KR20010067189A - Dummy Wafer and Heat Treatment Method Therefor - Google Patents
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Abstract
Description
본 발명은, 더미 웨이퍼 및 열 처리 방법에 관한 것으로, 특히, 반도체 장치의 제조 공정에서 웨이퍼 보우트에 탑재되는 더미 웨이퍼, 및 그 더미 웨이퍼를 이용하는 열 처리 방법에 관한 것이다.TECHNICAL FIELD The present invention relates to a dummy wafer and a heat treatment method, and more particularly, to a dummy wafer mounted on a wafer boat in a manufacturing process of a semiconductor device, and a heat treatment method using the dummy wafer.
반도체 장치의 제조 공정에서는, 산화막의 성막이나 CVD, 혹은 어닐링 처리등, 여러가지 열 처리가 행해진다. 이러한 열 처리의 수법으로서는, 복수의 반도체 웨이퍼를, 석영이나 실리콘 카바이트(SiC)로 구성된 웨이퍼 보우트에 탑재하여 확산로에 반입하는 수법이 알려져 있다.In the manufacturing process of the semiconductor device, various heat treatments such as oxide film formation, CVD, or annealing treatment are performed. As a method of such heat treatment, a method of mounting a plurality of semiconductor wafers in a wafer boat made of quartz or silicon carbide (SiC) and carrying them into a diffusion path is known.
상기 종래의 수법에 있어서, 복수의 반도체 웨이퍼는, 소정 간격을 비워 상하로 적층된 상태로 웨이퍼 보우트 내에 유지된다. 반도체 웨이퍼는, 그 상태로 반응관등 내에 반입되어 열 처리에 첨부된다. 이 때, 웨이퍼 보우트의 상단 부근이나 하단 부근에 있어서의 열 처리 조건은, 그 중앙 부근에 있어서의 열 처리 조건과 달라지기 쉽다. 이 때문에, 웨이퍼 보우트의 상단 또는 하단 부근에 유지되는 반도체 웨이퍼와, 웨이퍼 보우트의 중앙 부근에 유지되는 반도체 웨이퍼와 마찬가지로 열처리를 실시하는 것은 반드시 용이하지 않다.In the conventional technique, the plurality of semiconductor wafers are held in the wafer boat in a state of being stacked up and down at a predetermined interval. The semiconductor wafer is carried in a reaction tube or the like in such a state and attached to the heat treatment. At this time, the heat treatment conditions near the upper end and the lower end of the wafer boat are likely to be different from the heat treatment conditions near the center thereof. For this reason, it is not necessarily easy to heat-process similarly to the semiconductor wafer hold | maintained near the upper end or lower end of a wafer boat, and the semiconductor wafer held near the center of a wafer boat.
이러한 문제를 해결하는 수법의 하나로서, 웨이퍼 보우트의 상단 부근, 및 하단 부근에, 제품화를 목적으로 하지 않는 더미 웨이퍼를 탑재하는 수법이 알려져 있다. 더미 웨이퍼를 이용하는 수법에 따르면, 제품화를 목적으로 하여 웨이퍼 보우트에 탑재되는 모든 반도체 웨이퍼에 대하여, 거의 균일하게 열처리를 실시하는 것이 가능하다. 따라서, 이러한 수법에 따르면, 열 처리에 관한 수율을 높일 수 있다.As one of the methods of solving such a problem, the method of mounting the dummy wafer which is not aimed at commercialization in the vicinity of the upper end and the lower end of a wafer boat is known. According to the method using a dummy wafer, it is possible to heat-treat almost uniformly with respect to all the semiconductor wafers mounted in a wafer boat for the purpose of commercialization. Therefore, according to this method, the yield regarding heat processing can be raised.
더미 웨이퍼는, 실리콘 웨이퍼로 구성할 필요가 없기 때문에, 경제적인 관점으로부터, 실리콘 웨이퍼 이외의 재질, 예를 들면 석영등으로 제조되는 일이 있다. 또한, 더미 웨이퍼는, 종래, 제품화를 목적으로 하는 반도체 웨이퍼와 동등하게 웨이퍼 보우트 내에서 공간을 점유해야 하기 때문에, 이들의 반도체 웨이퍼와 동일한 직경을 갖고, 또한, 동등한 두께를 갖도록 형성되고 있었다.Since the dummy wafer does not need to be composed of a silicon wafer, it may be made of materials other than the silicon wafer, for example, quartz, etc. from an economical point of view. In addition, since the dummy wafer has to occupy a space in a wafer boat similarly to the semiconductor wafer for the purpose of commercialization, it was formed so that it might have the same diameter and these thicknesses as these semiconductor wafers.
최근에는, 반도체 제조 기술의 진보에 따라 반도체 웨이퍼의 대직경화가 진행하여, 직경 300mm의 반도체 웨이퍼가 실용화되어, 직경 400mm의 반도체 웨이퍼도 연구의 대상이 되고 있다. 더미 웨이퍼의 직경이 이와 같이 대직경화되면, 비교적열에 강한 재질이 이용되고 있었다고 해도, 상대적으로 그 기계적 강도가 저하하여 열 처리의 과정에서 더미 웨이퍼가 자중으로 변형된다고 하는 문제가 생긴다.In recent years, with the advance of semiconductor manufacturing technology, the large diameter of a semiconductor wafer advances, the semiconductor wafer of 300 mm in diameter is put into practical use, and the semiconductor wafer of 400 mm in diameter is also the object of study. If the diameter of the dummy wafer is made large in this way, even if a material which is relatively heat resistant is used, the mechanical strength of the dummy wafer is relatively lowered, resulting in a problem that the dummy wafer is deformed to its own weight during the heat treatment.
상기와 같은 문제를 해결하는 수법으로서는, 예를 들면, 더미 웨이퍼에, 자중에 의한 변형을 방지하기 위한 보강을 설치하는 것을 생각할 수 있다. 또, 자중에 의한 변형을 방지하는 구조로서는, 예를 들면, 도12에 도시한 바와 같이, 더미 웨이퍼(1)에, 그 중심으로부터 주연부를 향해 방사형으로 신장하는 보강부(2)를 설치하는 것을 생각할 수 있다.As a method of solving the above problems, for example, it is conceivable to provide a dummy wafer with reinforcement for preventing deformation due to its own weight. Moreover, as a structure which prevents deformation by self weight, for example, as shown in FIG. 12, the provision of the reinforcement part 2 which extends radially toward the periphery from the center to the dummy wafer 1 is carried out. I can think of it.
