KR20010022407A - 음향 감쇠 구조를 갖는 음향 광학 소자 - Google Patents

음향 감쇠 구조를 갖는 음향 광학 소자 Download PDF

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지아네시 피에르 지오반니
피렐리 카비 에 시스테미 소시에떼 퍼 아찌오니
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Abstract

음향 감쇠 구조를 갖는 음향 광학 소자와 탄성 표면파의 기생 효과를 제한하는 방법이 공개되어 있다. 이 구조는 다음과 같음 몇 몇 콤비네이션(combination)을 포함한다; 음향 흡수기가 있는 음향-광학 변환 영역을 둘러 싸는 것, 변환기 가까이에 음향 흡수기를 두는 것, 소자에서 형성된 광학 웨이브가이드 사이에 음향 흡수기의 스트립(strip)을 두는 것, 변환기로부터 에너지를 흡수하기 위한 소자에서 형성된 음향 웨이브가이드의 적어도 한 개 이상의 끝을 형성하는 것, 및 언가이드된 음파(unguided acoustic wave)의 발산을 좀 더 제한하기 위해 음향 웨이브가이드를 확장하는 것이다.

Description

음향 감쇠 구조를 갖는 음향 광학 소자{acousto-optic devices having an acoustic attenuation structure}
집적화된 음향 광학 소자들은 결정을 가로지르는 빛의 결정 표면위에 탄성 표면파(SAWs)의 상호작용을 통해서 기능을 실행한다. 음향 광학 소자의 예는 도 1과 같다. 이 소자는 광학 웨이브가드(17, 18)의 영역을 따라 두개의 휘어진 부분을 갖는 광학 웨이브가이드들(10, 11, 17, 18, 19, 20)을 갖는 2 x 2 가변 광학 스위치이다. 이 소자는 또한 음향 광학 웨이브가이드(12,13), 압전 변환기(piezoelect -ric transducers)(14,15)와 편광 스플리터들(polization splitters)(21)을 갖는다. 이 소자는 LiNbO3와 같은 결정(16)의 표면에서 형성된다. 전기적으로 유기되었을 때, 변환기(14,15)는 음향 웨이브가이드(12, 13)을 통해 진행하는 탄성 표면파를 만들고, 광학 웨이브가이드(17, 18)을 통해 지나가는 빛과 상호작용한다.
그러나 본 발명은 탄성 표면파의 실제적인(non-ideal) 작용은 기생 효과(parasitic effects)를 일으킨다. 먼저, 탄성 표면파는 결정표면에서의 불균일성 때문에 분산된다. 불균일성은 예를 들면, 불순물의 응집(indiffusion), 표면 불순물들, 부가적인 표면층들(layers), 혹은 기판의 경계(border)가 원인이다. 분산된 탄성 표면파는 탄성 표면파와 웨이브가이드를 통해 진행하는 빛 사이의 음향 광학적 상호작용을 방해한다.
탄성 표면파는 분산되거나 음향 웨이브가이드 혹은 불균일성에 의해 반사될 수 있다. 분산되거나 반사된 음파는 다른 음파와 간섭될 수 있다. 간섭 패턴은 음향 광학 소자의 특성에 종속되는 파장이 되는 탄성 표면파의 파장으로 바뀐다.]
더욱이, 탄성 표면파(예를 들면, 도 1의 압전 변환기 14, 15)를 만드는 구조는 직접파(directed wave)를 필수적으로 만들 필요는 없다. 이 파는 다양한 방향으로 발산하고, 소자 능력을 떨어뜨린다.
종래의 음향 광학 소자와 관련된 또 다른 문제는 변환기 내부 반사로 인해 주파수를 가진 변환기의 효율이 요동하는 문제를 포함한다. 또한, 기판("bulk-wave)안으로 진행하는 파는 표면으로 진행하는 파와 간섭될 수 있다.
마지막으로, 도 1에 도시한 바와 같이, 음향 광학 소자에서 광학 웨이브가드(12, 13) 사이의 결합을 만들 수 있다. 만약 이런 결합이 개발되면, 두 개의 컨버터의 효율은 감소된다. 효율적으로 기능을 수행하기 위해서, 이 때 웨이브가이드 (12, 13)은 상대적으로 먼 거리(전형적으로 200 microns)로 분리할 수 있다. 이 분리는 소자가 결합될 수 있는 정도로 한정한다.
