KR20010051355A - 에이씨형 플라즈마 디스플레이 패널 - Google Patents

Abstract

종래의 면방전형 AC PDP에서는 유지방전의 전압이 높고, Xe의 분압비를 높이게 되면 VUV 발광출력이 증대하여 발광효율은 상승하게 되지만 구동 IC의 내압을 초월하게 되는 결점이 있었다. 이 전압을 낮추는 것이 문제이다.

따라서, 본 발명에서는 상기한 문제점을 해결하기 위하여 전면판과, 배면판, 상기 전면판상의 한쌍의 전극 및, 배면판상의 적어도 데이터를 표시하기 위한 데이터 전극으로 이루어지는 표시셀을 갖춘 AC형 플라즈마 디스플레이 패널에 있어서, 상기 한쌍의 적극을 상기 전면판 평면에 평행하게 형성하고, 그 상측을 피복하는 유전체층을 평탄하지 않고 전극간 중심에서 얇게 되도록 형성한 것을 특징으로 한다.

Description

에이씨형 플라즈마 디스플레이 패널 {AC Type Plasma Display Panel}

본 발명은 AC형 플라즈마 디스플레이 패널(PDP: Plasma Display Pannel)에 관한 것으로, 특히 발광효율을 양호하게 하는 셀을 이용한 패널의 구조에 관한 것이다.

종래의 기술로서는 일본국 특허공개 평5-205642호 공보에 기재되어 있는 도19에 도시된 것이나, 유지방전을 일으키기 위한 전극을 경사진 면상에 형성한 것이 있다.

종래의 기술에서는 유지방전의 전압이 높아서, 예컨대 도 19에 나타낸 예에서는 Ne-Xe 4％, 30kPa(400Torr) 정도의 가스에서도 170V 정도가 필요하였다. Xe의 분압비를 크게 하게 되면 VUV 발광출력이 증가하여 발광효율은 상승하게 되지만 예컨대 10％로 하게 되면 240V로 되어 구동 IC의 내압을 초과하게 되는 결점이 있었다.

또한, 유지방전을 시키기 위한 전극을 경사지게 하게 되면 제조상의 곤란성이 발생하여 가격이 상승하게 되는 결점이 있었다.

도 1은 본 발명의 일실시예에 따른 형태를 나타낸 1셀분의 평면도.

도 2는 도 1의 전면판부분의 Y-Y'선단면도이다.

도 3은 본 발명의 다른 실시 형태를 표시한 단면도이다.

도 4는 본 발명의 다른 실시 형태를 표시한 단면도이다.

도 5는 본 발명의 다른 실시 형태를 표시한 단면도이다.

도 6은 본 발명의 다른 실시 형태를 표시한 단면도이다.

도 7은 본 발명의 다른 실시 형태를 표시한 단면도이다.

도 8은 본 발명의 다른 실시 형태를 표시한 단면도이다.

도 9는 본 발명의 다른 실시 형태를 표시한 단면도이다.

도 10은 본 발명의 다른 실시 형태를 표시한 단면도이다.

도 11은 본 발명의 다른 실시 형태를 표시한 단면도이다.

도 12는 본 발명의 다른 실시 형태를 표시한 단면도이다.

도 13은 본 발명의 다른 실시 형태를 표시한 단면도이다.

도 14는 전극패턴의 다른 예를 표시한 평면도이다.

도 15는 전극패턴의 다른 예를 표시한 평면도이다.

도 16은 웅덩이 형상예를 표시한 평면도이다.

도 17은 웅덩이 형상의 다른 예를 표시한 평면도이다.

도 18은 데이터 전극의 형태예를 표시한 평면도이다.

도 19는 종래의 면방전형 PDP 구조의 일예를 나타낸 사시도이다.

도 20은 종래의 면방전형 PDP 셀의 단면도이다.

도 21은 종래의 면방전형 PDP 전위분포를 표시한 도면이다.

도 22는 본 발명의 셀 전위분포를 표시한 도면이다.

