KR20010061607A - Cleaning machine for semiconductor device and the methode - Google Patents
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Abstract
Description
본 발명은 세정 장치 및 방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 반도체 장비, 인쇄회로 기판 등의 다양한 정밀제품의 표면을 효율적으로 세정하기 위한 반도체 장비 세정 장치 및 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a cleaning apparatus and method, and more particularly, to a semiconductor equipment cleaning apparatus and method for efficiently cleaning the surface of various precision products such as semiconductor equipment, printed circuit board.
일반적으로 정밀 부품즉, 반도체 장비, 인쇄회로 기판 등의 다양한 정밀 제품은 표면에 형성되어 있는 오염물을 제거하기 위한 세정 공정을 거치게 된다. 이러한 세정 공정은 액체 CO2등을 고압(대략 830psi 이상)으로 분사하는 장치를 통하여 액체 CO2를 정밀부품의 표면에 분사함으로서 오염물질을 제거한다. 그리고 이러한 세정장치는 세정 효율을 증가시키기 위하여 세정액의 분사 압력을 조절하고 세정액의 분사 노즐과 세정 대상물의 거리를 조절하여 세정이 이루어지도록 한다.In general, various precision products, such as semiconductor equipment and printed circuit boards, go through a cleaning process to remove contaminants formed on the surface. This cleaning process removes contaminants by spraying liquid CO 2 onto the surface of the precision part through a device for injecting liquid CO 2 at a high pressure (approximately 830 psi or more). In order to increase the cleaning efficiency, the cleaning apparatus adjusts the injection pressure of the cleaning liquid and adjusts the distance between the injection nozzle of the cleaning liquid and the cleaning object so that the cleaning is performed.
그러나 종래 세정장치는 가능한 고압으로 분사가 이루어짐으로서 세정매체(CO2)의 소모량이 증대되어 생산성이 떨어지는 단점이 있다. 또한 세정력의 강온 조절을 단순한 압력변수와 분사 노즐과 기판의 거리 변화를 통하여 세정력을 조절함으로서 세정매체의 방사현상이 증가되어 세정하고자 하는 정확한 지점에 대해 세정이 불충분하게 이루어져 정밀 제품 등의 정밀도를 감소시키는 문제점이 있다.However, the conventional cleaning apparatus has a disadvantage in that productivity is reduced by increasing the consumption of the cleaning medium (CO 2 ) by spraying at a high pressure possible. Also, by controlling the temperature of cleaning power through simple pressure variable and changing the distance between the spray nozzle and the substrate, the radiation phenomenon of the cleaning medium is increased, and the cleaning is insufficient at the exact point to be cleaned, which reduces the precision of precision products. There is a problem.
그리고 종래의 세정장치에서 사용되는 세정매체는 CO2또는 Ar에 국한되어 세정 대상물 한정되는 문제점이 있다.In addition, the cleaning medium used in the conventional cleaning apparatus is limited to CO 2 or Ar, and there is a problem in that the cleaning target is limited.
따라서 본 발명은 상기한 문제점을 해결하기 위하여 제안된 것으로서, 본 발명의 목적은 세정매체로 사용되는 복합입자(초순수 미립자가 핵을 이루며 그 주위에 이산화탄소 또는 아르곤이 응축되어 있는 입자)를 형성시켜 세정력의 극대화 및 다양화를 도모할 수 있도록 하며, 세정장치에 사용되는 액체 질소가 자연 기화되는 것을 현저히 줄임으로서 원가 절감은 물론 세정매체의 양을 줄이면서도 입자의 고화율을 증대시켜 세정효과를 극대화시키는 반도체 장비 세정 장치 및 방법을 제공하는데 있다.Therefore, the present invention has been proposed to solve the above problems, and an object of the present invention is to form a composite particle (particles with ultrapure water fine particles forming a nucleus and carbon dioxide or argon condensed around) to be used as a cleaning medium. Maximization and diversification, and by greatly reducing the natural vaporization of liquid nitrogen used in the cleaning device, not only reduce the cost but also increase the solidification rate of the particles while reducing the amount of cleaning medium to maximize the cleaning effect A semiconductor device cleaning apparatus and method are provided.