미국 특허 제 5,002,349 는 음향 광학 필터와 스위치의 결합을 논의하고 있다. 본 발명의 목적은 x판(x-cut) 압전 기판위에 효율적인 음향 광학 구조를 제공하는 것이고, 음향 광학 필터와 광학적 주파수 변이를 초래하지 않고 편극이 있는 커플러(coupler)를 제공하기 위한 것이다. 이 목적을 수행하기 위해서, 본 발명은 두 개의 스테이지(stage)사이에 음향 흡수기를 가진 통합된 회로로써 두 개의 스테이지 음향 광학 필터로 구성된다.
유럽 특허 출원(application) EP 0737880A1은 파장 선택을 위한 음향 광학 웨이브가이드 소자에 대해 논의하고 있다. 도 4에 도시한 바와 같이, 이 소자는 음향 웨이브가이드(41)을 따라 위치한 음향 흡수 기관을 포함한다. 이 음향 웨이브가이드는 잔여 음파를 흡수하기 위한 커플러(37)와 연결된 광학 웨이브가이드(36)의 끝부분 가까이에 있다. 또한, 음향 흡수 기관은 광학 신호의 반대 방향으로 진행하는 변환기(44)에 의해 발생하는 음파를 흡수하기 위한 커플러와 연결된 웨이브가이드(34)의 끝부분 가까이에 있다.
제목이 "통합된 광학 소자"("Integrated Optical Devices")인 영국 특허 출원(제 GB 2,304,917 출판)은 광학 웨이브가이드와 병렬인 음향 웨이브가이드를 가지는 가변 필터에 대해 공개하고 있다. 이 출원은 진행하는 음파의 파워밀도를 제어하는 두 가지 방법을 공개하고 있고, 따라서 파워는 광학파(optical wave)로 이동한다. 첫째, 음향 웨이브가이드는 횡단 영역을 다양하게 할 수 있다. 둘째, 음파의 에너지는 음향 웨이브가이드의 길이를 따라 흡수될 수 있다.
마지막으로, R.S Chakravarthy(1995 ECIO Proceedings, paper TuPo, Poster Session, p137-40)에 의한 제목이 "음향 광학 가변 필터의 통과 대역폭 공학" ("Passband Engineering of Acousto-Optic Tunable Filters")는 인터채널(interchannel)의 혼선과 음향 광학 가변 필터에서 파장 정렬 혼선 문제에 대한 해결책을 연구하고 있다. 이 책은 광학 웨이브가이드를 피하기 위한 것으로 소자의 길이를 따라 대칭적으로 감쇠 덮개를 두는 것을 제안한다. 이 소자의 구조는 도 4(a)와 도 5(a)에 도시한 바와 같다.
이 발명자는 이 기술이 인식되는 문제를 풀지 못한다는 것을 발견했다. 따라서, 탄성 표면파의 기생 효과를 줄이는 음향 소자에 필요하다는 것을 알았다.
본 발명은 일반적인 음향 광학 소자에 관한 것으로, 특히 음향 광학 소자에서 탄성 표면파(surface acoustic waves,SAWs)를 흡수하는 것에 관한 것이다.
도 1은 전형적인 2x2 음향 광학 스위치를 나타내는 도면이다.
도 2는 본 발명과 일치하는 2x2 음향 광학 스위치를 나타내는 도면이다.
도 3은 본 발명의 실시예에 따른 도 2의 변환기를 둘러싸는 영역을 나타낸 도면이다.
도 4는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 도 2의 변환기를 둘러싸는 영역을 나타낸 도면이다.
도 5a는 음향 흡수기가 없는 전형적인 2x2 음향 광학 스위치를 나타내는 도면이다.
도 5b는 음향 흡수기가 없는 전형적인 2x2 음향 광학 스위치의 노치 특성을 나타낸 도면이다.
도 6은 본 발명과 일치하는 2x2 음향 광학 스위치의 필터와 노치의 특성을 나타낸 도면이다.
도 7은 음향 흡수기가 없는 음향 광학 소자에서 음향 파워의 분배를 나타낸 도면이다.
도 8은 음향 흡수기가 있는 음향 광학 소자에서 음향 파워의 분배를 나타낸 도면이다.
(실시예)
이제 도면을 참조하여 설명되는 본 발명에 따른 우선적인 이행의 구조와 작동에 대한 상세한 설명을 할 것이다.
본 발명에 따른 우선적인 이행에 대한 다음의 설명은 단지 발명의 실시 예이다. 본 발명은 이 같은 구현에 한정되지 않고, 다른 이행에 의해 구현될 수 있다.
