KR20010065679A - Clock controller of memory module - Google Patents
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- G11C7/222—Clock generating, synchronizing or distributing circuits within memory device
Abstract
Description
본 발명은 메모리모듈의 클럭 콘트롤러에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 대용량 시스템에서 사용되는 메모리에서 플라이트 타임(flight time)과 클럭간의스큐(skew)에 의해 읽기와 쓰기시 데이터의 손실 및 시스템의 다운없이 안정적으로 사용할 수 있도록 PLL을 사용하여 스큐를 조절할 수 있도록 한 메모리모듈의 클럭 콘트롤러에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a clock controller of a memory module. More particularly, the present invention relates to a clock controller of a memory module, and more specifically, to a memory controller used in a large-capacity system. The present invention relates to a clock controller of a memory module that can adjust skew using a PLL for stable use.
요즈음은 시스템 버스의 속도가 100㎒ 이상으로 높아짐에 따라 PCB상의 전송선을 통해 클럭이 전달되는데 소요되는 시간인 플라이트 타임(flight time)에 의해 클럭이 불일치하는 공통 클럭 구조에서 전송선 길이를 동일하게 배치하여 클럭을 공급하도록 한 소스 동기 구조로 클럭 전송 방식이 바뀌고 있다.Nowadays, the transmission line lengths are equally arranged in a common clock structure in which the clock is inconsistent by the flight time, which is the time taken for the clock to be transmitted through the transmission line on the PCB as the system bus speed increases to 100 MHz or more. The clock transmission scheme is changing with a source synchronous structure that supplies a clock.
위와 같은 클럭 전송 방식에 의해 플라이트 타임에 의한 클럭의 불일치는 제거할 수 있으나 칩 내부의 클럭 버퍼를 통과하는데 소요되는 시간에 의해 외부 클럭과 내부 클럭이 서로 동기되지 않고 스큐(skew)가 발생하는 경우가 있다.The clock mismatch can be eliminated by the above clock transmission method, but when the external clock and the internal clock are not synchronized with each other due to the time required to pass the clock buffer inside the chip, skew occurs. There is.
이러한 스큐는 전송선의 전기적 특성이나 전파 지연 시간의 차이에 의해서 발생되는데 이런 클럭의 불일치로 인해 메모리를 중대형 컴퓨터 시스템에 장착하여 로딩을 할 때 데이터의 손실로 인해 시스템이 다운되는 등 불안정한 사용상태를 보이는 문제점이 있다.This skew is caused by the difference in electrical characteristics or propagation delay time of transmission line. Due to the inconsistency of the clock, when the memory is loaded into a medium-large computer system, the system is down due to loss of data when loading. There is a problem.
본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위해 창작된 것으로서, 본 발명의 목적은 스큐에 의한 클럭의 불일치를 PLL소자의 피드백 루프 패스의 커패시턴스 및 저항값을 조절하여 클럭을 동기화시킴으로써 안정적인 로딩이 이루어질 수 있도록 한 메모리모듈의 클럭 콘트롤러를 제공함에 있다.The present invention has been made to solve the above problems, and an object of the present invention is to achieve stable loading by synchronizing clocks by adjusting capacitance and resistance of a feedback loop pass of a PLL device for a clock mismatch caused by skew. To provide a clock controller of a memory module.
도 1은 본 발명에 의한 메모리모듈의 클럭 콘트로러의 PLL소자부분을 나타낸 회로구성도이다.1 is a circuit diagram showing a PLL element portion of a clock controller of a memory module according to the present invention.
- 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 --Explanation of symbols for the main parts of the drawings-
10 : 커패시터 접속부 20 : 루프 패스 설정부10 capacitor connection part 20 loop path setting part
30 : PLL소자 FC : 피드백 커패시터30: PLL element FC: feedback capacitor
12,14 : 제 1내지 제 2패드12,14: first to second pad
S1,S2,S3,S4,S5,S6 : 제 1내지 제 6선택부S1, S2, S3, S4, S5, S6: 1st to 6th selection unit
L1,L2,L3 : 제 1내지 제 3루프 패스L1, L2, L3: First to Third Loop Pass
상기와 같은 목적을 실현하기 위한 본 발명은 메모리모듈의 클럭 콘트롤러에 있어서, PLL소자의 피드백 입력핀과 접지 사이에 매개된 커패시터 접속부와, PLL소자의 피드백 출력핀과 PLL소자의 피드백 입력핀 사이를 연결하는 경로 길이가 서로 다른 다수개의 피드백 루프 패스를 선택하는 루프 패스 변경부를 포함하여 이루어진 것을 특징으로 한다.The present invention for achieving the above object is a clock controller of the memory module, the capacitor connection between the feedback input pin and the ground of the PLL device, and between the feedback output pin of the PLL device and the feedback input pin of the PLL device And a loop path changing unit for selecting a plurality of feedback loop paths having different path lengths.