도12에 도시한 구조예로서는, 웨이퍼 보우트가 3 곳의 웨이퍼 지지부에서 웨이퍼를 지지하는 것을 상정하여 보강부(2)를 120도 간격으로 3개 설치하는 것으로 하고 있다. 또한, 보강부(2)의 단부에는, 웨이퍼 지지부와 결합시키기 위해서 절결부(4)를 설치하고 있다. 보강부(2)가 웨이퍼 지지부에 지지되도록 도12에 도시한 더미 웨이퍼(1)를 웨이퍼 보우트에 탑재하면, 더미 웨이퍼(1)의 자중을 보강부(2)에 지지시킬 수 있다. 따라서, 도12에 도시한 구조는, 대직경화된 더미 웨이퍼의 변형을 방지하는 데에 있어서 적합하다.As the structural example shown in Fig. 12, assuming that the wafer boat supports the wafer at three wafer support portions, three reinforcement portions 2 are provided at 120 degree intervals. Moreover, the notch part 4 is provided in the edge part of the reinforcement part 2 in order to couple | bond with a wafer support part. When the dummy wafer 1 shown in FIG. 12 is mounted on the wafer boat so that the reinforcement part 2 is supported by the wafer support part, the weight of the dummy wafer 1 can be supported by the reinforcement part 2. Therefore, the structure shown in Fig. 12 is suitable for preventing the deformation of the large diameter dummy wafer.
그러나, 더미 웨이퍼는, 그 교환 작업 시에 핀셋으로 끼워지거나, 혹은 소정의 수납 카세트의 홈에 삽입되거나 하는 것이 있다. 이러한 작업 시에는, 보강부(2) 이외의 부분, 즉 판두께가 얇은 부분에 충격이 가해지기 쉽다. 이 때문에, 도12에 도시한 구조에서는, 보강부(2) 이외의 부분에 파손이 생기기 쉽다고 하는 문제가 생긴다.However, the dummy wafer may be inserted into the tweezers during the replacement operation or inserted into the groove of the predetermined storage cassette. In such a work, an impact is likely to be applied to portions other than the reinforcing portion 2, that is, a portion having a thin plate thickness. For this reason, in the structure shown in FIG. 12, the problem that breakage easily occurs in parts other than the reinforcement part 2 arises.
본 발명은, 상기와 같은 과제를 해결하기 위해 이루어진 것으로, 변형을 억제하기에 충분한 기계적 강도와 함께, 우수한 파손 내성을 가지는 더미 웨이퍼를 제공하는 것을 제1 목적으로 한다.This invention is made | formed in order to solve the above subjects, and it is a 1st objective to provide the dummy wafer which has the outstanding fracture resistance with the mechanical strength enough to suppress a deformation | transformation.
또한, 본 발명은, 상기한 더미 웨이퍼를 이용하여 행하는 열 처리 방법을 제공하는 것을 제2 목적으로 한다.Moreover, this invention makes it a 2nd object to provide the heat processing method performed using said dummy wafer.
상기 제1 목적을 달성하기 위해서, 청구항 1기재된 발명은, 반도체 웨이퍼의 열 처리 장치에 이용되는 웨이퍼 보우트에 반도체 웨이퍼와 같이 탑재되는 더미 웨이퍼이고,In order to achieve the said 1st objective, the invention of Claim 1 is a dummy wafer mounted like a semiconductor wafer in the wafer boat used for the heat processing apparatus of a semiconductor wafer,
반도체 웨이퍼와 동일한 형상을 가지는 본체와,A main body having the same shape as the semiconductor wafer,
상기 본체의 적어도 한 쪽 면에 형성된 보강부를 구비하고,And a reinforcing part formed on at least one side of the main body,
상기 보강부는, 상기 본체의 원주 부분을 보강하는 환상의 원주 보강부를 포함하는 것을 특징으로 한다.The reinforcement portion includes an annular circumferential reinforcement portion for reinforcing the circumference portion of the main body.
또한, 청구항 2에 기재된 발명은, 청구항 1에 기재된 더미 웨이퍼이고, 상기 보강부는 상기 본체와 동일한 재질이며, 상기 본체와 일체 성형된 것을 특징으로 한다.Moreover, the invention of Claim 2 is the dummy wafer of Claim 1, The said reinforcement part is the same material as the said main body, It is characterized by integrally shape | molding with the said main body, It is characterized by the above-mentioned.
또한, 청구항 3에 기재된 발명은, 청구항 1 또는 2 중 어느 한 항에 있어서, 더미 웨이퍼이고,In addition, the invention of Claim 3 is a dummy wafer in any one of Claims 1 or 2,
상기 원주 보강부에는, 등간격마다 복수의 절결부가 설치되어 있고,The circumferential reinforcement part is provided with a plurality of cutouts at equal intervals.
상기 절결부가 설치되어 있는 부분의 더미 웨이퍼의 판두께는, 상기 본체의 판두께와 동일한 것을 특징으로 한다.The plate | board thickness of the dummy wafer of the part in which the said notch is provided is characterized by the same as the plate | board thickness of the said main body.
또한, 청구항 4에 기재된 발명은, 청구항 1 내지 3 중 어느 한 항에 있어서, 더미 웨이퍼이고,In addition, the invention of Claim 4 is a dummy wafer in any one of Claims 1-3,
상기 보강부는 상기 본체의 중앙부에서, 등 각도마다 직경 방향으로 연장하는 방사부를 포함하는 것을 특징으로 한다.The reinforcement portion is characterized in that it comprises a radiating portion extending in the radial direction at the same angle from the central portion of the main body.
또한, 청구항 5에 기재된 발명은, 청구항 1 내지 3 중 어느 한 항에 있어서, 더미 웨이퍼이고,In addition, the invention of Claim 5 is a dummy wafer in any one of Claims 1-3,
상기 보강부는, 상기 원주 보강부와 동심이 되도록 설치된, 적어도 하나의 환상 보강부를 포함하는 것을 특징으로 한다.The reinforcement part includes at least one annular reinforcement part provided to be concentric with the circumferential reinforcement part.
또한, 청구항 6에 기재된 발명은, 청구항 1 내지 3 중 어느 한 항에 있어서, 더미 웨이퍼이고, 상기 보강부는, 상기 본체의 중심부를 보강하는 중심 보강부를 포함하는 것을 특징으로 한다.Moreover, the invention of Claim 6 is a dummy wafer in any one of Claims 1-3, The said reinforcement part includes the center reinforcement part which reinforces the center part of the said main body.
