KR20010055253A - Wire bond head for manufacturing semiconductor package - Google Patents
Wire bond head for manufacturing semiconductor package Download PDFInfo
- Publication number
- KR20010055253A KR20010055253A KR1019990056407A KR19990056407A KR20010055253A KR 20010055253 A KR20010055253 A KR 20010055253A KR 1019990056407 A KR1019990056407 A KR 1019990056407A KR 19990056407 A KR19990056407 A KR 19990056407A KR 20010055253 A KR20010055253 A KR 20010055253A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- support
- motor
- distance sensor
- capillary
- wire
- Prior art date
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 23
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 14
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims description 27
- 230000007423 decrease Effects 0.000 abstract description 10
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 abstract 1
- 230000005672 electromagnetic field Effects 0.000 abstract 1
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 abstract 1
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 11
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 4
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 3
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 3
- 239000000696 magnetic material Substances 0.000 description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- 230000008569 process Effects 0.000 description 3
- 235000002595 Solanum tuberosum Nutrition 0.000 description 2
- 244000061456 Solanum tuberosum Species 0.000 description 2
- 230000007257 malfunction Effects 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 235000012015 potatoes Nutrition 0.000 description 2
- 229910000859 α-Fe Inorganic materials 0.000 description 2
- 206010028980 Neoplasm Diseases 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 201000011510 cancer Diseases 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- 230000006641 stabilisation Effects 0.000 description 1
- 238000011105 stabilization Methods 0.000 description 1
- 230000000087 stabilizing effect Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies
- H01L24/78—Apparatus for connecting with wire connectors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
- H01L21/60—Attaching or detaching leads or other conductive members, to be used for carrying current to or from the device in operation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
- H01L2224/78—Apparatus for connecting with wire connectors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/00014—Technical content checked by a classifier the subject-matter covered by the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group, being disclosed without further technical details
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Wire Bonding (AREA)
Abstract
Description
본 발명은 반도체패키지 제조용 와이어 본드 헤드에 관한 것으로, 보다 상세하게 설명하면 코일에 의한 저항열, 열에 의한 거리 센서의 자속 밀도 감소 현상 등을 억제하여 와이어 본딩 수율을 향상시킬 수 있는 반도체패키지 제조용 와이어 본드 헤드에 관한 것이다.The present invention relates to a wire bond head for manufacturing a semiconductor package, and in more detail, a wire bond for manufacturing a semiconductor package which can improve wire bonding yield by suppressing resistance heat caused by a coil and a decrease in magnetic flux density of a distance sensor due to heat. It's about the head.
통상적으로, 다수의 리드 또는 회로패턴 등이 형성되어 있는 리드프레임이나 인쇄회로기판에 반도체칩이 접착된 후에는, 상기 반도체칩의 입출력패드와 리드 또는 회로패턴 사이를 직경이 매우 작은 도전성 와이어를 이용하여 상호 접속시키는 와이어 본딩 공정이 뒤따른다. 이러한 와이어 본딩 공정은 주지된 바와 같이 와이어 본더에 의해 실시되며, 상기 와이어 본더중 실질적으로 와이어 본딩을 실시하는 와이어 본드 헤드(100')를 도1a 및 도1b에 간략히 도시하였다.In general, after a semiconductor chip is bonded to a lead frame or a printed circuit board on which a plurality of leads or circuit patterns are formed, a conductive wire having a very small diameter is used between the input / output pad of the semiconductor chip and the lead or circuit pattern. Followed by a wire bonding process for interconnection. This wire bonding process is performed by a wire bonder as is well known, and the wire bond head 100 ', which substantially performs wire bonding among the wire bonders, is briefly shown in FIGS. 1A and 1B.
