KR20010039375A - Structure and Method for manufacturing device of Galium Nitride - Google Patents

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Abstract

PURPOSE: A method of fabricating galium nitride device is provided to improve the characteristic and lower the electric barrier of the galium nitride device, by adding a process for forming an InxGa1-xN(0 pluse or minus x plus or minus 0.5) layer. CONSTITUTION: A n-type galium nitride layer(200), an active semiconductor layer(300) and a p-type galium nitride layer(400) are sequentially formed on a substrate(100). The p-type galium nitride layer(400) is formed under the condition of the first mixture gas atmosphere and the first temperature range. The first temperature range is between 1000 deg.C to 1050 deg.C, and the first mixture gas consists of NH3 and H2. An InxGa1-xN(0 pluse or minus x plus or minus 0.5) layer is formed on the p-type galium nitride layer(400) under the condition of the second mixture gas atmosphere and the second temperature range. The second temperature range is between 700 deg.C to 1000 deg.C, and the second mixture gas consists of NH3 and N2 or NH3 and Ar.

Description

질화갈륨 소자의 구조 및 제조방법{Structure and Method for manufacturing device of Galium Nitride}Structure and Method for Manufacturing Device of Gallium Nitride

본 발명은 질화갈륨 소자에 관한 것으로, 특히 질화갈륨 계열의 청색 레이저다이오드와 발광다이오드의 구조 및 제조방법에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a gallium nitride device, and more particularly, to a structure and a manufacturing method of a gallium nitride-based blue laser diode and a light emitting diode.

질화계열(Nitride)의 반도체 화합물은 자외선을 포함하는 가시광선 영역의 광전자 소자를 제조하는 재료로 널리 이용되고 있으며, 특히 그의 활용분야는 자외선 레이저 다이오드(LD) 및 청색 발광다이오드와 녹색 발광다이오드(LED)를 제조하는 분야에까지 급격히 확산되고 있다.Nitride-based semiconductor compounds are widely used as materials for manufacturing optoelectronic devices in the visible region including ultraviolet rays. In particular, their applications include ultraviolet laser diodes (LDs), blue light emitting diodes, and green light emitting diodes (LEDs). ) Is rapidly spreading to the field of manufacture.

질화계열의 반도체 화합물은 다른 Ⅲ-Ⅴ족 반도체 화합물에 비하여 특성이 좋은 결정질을 만들기가 어렵고, 특히 p형 질화물의 경우, 고밀도의 도핑이 어려워 소자의 제작에 어려움이 많다. 그 이유는 다음과 같다.Nitride-based semiconductor compounds are difficult to produce crystalline with better properties than other III-V semiconductor compounds, and particularly in the case of p-type nitride, it is difficult to fabricate devices due to high density doping. The reason for this is as follows.

일반적으로 도 1a에 도시된 바와 같이 일함수(work function)가 큰 금속과 p형 반도체가 접촉할 경우, 도 1b에 도시된 것과 같이 금속과 반도체 간에는 아무런 전자장벽이 존재하지 않아 정공이 용이하게 이동할 수 있다. 즉, 일함수가 큰 금속과 p형 반도체 간에는 오믹접촉(ohmic contact)이 이루어지는 것이다.In general, when a metal having a large work function and a p-type semiconductor come into contact with each other, as shown in FIG. 1A, there is no electron barrier between the metal and the semiconductor, as shown in FIG. Can be. In other words, ohmic contact is made between the metal having a large work function and the p-type semiconductor.

그런데, 질화갈륨은 도 2a에 도시된 것과 같이 밴드갭(bandgap)이 커 도 2b에 도시된 것과 같이 오믹접촉의 형성이 어렵다. 따라서, 금속과 질화갈륨 화합물 간에는 전자장벽(electric barrier)이 형성되어 캐리어의 흐름이 원활하게 이루어지지 않는다.However, gallium nitride has a large bandgap, as shown in FIG. 2A, and thus it is difficult to form ohmic contact as shown in FIG. 2B. Therefore, an electron barrier is formed between the metal and the gallium nitride compound, so that the flow of the carrier is not smooth.