또한, 청구항 7에 기재된 발명은, 반도체 웨이퍼의 열 처리 장치로 이용되는 웨이퍼 보우트에 반도체 웨이퍼와 같이 탑재되는 더미 웨이퍼이고,Moreover, the invention of Claim 7 is a dummy wafer mounted in the wafer boat used as the heat processing apparatus of a semiconductor wafer like a semiconductor wafer,
반도체 웨이퍼와 동일한 형상을 가지는 본체와,A main body having the same shape as the semiconductor wafer,
상기 본체의 적어도 한 쪽 면에 형성된 보강부를 구비하고,And a reinforcing part formed on at least one side of the main body,
상기 보강부는, 일부에서 상기 본체의 원주 부분과 중복됨과 같이, 상기 본체의 원주측에서 중심측으로 우묵하게 들어간 원호형의 외주벽을 구비하는 것을 특징으로 한다.The reinforcement portion is characterized by having an arcuate outer circumferential wall recessed from the circumference side of the main body to the center side, in part, overlapping with the circumference portion of the main body.
상기 제2 목적을 달성하기 위해서, 청구항 8에 기재된 발명은, 더미 웨이퍼를 사용한 반도체 웨이퍼의 열 처리 방법이고,In order to achieve the said 2nd objective, invention of Claim 8 is the heat processing method of the semiconductor wafer using a dummy wafer,
반도체 웨이퍼의 열 처리 장치로 이용되는 웨이퍼 보우트에, 반도체 웨이퍼와 같이 더미 웨이퍼를 탑재하는 단계와,Mounting a dummy wafer on a wafer boat used as a heat treatment apparatus for a semiconductor wafer, such as a semiconductor wafer;
반도체 웨이퍼 및 더미 웨이퍼를 탑재한 웨이퍼 보우트를 반응로에 반입하는 단계와,Bringing a wafer boat having a semiconductor wafer and a dummy wafer into the reactor,
상기 반응로의 중에서 상기 반도체 웨이퍼를 가열하는 단계를 포함하고,Heating the semiconductor wafer in the reactor;
상기 더미 웨이퍼는 청구항 1내지 7의 어느 한 항에 기재된 더미 웨이퍼인 것을 특징으로 한다.The dummy wafer is the dummy wafer according to any one of claims 1 to 7.
도1은 본 발명의 실시 형태 1의 더미 웨이퍼의 정면도 및 측면도.1 is a front view and a side view of a dummy wafer of Embodiment 1 of the present invention.
도2는 도1에 도시한 더미 웨이퍼를 탑재한 웨이퍼 보우트의 사시도.Fig. 2 is a perspective view of a wafer boat on which the dummy wafer shown in Fig. 1 is mounted.
도3은 본 발명의 실시 형태 2의 더미 웨이퍼의 정면도 및 측면도.3 is a front view and a side view of a dummy wafer of Embodiment 2 of the present invention;
도4는 도3에 도시한 더미 웨이퍼를 탑재한 웨이퍼 보우트의 사시도.4 is a perspective view of a wafer boat on which the dummy wafer shown in FIG. 3 is mounted;
도5는 본 발명의 실시 형태 3의 더미 웨이퍼의 정면도 및 측면도.5 is a front view and a side view of a dummy wafer of Embodiment 3 of the present invention.
도6은 본 발명의 실시 형태 4의 더미 웨이퍼의 정면도.Fig. 6 is a front view of the dummy wafer of Embodiment 4 of the present invention.
도7은 본 발명의 실시 형태 5의 더미 웨이퍼의 정면도 및 측면도.7 is a front view and a side view of a dummy wafer of Embodiment 5 of the present invention.
도8은 본 발명의 실시 형태 6의 더미 웨이퍼의 정면도.Fig. 8 is a front view of the dummy wafer of Embodiment 6 of the present invention.
도9는 본 발명의 실시 형태 7의 더미 웨이퍼의 정면도 및 측면도.9 is a front view and a side view of a dummy wafer of Embodiment 7 of the present invention.
도10은 본 발명의 실시 형태 8의 더미 웨이퍼의 정면도.10 is a front view of a dummy wafer of Embodiment 8 of the present invention.
도11은 본 발명의 실시 형태 9의 더미 웨이퍼의 정면도.Fig. 11 is a front view of the dummy wafer of Embodiment 9 of the present invention.
도12는 종래의 더미 웨이퍼의 정면도.12 is a front view of a conventional dummy wafer.
<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명><Description of the symbols for the main parts of the drawings>
30, 40, 50, 60, 70, 80, 90 : 더미 웨이퍼30, 40, 50, 60, 70, 80, 90: dummy wafer
14, 62, 82, 102 : 보강부14, 62, 82, 102: reinforcement
16 : 방사부16: radiator
42, 64, 84 : 원주 보강부42, 64, 84: circumferential reinforcement
20 : 웨이퍼 보우트20: wafer boat
22 : 지지 기둥22: support column
24 : 지지부24 support part
26 : 반도체 웨이퍼26: semiconductor wafer
32, 52, 72, 92 : 절결부32, 52, 72, 92: cutout
66 : 환상 보강부66: annular reinforcement
86 : 중심 보강부86 center reinforcement
이하, 도면을 참조하여 본 발명의 실시 형태에 관해서 설명한다. 또한, 각 도면에 있어서 공통되는 요소에는, 동일한 부호를 붙여 중복되는 설명을 생략한다.EMBODIMENT OF THE INVENTION Hereinafter, embodiment of this invention is described with reference to drawings. In addition, the same code | symbol is attached | subjected to the element which is common in each figure, and the overlapping description is abbreviate | omitted.
실시 형태 1Embodiment 1
도1A는 본 발명의 실시 형태 1의 더미 웨이퍼(10)의 평면도를, 또, 도1B는 그 A-A' 단면도를 도시한다. 본 실시 형태의 더미 웨이퍼(10)는 예를 들면 석영등의 재질로 제조되어 있고, 300mm의 직경을 가지고 있다. 더미 웨이퍼(10)는, 300mm의 실리콘 웨이퍼가 보통 가지는 것과 동일한 판 두께를 가지는 박판부(12)와, 박판부(12)의 한 면에 설치된 보강부(14)를 구비하고 있다. 보강부(14)는, 더미 웨이퍼(10)의 중심에서 방사형으로 연장하는 방사부(16)와, 더미 웨이퍼(10)의 원주부를 보강하는 원주 보강부(18)를 구비하고 있다.Fig. 1A is a plan view of the dummy wafer 10 of Embodiment 1 of the present invention, and Fig. 1B is a cross-sectional view along the line A-A '. The dummy wafer 10 of the present embodiment is made of a material such as quartz, for example, and has a diameter of 300 mm. The dummy wafer 10 includes a thin plate portion 12 having the same plate thickness as a 300 mm silicon wafer usually has, and a reinforcement portion 14 provided on one surface of the thin plate portion 12. The reinforcement part 14 is provided with the radiation part 16 which extends radially from the center of the dummy wafer 10, and the circumference reinforcement part 18 which reinforces the circumference part of the dummy wafer 10. As shown in FIG.