상기의 목적을 달성하기 위하여 본 발명은, 일정한 수납공간을 구비하고 있는 세정쳄버와; 상기 세정쳄버의 내부에 상하, 이동 및 회전 가능하게 배치되며 세정 대상물이 안착되는 기판과; 상기 세정쳄버에 설치되며 상기 기판에 안착되는 세정대상물에 세정용 복합입자를 분사하기 위한 분사노즐과; 상기 분사노즐과 관로로 연결되며 초순수를 미세입자로 만들어 상기 관로로 공급하는 초음파 분무기와; 상기 초음파 분무기와 상기 분사 노즐 사이의 관로와 연결되어 상기 초순수의 미세입자와 혼합되도록 연결되는 이산화탄소 또는 아르곤이 수용되는 쳄버; 상기 초순수 입자를 핵으로 하여 상기 핵의 외주에 상기 이산화탄소 또는 아르곤이 응축되어 세정 물질이 형성되도록 기체 상태의 질소가 액체 상태의 질소를 수용하고 있는 쳄버의 내부를 순환하여 극 저온으로 형성된 기체 상태의 질소로 변환되어 상기 초음파 분무기와 상기 분사 노즐이 연결되는 관로로 이송되도록 하는 냉각기를 포함하고 있는 반도체 장비 세정 장치를 제공한다.In order to achieve the above object, the present invention, the cleaning chamber having a constant storage space; A substrate disposed in the cleaning chamber so as to be movable up, down, and rotatable and in which a cleaning object is mounted; An injection nozzle installed in the cleaning chamber and spraying the cleaning composite particles onto a cleaning object seated on the substrate; An ultrasonic nebulizer connected to the injection nozzle and a conduit and supplying ultra-pure water to the conduit; A chamber containing carbon dioxide or argon connected to a conduit between the ultrasonic nebulizer and the spray nozzle to be mixed with the ultrapure water fine particles; The gaseous nitrogen is circulated inside the chamber containing the nitrogen in the liquid state so that the carbon dioxide or argon is condensed on the outer circumference of the core using the ultrapure particles as the nucleus to form a cleaning material. Provided is a semiconductor equipment cleaning apparatus including a cooler which is converted to nitrogen and transported to a conduit connecting the ultrasonic nebulizer and the spray nozzle.
도 1은 본 발명에 따른 실시예를 설명하기 위한 구성도,1 is a configuration diagram for explaining an embodiment according to the present invention;
도 2는 도 1의 주요부인 초음파 분무장치를 상세하게 설명하기 위한 도면,2 is a view for explaining in detail the ultrasonic spray device which is a main part of FIG.
도 3은 도 1의 주요부인 냉각기의 구조 및 작용을 설명하기 위한 도면이다.3 is a view for explaining the structure and operation of the cooler that is the main part of FIG.