위와 같이 이루어진 본 발명은 클럭의 스큐에 의한 불일치를 PLL소자의 피드백 입력단의 커패시터와 피드백 루프 패스의 저항값에 의해 입력되는 외부클럭과 내부클럭을 미세하게 동기시켜 시스템을 안정적으로 작동시키도록 할뿐만 아니라 임의로 스큐를 발생시켜 메모리소자의 마진을 분석할 수 있도록 한다.The present invention made as described above finely synchronizes the external clock and the internal clock inputted by the capacitor of the feedback input stage of the PLL element and the resistance of the feedback loop pass due to the skew of the clock, so that the system can be stably operated. Instead, random skew is generated to analyze the margin of the memory device.
이하, 본 발명의 바람직한 실시예를 첨부된 도면을 참조하여 설명한다. 또한 본 실시예는 본 발명의 권리범위를 한정하는 것은 아니고, 단지 예시로 제시된 것이다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings. In addition, this embodiment is not intended to limit the scope of the present invention, but is presented by way of example only.
도 1은 본 발명에 의한 메모리모듈의 클럭 콘트로러의 PLL소자부분을 나타낸 회로구성도이다.1 is a circuit diagram showing a PLL element portion of a clock controller of a memory module according to the present invention.
여기에 도시된 바와 같이 PLL소자의 피드백 입력핀(FBIN)과 접지(GND) 사이에 매개된 커패시터 접속부(10)가 형성되고, 피드백 출력핀(FBOUT)과 피드백 입력핀(FBIN) 사이를 연결하는 경로 길이가 서로 다른 제 1내지 제 3루프 패스(L1,L2,L3)를 선택하는 루프 패스 변경부(20)가 형성된다.As shown here, a capacitor capacitor 10 is formed between the feedback input pin FBIN and the ground GND of the PLL element, and connects the feedback output pin FBOUT and the feedback input pin FBIN. A loop path changing unit 20 for selecting the first to third loop paths L1, L2, and L3 having different path lengths is formed.
그리고, 커패시터 접속부(10)는 피드백 입력핀(FBIN)과 연결된 제 1패드(12)와, 접지(GND)와 연결된 제 2패드(14)사이에 피드백 커패시터(FC)를 접속할 수 있도록 구성된다The capacitor connection unit 10 is configured to connect the feedback capacitor FC between the first pad 12 connected to the feedback input pin FBIN and the second pad 14 connected to the ground GND.
또한, 루프 패스 변경부(20)는 PLL소자의 피드백 출력핀(FBOUT)과 피드백 입력핀(FBIN) 사이에 제 1선택부(S1)와 제 2선택부(S2)가 매개된 제 1루프 패스(L1)와, PLL소자의 피드백 출력핀(FBOUT)과 피드백 입력핀(FBIN) 사이에 제 3선택부(S3)와 제 4선택부(S4)가 매개된 제 2루프 패스(L2)와, PLL소자의 피드백 출력핀(FBOUT)과 피드백 입력핀(FBIN) 사이에 제 5선택부(S5)와 제 6선택부(S6)가 매개된 제 3루프 패스(L3)로 이루어진다.In addition, the loop path changing unit 20 may include a first loop path in which the first selector S1 and the second selector S2 are mediated between the feedback output pin FBOUT and the feedback input pin FBIN of the PLL device. A second loop path L2 in which the third selector S3 and the fourth selector S4 are interposed between the L1 and the feedback output pin FBOUT and the feedback input pin FBIN of the PLL element, A third loop path L3 in which a fifth selector S5 and a sixth selector S6 are interposed between the feedback output pin FBOUT and the feedback input pin FBIN of the PLL element.
이때, 제 1내지 제 3루프 패스(L1,L2,L3)의 길이는 모두 다르게 형성된다. 따라서, 제 1내지 제 3루프 패스(L1,L2,L3)의 길이에 따라 부하가 변하기 때문에 PLL의 특성을 미세하게 조절할 수 있게 된다.In this case, the lengths of the first to third loop paths L1, L2, and L3 are different from each other. Therefore, since the load varies depending on the length of the first to third loop paths L1, L2, and L3, the characteristics of the PLL can be finely adjusted.
그리고, 입력핀(CLK_IN)에는 외부클럭이 입력되도록 하고, 출력핀(CLK_OUT)은 각각의 메모리소자의 클럭단으로 연결된다.The external clock is input to the input pin CLK_IN, and the output pin CLK_OUT is connected to the clock terminal of each memory device.
위와 같이 이루어진 본 실시예의 작동을 설명하면 다음과 같다.Referring to the operation of the present embodiment made as described above are as follows.