도2는, 더미 웨이퍼(10)를 유지하는 웨이퍼 보우트(20)의 사시도를 도시한다. 웨이퍼 보우트(20)는 석영 혹은 SiC로 제조되어 있고, 복수의 반도체 웨이퍼를 지지하기 위한 지지 기둥(22) 및 지지부(24)를 구비하고 있다. 웨이퍼 보우트(20)에는, 제품화를 목적으로 하는 복수의 반도체 웨이퍼(26)와 같이 더미 웨이퍼(10)가 탑재된다. 더미 웨이퍼(10)는, 반도체 웨이퍼(26)를 상하로부터 끼우도록 웨이퍼 보우트(20)의 상부 및 하부에 소정 매수 만큼 탑재된다.2 shows a perspective view of a wafer boat 20 holding a dummy wafer 10. The wafer boat 20 is made of quartz or SiC, and includes a support pillar 22 and a support portion 24 for supporting a plurality of semiconductor wafers. In the wafer boat 20, a dummy wafer 10 is mounted like a plurality of semiconductor wafers 26 for commercialization. The dummy wafer 10 is mounted on the upper and lower portions of the wafer boat 20 by a predetermined number so as to sandwich the semiconductor wafer 26 from above and below.
반도체 웨이퍼(26)는, 웨이퍼 보우트(20)에 탑재된 상태로, 도시하지 않은 반응로 등으로 반입된다. 웨이퍼 보우트(20)가 반응로 내에 반입될 때에, 그 상단부는 그 중앙부에 선행하여 반응로로 진입한다. 또한, 웨이퍼 보우트(20)의 하단부는 그 중앙부에 지연되어 반응로 내로 진입한다. 이러한 진입 시간의 차에 기인하여 웨이퍼 보우트(20)의 상단부 부근 또는 하단부 부근과 그 중앙부 부근에서는 열 처리 조건에 차이가 생긴다.The semiconductor wafer 26 is carried in the reaction furnace etc. which are not shown in figure in the state mounted on the wafer boat 20. When the wafer boat 20 is loaded into the reactor, its upper end enters the reactor ahead of its central portion. In addition, the lower end of the wafer boat 20 is delayed at the center thereof and enters the reaction furnace. Due to this difference in entry time, a difference occurs in the heat treatment conditions near the upper end or near the lower end of the wafer boat 20 and near the center thereof.
반도체 웨이퍼(26)는, 웨이퍼 보우트(20)의 전체 영역중, 실질적으로 열 처리 조건이 균일하게 되는 영역에 탑재된다. 한 편, 더미 웨이퍼(10)는, 그 영역(중앙부 부근의 영역)과는 열 처리 조건이 차이나는 영역(상단부 부근 또는 하단부 부근의 영역)에 탑재된다. 반도체 웨이퍼(26) 및 더미 웨이퍼(10)를 이와 같이 웨이퍼 보우트(20)에 탑재하는 것에 따르면, 웨이퍼 보우트(20)에 탑재되는 모든 반도체 웨이퍼(26)에 균일한 열처리를 실시할 수 있고, 높은 수율을 얻을 수 있다.The semiconductor wafer 26 is mounted in a region where the heat treatment conditions are substantially uniform among all the regions of the wafer boat 20. On the other hand, the dummy wafer 10 is mounted in a region (region near the upper end or near the lower end) that differs from the region (region near the center) in the heat treatment condition. According to the mounting of the semiconductor wafer 26 and the dummy wafer 10 on the wafer boat 20 in this manner, uniform heat treatment can be performed on all the semiconductor wafers 26 mounted on the wafer boat 20, Yield can be obtained.
더미 웨이퍼(10)에는, 웨이퍼 보우트(20)에 탑재되었을 때에, 자중에 기인하는 응력이 작용한다. 본 실시 형태에 있어서, 그와 같은 응력은, 보강부(14)에 담당할 수 있다. 따라서, 본 실시 형태의 더미 웨이퍼(10)에 따르면, 반도체 웨이퍼(26)의 대직경화에 관계없이, 자중에 의한 변형을 충분히 억제할 만한 기계적 강도를 확보할 수 있다.When mounted on the wafer boat 20, a stress due to its own weight acts on the dummy wafer 10. In this embodiment, such a stress can be in charge of the reinforcement part 14. Therefore, according to the dummy wafer 10 of this embodiment, regardless of the large diameter of the semiconductor wafer 26, the mechanical strength which can fully suppress the deformation | transformation by self weight can be ensured.
또한, 본 실시 형태에 있어서, 더미 웨이퍼(10)의 보강부(14)는, 그 외주를 둘러싸는 원주 보강부(18)를 구비하고 있다. 더미 웨이퍼(10)의 외주부는, 교환 작업이나 세정 작업 시에 충격을 받기 쉬운 부분이다. 원주 보강부(18)는, 그와 같은 충격이 가해진 경우에, 더미 웨이퍼(10)를 유효하게 파손으로부터 보호할 수 있다. 따라서, 본 실시 형태의 더미 웨이퍼(10)에 따르면, 우수한 내파손성을 실현할 수 있다.In addition, in this embodiment, the reinforcement part 14 of the dummy wafer 10 is provided with the circumferential reinforcement part 18 surrounding the outer periphery. The outer circumferential portion of the dummy wafer 10 is a portion susceptible to shock during the replacement operation or the cleaning operation. The circumferential reinforcement part 18 can protect the dummy wafer 10 from damage effectively when such an impact is applied. Therefore, according to the dummy wafer 10 of this embodiment, the outstanding fracture resistance can be realized.