도시된 바와 같이, 외부 프레임으로서 지지체(2)의 선단에는 바(bar) 형상의 트랜스듀서(4)가 장착되어 있고, 상기 트랜스듀서(4)의 일단에는 반도체칩의 입출력패드와 리드 등을 도전성 와이어로 본딩하는 캐필러리(6)가 설치되어 있다. 또한 상기 트랜스듀서(4)의 타단에는 진동자(미도시)가 설치되어 와이어 본딩시, 진동자에 의해 트랜스듀서(4)의 일단에 설치되는 캐필러리(6)가 트랜스듀서(4)의 진동에 따라 진동하면서 와이어 본딩을 실시하도록 되어 있다.As shown in the figure, a bar-shaped transducer 4 is mounted at the tip of the support 2 as an outer frame, and one end of the transducer 4 conducts an input / output pad and a lead of a semiconductor chip. The capillary 6 bonded with the wire is provided. In addition, a vibrator (not shown) is installed at the other end of the transducer 4 so that the capillary 6, which is installed at one end of the transducer 4 by the vibrator, is vibrated by the vibrator when the wire is bonded. The wire bonding is performed while vibrating along.
또한, 상기 트랜스듀서(4)의 상부인 지지체(2)에는 도전성와이어를 클램핑하는 와이어 클램프(8)가 설치되어 있고, 상기 와이어 클램프(8)의 선단에는 상기 캐필러리(6)로 도전성와이어를 안내하는 와이어 가이드 튜브(10)가 설치되어 있다. 더불어 상기 와이어 가이드 튜브(10) 일측에는 도전성와이어의 끝단을 소정의 볼 형상으로 만들기 위해 상기 도전성와이어에 불꽃 방전을 일으키는 전극(18)이 설치되어 있으며, 이 전극(18)은 대략 바(bar) 형상의 암(20)에 결합되어 있다.In addition, a wire clamp 8 for clamping conductive wires is provided on the support 2, which is an upper portion of the transducer 4, and conductive wires are formed on the front end of the wire clamp 8 by the capillary 6. The wire guide tube 10 for guiding is provided. In addition, one side of the wire guide tube 10 is provided with an electrode 18 for causing a spark discharge on the conductive wire to make the end of the conductive wire into a predetermined ball shape, the electrode 18 is approximately a bar (bar) It is coupled to the arm 20 of the shape.
한편, 상기 지지체(2)의 하부에는 상기 캐필러리(6)를 Z축 방향으로 상,하 이동시킬 수 있도록 Z모터(16)가 결합되어 있으며, 또한 상기와 같이 캐필러리(6)가 하강하여 반도체칩의 입출력패드를 본딩하게 될 때, 상기 입출력패드와 캐필러리(6)의 근접한 높이를 감지할 수 있도록 거리센서(12)가 설치되어 있다.Meanwhile, the Z motor 16 is coupled to the lower portion of the support 2 to move the capillary 6 up and down in the Z-axis direction, and the capillary 6 is further formed as described above. When descending to bond the input and output pads of the semiconductor chip, the distance sensor 12 is installed to detect the close height of the input and output pads and the capillary (6).
상기 거리센서(12)와 대향하는 위치에는 타겟(14)이 설치되어 있으며, 상기 거리센서(12)는 상기 타겟(14)과의 상대적 거리를 참조하여 반도체칩의 입출력패드와 캐필러리(6)의 근접한 거리를 감지하게 된다.A target 14 is installed at a position facing the distance sensor 12, and the distance sensor 12 refers to a relative distance from the target 14, and an input / output pad and a capillary 6 of the semiconductor chip. ) Will detect the close distance.
도2a 내지 도2d는 상기 거리센서의 원리를 도시한 설명도 및 그래프이다.2A to 2D are explanatory views and graphs showing the principle of the distance sensor.
통상 근접 스위치는 단순히 상대 타겟(금속판)이 근접했다는 것만을 감지하는 데 반해, 상기 타겟까지의 거리까지 감지하는 센서를 거리센서라 한다. 원리는 타겟에 소정의 전류가 흐르는 코일 또는 자성체가 접근할수록, 자속이 감소하는 현상을 이용한 것이다.In general, the proximity switch merely detects that the relative target (metal plate) is close, whereas a sensor that detects the distance to the target is called a distance sensor. The principle is to use the phenomenon that the magnetic flux decreases as the coil or the magnetic material flowing a predetermined current approaches the target.
도2a에서와 같이 거리센서(코일)와 타겟(금속판)과의 거리 L이 무한히 멀 때, 감지되는 전압 V는 0이 된다.As shown in FIG. 2A, when the distance L between the distance sensor (coil) and the target (metal plate) is infinitely long, the detected voltage V becomes zero.