이러한 전자장벽을 낮추거나 극복하기 위한 가장 쉬운 방법은 금속에 접촉하는 반도체 표면에 고밀도의 이온 도핑(ion doping)을 실시하는 것이다. 반도체 표면에 고밀도의 이온을 도핑하면, 도 3에 도시된 것과 같이 고갈영역(depletion region)이 최소화되어 터널링(tunneling) 효과가 나타난다. 이러한 터널링 효과로 인하여 캐리어의 흐름이 원활해지는 것이다.The easiest way to overcome or overcome these barriers is to perform high density ion doping on the semiconductor surface in contact with the metal. Doping high-density ions onto the semiconductor surface minimizes the depletion region, as shown in FIG. 3, resulting in a tunneling effect. This tunneling effect is to facilitate the flow of the carrier.

상기 전자장벽을 낮추기 위한 또 다른 방법은 금속에 접촉되는 부분에 밴드갭이 작은 반도체를 접합하여 전자장벽의 높이를 낮추어 도 4에 도시된 것과 같이 캐리어의 흐름을 원활하게 하는 것이다.Another method for lowering the electronic barrier is to bond a semiconductor having a small band gap to a portion in contact with the metal to lower the height of the electronic barrier to smooth the flow of the carrier as shown in FIG. 4.

질화갈륨은 다른 Ⅲ-Ⅴ족 반도체 화합물에 비하여 밴드갭이 크므로, 오믹접촉이 용이하지 않을 뿐만 아니라, 터널링을 유도할 만큼의 고밀도의 이온도핑도 어렵다. 게다가 p형의 특성을 갖기 위하여 반드시 성장공정 후에 필요한 고온 열처리(post-thermal activation)의 과정이 필요하며 이 과정 동안에 소자의 열적인 특성과 전기적인 특성이 저하될 수 있다. 특히, p형 불순물이나, 여러 불순물들이 열처리 공정에서 이동하여 큰 결함을 형성하거나 도 5에 도시된 것과 같이 산화되어 박막의 결정 특성을 손상시킬 수 있다. 그 결과, 소자를 구성하고 있는 재료가 불균질하게 되어 소자의 신뢰성과 전기적인 특성을 저하시키는 문제점이 있다.Since gallium nitride has a larger bandgap than other III-V semiconductor compounds, not only ohmic contact is easy but also high-density ion doping that induces tunneling is difficult. Furthermore, in order to have p-type characteristics, post-thermal activation is necessary after the growth process, and thermal and electrical characteristics of the device may be degraded during this process. In particular, p-type impurities or various impurities may move in the heat treatment process to form large defects or be oxidized as shown in FIG. 5 to impair the crystal characteristics of the thin film. As a result, the materials constituting the device become inhomogeneous and there is a problem of lowering the reliability and electrical characteristics of the device.

본 발명은 이러한 문제점을 해결하기 위한 것으로, 전자장벽이 낮은 p형 질화갈륨 소자를 용이하게 제조할 수 있는 방법 및 소자의 구조를 제공하는 데에 그 목적이 있다.SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to solve such a problem, and an object thereof is to provide a method and a structure of a device capable of easily manufacturing a p-type gallium nitride device having a low electronic barrier.

도 1a와 도 1b는 일반적인 p형 반도체와 일함수(work function)가 큰 금속 간의 콘택(contact) 형성전후를 도시한 도면1A and 1B illustrate before and after contact formation between a typical p-type semiconductor and a metal having a large work function.

도 2a와 도 2b는 질화갈륨 소자와 금속 간의 콘택(contact) 형성전후를 도시한 도면2A and 2B illustrate before and after contact formation between a gallium nitride element and a metal;

도 3은 전자장벽의 터널링 효과를 도시한 도면3 illustrates the tunneling effect of an electronic barrier.

도 4는 캐리어의 흐름이 원활하게 낮추어진 전자장벽을 도시한 도면4 is a diagram illustrating an electronic barrier in which carrier flow is smoothly lowered.

도 5는 산화에 의해 손상된 반도체 표면을 도시한 도면5 shows a semiconductor surface damaged by oxidation;

도 6은 본 발명에 의해 챔버 내의 온도와 분위기가 조절되는 과정과 InGaN(또는 uGaN)의 성장을 도시한 그래프.FIG. 6 is a graph illustrating a process of controlling temperature and atmosphere in a chamber and growth of InGaN (or uGaN) according to the present invention. FIG.