이하, 첨부 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세하게 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
도 1은 본 발명에 따른 실시예를 설명하기 위한 세정장치의 구성도로서, 세정쳄버(1)를 도시하고 있다. 상기 세정 쳄버(1)는 세정 대상물이 배치되어 세정작업이 이루어지는 곳으로 내부에 수납공간이 형성되어 있으며, 클래스 10(class 10, 0.5μ 이상의 입자가 10개/ft3이내) 정도의 청정 룸으로 이루어져 있다. 상기 세정쳄버(1)는 그 내부에 세정 대상물을 올려놓을 수 있는 기판(3)이 마련되어 있다. 상기 기판(3)은 회전과 직선 왕복운동을 할 수 있도록 기구적인 메커니즘을 구비하고 있다. 상기 기판(3)의 이동에 관한 메커니즘은 모터 또는 공압 실린더 등의 구동수단에 의하여 이동할 수 있는 통상의 구조를 가지고 있으며 이는 일반적인 구조이므로 상세한 구조의 설명은 생략한다. 상기 기판(3)의 일측에는 히터(5)가 배치되어 있다. 상기 히터(5)는 상기 기판(3)을 일정한 온도 즉, 대략 40℃~100℃ 정도로 데우기 위한 장치이다. 상기 히터(5)는 별도로 구성되는 컨트롤러(9)와 연결되어 적정한 온도로 상기 기판(3)을 데우거나 유지할 수 있는 역할을 한다. 특히 상기 히터(5)는 기판(3)의 상부에 배치되는 것이 바람직하고, 이 히터(5)의 상부에 세정 대상물 즉, 반도체 장비, 인쇄회로 기판 등의 정밀부품을 안착시켜 세정할 때 세정 대상물에서 떨어져 나온 부산물이 부유되는 열영동현상에 의하여 재 오염되는 것을 방지한다.1 is a block diagram of a cleaning apparatus for explaining an embodiment according to the present invention, showing a cleaning chamber 1. The cleaning chamber (1) is a clean room of a class 10 (class 10, 0.5 μ or more particles of less than 10 / ft 3 ) where the storage object is disposed and the cleaning operation is performed. consist of. The cleaning chamber 1 is provided with a substrate 3 on which a cleaning object can be placed. The substrate 3 is provided with a mechanical mechanism for rotating and linear reciprocating motion. The mechanism related to the movement of the substrate 3 has a conventional structure which can be moved by a driving means such as a motor or a pneumatic cylinder, which is a general structure, and thus the description of the detailed structure is omitted. The heater 5 is disposed on one side of the substrate 3. The heater 5 is a device for warming the substrate 3 to a constant temperature, that is, approximately 40 ° C to 100 ° C. The heater 5 is connected to the controller 9 is configured separately serves to heat or maintain the substrate 3 at an appropriate temperature. In particular, the heater 5 is preferably disposed on the upper portion of the substrate 3, and the object to be cleaned when the cleaning object is placed on the heater 5, that is, a precision component such as a semiconductor device or a printed circuit board, is cleaned. Prevents by-products from re-contamination by suspended thermophoresis.
그리고 상기 세정쳄버(1)는 그 내부에 세정 대상물에서 세정 후 분리된 오염물을 외부로 배출하기 위한 배출기(9)가 마련된다. 상기 배출기(9) 역시 세정 후에 세정 대상물에 오염물이 다시 접착되지 않도록 하기 위한 것이다.In addition, the cleaning chamber 1 is provided with an ejector 9 for discharging the contaminants separated after the cleaning from the object to be cleaned to the outside. The ejector 9 is also intended to prevent contaminants from sticking to the object to be cleaned again after cleaning.
상기 세정쳄버(1)는 그 내부에 조명을 위한 적외선 램프(11)가 배치되며, 또한 세정쳄버(1) 내부의 청정 상태를 유지하기 위한 필터(13)가 설치된다.In the cleaning chamber 1, an infrared lamp 11 for illumination is disposed therein, and a filter 13 for maintaining a clean state inside the cleaning chamber 1 is provided.
또한 상기 세정쳄버(1)는 내부에 수분제거기(15)가 배치되어 있으며, 상기 수분 제거기(15)는 히팅된 질소가스를 공급함으로 상기 세정쳄버(1) 내의 수분을 제거하는 역할을 하고 있다.In addition, the cleaning chamber 1 has a moisture remover 15 disposed therein, and the moisture remover 15 serves to remove moisture in the cleaning chamber 1 by supplying heated nitrogen gas.