*** 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 ***

FG : 전면판, RG : 배면판,

DE : 유전체층, DE1 : 유전체층1,

DE2 : 유전체층2, SCE : 주사전극,

SCB : 주사전극모선, SUE : 유지전극,

SUB : 유지전극모선, DEE : 데이터전극,

DEB : 데이터전극모체, E : 에미터,

BA : 장벽, PH : 형광체,

R,G,B : 적, 청, 록, TR : 웅덩이,

DP : 방전로, T,T' : 홈,

S : 표시셀.

상기한 문제점을 해결하기 위하여 본 발명에 따른 AC형 플라즈마 디스플레이 패널은 전면판과, 배면판, 상기 전면판상의 한쌍의 전극 및, 배면판상의 적어도 데이터를 표시하기 위한 데이터 전극으로 이루어지는 표시셀을 갖춘 AC형 플라즈마 디스플레이 패널에 있어서, 상기 한쌍의 전극을 상기 전면판 평면에 평행하게 형성하고, 그 상측을 피복하는 유전체층을 평탄하지 않고 전극간 중심에서 얇게 되도록 형성한 것을 특징으로 한다.

또한, 본 발명은 상기 유전체층을 2층으로 하고, 제1 유전체층과 제2 유전체층에 끼여지도록 상기 한쌍의 전극을 설치한 것을 특징으로 한다.

또한, 본 발명은 한쌍의 전극을 직접 상기 전면판상에 설치한 것을 특징으로 한다.

또한, 본 발명은 상기 전극간 중심부에서 유전체층이 없는 부분을 설치한 것을 특징으로 한다.

또한, 본 발명은 상기 유전체층의 단면형상이 거의 V자 형상 또는 U자 형상인 것을 특징으로 한다.

또한, 본 발명은 상기 유전체층의 단면형상이 거의 대칭으로 형성한 것을 특징으로 한다.

또한, 본 발명은 상기 유전체층의 측벽의 경사가 있는 부분에 무겁게 되도록 한쌍의 전극을 설치한 것을 특징으로 한다.

또한, 본 발명은 상기 전면판에 홈을 형성한 것을 특징으로 한다.

또한, 본 발명은 상기 유전체층에는 상기 표시셀의 중앙부에서 오목형상의 웅덩이가 형성되어 있는 것을 특징으로 한다.

또한, 본 발명은 상기 유전체층을 전극간 중심에서 얇게 함으로써 형성되는 홈에 대응하는 부분을 돌출시킨 장벽을 갖춘 것을 특징으로 한다.

또한, 본 발명은 데이터 전극의 모선 부분은 장벽의 거의 아래를 통과하고, 주사측 전극에 대응하는 부분만큼 상기 표시셀내에 돌출시킨 데이터 전극을 갖춘 것을 특징으로 한다.

이하 도면을 참조하여 본 발명에 따른 실시예를 설명한다.

도 1은 본 발명의 일시시예에 따른 형태를 나타낸 것으로, 이는 도 19에서 전면판(FG) 측으로부터 본 1셀분의 평면도이다. 또한, 도 2는 도 1에서 Y-Y'선에 따른 단면에서 전면판(FG) 부분을 상하 역전시켜 나타낸 것이다. 본 실시예에서는 셀의 기본적 구성과 동작은 종래의 것과 거의 동일하지만 구조가 현저하게 다르게 되어 있다. 그리고, 패널은 이러한 셀이 반복되어 구성되어 있다. 셀(S)은 장벽(BA)에서 일방향으로 구획지워져 있다. 도 2에서 전면판(FG)을 하측에 그린 것은 본 도면이 본 발명을 설명하는 실질적인 것으로서, 이 쪽이 설명하기가 보다 용이하기 때문이다. 전면판(FG) 상에는 우선 투명한 유전체(DE1)를 셀의 중심부가 전면판(FG)에 접하도록, 특히 전극이 형성되는 부분이 전면판(FG)에 평행하게 되도록 하고, 전체로서 단면이 V자 형상의 홈(T)으로 되도록 형성한다. 그리고, 그 위에 유지방전을 위한 2개의 투명전극(SUE, SCE)과, 그 모선인 SUB와 SUC를 형성한다. 이어, 이들 전극 등의 위에는 투명한 유전체(DE2)를 형성시키되, 전극(SUE, SCE)의 단부(SUE1, SCE1)가 홈(T)의 경사부분과 평탄한 부분의 경계(Ta)에 오도록 한다. 이와 같이 구성하는 것으로, 유전체층을 평탄하지 않고 전극 중심에서 얇게 되도록 하게 된다. 최후에는 그 위에 MgO 등의 2차 전자방출재료(E: 에미터)를 봉착시킨다.