도 7은 종래의 것과 동일한 구조를 가진 질화갈륨 소자를 도시한 단면도7 is a cross-sectional view showing a gallium nitride device having the same structure as the conventional one

도 8은 본 발명의 질화갈륨 소자를 도시한 단면도8 is a cross-sectional view showing a gallium nitride device of the present invention

도면의 주요부분에 대한 기호설명Symbol description for main parts of drawing

100 : 기판 200 : n형 질화갈륨층100 substrate 200 n-type gallium nitride layer

300 : 활성화 반도체층 400 : p형 질화갈륨층300: activated semiconductor layer 400: p-type gallium nitride layer

500 : InxGa1-xN 층500: In x Ga 1-x N layer

본 발명은 종래의 질화갈륨 소자와 달리 소정의 두께의 질화인듐갈륨(InGaN)을 부가적으로 더 포함한 것이 특징이다.Unlike the conventional gallium nitride device, the present invention further includes indium gallium nitride (InGaN) having a predetermined thickness.

본 발명에 의한 질화갈륨 제조방법은 기판 위에 n형 질화갈륨과 활성화 반도체층, 그리고 p형 질화갈륨층을 차례로 형성하는 단계와, p형 질화갈륨층을 형성한 후에 환경의 온도를 낮추는 단계, 및 p형 질화갈륨층 위에 InxGa1-xN(0≤x≤0.5)층을 형성하는 단계를 포함하여 구성되어 있다. 도 6은 p형 질화갈륨(p-GaN)의 성장 후, 본 발명에서 고안된 InGaN(또는 uGaN)층을 성장하기 위한 온도와 분위기의 변화를 도시한 것이고, 도 8은 본 발명의 질화갈륨 소자의 구조를 개략적으로 도시한 단면도이다.The gallium nitride manufacturing method according to the present invention comprises the steps of sequentially forming an n-type gallium nitride, an activating semiconductor layer, and a p-type gallium nitride layer on the substrate, after forming a p-type gallium nitride layer, lowering the temperature of the environment, and and forming an In x Ga 1-x N (0 ≦ x ≦ 0.5) layer on the p-type gallium nitride layer. Figure 6 shows the change in temperature and atmosphere for growing the InGaN (or uGaN) layer designed in the present invention after the growth of p-type gallium nitride (p-GaN), Figure 8 is a view of the gallium nitride device of the present invention It is sectional drawing which shows schematic structure.

이하, 본 발명의 질화갈륨 제조방법은 다음과 같은 공정으로 이루어진다.Hereinafter, the gallium nitride production method of the present invention comprises the following steps.

먼저, 도 7에 도시된 것과 같이 기판(100) 위에 n형 질화갈륨층(200)과 활성화 반도체층(300), 그리고 p형 질화갈륨(400)층을 차례로 형성하여 기존의 구조와 동일한 소자를 제조한다. 이 때, 기존의 구조와 동일한 소자를 제조하는 챔버(chamber)의 환경은 섭씨 1000 ℃ 내지 1050 ℃의 온도를 유지하고, 챔버의 내부는 암모니아(NH3) 가스와 수소(H2) 가스를 포함하는 제 1 혼합가스로 채운 상태를 유지한다.First, as shown in FIG. 7, the n-type gallium nitride layer 200, the activating semiconductor layer 300, and the p-type gallium nitride 400 layer are sequentially formed on the substrate 100 to form the same device as the conventional structure. Manufacture. At this time, the environment of the chamber (chamber) for manufacturing the same device as the existing structure maintains a temperature of 1000 ℃ to 1050 ℃, the inside of the chamber contains ammonia (NH 3 ) gas and hydrogen (H 2 ) gas To be filled with the first mixed gas.

그리고, p형 질화갈륨(400)층을 형성한 후에, 챔버의 내부를 제 1 혼합가스에 포함된 수소(H2) 가스와 다른 불활성가스를 암모니아(NH3) 가스와 혼합한 제 2 혼합가스로 채운다. 예를 들어 제 1 혼합가스가 수소(H2)를 포함했었다면, 제 2 혼합가스는 암모니아(NH3) 가스와 질소(N2) 가스를 포함시켜 혼합된 것이 바람직하다. 이 때, 질소(N2) 대신 아르곤(Ar) 가스를 혼합해도 무방하다.After the p-type gallium nitride 400 layer is formed, the second mixed gas in which the inside of the chamber is mixed with hydrogen (H 2 ) gas and other inert gas contained in the first mixed gas with ammonia (NH 3 ) gas. Fill it with For example, if the first mixed gas contains hydrogen (H 2 ), the second mixed gas is preferably mixed with ammonia (NH 3 ) gas and nitrogen (N 2 ) gas. At this time, argon (Ar) gas may be mixed instead of nitrogen (N 2 ).

