adjacent the lower plenum and a second screen adjacent the upper plenum. 제1항에 있어서, 상기 분산노즐은 몸체와 기울어진 말단부로 이루어지며, 상기 말단부는 상기 유입구에 위치하면서 이격되어 형성된 복수개의 제1 구멍을 구비하고, 상기 몸체는 이격되어 형성된 복수개의 제2 구멍을 구비하며, 복수개의 상기 제1 구멍과 제2 구멍은 상기 하단 플리넘의 바닥을 향하도록 함을 특징으로 하는 가스집진기.The dispersion nozzle of claim 1, wherein the dispersion nozzle comprises a body and an inclined end portion, the end portion having a plurality of first holes spaced apart from each other and positioned at the inlet, and the body having a plurality of second holes spaced apart from each other. And a plurality of the first holes and the second holes to face the bottom of the lower plenum. 제2항에 있어서, 상기 기울어진 말단부는 상기 하단 플리넘의 바닥을 향하도록 함을 특징으로 하는 가스집진기.The gas dust collector of claim 2, wherein the inclined end portion faces the bottom of the lower plenum. 제3항에 있어서, 상기 몸체는 실린더형이며, 복수개의 상기 제2 구멍이 적도선 아래로 상기 몸체 길이의 양쪽면에 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 가스집진기.The gas dust collector according to claim 3, wherein the body is cylindrical and a plurality of the second holes are formed on both sides of the body length below the equator line. 제1항에 있어서, 상기 캐니스터는 실린더형이고, 상기 상단 플리넘은 실질적으로 반구형태를 가짐을 특징으로 하는 가스집진기.The gas dust collector of claim 1, wherein the canister is cylindrical and the top plenum has a substantially hemispherical shape. 제1항에 있어서, 상기 제1 스크린은 그 속을 관통하여 형성된 복수개의 제3 구멍을 구비하며, 상기 제2 스크린은 그 속을 관통하여 형성된 복수개의 제4 구멍을 구비하는 것을 특징으로 하는 가스집진기.The gas of claim 1, wherein the first screen has a plurality of third holes formed therein, and the second screen has a plurality of fourth holes formed therein. Dust Collector. 제6항에 있어서, 상기 제3, 제4구멍은 각각 3mm 이하의 지름을 가짐을 특징으로 하는 가스 집진기.7. The gas dust collector according to claim 6, wherein the third and fourth holes each have a diameter of 3 mm or less. 제1항에 있어서, 상기 캐니스터는 관찰창을 더 구비하고, 상기 관찰창은 캐니스터에 형성되어 있는 플랜지에 부착되어 제거가능한 유리부재를 가짐을 특징으로 하는 가스집진기.The gas dust collector of claim 1, wherein the canister further includes an observation window, and the observation window has a glass member attached to and removed from a flange formed in the canister. 제8항에 있어서, 상기 플랜지는 둥근 형태이고, 상기 하단 플리넘과 연결된 접근포트를 캐니스터에 형성함을 특징으로 하는 가스집진기.The gas dust collector of claim 8, wherein the flange has a round shape and an access port connected to the lower plenum is formed in the canister. 반도체 제조기기로부터 생성되는 폐가스내의 유독성분을 제거하는 방법에 있어서,In the method for removing toxic components in waste gas generated from a semiconductor manufacturing apparatus, 유입구 및 유출구, 그 내부에 위치한 분산노즐을 통해 상기 유입구에 연결되는 하단 플리넘, 상기 유출구와 연결되는 상단 플리넘, 및 상기 하단 플리넘과 상단 플리넘의 중간에 위치하며, 상기 하단 플리넘에 인접한 제1 스크린과 상기 상단 플리넘에 인접한 제2 스크린으로 경계지어지는 충진된 베드로 이루어지는 캐니스터를 제공하는 단계; 및An inlet and an outlet, a lower plenum connected to the inlet through a dispersion nozzle located therein, an upper plenum connected to the outlet, and located in the middle of the lower plenum and the upper plenum; Providing a canister comprising a packed bed bounded by an adjacent first screen and a second screen adjacent the upper plenum; And 상기 유입구, 상기 캐니스터 및 상기 유출구를 통하여 폐가스의 흐름을 촉진시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 폐가스로부터의 유독성분 제거방법.And promoting the flow of waste gas through the inlet, the canister, and the outlet. 