배면판에 대해서는 후술하는 바와 같이 홈(T)에 대응하는 장벽(BA)에 볼록형상부(BAP)를 형성하여, 인접 셀간의 오방전을 일으키지 않도록 하는 것을 제외하면 종래와 동일하게 해도 된다.

실험한 셀의 칫수의 일례를 나타내면, 전면판(FG)-배면판(RG)간의 간격이 170㎛, 장벽(BA)의 폭 80㎛, 표시셀의 폭 210㎛, X방향의 셀피치 290㎛, Y방향의 셀피치 600㎛, 간격을 결정하는 전극(SUE-SCE)간 거리 80㎛, 유전체(DE1, DE2)의 두께는 각각 20㎛, 에미터(E: MgO)의 두께는 0.5㎛, 홈의 경사는 대략 45도이다. 그리고, 봉입 가스는 Ne-Xe 10％, 46kPa이다.

본 발명의 동작, 작용에 대해서는 후에 상세히 설명하지만, 이와 같은 형상에 의하면 방전로(放電路)의 중심부의 전계가 크게 되므로 방전로가 종래의 것과 다르게 거의 직선에 가깝게 되어 방전개시전압이 크게 낮아지는 특징이 있다.

도 3은 본 발명의 제2 실시형태를 나타낸 것이다. 이것은 FG 기판상에 직접 전극(SUE, SUB) 등을 형성한 예를 나타낸 것이다. 효과는 미약하지만 전극의 형성이 간단화된다.

도 4는 본 발명의 제3 실시예를 나타낸 것으로, 이는 V자 홈이 없이 중심부를 FG 기판면으로 하고, 전극의 위쪽만을 유전체(DE)로 피복하도록 한 것이다. 즉, 본 실시예에서는 전극간 중심부에서 유전체층이 없는 부분(Ta)이 설치되어 있다.

도 5는 본 발명의 제4 실시예를 나타낸 것이다. 상술한 실시예에서는 전극(SUE, SCE)의 단부가 경사진 부분과 평탄한 부분의 경계(Ta)에 대략 일치하도록 되어 있었지만, 본 예에서는 전극(SUE)의 단부(SUE1)가 경사진 부분(Ta)에 중첩되도록 되어 있다. 그 위치는 도면에 도시된 위치가 보다 바람직할 수 있지만, 다소 평탄부 측으로 가더라도 효과가 있다.

도 6은 본 발명의 제5 실시예를 나타낸 것으로, 이는 V자 홈(T)의 중심(Tc)이 기판(FG)에 접촉되어 있지 않은 예이다.

도 7은 본 발명의 제6 실시예의 형태를 나타낸 것으로서, 이는 V자 홈(T)이 완만하게 변형되어 U자 형상의 홈(T)을 형성하고 있는 경우를 나타낸 것이다. 이 부분의 형성방법에도 기인하지만 이 형상 쪽이 실제적이고, 효과는 상기한 예와 거의 다르지 않다.

도 8은 본 발명의 제7 실시예를 나타낸 것이다. 이것은 홈 부분을 2단으로 형성한 것으로서, 인쇄로 형성할 때에는 이 방법이 유리하다. 또한, 홈의 측벽에는 피복부(Te)가 형성되어 있다.

도 9는 본 발명의 제8 실시예를 나타낸 것으로, 이것은 홈 부분의 측벽(Tf)의 경사를 상당히 급격하게 하여 저부가 평탄하게 되도록 한 것이다.

도 10은 본 발명의 제9 실시예를 나타낸 것으로, 이것은 홈(T)의 외측부분에서 유전체(DE)의 두께가 두껍게 되도록 형성한 예를 나타낸 것이다. 이 경우 방전은 홈의 내측에서 개시하도록 설계할 수 있으므로 효과는 충분하다.