챔버의 내부를 제 2 혼합가스로 채운 후, 챔버의 온도를 낮춘다. 이 때, 챔버의 온도, 즉 제 2 혼합가스가 채워진 챔버의 온도는 섭씨 700 ℃ 내지 1000 ℃ 정도가 바람직하다. 이 때, 온도를 낮추는 시간에 따라 p형 질화갈륨(400)의 특성이 좌우되므로, 온도를 낮추는 시간은 중요하다.After filling the inside of the chamber with the second mixed gas, the temperature of the chamber is lowered. At this time, the temperature of the chamber, that is, the temperature of the chamber filled with the second mixed gas is preferably about 700 ℃ to 1000 ℃. At this time, since the characteristics of the p-type gallium nitride 400 depends on the time to lower the temperature, the time to lower the temperature is important.

온도를 낮추는 시간이 너무 길면, 확산(diffusion) 효과에 의해 수소 원자(H)의 방출이 용이하여 도핑 효율이 높아지는 효과가 있다. 하지만, p형 질화갈륨(400) 표면에 존재하는 도핑물질(예를 들어 마그네슘)이나, 결함들이 이동하여 표면이 불균일 해지는 문제점이 초래된다. 반면, 온도를 낮추는 시간이 너무 짧으면, 도핑물질과 수소의 복합물(dopant-H complex)이 효과적으로 분해되지 않아 도핑효율이 저하된다.If the time to lower the temperature is too long, it is easy to release the hydrogen atoms (H) by the diffusion (diffusion) effect has the effect of increasing the doping efficiency. However, a doping material (eg, magnesium) present on the surface of the p-type gallium nitride 400 or defects may be moved, resulting in a problem of uneven surface. On the other hand, if the time to lower the temperature is too short, the dopant-H complex (dopant-H complex) is not effectively decomposed doping efficiency is lowered.

또, 챔버 내부를 수소와 암모니아가 포함된 제 1 혼합가스로 계속 유지하면, 도핑물질과 수소의 복합물(dopant-H complex)이 용이하게 분해되지 않으므로, 질소와 암모니아가 포함된 제 2 혼합가스로 바꾸는 것이 도핑효율의 향상에 도움을 준다. 이 때, 제 2 혼합가스는 질소 대신 아르곤(Ar) 가스를 포함해도 거의 동일한 효과를 나타낸다.In addition, if the inside of the chamber is continuously maintained with the first mixed gas containing hydrogen and ammonia, the dopant-H complex is not easily decomposed, and the second mixed gas containing nitrogen and ammonia is not easily decomposed. Changing helps to improve doping efficiency. At this time, even if the second mixed gas contains argon (Ar) gas instead of nitrogen, the second mixed gas has almost the same effect.

제 2 혼합가스의 온도가 적정 수준까지 떨어지면, p형 질화갈륨(400)의 표면에 p형 InxGa1-xN(0≤x≤0.5)층 또는, 언도프드(undoped) InxGa1-xN(0≤x≤0.5)층을 형성한다. 그 결과, p형 질화갈륨(400)층이 외부에 노출되는 것이 방지되어 소자의 특성이 저하되는 것을 방지하고 소자의 p형 접촉특성이 향상된다.When the temperature of the second mixed gas drops to an appropriate level, a p-type In x Ga 1-x N (0 ≦ x ≦ 0.5) layer or undoped In x Ga 1 may be formed on the surface of the p-type gallium nitride 400. A -x N (0≤x≤0.5) layer is formed. As a result, the p-type gallium nitride 400 layer is prevented from being exposed to the outside, thereby preventing deterioration of device characteristics and improving p-type contact characteristics of the device.

이 때, InxGa1-xN(0≤x≤0.5)층(500)을 형성하는 공정은 대략 20 초 내지 600 초 동안 실시한다. 대략적으로 InxGa1-xN(0≤x≤0.5)층(500)을 형성하는 공정이 20 초 내지 600 초 정도 실시되면, p형 질화갈륨(400)층 위에 형성된 InxGa1-xN(0≤x≤0.5)층(500)의 두께는 0.5 나노미터(㎚) 내지 50 나노미터(㎚) 정도로 유지된다.At this time, the process of forming the In x Ga 1-x N (0 ≦ x ≦ 0.5) layer 500 is performed for about 20 seconds to 600 seconds. When the process of forming the In x Ga 1-x N (0 ≦ x ≦ 0.5) layer 500 is performed for about 20 to 600 seconds, the In x Ga 1-x formed on the p-type gallium nitride 400 layer The thickness of the N (0 ≦ x ≦ 0.5) layer 500 is maintained on the order of 0.5 nanometers (nm) to 50 nanometers (nm).