본 발명과 일치하는 음향 광학 소자는 도 2에 도시한 바와 같다. 이것의 구현에 있어서, 소자는 광학 웨이브가이드 (30, 31, 32, 33, 34, 35)와, 편광 스플리터 36과, 음향 웨이브가이드 (23, 37)과, 압전 변환기 24, 25를 갖는 2 x 2 가변 광학 스위치이다. 이 소자는 LiNbO3와 같은 결정 26의 표면에 형성된다. 이 소자는 변환기 24와 25에 의해 발생되는 탄성 표면파의 기생 효과을 최소화하는 방법으로 다음에서 한정된다.
첫째, 전체 음향-광학 변환 영역은 음향 흡수기 27로 둘러싸인다. 따라서 , 발산되는 파의 and/or 반사를 산란시킴으로써 초래되는 효과를 억제한다.
그림에 나타내지 않은 또 다른 구현에서, 각각의 음향-광학 변환 영역은 분리된 음향 흡수기에 의해 둘러싸인다.
두번째, 음향 흡수기 27은 웨이브가이드에 결합되는 것이 아니라, 변환기로부터 발산되는 방사파(radiated wave)을 흡수하기 위한 변환기 24와 25 가까이에 위치한다.
또한, 음향 흡수기의 스트라이프(stripe) 28은 음향 웨이브가이드 23과 37 사이에 위치한다. 되도록이면, 스트라이프 28은 약 50 마이크론(microns) 폭으로 한다. 이것은 컨버터 사이의 음향적 혼선(crosstalk)을 줄이고, 변환 효율을 올리는데 이바지한다. 컨버터 사이의 절연(isolation)을 향상시키는 음향 흡수기의 스트라이프(stripe) 28은 컨버터 사이의 갭을 줄일 수 있다. 따라서, 전체 소자 크기를 줄일 수 있고, 더 높은 집적도를 고려할 수 있고, 소자 특성을 향상시킬 수 있다.
음향 흡수기는 또한 변환기 24와 25 뒤에 V 모양의 구조 29를 포함하는 음향 웨이브가이드 23과 37의 끝부분 가까이에 있다. 음파를 흡수하는 구조 28은 그 방향으로 만들어진다. 앞에 묘사된 음향 흡수기의 위치와 접하는 구조 29는 몇가지 이점이 있다. 첫번째, 탄성 표면파의 휠씬 분산된 흡수가 있어, 부분적인 힛팅(heating)이 더 적어진다. 두번째, 다소의 음파를 흡수하는 구조 29때문에 음파 흡수기는 음파에 의한 스트레스를 기계적으로 덜 받는다, 되도록이면, 변환기 24와 25 반대편에 있는 음향 웨이브가이드 23과 37의 끝부분은 V 모양의 흡수 구조에 의해 또한 둘러싸인다. 그 결과 앞에서 설명한 것과 유사한 이점이 있다. V 모양의 구조 29를 보였지만, 흡수된 에너지와 열의 분배에 적당한 어떤 주변(geometry)이 될 수도 있다.
발명자는 음향 웨이브가이드(즉, unguided acoustic wave)의 방향이 변환기 자체로 부터 뿐만 아니라, 탄성 표면파가 강해지는 음향 웨이브가이드를 더 분배하는 것으로부터도 발생한다는 것보다 다른 방향을 따라 음파가 발산하는 것을 더 인식했다. 도 3과 4는 음향 웨이브가이드의 길이를 증가시킴으로써 이 부분으로부터의 발산을 한정하는 두 개의 구조를 보여준다. 도 3은 음향 웨이브가이드 40을 따라서 탄성 표면파 42을 형성하는 변환기 41을 가지는 음향 웨이브가이드 40을 보여준다. 음향 웨이브가이드 40은 음향 흡수기 40에 의해 둘러싸여 있다. 변환기 41으로부터의 음향 웨이브가이드 40을 분배하는 것으로부터 음향 에너지의 발산을 제한하기 위해서 음향 웨이브가이드 40가 2-3 mm 정도 확장된다.
그러나 음향 웨이브가이드 40의 확장은 전체 소자 크기를 증가시키게 된다. 따라서, 도 4에 도시한 구현에 있어서 음향 웨이브가이드 45는 확장되지만, 소자 중심으로 휘게된다. 약 0.5 dB정도의 작은 음향 손실이 이 휨때문에 생기지만 소자의 크기는 변하지 않는다. 도 3에 도시한 구조처럼, 도 4의 구조 또한 변환기 41으로부터의 음향 웨이브가이드 분배에서 탄성 표면파 42으로 부터 발산하는 언가이디드 음파(unguided accoustic waves)의 발산을 한정하는데 영향을 미친다.