도 11은 본 발명의 제10 실시예를 나타낸 것으로, 이는 홈(T)의 좌우 측벽(Tf1, Tf2)을 비대칭으로 설정한 경우를 나타낸 것이다. 이러한 약간의 비대칭에서도 효과는 변하지 않는다. 다만, 유지방전의 최초의 방전이 일어나는 음극측의 전계가 강하게 되도록 하는 것이 바람직하다.

도 12는 본 발명의 제11 실시예를 나타낸 것으로, 이것은 홈(T) 부분을 기판(FG)측에도 형성하여 홈을 2단으로 형성한 것이다. 이 방법은 전극(SUE) 등의 형성온도를 높일 수가 있게 되므로 투명도가 높은 재료를 사용할 수 있는 이점을 갖는다. 기판(FG)의 홈은 샌드 블라스트나 화학적 에칭으로 형성할 수 있다.

도 13은 본 발명의 제12 실시예를 나타낸 것으로, 이는 홈 부분을 기판(FG) 측에도 형성하여 2단으로 형성한 것이다. 기판(FG)내의 홈의 형상은 도 12와 달라서 기판면에 대하여 거의 직각인 측벽을 갖는 홈이 형성되어 있다. 이 형상은 제작이 용이하다는 이점을 갖는다. 다만, 이러한 벽면에 에미터를 설치하기에는 통상적인 증착, 스퍼터링 등으로는 곤란하고, 비교적 압력이 높은 가스중에서의 각종 박막 프로세스 또는 화학적 방법이 유리하다. 이 벽면에는 에미터가 설치되지 않더라도 그 부분에서 방전이 일어나지 않도록 하게 되면 문제가 없다. 방전개시는 경사 부분에서 일어나도록 압력 등을 설정하게 되므로 그와 같이 할 수 있다. 홈의 바닥 부분은 방전하는 것이 아니므로 여기에는 MgF2 등의 VUV 반사막을 설치하게 되면 효과가 있다.

도 14는 기판(FG) 측으로부터 본 전극형상의 예를 나타낸 것이다. 전극(SUE 및 SCE)이 도2와 달리 장벽(BA)상에는 없다. 이 형상은 방전전류를 작게 하는 것이 가능하고, 또 전극간 정전용량도 작게 하는 것이 가능하므로 발광효율을 높이는 것이 가능하다.

도 15는 도 14의 예와 동일한 효과를 갖는 전극(SCE, SUE)의 다른 형상예를 나타낸 것이다. 이들은 상술한 실시예에 적용할 수 있고, 본 발명은 기본적으로 전극간 정전용량을 작게 할 수 있으므로 효율의 향상에 상승효과가 있다.

도 16은 홈 또는 웅덩이의 형상예를 나타낸 것이다. 본 예에서는 홈(TR)은 전극(SUB) 등과 평행하게 연장되어 있다. 이 경우 장벽(BA)의 상부분에서는 틈새를 없게 하기 위해 장벽(BA) 측에 돌출부(BPA)를 만들 필요가 있다.

도 17은 다른 홈 또는 웅덩이의 형상예를 나타낸 것이다. 본 예는 장벽(BA)과 장벽(BA) 사이의 장소에만 웅덩이(TR)을 만들고, 장벽(BA)의 부분에는 틈새를 만들지 않도록 한 예이다. 따라서, 본 예에서는 유전체층에는 표시셀의 중앙부에 오목형상의 웅덩이(TR)가 형성되게 된다.

여기까지 데이터 전극(DE)에 대해서는 종래의 방법 및 형상으로 충분한 경우에 대하여 설명하였으나, 이 경우에는 데이터의 기록이 이루어지는 전극(SDE)의 부분과 데이터 전극(DE)의 거리가 종래의 것보다 다소 길게 되므로 불필요한 장소에서 방전이 이루어지기 쉽게 된다. 도 18은 확실하게 전극(SCE) 상의 홈의 경사부분에서 방전이 이루어지도록 데이터 전극(DE)의 실질적인 전극을 전극(SCE)의 아래에 오도록 한 예를 나타낸 것이다. 따라서, 본 예에서는 주사측 전극에 대응하는 부분만큼 표시셀에 돌출시킨 데이터 전극(DPE)이 설치되어 있다.