그런데, 만약 InxGa1-xN(0≤x≤0.5)층(500)이 50 나노미터(㎚) 이상으로 두꺼워지면 박막의 결정특성이 나쁘게 되고 p형의 특성도 악화된다. 반대로 InxGa1-xN(0≤x≤0.5)층(500)이 0.5 나노미터(㎚) 이하로 너무 얇으면 보호막의 역할을 수행할 수 없으며 밴드갭을 낮추는 효과도 없다. 따라서, InxGa1-xN(0≤x≤0.5)층(500)의 두께를 0.5 나노미터(㎚) 내지 50 나노미터(㎚) 정도의 적정 수준으로 유지해야 한다.However, if the In x Ga 1-x N (0≤x≤0.5) layer 500 becomes thicker than 50 nanometers (nm) or more, the crystalline characteristics of the thin film become worse and the p-type characteristics deteriorate. On the contrary, if the In x Ga 1-x N (0 ≦ x ≦ 0.5) layer 500 is too thin to be 0.5 nanometer (nm) or less, it cannot function as a protective film and there is no effect of lowering the band gap. Therefore, the thickness of the In x Ga 1-x N (0 ≦ x ≦ 0.5) layer 500 should be maintained at an appropriate level of about 0.5 nanometers (nm) to about 50 nanometers (nm).

본 발명의 제조방법에 의하여 형성된 질화갈륨 소자는 도 8에 도시된 것과 같이 기판(100) 위에 차례로 형성된 n형 질화갈륨층(200)과 활성화층(300), p형 질화갈륨(400)층, 그리고 p형 질화갈륨(400)층 위에 형성된 InxGa1-xN(0≤x≤0.5)층(500)을 포함하여 구성되어 있다. 이 때, InxGa1-xN(0≤x≤0.5)층(500)은 p형의 InxGa1-xN층과 언도프드(undopoed) InxGa1-xN층 중, 선택된 어느 하나로 이루어진다. 또, InxGa1-xN(0≤x≤0.5)층(500)의 두께는 0.5 나노미터(㎚) 내지 50 나노미터(㎚)로 이루어진다.The gallium nitride device formed by the manufacturing method of the present invention is an n-type gallium nitride layer 200, an activation layer 300, a p-type gallium nitride (400) layer sequentially formed on the substrate 100, as shown in FIG. And an In x Ga 1-x N (0 ≦ x ≦ 0.5) layer 500 formed on the p-type gallium nitride 400 layer. In this case, the In x Ga 1-x N (0 ≦ x ≦ 0.5) layer 500 may be selected from a p-type In x Ga 1-x N layer and an undoped In x Ga 1-x N layer. It is made of either. In addition, the thickness of the In x Ga 1-x N (0 ≦ x ≦ 0.5) layer 500 is 0.5 nanometers (nm) to 50 nanometers (nm).

질화인듐갈륨(InxGa1-xN)(500)의 밴드갭(bandgap)은 p형 질화갈륨(400)(p-type Galium Nitride)의 밴드갭보다 낮다. 따라서, 질화인듐갈륨(500)을 p형 질화갈륨(400) 위에 얇게 도핑된 소자는 도 4에 도시된 바와 같이 소자와 금속 간의 전자장벽이 낮아지는 효과가 발생한다. 그 결과, 소자와 금속이 접합되었을 때에 소자와 금속 사이에 캐리어가 매우 원활하게 이동하는 것이다.The bandgap of indium gallium nitride (In x Ga 1-x N) 500 is lower than that of p-type gallium nitride (p-type Galium Nitride). Therefore, the device in which the indium gallium nitride 500 is thinly doped on the p-type gallium nitride 400 has an effect of lowering the electronic barrier between the device and the metal, as shown in FIG. 4. As a result, the carrier moves very smoothly between the device and the metal when the device and the metal are joined.

본 발명에 의해 제조된 질화갈륨 소자는 종래의 질화갈륨 소자에 비하여 금속과의 전자장벽 차이가 적어 캐리어의 흐름이 원활하게 되는 효과가 있다. 그리고, 본 발명은 기존의 공정에서 단순히 InxGa1-xN(0≤x≤0.5)층을 형성하는 공정만을 추가함으로써, 질화갈륨 소자의 전자장벽을 낮추고 그의 특성을 향상시킬 수 있는 효과가 있다.The gallium nitride device manufactured according to the present invention has an effect of smoothing the flow of the carrier since the difference in electron barrier with metal is smaller than that of the conventional gallium nitride device. In addition, the present invention merely adds a process of forming an In x Ga 1-x N (0 ≦ x ≦ 0.5) layer in the existing process, thereby reducing the electronic barrier of the gallium nitride device and improving its characteristics. have.