실시 형태 2Embodiment 2
도3은 본 발명의 실시 형태 2의 더미 웨이퍼(30)의 평면도를 도시한다. 본 실시 형태의 더미 웨이퍼(30)는, 원주 보강부(18)에 절결부(32)를 3 곳 구비하고 있는 점을 제외하고, 실시 형태 1의 더미 웨이퍼(10)와 동일한 구조를 가지고 있다. 절결부(32)는, 웨이퍼 보우트(20)의 지지부(24)와 대응하도록, 120° 마다 등간격으로 설치되어 있다.3 shows a top view of the dummy wafer 30 of Embodiment 2 of the present invention. The dummy wafer 30 of the present embodiment has the same structure as the dummy wafer 10 of the first embodiment except that three cutouts 32 are provided in the circumferential reinforcement part 18. The notches 32 are provided at equal intervals every 120 ° so as to correspond to the support 24 of the wafer boat 20.
도4는, 더미 웨이퍼(30)가 웨이퍼 보우트(20)에 유지된 상태를 도시한다. 도4에 도시한 바와 같이, 더미 웨이퍼(30)는, 절결부(32)가 하측이 되도록, 또한, 절결부(32)가 지지부(24)와 결합하도록 웨이퍼 보우트(20)에 수납된다. 절결부(32)의 막 두께는 더미 웨이퍼(12)의 보통의 막 두께, 즉, 박판부(12)의 막 두께와 동일하다. 이 때문에, 본 실시 형태의 더미 웨이퍼(30)에 따르면, 더미 웨이퍼(30)와 다른 웨이퍼의 간격을, 반도체 웨이퍼(26)끼리의 간격과 같게 할 수 있다.4 shows a state where the dummy wafer 30 is held on the wafer boat 20. As shown in FIG. 4, the dummy wafer 30 is accommodated in the wafer boat 20 so that the cutout portion 32 is lowered and the cutout portion 32 is engaged with the support portion 24. The film thickness of the cutout portion 32 is equal to the normal film thickness of the dummy wafer 12, that is, the film thickness of the thin plate portion 12. For this reason, according to the dummy wafer 30 of this embodiment, the space | interval of the dummy wafer 30 and another wafer can be made the same as the space | interval of the semiconductor wafers 26. As shown in FIG.
실시 형태 3Embodiment 3
도5A는 본 발명의 실시 형태(3)의 더미 웨이퍼(40)의 평면도를, 또, 도5B는 그 A-A' 단면도를 도시한다. 본 실시 형태의 더미 웨이퍼(40)는, 도1에 도시한 보강부(14) 대신 원주 보강부(42)를 구비하고 있는 점을 제외하고, 실시 형태 1의 더미 웨이퍼(10)와 동일한 구조를 가지고 있다. 원주 보강부(42)는, 도1에 있어서의 원주 보강부(18)와 같이 더미 웨이퍼(40)의 원주부를 보강하도록 구성되어 있다.5A shows a plan view of the dummy wafer 40 of Embodiment 3 of the present invention, and FIG. 5B shows its A-A 'cross-sectional view. The dummy wafer 40 of the present embodiment has the same structure as the dummy wafer 10 of the first embodiment except that the circumferential reinforcement 42 is provided instead of the reinforcement 14 shown in FIG. Have. The circumferential reinforcement part 42 is comprised so that the circumference part of the dummy wafer 40 may be reinforced like the circumferential reinforcement part 18 in FIG.
열 처리의 온도가 1100℃ 이하인 경우는, 방사상의 보강부(도1에 있어서의 방사부(16)에 상당)를 설치하지 않더라도, 원주 보강부(42)를 설치할 뿐이고 더미 웨이퍼(40)에, 자중에 의한 변형을 방지할 만한 강도를 부여할 수 있다. 또한, 원주 보강부(42)를 설치하는 것에 따르면, 실시 형태 1의 경우와 동등한 내파손성을 확보할 수 있다. 또, 방사상의 보강부를 설치할 필요가 없기 때문에, 본 실시 형태의 더미 웨이퍼(40)는, 실시 형태 1의 더미 웨이퍼(10)에 비하여 용이하게 생산할 수 있다. 따라서, 본 실시 형태의 구조에 따르면, 1100℃까지 변형하는 일 없이 사용할 수 있고, 교환 작업이나 세정 작업 시에 우수한 내파손성을 도시하고, 또한, 생산성이 우수한 더미 웨이퍼(40)를 실현할 수 있다.When the temperature of the heat treatment is 1100 ° C. or less, even if the radial reinforcing portion (corresponding to the radiating portion 16 in FIG. 1) is not provided, only the circumferential reinforcing portion 42 is provided and the dummy wafer 40 is provided. Strength sufficient to prevent deformation due to its own weight can be provided. In addition, by providing the circumferential reinforcement part 42, the damage resistance equivalent to the case of Embodiment 1 can be ensured. Moreover, since it is not necessary to provide a radial reinforcement part, the dummy wafer 40 of this embodiment can be easily produced compared with the dummy wafer 10 of Embodiment 1. As shown in FIG. Therefore, according to the structure of this embodiment, the dummy wafer 40 which can be used without deformation | transformation to 1100 degreeC, shows the outstanding fracture resistance at the time of an exchange operation or a cleaning operation, and is excellent in productivity can be realized. .
실시 형태 4Embodiment 4
도6은 본 발명의 실시 형태 4의 더미 웨이퍼(50)의 평면도를 도시한다. 본 실시 형태의 더미 웨이퍼(50)는, 원주 보강부(42)에 절결부(52)를 3 곳 구비하고 있는 점을 제외하고, 실시 형태 3의 더미 웨이퍼(40)와 동일한 구조를 가지고 있다. 절결부(52)는, 웨이퍼 보우트(20)의 지지부(24)(도4 참조)와 대응하도록,120°마다 등간격으로 설치되어 있다.6 shows a plan view of the dummy wafer 50 of Embodiment 4 of the present invention. The dummy wafer 50 of this embodiment has the same structure as the dummy wafer 40 of the third embodiment except that three cutouts 52 are provided in the circumferential reinforcement part 42. The notches 52 are provided at equal intervals every 120 degrees to correspond to the support 24 (see FIG. 4) of the wafer boat 20.
더미 웨이퍼(50)는, 실시 형태 2의 경우와 같이, 절결부(32)가 하측이 되도록, 또한, 절결부(32)가 지지부(24)와 결합하도록 웨이퍼 보우트(20)에 수납된다 (도4 참조). 따라서, 본 실시 형태의 더미 웨이퍼(50)에 따르면, 더미 웨이퍼(50)와 다른 웨이퍼의 간격을, 반도체 웨이퍼(26)끼리의 간격과 같게 할 수 있다.As in the case of the second embodiment, the dummy wafer 50 is housed in the wafer boat 20 so that the cutout portion 32 is lowered and the cutout portion 32 is engaged with the support portion 24 (FIG. 4). Therefore, according to the dummy wafer 50 of this embodiment, the space | interval of the dummy wafer 50 and another wafer can be made equal to the space | interval of the semiconductor wafers 26. As shown in FIG.