이상 설명한 바와 같이, 본 발명에서는 각종 실시 형태가 존재한다. 중요한 것은 효과 부분에서 설명하겠지만 방전로 중의 전계를 크게 하는 것과, 방전개시시의 방전로와 방전면, 특히 음극으로서 동작을 하는 부분의 면을 수직에 가깝게 하는 것이다. 또한, 도 13의 예에서 설명하였지만 비방전 영역에 VUV의 반사막을 부가하는 방법은 다른 실시예에도 적용할 수 있다. 또한, 비월주사를 실행하도록 한 셀구성에도 적용할 수 있다. 전극형상에 대해서도 여기에 나타낸 것 이외의 ITO 대신에 가는 도체를 이용한 것 등을 적용할 수 있다. 또한, 화면상 수직방향의 셀 사이 부분에 본 발명과 같은 홈을 설치하게 되면 정전용량이 감소하는 이점이 있다.

이하, 패널을 형성하는 재료 및 그 제조방법에 대해서 설명한다.

글라스 기판(FG)의 재료로서는 소다 석회(soda lime), 각종 고왜점(高歪点) 유리 등을 이용한다.

투명 유전체의 DE, DE1, DE2의 재료로서는 ITO, 네사(Nesa glass), 망상 또는 박막화한 Ag, Au, Al, Ni, Cu 또는 이들의 복합체를 이용하는 것이 가능하다.

도전체의 재료로서는 Ag, Au, Al, Ni, Cu 또는 이들의 복합체를 이용하는 것이 가능하다.

유전체 재료 또는 절연층의 재료로서는 주지된 각종 유전체 글라스 재료를 이용한다. 유전율은 큰 것이 바람직하지만 내압과의 관계를 고려할 때 7∼12정도로 충분하다.

에미터(E)로서는 MgO 외에 각종 산화물, 페로브스카이트(Perovskite) 등을 이용한다.

장벽 재료로서는 각종 화이트 글라스 재료를 이용한다. 데이터 전극의 위를 피복하는 절연물로서는 화이트 글라스를 이용한 형광체의 화이트 백(white back)도 겸해서 사용할 수 있다.

형광체의 재료로서는 주로 다음의 것을 이용한다. 적색용으로서 Y₂O₃: Eu, YVO₃: Eu, YBO₃: Eu, YP_0.65V_0.35O₄: Eu, (Y, Gd)BO₃: Eu, 녹색용으로서 Zn₂Si0₄: Mn, BaMg₂Al₁₄0₂₄: EuMn, BaAl₁₂O₁₉: Mn, 청색용으로서는 Y₂SiO₄: Ce, YP_0.85V_0.150₄: Eu, BaMg₂Al₁₄0₂₄: Eu, BaMgAl₁₄0₂₃: Eu 등이 있다.

콘트라스트 상승을 위해 주지의 블랙 매트릭스나 무기 필터를 이용하는 것이 바람직하다. 제1, 제7 및 제8 실시예에서는 DE1에 무기 필터를 이용하는 것이 바람직하다. 전극(SUB) 등의 모선과 인접하는 모선 간의 비발광 부분 및 장벽에 대응하는 부분에는 흑색재료(블랙 매트릭스)를 가능하면 전면판(FG)측에 부착하는 것이 좋다.

제조방법으로서는 후막인쇄법, 증착, 스퍼터 등의 각종 박막 프로세스 외에 포토 리소에칭법, 리프트오프법, 샌드블라스트법, 프레스법 등을 이용하는 것이 가능하다. 에미터는 화학적 방법으로도 형성할 수 있다. 형광체의 부착법으로서 잉크젯법도 사용할 수 있다.

봉입가스로서는 Kr 및/또는 Xe의 분압비의 합이 1％ 이상으로 되는 희소 가스를 이용한다. 특히, Ne-Xe, He-Ne-Xe, He-Xe 등의 혼합 가스가 바람직하다. 가스압은 20kPa∼80kPa, Xe 분압비는 10∼40％ 정도가 최적이다.