Claims (7)

기판 위에 제 1 도전형 질화갈륨층과 활성층을 순차적으로 형성하는 단계,Sequentially forming a first conductivity type gallium nitride layer and an active layer on the substrate, 제 1 혼합가스 분위기 및 제 1 온도 범위에서 제 2 도전형 p형 질화갈륨층을 형성하는 단계,Forming a second conductivity type p-type gallium nitride layer in a first mixed gas atmosphere and a first temperature range, 상기 제 2 도전형 질화갈륨층 위에 제 2 혼합가스 분위기 및 제 2 온도 범위에서 InxGa1-xN(0≤x≤0.5)층을 형성하는 단계를 포함하여 구성된 질화갈륨 소자의 제조방법.And forming an In x Ga 1-x N (0 ≦ x ≦ 0.5) layer in the second mixed gas atmosphere and the second temperature range on the second conductivity type gallium nitride layer. 제 1 항에 있어서, 상기 제 1 온도 범위는 섭씨 1000 ℃ 내지 1050 ℃ 이고 제 2 온도 범위는 섭씨 700 ℃ 내지 1000 ℃인 것을 특징으로 하는 질화갈륨 소자의 제조방법.The method of claim 1, wherein the first temperature range is 1000 ° C to 1050 ° C and the second temperature range is 700 ° C to 1000 ° C. 제 1 항에 있어서, 상기 InxGa1-xN(0≤x≤0.5)층을 형성하는 단계는The method of claim 1, wherein forming the In x Ga 1-x N (0≤x≤0.5) layer 20 초 내지 600 초 동안 상기 InxGa1-xN(0≤x≤0.5)층을 성장시키는 단계임을 특징으로 하는 질화갈륨 소자의 제조방법.Growing the In x Ga 1-x N (0 ≦ x ≦ 0.5) layer for 20 seconds to 600 seconds. 제 1 항에 있어서, 상기 제 1 혼합가스는 암모니아(NH3)와 수소(H2)로 구성되고 제 2 혼합가스는 암모니아(NH3)와 질소(N2) 또는, 암모니아(NH3)와 아르곤(Ar)으로 구성됨을 특징으로 하는 질화갈륨 소자의 제조방법.The method of claim 1, wherein the first mixed gas is composed of ammonia (NH 3 ) and hydrogen (H 2 ) and the second mixed gas is ammonia (NH 3 ) and nitrogen (N 2 ) or ammonia (NH 3 ) and A method of manufacturing a gallium nitride device, characterized in that composed of argon (Ar). 기판 위에 순차적으로 형성된 제 1 도전형 질화갈륨층과, 활성층과, 제 2 도전형 질화갈륨층과, InxGa1-xN(0≤x≤0.5)층을 포함하여 구성된 질화갈륨 소자의 구조.A structure of a gallium nitride device including a first conductive gallium nitride layer sequentially formed on a substrate, an active layer, a second conductive gallium nitride layer, and an In x Ga 1-x N (0 ≦ x ≦ 0.5) layer . 제 5 항에 있어서, 상기 InxGa1-xN(0≤x≤0.5)층은The method of claim 5, wherein the In x Ga 1-x N (0≤x≤0.5) layer p형의 InxGa1-xN(0≤x≤0.5), 언도프드(undoped) InxGa1-xN(0≤x≤0.5) 중 선택된 어느 하나로 이루어진 것을 특징으로 하는 질화갈륨 소자의 구조.A gallium nitride device comprising any one selected from p-type In x Ga 1-x N (0≤x≤0.5) and undoped In x Ga 1-x N (0≤x≤0.5). rescue. 제 5 항에 있어서, 상기 InxGa1-xN(0≤x≤0.5)층은The method of claim 5, wherein the In x Ga 1-x N (0≤x≤0.5) layer 0.5 나노미터(㎚) 내지 50 나노미터(㎚)의 두께로 이루어진 것을 특징으로 하는 질화갈륨 소자의 구조.A structure of a gallium nitride device, characterized in that the thickness of 0.5 nanometers (nm) to 50 nanometers (nm).
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