한편 상기 세정쳄버(1)는 기판(3)측으로 향하도록 분사노즐(15)이 마련되어 있으며, 상기 분사노즐(17)은 고체상태의 세정매체를 형성시키는 세정매체 발생기어셈블리(19)와 세정매체를 공급받아 세정대상물에 분사할 수 있도록 관로로 연결되어 있다.On the other hand, the cleaning chamber 1 is provided with a spray nozzle 15 facing the substrate 3 side, the spray nozzle 17 is a cleaning medium generator assembly 19 and the cleaning medium to form a cleaning medium in the solid state It is connected to the pipeline so that it can be supplied and sprayed on the cleaning object.
상기 세정매체 발생기 어셈블리(19)는 초음파 분무기(21)와 냉각기(23) 그리고 냉각기(23)를 통과하도록 구성되어 있는 질소 쳄버(25) 및 이산화탄소 또는 아르곤을 수용하고 있는 세정가스 쳄버(27)를 포함하고 있다.The cleaning medium generator assembly 19 includes a nitrogen chamber 25 configured to pass through the ultrasonic atomizer 21, the cooler 23, and the cooler 23, and a cleaning gas chamber 27 containing carbon dioxide or argon. It is included.
상기 초음파 분무기(21)는 관로를 통하여 분사노즐(17)과 연결되어 있다. 그리고 상기 초음파 분무기(21)의 출구측 관로에는 초음파 분무기(21)를 통과하는 초순수 미립자의 양을 첵크할 수 있는 플로우미터(21)가 배치되어 있다.The ultrasonic nebulizer 21 is connected to the injection nozzle 17 through a conduit. In addition, a flow meter 21 capable of checking the amount of ultrapure water fine particles passing through the ultrasonic nebulizer 21 is disposed in the outlet side conduit of the ultrasonic nebulizer 21.
그리고 상기한 질소 쳄버(25)는 기체 상태의 질소가 관로를 통하여 냉각기(23)를 거쳐 초음파 발생기(21)와 분사노즐(17)이 연결되는 관로로 인입될 수 있는 구조를 가지고 있다.In addition, the nitrogen chamber 25 has a structure in which nitrogen in a gaseous state can be introduced into a pipeline through which the ultrasonic generator 21 and the injection nozzle 17 are connected via a cooler 23 through a pipeline.
또한 상기 세정가스쳄버(27)는 관로를 통하여 상기한 초음파 발생기(21)와 분사노즐(17)을 연결하는 관로와 연결되어 이산화탄소 또는 아르곤 가스를 공급할 수 있는 구조를 가지고 있다. 상기 세정가스쳄버(27)는 본 실시예에서는 이산화탄소 또는 아르곤을 수용하는 예를 들어 설명하고 있으나, 이에 한정되는 것은 아니며, 세정매체로 사용되는 가스가 수용되어도 무방하다.In addition, the cleaning gas chamber 27 is connected to the pipe connecting the ultrasonic generator 21 and the injection nozzle 17 through a pipe and has a structure capable of supplying carbon dioxide or argon gas. In the present embodiment, the cleaning gas chamber 27 has been described as an example of accommodating carbon dioxide or argon. However, the cleaning gas chamber 27 is not limited thereto, and a gas used as a cleaning medium may be accommodated.
상기 질소쳄버(25) 및 상기 세정가스쳄버(27)의 출구측 관로에는 각각 압력조절을 위한 레귤레이터(31, 33) 및 유량조절을 위한 유량 조절기(35, 37)가 배치되어 있다.In the outlet line of the nitrogen chamber 25 and the cleaning gas chamber 27, regulators 31 and 33 for pressure control and flow regulators 35 and 37 for flow rate control are disposed, respectively.