음향 광학 소자에서 사용되는 음향 흡수기의 효율을 최대화하기 위해서 음향 흡수기에 사용되는 물질은 어떤 특성을 지닌다. 예를 들면, 이웃 구조의 효과적인 절연을 고려하는 높은 감쇠 계수와 간섭 효과를 피하기 위한 작은 반사계수를 가져야 한다. 또한, 소자의 수명에 있어서 구성하기 쉽고, 열에 영향을 받지 않고, 소자의 특성을 유지하기 쉬워야 한다. 폴리머계열의 하나인 폴리이미드는 그것의 기본적인 화학 구조때문에 이 조건을 만족한다. 폴리이미드는 Probimide 400과 700 계열에서 처럼 Ciba-Geigy로부터 상업적으로 이용될 수 있다.
더욱이 첨가물은 그것들을 감광성으로 만들기 위해서 폴리이미드에 첨가될 수 있다. 따라서, 폴리이미드는 감광수지(photoresistor)처럼 작용하고, 미세석판인쇄술(microlithography)의 간단한 방법으로 음향 광학 소자위에 둘 수 있다. 특히, Probimide 408과 7020은 음향 흡수기과 같이 사용하기 위한 유용한 성질을 가지고 있다는 것을 발견했다. 20 마이크론의 두께에서 앞에 설명한 패턴으로 둘 때, 폴리이미드는 거의 170 MHz의 주파수에서 약 23 dB/mm 의 감쇠계수를 나타낸다. 이 측정값은 음파의 직각(right angle)에 위치한 흡수기에서 얻어진다.
도 2에 나타낸 바와 같이, 분리된 갭을 따라서 50 마이크론 폭의 스트라이프 28을 사용함으로써 -15 dB 에서 -25 dB 보다 적은 컨버터 사이에 있는 음향 혼선을 줄인다. 그 결과 변환 효율은 증가하게 된다. 이 측정값은 음파와 평행하게 있는 흡수기로부터 얻는다. 향상된 절연은 또한 컨버터 사이의 갭을 짧게 할 수 있다. 실험은 갭이 적어도 25%(170 microns 에서 130 microns) 정도 줄어드는 것을 보여준다. 또한, 휘는 부분의 길이가 약 20%(8mm에서 6.5mm)가 짧아질 수 있다. 이 짧아지는 길이의 이점은 더블 스테이지 소자가 사용될 때 곱해진다. 앞에 설명한 바처럼, 짧아진 갭과 휘는 부분의 길이는 음향-광학 소자의 집적을 증가시키는 것을 초래한다.
도 5는 음향 흡수기가 없는 2 x 2 음향-광학 스위치 특성의 필터이다. 이 필터는 노이즈 최저한도 보다 위인 약 22 dB의 피크값을 가진다. 도 5는 음향 흡수기가 없는 2 x 2 스위치에 대한 노치(notch) 특성을 보여준다. 노치 소멸은 약 17 dB이다. 한편, 도 6은 음향 흡수기가 있는 2 x 2 스위치에 대한 필터와 노치 특성을 보여준다. 이 필터의 특징은 노치 소멸이 약 22 dB로 증가하는 동안 노이즈 최저한도 보다 위인 약 25 dB의 피크값을 보여준다. 사이드 로브(lobe)는 -18 dB 에서 약 -22 dB까지 감소되고, 혼선은 -25 dB 아래로 감소된다.
도 7은 음향 흡수기가 없는 음향 광학 소자에서 음향 진행를 보여준다. 이 진행은 음향 웨이브가이드 50에 한정되지 않고, 소자를 통해서 발산된다. 라인 55을 따라 있는 이것처럼 이 발산되고 언가이드된(unguided) 파는 광학 웨이브가이드를 가로질러 진행하고 음향 광학 변환과 간섭된다. 대조적으로 도 8은 본 발명의 기술을 사용한 똑같은 소자를 보여준다. 도 7과 다르게 음향의 진행은 소자 전체 효율을 향상시킨 음향 웨이브가이드 60에 한정된다.