한편, 2b 및 2c에서와 같이 거리센서와 타겟과의 거리 L이 점차 작아질 때, 거리센서 2",2'를 관통하는 자속의 갯수는 차이가 나게 되고, 따라서 전압 V가 커지게 된다.On the other hand, when the distance L between the distance sensor and the target gradually decreases as in 2b and 2c, the number of magnetic fluxes passing through the distance sensors 2 ", 2" is different, and thus the voltage V becomes large.
예로, 도2b에서와 같이 거리 L이 20mm일 때, 거리센서 2"와 2'의 자력선의 수가 같게 나타난다. 그러나 도2c에서와 같이 L이 10mm일 때는 거리센서 2"와 2'의 자력선 갯수가 달라 자속차가 발생하고 따라서 발생하는 전압 V도 다르게 된다.For example, when the distance L is 20 mm as shown in Fig. 2b, the number of magnetic lines of distance sensors 2 "and 2 'appears to be the same. However, when L is 10 mm as shown in Fig. 2c, the number of magnetic lines of distance sensors 2" and 2' is shown. As a result, a magnetic flux difference occurs, and thus the voltage V generated varies.
상기 도2b 및 2c에서 알 수 있는 바와 같이, 전압 V는 거리 L에 대하여 도 2d에서와 같이 변화한다. 따라서, 전압 V를 측정하면 거리 L을 감지할 수 있게 되며, 이러한 거리센서를 차동변압기형 거리센서라고도 한다.As can be seen in Figures 2b and 2c above, the voltage V changes as in Figure 2d with respect to the distance L. Therefore, when the voltage V is measured, the distance L can be detected. Such a distance sensor is also referred to as a differential transformer type distance sensor.
상기와 같이 반도체칩의 입출력패드와 리드의 와이어 본딩 공정은 상기 와이어 본드 헤드에 장착된 거리센서에 의한 본드 높이 감지를 통해 Z모터(Leaner moter)의 동력으로 본딩이 실시되는 것이다.As described above, in the wire bonding process of the input / output pad and the lead of the semiconductor chip, bonding is performed by the power of a Z motor (Leaner moter) through the detection of the bond height by a distance sensor mounted on the wire bond head.
실례로, 상기 거리센서는 예를 들면, 본딩될 높이의 대략 2mm에서 이를 감지하여 첫번째 본딩을 실시하게 되는데 대략 1mm나 3mm의 높이에서 감지하게 되면 오프 센터 본드(off center bond)가 발생하고, 또한 정밀도를 요구하는 파인 패드 피치(fine pad pitch)의 경우에는 상기 거리센서가 정확한 캐필러리의 높이를 파악하지 못하여 입출력패드를 벗어나거나 본딩된 볼이 한쪽으로 치우치게 되는 문제가 발생할 수 있다.For example, the distance sensor detects this at about 2 mm of the height to be bonded, for example, and performs the first bonding. When the distance sensor detects at about 1 mm or 3 mm in height, off center bond occurs. In the case of a fine pad pitch requiring precision, the distance sensor may not grasp the exact height of the capillary, and thus may cause a problem that the ball exits the input / output pad or the ball is biased to one side.
한편, 상기 거리센서와 Z모터는 모두 열에 매우 민감하다. 이와 같이 열이 거리센서와 Z모터에 미치는 영향을 설명하면 다음과 같다.On the other hand, both the distance sensor and the Z motor is very sensitive to heat. As described above, the influence of heat on the distance sensor and the Z motor is as follows.
먼저 거리센서에 사용된 코일은 자성체(통상적인 Ferrite 자석)에 해당하므로 상기 자성체로부터 발생하는 자력과 온도와의 관계를 설명하면 다음과 같다.First, since the coil used in the distance sensor corresponds to a magnetic material (normal ferrite magnet), the relationship between the magnetic force generated from the magnetic material and the temperature is as follows.
1. Ferrite 자석은 온도 변화에 민감하다.Ferrite magnets are sensitive to temperature changes.
2. 온도가 1℃ 올라가면, 자속밀도(자석의 달라붙는 힘)는 0.18% 감소하고, 보자력(외부자계에 대항하는 힘. 보자력이 크면 클수록 탈자가 잘 일어나지 않으며, 착자를 시키려해도 더 큰 자장이 필요하게 된다)은 0.35~0.55% 씩 커진다.2. When the temperature rises by 1 ℃, the magnetic flux density (magnification force of the magnet) decreases by 0.18%, and the coercive force (force against the external magnetic field. Will be increased by 0.35 to 0.55%.