상기 초음파 분무기(21)는 초순수를 미세한 입자로 만들기 위한 장치로, 도2에 도시하고 있는 바와 같이, 초순수를 수용하고 있는 쳄버(51)와, 상기 쳄버(51)의 일측에 초음파 발생기(53)가 마련되어 있고, 상기 쳄버(51)의 중간부에는 초음파를 전달시킬 수 있는 매개체로 알루미늄 호일(55)이 배치되어 있다. 상기 초음파 분무기(21)는 쳄버(51)의 선단부에 초순수 미립자가 배출될 수 있는 관로가 마련되어 있고 상기 관로는 상술한 냉각된 질소가 지나는 관로와 연결되어 있다.The ultrasonic nebulizer 21 is an apparatus for making ultrapure water into fine particles. As shown in FIG. 2, an ultrasonic generator 53 is provided on one side of the chamber 51 and a chamber 51 containing ultrapure water. Is provided, the aluminum foil 55 is disposed in the middle of the chamber 51 as a medium capable of transmitting ultrasonic waves. The ultrasonic nebulizer 21 is provided with a conduit through which ultrapure water fine particles can be discharged from the front end of the chamber 51, and the conduit is connected to the conduit through which the cooled nitrogen passes.
한편 냉각기(23)는, 도 3에 도시하고 있는 바와 같이, 액체 질소가 수용되는 쳄버(81)와 상기 쳄버(81)에 수납되며 상기 쳄버(81)를 밀폐시키는 질소가스 유통로(83)가 마련되어 있다. 상기 질소가스 유통로(83)는 질소가스가 유입될 수 있도록 내부에 길이 방향으로 메인관로(85)가 배치되어 있으며, 이 메인관로(85)의 외주에는 질소 가스의 체류시간을 오래 갖고 열을 방출하기 위한 다수의 방열핀(87)이 마련되어 있다. 그리고 상기 질소가스 유통로(83)의 상측에는 고무재질로 이루어지며 상기 쳄버(81)를 밀폐시킬 수 있는 마개(89)가 설치되어 있다. 상기 마개(89)는 상부에 액체 질소가 기화되면 외부로 배출할 수 있는 안전밸브(91)가 설치되어 상기 쳄버(81)와 관로를 통하여 연결되어 있다. 물론 상기 메인관로(85)는 질소 쳄버(25)의 질소가스가 인입되어 액체 질소에 의하여 냉각된 후 분사노즐(17) 측으로 배출될 수 있도록 질소 가스 이동 관로와 연결되어 있다.Meanwhile, as shown in FIG. 3, the cooler 23 includes a chamber 81 in which liquid nitrogen is accommodated, and a nitrogen gas distribution passage 83 accommodated in the chamber 81 to seal the chamber 81. It is prepared. The nitrogen gas flow passage 83 has a main pipe line 85 disposed in the longitudinal direction so that nitrogen gas can be introduced therein, and the outer periphery of the main pipe line 85 has a long residence time of nitrogen gas and heats it. A plurality of heat dissipation fins 87 are provided for discharging. And the upper side of the nitrogen gas flow passage (83) is made of a rubber material and is provided with a stopper (89) for sealing the chamber (81). The stopper 89 is provided with a safety valve 91 for discharging to the outside when the liquid nitrogen is vaporized in the upper portion is connected to the chamber 81 through a pipeline. Of course, the main pipe line 85 is connected to the nitrogen gas moving pipe so that the nitrogen gas of the nitrogen chamber 25 is drawn in and cooled by the liquid nitrogen and then discharged to the injection nozzle 17.
이와 같이 이루어지는 반도체 장비 세정 장치를 이용한 세정 방법에 대하여 상세하게 설명한다.The washing | cleaning method using the semiconductor equipment washing | cleaning apparatus comprised in this way is demonstrated in detail.