실시 형태 5Embodiment 5
도7A는 본 발명의 실시 형태 5의 더미 웨이퍼(60)의 평면도를, 또, 도7B는 그 A-A' 단면도를 도시한다. 본 실시 형태의 더미 웨이퍼(60)는, 도1에 도시한 보강부(14) 대신 보강부(62)를 구비하고 있는 점을 제외하고, 실시 형태 1의 더미 웨이퍼(10)와 동일한 구조를 가지고 있다. 보강부(62)는, 도1에 있어서의 원주 보강부(18)에 상당하는 환상의 원주 보강부(64)와, 원주 보강부(64)의 내측에 설치되는 환상의 보강부(이하,「환상 보강부」라고 칭한다)(66)를 구비하고 있다. 원주 보강부(64)와 환상 보강부(66)와는, 상호 동심원이 되도록 설치되어 있다.FIG. 7A is a plan view of the dummy wafer 60 of Embodiment 5 of the present invention, and FIG. 7B is a sectional view taken along line A-A '. The dummy wafer 60 of this embodiment has the same structure as the dummy wafer 10 of the first embodiment except that the reinforcement part 62 is provided instead of the reinforcement part 14 shown in FIG. have. The reinforcement part 62 is an annular circumferential reinforcement part 64 corresponding to the circumferential reinforcement part 18 in FIG. 1, and an annular reinforcement part provided below the circumferential reinforcement part 64 (hereinafter, " 66 ") is provided. The circumferential reinforcement part 64 and the annular reinforcement part 66 are provided so that mutual concentric circles may be provided.
본 실시 형태에서 이용되는 보강부(62)에 따르면, 실시 형태 1에 있어서의 보강부(14)에 비하여 큰 보강 효과를 얻을 수 있다. 따라서, 본 실시 형태의 구조에 의하면, 실시 형태 1의 경우에 비하여 더욱 우수한 내파손성을 얻을 수 있다. 본 실시 형태의 더미 웨이퍼(60)는, 이와 같이 우수한 내파손성을 가지고 있기 때문에, 더미 웨이퍼의 교환이나 세정이 빈번히 행해지는 경우에 특히 유효하다.According to the reinforcement part 62 used in this embodiment, a large reinforcement effect can be acquired compared with the reinforcement part 14 in Embodiment 1. As shown in FIG. Therefore, according to the structure of this embodiment, the breakage resistance which is further excellent compared with the case of Embodiment 1 can be obtained. Since the dummy wafer 60 of this embodiment has such excellent damage resistance, it is especially effective when the dummy wafer is frequently replaced or cleaned.
실시 형태 6Embodiment 6
도8은 본 발명의 실시 형태 6의 더미 웨이퍼(70)의 평면도를 도시한다. 본실시 형태의 더미 웨이퍼(70)는, 원주 보강부(64)에 절결부(72)를 3 곳 구비하고 있는 점을 제외하고, 실시 형태 5의 더미 웨이퍼(60)와 동일한 구조를 가지고 있다. 절결부(72)는, 웨이퍼 보우트(20)의 지지부(24)(도4 참조)와 대응하도록, 120°마다 등간격으로 설치되어 있다.8 shows a plan view of the dummy wafer 70 of Embodiment 6 of the present invention. The dummy wafer 70 of this embodiment has the same structure as the dummy wafer 60 of the fifth embodiment except that three cutouts 72 are provided in the circumferential reinforcement portion 64. The notch 72 is provided at equal intervals every 120 degrees so as to correspond to the support 24 (see FIG. 4) of the wafer boat 20.
더미 웨이퍼(70)는, 실시 형태 2의 경우와 같이, 절결부(72)가 하측으로 되도록, 또한, 절결부(72)가 지지부(24)와 결합하도록 웨이퍼 보우트(20)에 수납된다 (도4 참조). 따라서, 본 실시 형태의 더미 웨이퍼(70)에 따르면, 더미 웨이퍼(70)와 다른 웨이퍼의 간격을, 반도체 웨이퍼(26)끼리의 간격과 같게 할 수 있다.As in the case of the second embodiment, the dummy wafer 70 is housed in the wafer boat 20 so that the cutout 72 is lowered and the cutout 72 is engaged with the support 24 (FIG. 4). Therefore, according to the dummy wafer 70 of this embodiment, the space | interval of the dummy wafer 70 and another wafer can be made equal to the space | interval of the semiconductor wafers 26. As shown in FIG.
그런데, 상술한 실시 형태 5 및 6에서는, 원주 보강부(66)의 내측에, 환상 보강부(64)를 하나만 설치하는 것으로 하고 있지만, 본 발명은 이것에 한정되는 것이 아니라, 환상 보강부를 2개 이상 설치하는 것으로 해도 좋다.By the way, in Embodiment 5 and 6 mentioned above, although only one annular reinforcement part 64 is provided inside the circumferential reinforcement part 66, this invention is not limited to this, but two annular reinforcement parts are provided. It may be installed as described above.
실시 형태 7Embodiment 7
도9A는 본 발명의 실시 형태 7의 더미 웨이퍼(80)의 평면도를, 또, 도9B는 그 A-A' 단면도를 도시한다. 본 실시 형태의 더미 웨이퍼(80)는, 도1에 도시한 보강부(14) 대신 보강부(82)를 구비하고 있는 점을 제외하고, 실시 형태 1의 더미 웨이퍼(10)와 동일한 구조를 가지고 있다. 보강부(82)는, 도1에 있어서의 원주 보강부(18)에 상당하는 환상의 원주 보강부(84)와, 더미 웨이퍼(80)의 중심부에 설치된 원형의 중심 보강부(86)를 구비하고 있다.Fig. 9A is a plan view of the dummy wafer 80 of Embodiment 7 of the present invention, and Fig. 9B is a cross-sectional view along the line A-A '. The dummy wafer 80 of this embodiment has the same structure as the dummy wafer 10 of the first embodiment except that the reinforcement part 82 is provided instead of the reinforcement part 14 shown in FIG. have. The reinforcement part 82 is provided with the annular circumferential reinforcement part 84 corresponded to the circumferential reinforcement part 18 in FIG. 1, and the circular center reinforcement part 86 provided in the center of the dummy wafer 80. As shown in FIG. Doing.