3. 온도에 의한 자력이 영구적으로 감소하는데, 이는 온도가 내려갔다가 다시 상온으로 되었을 경우이다.(저온 감자)3. The magnetic force caused by temperature decreases permanently, when the temperature has dropped and then returned to room temperature (cold potatoes).
4. 온도가 증가한 후 상온이 되었을 때는 영구적인 감자는 발생하지 않는다.4. When the temperature rises to room temperature, permanent potatoes do not occur.
5. 중요한 것은 거리센서에 의한 감지는 자속밀도에 의한 감지이기 때문에, 온도 변화에 따른 자속밀도의 증감이 거리센서의 정밀도에 영향을 미치게된다는 것이다.5. Importantly, since the detection by the distance sensor is the detection by the magnetic flux density, the increase and decrease of the magnetic flux density with the temperature change affects the accuracy of the distance sensor.
다음으로 전류의 발열 작용에 의해 Z모터가 열에 의해 영향받는 이유를 설명하면 다음과 같다.Next, the reason why the Z motor is affected by heat by the exothermic action of the current is as follows.
1. 도선에 전류가 흐르면 열이 발생한다.1. Heat is generated when current flows through the wire.
2. 전류가 저항체를 흐를 때, 그 저항으로 전력이 소비되어 열을 발생한다. 이 전력에 대한 것을 주울손이라고 하며, 발생하는 열을 주울열이라 한다.2. When a current flows through a resistor, power is consumed by that resistor to generate heat. This power is called Jouleson, and the heat generated is called Joule's heat.
3. 저항 R인 도선에 전류 I가 흐를 때 회로의 소비전력 P는 I2R이다. 따라서, T초 동안 소비되는 에너지 W[W·s] 또는 [J]은 I2RT이다. 이 에너지는 모두 열로 변하므로, 이것을 칼로리로 표시하면 1Cal=4.186Ws이므로, 0.24I2RT가 된다.3. When the current I flows through the lead, R, the power consumption of the circuit is I 2 R. Thus, the energy W [W · s] or [J] consumed for T seconds is I 2 RT. Since all of this energy is converted into heat, this is expressed in calories: 1Cal = 4.186Ws, which is 0.24I 2 RT.
이와 같이하여 Z모터에 형성된 코일의 온도가 대략 40℃까지 올라 가게되면, 자속 밀도는 다음과 같이 감소한다.(20℃일 때, 자속 밀도는 대략 4,000 Gauss이다.)In this way, when the temperature of the coil formed in the Z motor rises to about 40 ° C, the magnetic flux density decreases as follows (when the temperature is 20 ° C, the magnetic flux density is about 4,000 Gauss).
Br = 4,000G + 4,000G[-0.0018(40-20)]Br = 4,000 G + 4,000 G [-0.0018 (40-20)]
= 4,000G + 4,000G(-0.036)= 4,000G + 4,000G (-0.036)
= 3,856G= 3,856G
즉, Z모터에 형성된 코일의 온도가 올라가게 되면 그 주변의 온도도 동반하여 상승함으로써 Z모터는 물론 거리센서도 동시에 영향을 받게 되며, 이는 곧 반도체칩의 입출력패드와 캐필러리 사이의 거리감지가 정확하게 실시되지 않게 됨을 의미한다. 따라서 상기한 오프 센터 본드(off center bond) 현상이 쉽게 발생할 수 있고, 또한 입출력패드를 벗어나거나 본딩된 볼이 한쪽으로 치우쳐 본딩되는 불량이 발생된다.In other words, when the temperature of the coil formed in the Z motor rises, the temperature of the coil increases with the surrounding temperature, and thus the Z motor and the distance sensor are simultaneously affected. This is the distance detection between the input / output pad of the semiconductor chip and the capillary. Means it will not be implemented correctly. Therefore, the above-described off center bond phenomenon may easily occur, and a defect may occur in which the ball that is out of the input / output pad or the bonded ball is biased to one side and bonded.