본 발명에 의해서, 종래의 이런 종류의 AC PDP의 방전전압이 높았던 것을 낮출 수 있고, 발광효율도 높아지게 된다. 이하에 동작, 작용과 더불어 효과를 정량적으로 설명한다.

도 19는 종래의 PDP의 구조를 나타내고, 도 20은 그 셀의 단면도이다. 이 셀의 방전특성을 결정하는 요소는 여러 가지가 있지만, 가장 중요한 것은 방전개시전압이다. 이 전압에 의해서 셀이 방전하는 지의 여부가 결정되기 때문이다. 종래의 이론에 의해서 가스, 방전로와 방전로상의 전계가 인가되는 것으로 방전전압은 거의 추정할 수 있다. 전계는 셀의 구조와 인가전압으로 결정되지만 라플라스 방정식을 해석할 필요가 있다. 본 발명자는 셀의 구조를 2차원으로 근사하고, 절선근사법(折線近似法)으로 거의 임의의 형상 구조에 대하여 방정식을 해석하는 수치계산 프로그램을 만들어 시뮬레이션을 하였다.

인쇄하는 전압은 전극(SUE) 측에 +V, SCE측에 -V, 데이터 전극(DE) 측과 전면판(FG) 기판의 외측을 0으로 하였다. 구조와 인가전압의 대칭성으로부터 정(+)과 부(-)차이를 제거하면 전극(SUE) 측과 SCE 측은 동일한 전위분포로 된다.

도 21은 종래 셀의 SUE 측 반분의 등전위선의 계산결과를 나타낸 것이다. 좌표의 x 및 y는 1이 250㎛에 상당한다. 등전위선은 V를 1로하여 0.05로부터 0.95까지 0.05씩 나타낸 것이다. 유전체의 비유전율은 12로 하였고, 7의 경우도 계산하여 큰 차이가 없다는 것을 확인하였다. 간단히 하기 위해 FG 기판의 유전율도 유전체의 그것과 동일하게 하였다. 방전개시시의 방전로는 임의 전기력선으로 근사할 수 있다. 전기력선은 등전위선에 직교하게 된다. 도면에는 근사적인 방전로(DP)도 나타내고 있지만, 수치계산으로부터는 정확한 방전로는 완전하게 구해지지 않는다. 그러나, 방전개시전압은 그 근방에서는 변하지 않으므로 의미를 갖고 있다.

도 22는 본 발명의 도 1 및 도 2에 대응하는 셀에 대한 결과이다.

이들 도면으로부터 방전개시의 인가전압 Vs'을 계산하였다. 가스는 간단화를 위해 Ne로 하고, MgO의 이온에 대한 2차 전자방출계수 γ는 0.2로 하였다. 방출된 전자는 임의의 초속도를 갖고 있고, 전계와 방향이 일치되는 경우 그 방향으로 진행하게 되지만. 일치되지 않는 경우는 약간 어긋난 방향으로 진행하여 방전에 기여하지 않을 가능성이 있다. 2차 전지의 방출지향성은 여현측에 따르는 것으로 하면 전계와 방출면의 법선방향이 이루는 각(θ)이 중요한 요인이 된다. 여기서는 실질적인 2차 전자방출계수 γ는 cosθ를 곱한 값이 되는 것으로 한 경우의 개시전압 Vs도 평가하였다. α작용을 결정하는 α의 계산식으로서 희소가스에 유효한 Ward 식을 이용하였다.

계산의 결과를 표1에 나타내었다.

	종래예	실시예 1	실시예 2	대향형
Vs	172V	151	164	120
θ	22°	5	12	0
Vs'	176V	152	166	120

종래의 것에 비교하여 본 발명의 실시예는 개선되어 있는 것을 알 수 있다.