반도체 웨이퍼(26)와 같이 열 처리되는 더미 웨이퍼에는, 열 변형에 의한 비틀림이 생기는 적이 있다. 이러한 비틀림이 생긴 더미 웨이퍼는, 그 후, 석영의연화온 부근으로 어닐링하더라도 원래로 복귀하는 것이 곤란하다.Distortion due to thermal deformation has occurred in a dummy wafer that is thermally treated like the semiconductor wafer 26. It is difficult to return the dummy wafer in which such distortion has occurred, even after annealing near the softening temperature of quartz afterwards.
본 실시 형태의 구조와 같이, 더미 웨이퍼(80)의 중앙부에 판두께가 두꺼운 부분(중심 보강부(86))이 설치되어 있으면, 더미 웨이퍼(80)는, 상술한 비틀림을 수반하는 일 없이 그 중앙부를 우묵하게 들어가게 하도록 열변형된다. 오목부가 생긴 더미 웨이퍼(80)는, 이후, 뒤집어 웨이퍼 보우트(20)에 탑재함으로써, 그대로 이용할 수 있다. 또한, 그와 같은 오목부는, 더미 웨이퍼(80)를 뒤집어 적절히 어닐링을 함으로써 용이하게 소멸시킬 수 있다. 따라서, 본 실시 형태의 더미 웨이퍼(80)에 따르면, 충분히 긴 사용 가능 기간을 확보할 수 있다.As in the structure of the present embodiment, when a thick plate portion (center reinforcement portion 86) is provided in the center portion of the dummy wafer 80, the dummy wafer 80 is not subjected to the above-described twisting. It is thermally deformed to recess the center. The dummy wafer 80 in which the recess is formed can be used as it is by flipping it over and mounting it on the wafer boat 20 afterwards. In addition, such a concave portion can be easily extinguished by inverting the dummy wafer 80 and annealing appropriately. Therefore, according to the dummy wafer 80 of this embodiment, a sufficiently long usable period can be ensured.
실시 형태 8Embodiment 8
도10은 본 발명의 실시 형태 8의 더미 웨이퍼(90)의 평면도를 도시한다. 본 실시 형태의 더미 웨이퍼(90)는, 원주 보강부(84)에 절결부(92)를 3 곳 구비하고 있는 점을 제외하고, 실시 형태 7의 더미 웨이퍼(80)와 동일한 구조를 가지고 있다. 절결부(92)는, 웨이퍼 보우트(20)의 지지부(24)(도4 참조)와 대응하도록, 120°마다 등간격으로 설치되어 있다.Fig. 10 shows a plan view of the dummy wafer 90 of Embodiment 8 of the present invention. The dummy wafer 90 of this embodiment has the same structure as the dummy wafer 80 of the seventh embodiment except that three cutouts 92 are provided in the circumferential reinforcement portion 84. The notch part 92 is provided at equal intervals every 120 degrees so as to correspond to the support part 24 (refer FIG. 4) of the wafer boat 20. As shown in FIG.
더미 웨이퍼(90)는, 실시 형태 2의 경우와 같이, 절결부(92)가 하측으로 되도록, 또한, 절결부(92)가 지지부(24)와 결합하도록 웨이퍼 보우트(20)에 수납된다(도4 참조). 따라서, 본 실시 형태의 더미 웨이퍼(90)에 따르면, 더미 웨이퍼(90)와 다른 웨이퍼의 간격을, 반도체 웨이퍼(26)끼리의 간격과 같게 할 수 있다.As in the case of the second embodiment, the dummy wafer 90 is housed in the wafer boat 20 so that the cutout portion 92 is lowered and the cutout 92 is engaged with the supporter 24 (FIG. 4). Therefore, according to the dummy wafer 90 of this embodiment, the space | interval of the dummy wafer 90 and another wafer can be made equal to the space | interval of the semiconductor wafers 26. As shown in FIG.
그런데, 상술한 실시 형태 1 내지 8에서는, 보강부를 더미 웨이퍼의 한 면에만 설치하는 것으로 하고 있지만, 본 발명은 이에 한정되는 것이 아니라, 보강부를 더미 웨이퍼의 양면에 설치하는 것으로서도 좋다.By the way, in Embodiment 1-8 mentioned above, although a reinforcement part is provided only in one surface of a dummy wafer, this invention is not limited to this, You may provide a reinforcement part in both surfaces of a dummy wafer.
실시 형태 9Embodiment 9
도11은 본 발명의 실시 형태 9의 더미 웨이퍼(100)의 평면도를 도시한다. 본 실시 형태의 더미 웨이퍼(100)는, 보강부(14) 대신 보강부(102)를 구비하고 있는 점을 제외하고, 실시 형태 1의 더미 웨이퍼(10)와 동일한 구조를 가지고 있다. 본 실시 형태에 있어서의 보강부(102)는, 더미 웨이퍼(100)의 중심을 둘러싸는 원형의 내주벽(104)과, 더미 웨이퍼(100)의 중심측으로 우묵하게 들어간 원호형의 외주벽(106)을 구비하고 있다.Fig. 11 shows a plan view of the dummy wafer 100 of Embodiment 9 of the present invention. The dummy wafer 100 of the present embodiment has the same structure as the dummy wafer 10 of the first embodiment except that the reinforcement part 102 is provided instead of the reinforcement part 14. The reinforcement part 102 in this embodiment has the circular inner peripheral wall 104 which surrounds the center of the dummy wafer 100, and the outer peripheral wall 106 of the arc shape recessed to the center side of the dummy wafer 100. ).
보강부(102)의 내주벽(104)은, 더미 웨이퍼(100)의 중심 부근을 원형으로 연삭함으로써 형성할 수 있다. 또한, 보강부(102)의 외주벽(106)은, 더미 웨이퍼(100)의 주연부 부근을 부채형으로 연삭함으로써 형성할 수 있다. 이들 연삭은, 어느쪽 연마재를 회전시키는 일반적인 가공 설비를 이용하여 용이하게 행할 수 있다. 따라서, 본 실시 형태의 더미 웨이퍼(100)는, 상술한 다른 더미 웨이퍼에 비해 제조가 용이하다.The inner circumferential wall 104 of the reinforcement part 102 can be formed by grinding the vicinity of the center of the dummy wafer 100 in a circular shape. The outer circumferential wall 106 of the reinforcing portion 102 can be formed by grinding the vicinity of the peripheral edge of the dummy wafer 100 in a fan shape. These grinding can be performed easily using the general processing equipment which rotates either abrasive. Therefore, the dummy wafer 100 of this embodiment is easy to manufacture compared with the other dummy wafer mentioned above.