이밖에도 상기 열에 의해 리드프레임 및 트랜스듀서의 길이가 변화되어 와이어 본딩의 정확성을 저하시키는 원인이 되기도 한다.In addition, the length of the lead frame and the transducer is changed by the heat, which may cause a decrease in the accuracy of wire bonding.
따라서 본 발명은 상기와 같은 종래의 문제점을 해결하기 위해 안출한 것으로, 코일에 의한 저항열, 열에 의한 거리센서의 자속 밀도 감소 현상 등을 억제하여 와이어 본딩 수율을 향상시킬 수 있는 반도체패키지 제조용 와이어 본드 헤드를 제공하는데 있다.Accordingly, the present invention has been made to solve the above-mentioned problems, and the wire bond for semiconductor package manufacturing that can improve the wire bonding yield by suppressing the resistance heat caused by the coil, the magnetic flux density reduction phenomenon of the distance sensor by the heat, etc. To provide the head.
도1a 및 도1b는 종래의 반도체패키지 제조용 와이어 본드 헤드를 도시한 측면도 및 평면도이다.1A and 1B are side and plan views illustrating a wire bond head for manufacturing a conventional semiconductor package.
도2a 내지 도2d는 거리센서의 원리를 도시한 설명도 및 그래프이다.2A to 2D are explanatory views and graphs showing the principle of the distance sensor.
도3a 및 도3b는 본 발명에 의한 냉각수단이 장착된 와이어 본드 헤드를 도시한 평면도이다.3A and 3B are plan views showing wire bond heads equipped with cooling means according to the present invention.
도4a 및 도4b는 본 발명에 의한 반도체패키지 제조용 와이어 본드 헤드에 장착된 냉각수단을 도시한 정면도 및 측면도이다.4A and 4B are front and side views showing the cooling means mounted to the wire bond head for manufacturing a semiconductor package according to the present invention.
- 도면중 주요 부호에 대한 설명 --Description of the main symbols in the drawings-
100; 본 발명에 의한 와이어 본드 헤드100; Wire bond head according to the present invention
2; 지지체 4; 트랜스듀서2; Support 4; Transducer
6; 캐필러리 8; 와이어 클램프6; Capillary 8; Wire clamp
10; 와이어 가이드 튜브 12; 거리센서10; Wire guide tube 12; Distance sensor
14; 타겟 16; Z모터14; Target 16; Z motor
18; 전극 20; 암18; Electrode 20; cancer
30; 냉각수단 31; 고정용 통공30; Cooling means 31; Fixing hole
32; 공기 분사 홀 33; 공기 호스 결합용 통공32; Air injection hole 33; Through hole for joining air hose
상기한 목적을 달성하기 위해 본 발명에 의한 반도체패키지 제조용 와이어 본드 헤드는 외부 프레임으로서 형성된 지지체와; 상기 지지체 일측에 바(bar) 형상으로 결합된 트랜스듀서와; 상기 트랜스듀서의 일단에 설치되어 도전성와이어를 본딩하는 캐필러리와; 상기 캐필러리의 높이를 감지하기 위해 지지체의 일측에 설치된 거리센서와; 상기 캐필러리를 Z방향으로 구동시키는 Z모터를 포함하여 이루어진 반도체패키지 제조용 와이어 본드 헤드에 있어서, 상기 지지체의 일단에는 상기 거리센서 및 Z모터의 온도 상승을 억제하기 위해 공기를 분사시키는 냉각수단이 더 장착된 것을 특징으로 한다.In order to achieve the above object, a wire bond head for manufacturing a semiconductor package according to the present invention includes a support formed as an outer frame; A transducer coupled to a bar on one side of the support; A capillary installed at one end of the transducer to bond conductive wires; A distance sensor installed at one side of the support to sense the height of the capillary; In the wire bond head for manufacturing a semiconductor package comprising a Z motor for driving the capillary in the Z direction, cooling means for injecting air to suppress the temperature rise of the distance sensor and the Z motor at one end of the support; It is further characterized in that it is mounted.
여기서, 상기 냉각수단은 상기 Z모터가 위치하는 지지체의 측부에 일정크기의 통공을 형성하여 결합되며, 상기 Z모터를 향하는 면에는 미세한 홀이 다수개 형성되어 있는 것을 이용함이 바람직하다.Here, the cooling means is coupled to form a through hole of a predetermined size on the side of the support on which the Z motor is located, it is preferable to use that a plurality of fine holes are formed on the surface facing the Z motor.