제10항에 있어서, 상기 분산노즐은 몸체와 기울어진 말단부로 이루어지며, 상기 말단부는 상기 유입구쪽에 위치하면서, 이를 관통하여 이격배치된 복수개의 제1 구멍을 구비하고, 상기 몸체는 이를 관통하여 이격배치된 복수개의 제2 구멍을 구비하며, 복수개의 상기 제1 구멍과 제2 구멍은 상기 하단 플리넘의 바닥을 향하도록 함을 특징으로 하는 폐가스로부터의 유독성분 제거방법.The dispersing nozzle of claim 10, wherein the dispersing nozzle comprises a body and an inclined distal end, the distal end having a plurality of first holes spaced apart from the inlet, and spaced apart from the inlet. And a plurality of second holes disposed so that the plurality of first holes and the second holes face the bottom of the lower plenum. 제11항에 있어서, 상기 기울어진 말단부는 상기 하단 플리넘의 바닥을 향하도록 함을 특징으로 하는 폐가스로부터의 유독성분 제거방법.12. The method of claim 11 wherein the slanted end faces the bottom of the lower plenum. 제12항에 있어서, 상기 몸체는 실린더형이며, 복수개의 상기 제2 구멍이 적도선 아래로 상기 몸체 길이의 양쪽면에 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 폐가스로부터의 유독성분 제거방법.The method of claim 12, wherein the body is cylindrical, and a plurality of the second holes are formed on both sides of the body length below the equator line. 제10항에 있어서, 상기 캐니스터는 실린더형이고, 상기 상단 플리넘은 실질적으로 반구형태를 가짐을 특징으로 하는 폐가스로부터의 유독성분 제거방법.12. The method of claim 10, wherein the canister is cylindrical and the top plenum is substantially hemispherical in shape. 제10항에 있어서, 상기 제1 스크린은 그 속을 관통하여 형성된 복수개의 제3 구멍을 구비하며, 상기 제2 스크린은 그 속을 관통하여 형성된 복수개의 제4 구멍을 구비하는 것을 특징으로 하는 폐가스로부터의 유독성분 제거방법.11. The waste gas of claim 10, wherein the first screen has a plurality of third holes formed through the inside thereof, and the second screen has a plurality of fourth holes formed through the inside thereof. How to get rid of toxic substances from 제15항에 있어서, 상기 제3, 제4구멍은 각각 3mm 이하의 지름을 가짐을 특징으로 하는 폐가스로부터의 유독성분 제거방법.16. The method of claim 15, wherein the third and fourth holes each have a diameter of 3 mm or less. 제10항에 있어서, 캐니스터에 형성되어 있는 플랜지에 부착되어 제거가능한 유리부재를 제공하는 단계와, 상기 유리부재를 제거하여 상기 하단 플리넘과 연통하는 접근포트를 제공하는 단계를 더 구비함을 특징으로 하는 폐가스로부터의 유독성분 제거방법.11. The method of claim 10, further comprising providing a removable glass member attached to a flange formed on the canister, and removing the glass member to provide an access port in communication with the lower plenum. A method for removing toxic substances from waste gas. 제17항에 있어서, 상기 하단 플리넘에 진공장치를 삽입하는 단계를 더 구비하며, 상기 진공장치는 상기 하단 플리넘, 분산노즐 및 제1 스크린으로부터 축적된 입자들을 제거하기 위해 채택됨을 특징으로 하는 폐가스로부터의 유독성분 제거방법.18. The method of claim 17, further comprising inserting a vacuum device in the lower plenum, wherein the vacuum device is adapted to remove accumulated particles from the lower plenum, the dispersion nozzle and the first screen. How to remove toxic substances from waste gas.
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