본 실시 형태의 보강부(102)는, 더미 웨이퍼(100)의 원주를 대략 반에 걸쳐 보강하고 있음과 동시에, 더미 웨이퍼(100)의 직경 방향의 강도를 높이고 있다. 즉, 보강부(102)는, 실시 형태 1에 있어서의 방사부(16)가 가지는 이점과 원주 보강부(18)가 가지는 이점의 쌍방을 더불어 가지고 있다. 따라서, 더미 웨이퍼(100)는, 반송 등의 과정에서 파손이 생기기 어렵고, 열 처리 등의 과정에서 변형이 생기기 어렵고, 또한, 제조가 용이하다고 하는 우수한 효과를 가지고 있다.The reinforcement part 102 of this embodiment reinforces the circumference of the dummy wafer 100 about half, and raises the intensity | strength of the dummy wafer 100 in the radial direction. That is, the reinforcement part 102 has both the advantage which the radiation part 16 in Embodiment 1 has, and the advantage which the circumference reinforcement part 18 has. Therefore, the dummy wafer 100 has excellent effects such that damage is unlikely to occur in the process of conveyance or the like, deformation is unlikely to occur in the process of heat treatment or the like, and manufacturing is easy.
본 발명은 이상 설명한 바와 같이 구성되어 있으므로, 이하에 도시한 것 같은 효과를 나타낸다.Since this invention is comprised as demonstrated above, the effect as shown below is exhibited.
청구항 1에 기재된 발명에 따르면, 원주 보강부를 설치함으로써 더미 웨이퍼의 내파손성을 높일 수 있다. 따라서, 본 발명에 따르면, 더미 웨이퍼의 취급을 용이하게 하고, 또한, 그 사용 가능 기간을 장기화할 수 있다.According to the invention described in claim 1, the breakage resistance of the dummy wafer can be improved by providing the circumferential reinforcement portion. Therefore, according to the present invention, handling of the dummy wafer can be facilitated, and the usable period can be extended.
청구항 2에 기재된 발명에 따르면, 보강부가 본체와 일체이기 때문에, 더미 웨이퍼를 용이하게 제조할 수 있다. 또한, 본 발명에 따르면, 본체와 보강부의 열 변형량이 동일하기 때문에, 가열시에 있어서 더미 웨이퍼의 변형을 방지할 수 있다.According to the invention of claim 2, since the reinforcing portion is integrated with the main body, the dummy wafer can be easily manufactured. Further, according to the present invention, since the amount of thermal deformation of the main body and the reinforcement part is the same, deformation of the dummy wafer can be prevented at the time of heating.
청구항 3에 기재된 발명에 따르면, 보강부에 설치된 절결부에 웨이퍼 보우트의 지지부를 결합시킴으로써 더미 보우트와 다른 웨이퍼의 간격을, 제품화가 예정되는 반도체 웨이퍼끼리의 간격에 일치시킬 수 있다.According to the invention described in claim 3, the gap between the dummy boat and the other wafer can be matched with the interval between semiconductor wafers to be commercialized by coupling the support of the wafer boat to the cutout portion provided in the reinforcement portion.
청구항 4에 기재된 발명에 따르면, 더미 웨이퍼의 자중에 기인하는 응력을, 보강부의 방사부에 담당할 수 있다. 이 때문에, 본 발명에 따르면, 자중에 의한 더미 웨이퍼의 변형을 유효하게 방지할 수 있다.According to the invention described in claim 4, the stress caused by the own weight of the dummy wafer can be in charge of the radiating portion of the reinforcing portion. For this reason, according to this invention, the deformation of the dummy wafer by self weight can be prevented effectively.
청구항 5에 기재된 발명에 따르면, 원주 보강부의 내측에 적어도 하나의 환상 보강부를 설치함으로써, 더미 웨이퍼의 내파손성을 더욱 높일 수 있다.According to the invention of claim 5, by providing at least one annular reinforcing portion inside the circumferential reinforcing portion, the damage resistance of the dummy wafer can be further improved.
청구항 6에 기재된 발명에 따르면, 중심 보강부를 설치함으로써, 더미 웨이퍼에 비틀림이 생기는 것을 유효하게 방지할 수 있다. 따라서, 본 발명에 따르면, 더미 웨이퍼의 사용 가능 기간을 충분히 장기화할 수 있다.According to the invention described in claim 6, by providing the center reinforcement portion, it is possible to effectively prevent the occurrence of distortion in the dummy wafer. Therefore, according to the present invention, the usable period of the dummy wafer can be sufficiently extended.
청구항 7에 기재된 발명에 따르면, 보강부에 의해 더미 웨이퍼 본체의 원주 부분을 보강하여, 또한, 더미 웨이퍼 본체의 직경 방향의 강도를 높일 수 있다. 또, 본 발명에 있어서는, 보강부의 외주벽이 원호형이다. 이 때문에, 본 발명의 더미 웨이퍼는, 일반적인 가공 설비를 이용하여 용이하게 제조할 수 있다.According to the invention of claim 7, the circumferential portion of the dummy wafer body can be reinforced by the reinforcing portion, and the strength in the radial direction of the dummy wafer body can be increased. Moreover, in this invention, the outer peripheral wall of a reinforcement part is circular arc shape. For this reason, the dummy wafer of this invention can be manufactured easily using a general processing facility.
청구항 8에 기재된 발명에 따르면, 웨이퍼 보우트 내에, 반도체 웨이퍼와 같이 보강성 더미 웨이퍼를 셋트하여 열 처리를 행할 수 있다. 더미 웨이퍼는 충분한 기계적 강도를 가지고 있고, 가열시에 있어서 자중에 의한 변형도 억제할 수 있기 때문에, 안정된 열 처리의 실행이 가능해진다. 또한, 더미 웨이퍼는 우수한 내파손성을 가지고 있기 때문에, 상기한 열 처리를 경제적으로 행할 수 있다.According to the invention described in claim 8, a reinforcing dummy wafer can be set in a wafer boat like a semiconductor wafer, and heat treatment can be performed. Since the dummy wafer has sufficient mechanical strength and can suppress deformation due to its own weight at the time of heating, stable heat treatment can be performed. In addition, since the dummy wafer has excellent fracture resistance, the above heat treatment can be performed economically.
Claims (8)
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