본 발명의 실시예가 양호한 이유는 방전로의 전계가 크다는 것 외에, θ가 작다는 것이 두드러진다. θ로서는 15° 이하가 바람직하다. 실제의 패널에서는 Ne-Xe의 가스가 이용되고, 이때의 방전로는 약간 짧은 중심부에 존재한다. 더우기 메모리 효과를 고려하여 구동전압이 결정되어 있지만 그 상대값은 표1과 거의 일치하게 된다. 다만, 대향형과 면방전형과의 상대값은 반드시 일치하지 않고, 후자의 전압이 높게 되는 경향을 갖고 있다. 이것은 방전로가 면방전형에서는 직선이 아니고 곡선으로 되어 있기 때문인 것으로 고려된다. 주지의 실험결과에 의하면, Xe량을 증가하게 되면 구동전압은 상승하지만, 발광효율도 상승하는 것이 알려져 있다. 그러나, 구동전압의 상승으로 통상적인 IC로는 구동할 수 없게 된다. 본 발명을 이용하게 되면 구동전압은 그다지 상승하지 않으므로 발광효율을 2배 정도 향상시키는 것이 가능하게 된다.

본 발명의 다른 이점은 전극간의 정전용량이 감소하는 것에 있다. 종래의 것에 비하여 도 1 및 도 2의 예에서는 대략 60％로 된다. 이것은 전극간의 유전체 부분이 감소하여 공간으로 되기 때문이다. 이 용량이 감소하게 되면 구동전류가 감소하여 실질적인 발공효율이 상승하게 된다.

또한, 한쌍의 전극도 전면판에 평행한 평면상에 형성하므로 비교적 용이하고 제작비용도 저가로 할 수 있는 이점을 갖는다.

Claims (11)

1. 전면판과, 배면판, 상기 전면판상의 한쌍의 전극 및, 배면판상의 적어도 데이터를 표시하기 위한 데이터 전극으로 이루어지는 표시셀을 갖춘 AC형 플라즈마 디스플레이 패널에 있어서, 상기 한쌍의 전극을 상기 전면판 평면에 평행하게 형성하고, 그 상측을 피복하는 유전체층을 평탄하지 않고 전극간 중심에서 얇게 되도록 형성한 것을 특징으로 하는 AC형 플라즈마 디스플레이 패널.
2. 제1항에 있어서,

   상기 유전체층을 2층으로 하고, 제1 유전체층과 제2 유전체층에 끼여지도록 상기 한쌍의 전극을 설치한 것을 특징으로 하는 AC형 플라즈마 디스플레이 패널.
3. 제1항에 있어서,

   한쌍의 전극을 직접 상기 전면판상에 설치한 것을 특징으로 하는 AC형 플라즈마 디스플레이 패널.
4. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,

   상기 전극간 중심부에서 유전체층이 없는 부분을 설치한 것을 특징으로 하는 AC형 플라즈마 디스플레이 패널.
5. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,

   상기 유전체층의 단면형상이 거의 V자 형상 또는 U자 형상인 것을 특징으로 하는 AC형 플라즈마 디스플레이 패널.
6. 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서,

   상기 유전체층의 단면형상이 거의 대칭으로 형성된 것을 특징으로 하는 AC형 플라즈마 디스플레이 패널.
7. 제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 있어서,

   상기 유전체층의 측벽의 경사가 있는 부분에 중첩되도록 한쌍의 전극을 설치한 것을 특징으로 하는 AC형 플라즈마 디스플레이 패널.
8. 제1항 내지 제7항 중 어느 한 항에 있어서,

   상기 전면판에 홈을 형성한 것을 특징으로 하는 AC형 플라즈마 디스플레이 패널.
9. 제1항 내지 제7항 중 어느 한 항에 있어서,

   상기 유전체층에는 상기 표시셀의 중앙부에서 오목형상의 웅덩이가 형성되어 있는 것을 특징으로 한다.
10. 제8항에 있어서,

    상기 유전체층을 전극간 중심에서 얇게 함으로써 형성되는 홈에 대응하는 부분을 돌출시킨 장벽을 갖춘 것을 특징으로 하는 AC형 플라즈마 디스플레이 패널.
11. 제1항 내지 제10항 중 어느 한 항에 있어서,

    데이터 전극의 모선 부분은 장벽의 거의 아래를 통과하고, 주사측 전극에 대응하는 부분만큼 상기 표시셀내에 돌출시킨 데이터 전극을 갖춘 것을 특징으로 AC형 플라즈마 디스플레이 패널.