상기와 같이 하여 본 발명에 의한 와이어 본드 헤드에 의하면, 냉각수단이 Z모터 및 거리센서의 온도 상승을 억제하게 됨으로써 Z모터가 캐릴러리를 Z방향으로 정확하게 제어할 수 있도록 하며, 또한 거리센서의 오동작을 억제하게 됨으로서 반도체칩의 입출력패드와 리드 또는 회로패턴간의 와이어 본딩 수율을 향상시키게 된다.As described above, according to the wire bond head according to the present invention, the cooling means suppresses the temperature rise of the Z motor and the distance sensor so that the Z motor can accurately control the carrier in the Z direction, and also the malfunction of the distance sensor. As a result, the yield of wire bonding between the input / output pad and the lead or the circuit pattern of the semiconductor chip is improved.
이하 본 발명이 속한 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 본 발명을 용이하게 실시할 수 있을 정도로 본 발명의 바람직한 실시예를 첨부된 도면을 참조하여 상세하게 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings such that those skilled in the art can easily implement the present invention.
도3a 및 도3b는 본 발명에 의한 냉각수단(30)이 장착된 와이어 본드 헤드(100)를 도시한 평면도이고, 도4a 및 도4b는 본 발명에 의한 반도체패키지 제조용 와이어 본드 헤드(100)에 장착된 냉각수단(30)을 도시한 정면도 및 측면도이다.3A and 3B are plan views showing the wire bond head 100 equipped with the cooling means 30 according to the present invention, and FIGS. 4A and 4B show the wire bond head 100 for manufacturing a semiconductor package according to the present invention. Front and side views of the mounted cooling means 30 are shown.
여기서, 종래 기술과 동일한 부분은 본 발명의 요지를 흐리지 않토록 그 설명을 생략한다.Here, the same parts as in the prior art will be omitted so as not to obscure the subject matter of the present invention.
도시된 바와 같이 본 발명에 의한 냉각수단(30)은 외부 프레임으로서 형성된 지지체(2) 일측에 결합되어 있으며, 그 설치 위치는 자유롭게 변경 가능하다.As shown, the cooling means 30 according to the present invention is coupled to one side of the support 2 formed as an outer frame, and its installation position is freely changeable.
상기 냉각수단(30)은 Z모터(16)의 코일과 좌우측에 존재하는 영구자석 및 거리센서(12)의 안정화를 위해 상기 Z모터(16)의 부근에 설치함이 바람직하나, 이것을 한정하는 것은 아니다.The cooling means 30 is preferably installed in the vicinity of the Z motor 16 for the stabilization of the permanent magnet and the distance sensor 12 existing in the coil and the left and right sides of the Z motor 16, it is limited to this no.
상기 냉각수단(30)은 도4a 및 도4b에 도시된 바와 같이 본드 헤드(100)의 지지체(2)에 결합될 수 있도록 상부에 고정용 통공(31)이 형성되어 있고, 또한 상기 Z모터(16) 등을 향하는 면에는 미세한 공기 분사홀(32)이 다수개 형성되어 있다. 상기와 같이 미세하게 많은 분사홀(32)을 형성한 이유는 분사되는 공기의 속도를 느리게 하여, 캐필러리(6) 등의 운동에 영향을 주지 않기 위함이다.As shown in FIGS. 4A and 4B, the cooling means 30 has a fixing hole 31 formed thereon to be coupled to the support 2 of the bond head 100, and the Z motor ( 16) A plurality of fine air injection holes 32 are formed on the surface facing the back. The reason why the plurality of injection holes 32 are formed as described above is to slow down the speed of the air to be injected, so as not to affect the movement of the capillary 6 and the like.
또한 상기 냉각수단(30)에는 공기 호스 등이 용이하게 결합될 수 있도록 결합용 통공(33)이 형성되어 있으며, 상기 냉각수단(30)으로 제공되는 공기는 그 속도, 량 등을 제어할 수 있도록 공기 호스에 플로우메터 등을 설치함이 바람직하다.In addition, the cooling means 30 is provided with a coupling through-hole 33 so that the air hose and the like can be easily coupled, the air provided to the cooling means 30 to control the speed, amount, etc. It is preferable to install a flow meter or the like on the air hose.