입력핀(CLK_IN)을 통해 입력된 외부클럭과 출력핀(CLK_OUT)으로 출력되는 내부클럭간에 동기되지 않고 스큐가 발생할 경우 PLL의 커패시터 접속부(10)의 제 1패드(12)와 제 2패드(14) 사이에 24㎊∼27㎊의 피드백 커패시터(FC)를 탑재하여 클럭의 지연값을 조절한다. 그리고, 피드백 되는 루프 패스의 최적 길이를 산출하여 루프 패스 변경부(20)를 셋팅한다.The first pad 12 and the second pad 14 of the capacitor connection part 10 of the PLL when skew occurs when the skew occurs without synchronizing between the external clock inputted through the input pin CLK_IN and the internal clock outputted to the output pin CLK_OUT. A feedback capacitor (FC) of 24 kHz to 27 kHz is installed between the circuits to adjust the delay value of the clock. The loop path change unit 20 is set by calculating an optimum length of the loop path to be fed back.
즉, 제 2루프 패스(L2)를 사용하고자 할 경우에는 제 3선택부(S3)와 제 4선택부(S4)를 서로 연결시키게 되면 피드백 출력핀(FBOUT)과 피드백 입력핀(FBIN)이 제 2루프 패스(L2)를 통해 서로 연결되어 제 2루프 패스가 갖는 부하값에 의해 PLL의 특성을 보정되어 클럭을 동기시킬 수 있게 된다.That is, when the second loop path L2 is to be used, the feedback output pin FBOUT and the feedback input pin FBIN are connected to each other when the third selector S3 and the fourth selector S4 are connected to each other. The two loop paths L2 are connected to each other to correct the characteristics of the PLL by the load value of the second loop path to synchronize the clock.
따라서, PLL이 이상적인 특성을 갖지 않을 경우 피드백 커패시터(FC)의 용량값과 피드백 출력핀(FBOUT)과 피드백 입력핀(FBIN)을 연결하는 루프 패스의 길이를 조절하여 클럭을 미세조정할 수 있다.Therefore, when the PLL does not have ideal characteristics, the clock may be fine tuned by adjusting the capacitance value of the feedback capacitor FC and the length of the loop path connecting the feedback output pin FBOUT and the feedback input pin FBIN.
또한, 루프 패스 변경부(20)에서 제 1내지 제 6선택부(S1∼S6)를 연결할 때 0Ω의 연결수단을 사용하지만 루프 패스에 저항값을 부가할 경우 20Ω이내의 저항으로 연결할 수도 있다.In addition, when the loop path changing unit 20 connects the first to sixth selection units S1 to S6, 0 연결 connection means is used. However, when the resistance value is added to the loop path, the loop path changing unit 20 may use a resistance of 20 Ω or less.
한편, 임의로 피드백 커패시터(FC)와 루프 패스 변경부(20)를 조절하여 루프 패스의 길이 및 저항값을 조절함으로써 클럭에 스큐를 발생시켜 메모리장치의 데이터 억세스 시간, 홀드 타임 등의 마진을 분석할 수도 있다.Meanwhile, the feedback capacitor FC and the loop path changing unit 20 are arbitrarily adjusted to adjust the length and resistance of the loop path to generate skew on the clock to analyze the margin of data access time and hold time of the memory device. It may be.
상기한 바와 같이 본 발명은 외부클럭과 내부클럭간의 스큐를 PLL소자의 피드백 루프 패스의 길이에 의한 저항값 및 피드백 커패시턴스값을 조절하여 스큐를 임의로 조절하도록 함으로써 스큐발생을 억제하여 안정적인 로딩을 수행할 수 있는 이점이 있다.As described above, according to the present invention, the skew between the external clock and the internal clock is controlled by adjusting the resistance value and the feedback capacitance value according to the length of the feedback loop path of the PLL device, thereby suppressing the skew and thereby performing stable loading. There is an advantage to this.
또한, 임의로 스큐를 조절함으로써 메모리장치의 로딩동작에 있어서 클럭의마진을 분석할 수 있는 이점이 있다.In addition, by arbitrarily adjusting the skew, there is an advantage that the margin of the clock can be analyzed in the loading operation of the memory device.
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KR1019990065599A KR20010065679A (en) | 1999-12-30 | 1999-12-30 | Clock controller of memory module |
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KR100837278B1 (en) * | 2007-02-27 | 2008-06-11 | 삼성전자주식회사 | Clock skew controller and integrated circuit including the same |
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1999
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KR100837278B1 (en) * | 2007-02-27 | 2008-06-11 | 삼성전자주식회사 | Clock skew controller and integrated circuit including the same |
US7971088B2 (en) | 2007-02-27 | 2011-06-28 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Clock skew controller and integrated circuit including the same |
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