우선 세정쳄버(1)의 내부에 배치되어 있는 히터(5)의 상측에 세정을 위한 세정 대상물을 안착시킨다. 그리고 상기 초음파 분무기(21)를 작동시키면 초음파 발생기(53)에서 초음파가 발생하여 매개체인 알루미늄 호일(55)로 전달된다. 그러면 초순수를 수용하고 있는 쳄버(51)에서 초순수 미립자가 발생하여 관로를 타고 분사노즐(17) 측으로 이동한다. 이때 세정가스 쳄버(27)에 수용되어 있는 이산화탄소 또는 아르곤을 방출시킨다. 그리고 이와 동시에 질소 쳄버(25)에 있는 질소 가스를 방출시켜 냉각기(23)의 메인 관로(85)로 인입시켜 방열핀(87)을 통과하면서 일정시간 체류하여 냉각된 상태로 상기 분사노즐(17) 측으로 전달되도록 한다.First, a cleaning object for cleaning is placed on the upper side of the heater 5 disposed inside the cleaning chamber 1. When the ultrasonic nebulizer 21 is operated, ultrasonic waves are generated from the ultrasonic generator 53 and transferred to the aluminum foil 55 which is a medium. Then, ultrapure water fine particles are generated in the chamber 51 accommodating the ultrapure water, and move to the injection nozzle 17 in the pipeline. At this time, carbon dioxide or argon contained in the cleaning gas chamber 27 is released. At the same time, the nitrogen gas in the nitrogen chamber 25 is discharged and introduced into the main conduit 85 of the cooler 23, and passes through the heat radiating fin 87 to stay for a predetermined time to the injection nozzle 17 in a cooled state. To be delivered.
상기 질소 가스의 냉각은 액체 질소가 수용되어 있는 쳄버(81)의 온도는 대기압하에서 -198℃ 정도가 되기 때문에 이를 통과한 질소 가스는 극 저온 상태로 냉각되는 것이다.In the cooling of the nitrogen gas, since the temperature of the chamber 81 in which the liquid nitrogen is accommodated is about -198 ° C. under atmospheric pressure, the nitrogen gas passing through the nitrogen gas is cooled to an extremely low temperature state.
따라서 초순수 미립자와 이산화탄소 또는 아르곤과 냉각된 질소가 만나면 초순수 미립자가 우선 핵을 이루며 응결되고, 핵의 외주에 이산화탄소(freezing point :-78.2℃) 또는 아르곤(freezing point :-165,6℃)이 응결되어 고화된다. 이와 같이 고화된 세정매체가 분사노즐(17)을 통하여 분사되어 세정 대상물의 세정이 이루어진다. 세정매체가 세정대상물에 부딪히면 오염물을 제거하고 자신은 승화하게 된다. 세정력을 결정짓는 요인은 질량 및 농도 그리고 속도에 따라 결정되는데, 본원 발명은 고형화되는 미립자의 크기를 크게함으로서 세정효율을 증대시키는 것이다.Therefore, when ultra pure water particles and carbon dioxide or argon and cooled nitrogen meet, ultra pure water particles first form a nucleus, and carbon dioxide (freezing point: -78.2 ℃) or argon (freezing point: -165,6 ℃) condenses on the outer periphery of the nucleus. And solidify. The cleaning medium solidified in this way is injected through the injection nozzle 17 to clean the object to be cleaned. When the cleaning medium hits the cleaning object, it removes contaminants and sublimates itself. Factors that determine the cleaning power are determined by mass, concentration and speed. The present invention is to increase the cleaning efficiency by increasing the size of the solidified particles.
그리고 상기 히터(5)는 기판(3)을 대략 40℃~100℃로 가열하게 된다. 그러면 세정대상물에서 세정된 오염물 등이 열영동현상에 의하여 세정 대상물에 다시 달라붙지 않게 된다. 그리고 배출기(9)가 작동하여 세정쳄버(1)의 내부를 순환하는 오염물을 외부로 배출하여 세정대상물의 오염을 방지할 수 있게 된다.The heater 5 heats the substrate 3 to about 40 ° C to 100 ° C. Then, contaminants and the like cleaned from the cleaning target do not stick to the cleaning target again by the thermophoretic phenomenon. In addition, the ejector 9 operates to discharge the contaminants circulating in the cleaning chamber 1 to the outside, thereby preventing contamination of the cleaning object.