이러한 냉각수단(30)은 본드 헤드(100)의 지지체(2)에 일정 구경의 통공을형성하고, 그 통공에 삽입하여 장착하거나 또는 이미 형성된 스크류 홀 등에 삽입하여 장착할 수도 있다.The cooling means 30 may form a through hole having a predetermined diameter in the support 2 of the bond head 100, and may be inserted into the through hole or inserted into the through hole, or may be inserted into a previously formed screw hole or the like.
상기와 같이 하여 본 발명의 와이어 본드 헤드(100)에 장착된 냉각수단(30)은 일정한 압력으로 공기를 Z모터(16) 및 거리센서(12)쪽으로 분사함으로써 Z모터(16)의 코일에서 발생하는 열을 신속히 방출할 수 있게 된다. 따라서 상기 Z모터(16)에 존재하는 코일과 영구자석을 안정화시켜 결국 상기 Z모터(16)에 의한 트랜스듀서(4)의 상,하 운동을 정확하게 제어하게 된다.The cooling means 30 mounted on the wire bond head 100 of the present invention as described above is generated in the coil of the Z motor 16 by injecting air toward the Z motor 16 and the distance sensor 12 at a constant pressure. The heat can be released quickly. Therefore, by stabilizing the coil and the permanent magnet present in the Z motor 16, the up and down movement of the transducer 4 by the Z motor 16 is precisely controlled.
또한, 상기 냉각수단(30)은 거리센서(12)에도 일정한 압력으로 공기를 분사함으로써 온도상승에 따른 자속의 감소를 억제하여 결국 거리센서의 감도를 항상 일정하게 유지시킨다.In addition, the cooling means 30 also suppresses the decrease of the magnetic flux due to the temperature rise by injecting air to the distance sensor 12 at a constant pressure, so that the sensitivity of the distance sensor is always kept constant.
따라서 본딩 높이를 정확히 감지하게 되고, 또한 이에 따라 Z모터가 정확히 작동하게 됨으로써 결국 와이어 본딩 수율이 향상되는 것이다.Therefore, the bonding height is accurately sensed, and accordingly, the Z motor operates correctly, thereby improving the wire bonding yield.
다음의 표1,2은 냉각수단을 장착했을 경우와 미장착했을 경우의 와이어 본딩 수율을 도시한 것이다.Tables 1 and 2 below show the wire bonding yields with and without cooling means.
여기서, B.A는 Bond Accuracy, B.P는 Ball Placement Accuracy, B.P.S는 Ball Placement Accuracy Standard Deviation을 나타낸 것으로, 냉각수단을 장착했을 경우에 B.P.S 값이 작아짐을 알 수 있다.Here, B.A represents Bond Accuracy, B.P represents Ball Placement Accuracy, and B.P.S represents Ball Placement Accuracy Standard Deviation, and it can be seen that the B.P.S value becomes smaller when the cooling means is installed.
이상에서와 같이 본 발명은 비록 상기의 실시예에 한하여 설명하였지만 여기예만 한정되지 않으며, 본 발명의 범주 및 사상을 벗어나지 않는 범위내에서 여러가지로 변형된 실시예도 가능할 것이다.As described above, although the present invention has been described with reference to the above embodiments, the present invention is not limited thereto, and various modifications may be made without departing from the scope and spirit of the present invention.
따라서, 본 발명에 의한 반도체패키지 제조용 와이어 본드 헤드에 의하면 냉각수단이 Z모터 및 거리센서의 온도 상승을 억제함으로써 Z모터가 캐릴러리를 Z방향으로 정확하게 제어할 수 있도록 하며, 또한 거리센서의 오동작을 억제하게 됨으로서 반도체칩의 입출력패드와 리드 또는 회로패턴간의 와이어 본딩 수율을 향상(대략 25% 향상)시킬 수 있는 효과가 있다.Therefore, according to the wire bond head for manufacturing a semiconductor package according to the present invention, the cooling means suppresses the temperature rise of the Z motor and the distance sensor so that the Z motor can accurately control the carrier in the Z direction, and also prevents malfunction of the distance sensor. By suppressing, the wire bonding yield between the input / output pad and the lead or the circuit pattern of the semiconductor chip can be improved (approximately 25%).