상기 기판(3)은 회전이 전, 후진 이동이 가능하여 표면에 붙어 있는 효과적으로 제거할 수 있다.The substrate 3 can be moved forward and backward, so that the substrate 3 can be effectively removed.
또한 질소쳄버(25) 및 세정가스쳄버(27)에서 배출되는 질소 및 이산화탄소 또는 아르곤의 배출유량을 유량 조절기(35, 37)를 통하여 조절함으로서 세정매체의 수농도를 조절하여 극저온 상태를 통과한 입자들이 고화되어 분사되고 이산화탄소 등의 수농도의 양에 따라 세정력이 조절된다. 따라서 세정 대상물의 특성에 적합하도록 다양하게 세정력을 조절하여 세정작업을 할 수 있는 것이다.In addition, by controlling the discharge flow rate of nitrogen and carbon dioxide or argon discharged from the nitrogen chamber 25 and the cleaning gas chamber 27 through the flow controllers 35 and 37, the particles passed through the cryogenic state by controlling the water concentration of the cleaning medium. Are solidified and sprayed, and the cleaning power is adjusted according to the amount of water concentration such as carbon dioxide. Therefore, it is possible to perform the cleaning operation by adjusting the cleaning power to suit the characteristics of the object to be cleaned.
그리고 상술한 본발명의 냉각기(23)는 세정매체의 고화율을 증대시켜 세정매체의 절감효과를 이루게 된다.In addition, the cooler 23 of the present invention increases the solidification rate of the cleaning medium, thereby achieving the effect of reducing the cleaning medium.
한편 상기 수분 제거기(15)는 세정작업이 이루어지는 동안에 필요에 따라 컨트롤러에 의하여 히팅된 질소의 작용으로 세정쳄버의 내부의 수분을 제거하게 된다. 그리고 상기 이오나이저(10)는 세정대상물을 세정할 때 발생하는 정전기를 제거하게 된다.On the other hand, the moisture remover 15 removes the moisture in the cleaning chamber by the action of nitrogen heated by the controller as necessary during the cleaning operation. The ionizer 10 removes static electricity generated when cleaning the object to be cleaned.
이와 같이 본 발명은 복합입자의 제조로 세정력 증대 및 다양한 복합입자 제조로 다양한 세정 대상물에 적용시킬 수 있어 그 적용범위가 넓어지며, 액체 질소를 이용한 극저온 냉각기에서 자연 기화되는 액체질소량의 소모율을 감소시키고 열교환 효과로 세정매체의 소모량을 절감하면서도 세정력이 향상되는 효과가 있다. 또한 세정 쳄버의 내에 배출기를 설치함으로서 세정 후 발생되는 세정 부산물을 신속하게 제거하여 재 오염을 방지할 수 있으며, 유량 조절기를 이산화탄소 또는 아르곤이 수용되어 있는 쳄버와 연결되는 관로에 설치하여 주 세정매체인 이산화탄소의 수농도를 조절할 수 있어 세정력의 강온 조절이 가능하여 다양한 세정대상물에 최적의 세정효과를 얻을 수 있다.As described above, the present invention can be applied to various cleaning objects by increasing the cleaning power and manufacturing various composite particles by manufacturing the composite particles, thereby reducing the consumption rate of the amount of liquid nitrogen naturally evaporated in the cryogenic cooler using liquid nitrogen. The heat exchange effect has an effect of improving the cleaning power while reducing the consumption of the cleaning medium. In addition, by installing an ejector in the cleaning chamber, it is possible to quickly remove the cleaning by-products generated after cleaning to prevent re-contamination, and to install the flow controller in the pipeline connected to the chamber containing carbon dioxide or argon. The water concentration of carbon dioxide can be adjusted to control the temperature of cleaning power, so that the optimum cleaning effect can be obtained for various cleaning objects.
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