Claims (2)
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019990056407A KR20010055253A (en) | 1999-12-10 | 1999-12-10 | Wire bond head for manufacturing semiconductor package |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019990056407A KR20010055253A (en) | 1999-12-10 | 1999-12-10 | Wire bond head for manufacturing semiconductor package |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20010055253A true KR20010055253A (en) | 2001-07-04 |
Family
ID=19624761
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019990056407A KR20010055253A (en) | 1999-12-10 | 1999-12-10 | Wire bond head for manufacturing semiconductor package |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR20010055253A (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100812072B1 (en) * | 2007-03-20 | 2008-03-07 | 앰코 테크놀로지 코리아 주식회사 | Wire bonder for semiconductor package |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61187240A (en) * | 1985-02-14 | 1986-08-20 | Toshiba Corp | Wire bonding method |
| JPH02276258A (en) * | 1989-04-17 | 1990-11-13 | Nec Kyushu Ltd | Wire bonding device |
| JPH07147297A (en) * | 1993-11-25 | 1995-06-06 | Shinkawa Ltd | Wire bonding device |
| JPH08330350A (en) * | 1995-05-30 | 1996-12-13 | Shinkawa Ltd | Wire bonding device |
-
1999
- 1999-12-10 KR KR1019990056407A patent/KR20010055253A/en not_active Application Discontinuation
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61187240A (en) * | 1985-02-14 | 1986-08-20 | Toshiba Corp | Wire bonding method |
| JPH02276258A (en) * | 1989-04-17 | 1990-11-13 | Nec Kyushu Ltd | Wire bonding device |
| JPH07147297A (en) * | 1993-11-25 | 1995-06-06 | Shinkawa Ltd | Wire bonding device |
| JPH08330350A (en) * | 1995-05-30 | 1996-12-13 | Shinkawa Ltd | Wire bonding device |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100812072B1 (en) * | 2007-03-20 | 2008-03-07 | 앰코 테크놀로지 코리아 주식회사 | Wire bonder for semiconductor package |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US7106046B2 (en) | Current measuring method and current measuring device | |
| JP5062877B2 (en) | Magnetic field sensor | |
| US9733279B2 (en) | Magnetic field current sensors | |
| JP6220433B2 (en) | Apparatus and method for reducing transient signals in magnetic field sensors | |
| JP6376995B2 (en) | Integrated sensor array | |
| JP3453115B2 (en) | Power assembly for current sensing | |
| US7038448B2 (en) | Magnetic field sensor | |
| TWI649816B (en) | Threading method and device | |
| US5648683A (en) | Semiconductor device in which a first resin-encapsulated package is mounted on a second resin-encapsulated package | |
| US20050248005A1 (en) | Integrated circuit leadframes patterned for measuring the accurate amplitude of changing currents | |
| US20120081110A1 (en) | Current sensor | |
| JP2006242946A (en) | Surface-mount integrated current sensor | |
| KR20010055253A (en) | Wire bond head for manufacturing semiconductor package | |
| US6337453B1 (en) | Method and apparatus for arc-forming a bonding wire ball with attenuated electro-magnetic interference | |
| JP2017168721A (en) | Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device | |
| JPH08322235A (en) | Probe locating actuator | |
| JP2005340780A (en) | Electronic component mounting device and electronic component mounting method | |
| TWI226426B (en) | Device for measuring the amplitude of the tip of an oscillating capillary | |
| JP2018112537A (en) | Integrated magnetic sensor and lead frame used therefor | |
| KR200160074Y1 (en) | Sensor space control device of magnetic register | |
| JP3552700B2 (en) | Wire bonder and bonding method | |
| KR20220007277A (en) | Wire bonding apparatus inculding wire clamp | |
| KR100421776B1 (en) | Transducer cooling system of wire bonder for manufacturing semiconductor and its method | |
| JP2842494B2 (en) | Method and apparatus for measuring magnetic head | |
| JP2001289929A (en) | High frequency-applied magnetic field sensor |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| N231 | Notification of change of applicant | ||
| A201 | Request for examination | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| E601 | Decision to refuse application |