본 발명의 선행적 이행이 고려하는 것이 무엇이지를 설명하고 묘사되는 동안, 다양한 변화와 수정이 만들 수 있는 기술에서 향상된 것에 의해 이해될 수 있다. 그리고, 등가물들은 발명의 범위에서 벗어나지 않는 요소로 대체될 수 있다. 예를 들면, 실리콘과 같은 다른 물질은 폴리이미드의 자리에 음향 흡수기처럼 사용할 수 있다.
게다가 본 발명의 중심 범위에서 벗어남 없이 본 발명에 설명에 대한 기술, 이행, 적당한 요소를 변경할 수있다. 따라서, 이 발명은 여기서 나타낸 특별한 구현에 국한되지 않는다. 그러나 본 발명은 추가적인 클레임과 클레임의 등가물의 범위를 포함하는 모든 구현을 포함한다.
음향 흡수기는 음향 웨이브가이드 주위에 미리 정해진 위치에 두고, 광학 웨이브가이드는 앞에서 설명한 기생 효과에 의해 생기는 문제를 줄이거나 없애기 위해 작용한다. 본 발명의 관점에 따른 음향 광학 소자는 기판의 표면의 일부분을 따라 탄성 표면파을 전파할 수 있는 물질의 기판과, 탄성 표면파를 만드는 변환기과, 기판에서 형성되는 광학 웨이브가이드와, 기판 일부분을 둘러싸는 음향 흡수기를 포함한다.
본 발명의 또 다른 관점에 따른 음향 광학 스위치는 기판의 표면을 따라 탄성 표면파를 전파할 수 있는 물질의 기판과, 기판에서 형성된 제 1, 제 2 광학 웨이브가이드와, 제 1, 제 2 광학 웨이브가이드에 접하고 각각 제 1, 제 2 끝단을 갖는 제 1, 제 2 음향 웨이브가이드와, 제 1, 제 2 음향 웨이브가이드에서 탄성 표면파를 생성하는 각각 제 1, 제 2 변환기와, 제 1,제 2 음향 웨이브가이드를 둘러싸는 음향 흡수기를 포함한다.
본 발명의 또 다른 관점에 따른 또 다른 음향 광학 소자는 기판 표면을 따라 탄성 표면파을 전파시킬 수 있는 물질의 기판과, 기판에서 형성되는 적어도 한 개의 광학 웨이브가이드와, 기판에서 형성되는 적어도 한 개의 음향 웨이브가이드와, 탄성 표면파을 생성하는 적어도 한 개의 변환기와, 적어도 한 개의 음향 웨이브가이드을 둘러싸는 음향 흡수기를 포함한다.
본 발명의 또 다른 관점에 따른 또 다른 음향 광학 스위치는 기판의 표면을 따라 탄성 표면파를 전파시킬 수 있는 물질의 기판과, 기판에서 형성되는 제 1, 제 2 광학 웨이브가이드와, 제 1, 제 2 광학 웨이브가이드와 접하고 각각 제 1, 제 2 끝단을 갖는 제 1, 제 2 음향 웨이브가이드와, 제 1, 제 2 음향 웨이브가이드에서 탄성 표면파를 생성하는 각각의 제 1, 제 2 변환기와, 제 1, 제 2 음향 웨이브가이드 사이에 위치한 음향 흡수기를 포함한다.
본 발명과 일치하는 방법은 광학 웨이브가이드를 가지는 기판을 제공하는 단계와, 거기로 부터 형성되는 음향 웨이브가이드와, 음향-광학(acousto-optic) 상호 작용 영역을 형성하는 음향 웨이브가이드와, 음향-광학 상호 작용 영역을 둘러싸는 영역에서 산란된 음파를 흡수하는 것을 포함한다.
앞의 일반적인 설명과 다음의 상세한 설명은 실시예와 설명과 청구된 발명의 상세한 설명을 제공함으로써 이해될 수 있다.
상기 내용에 포함되어 있음.

Claims (42)

  1. 표면의 제 1 영역을 따라서 탄성 표면파가 진행할 수 있는 물질의 기판과,
    탄성 표면파를 발생하는 변환기와,
    기판내에 생성되는 광학 웨이브가이드와,
    상기 기판의 제 1 영역을 둘러싸는 음향 흡수기를 포함하여 구성됨을 특징으로 하는 음향 광학 소자.
  2. 제 1 항에 있어서, 상기 기판이 LiNbO3물질임을 특징으로 하는 음향 광학 소자.
  3. 제 1 항에 있어서, 상기 음향 흡수기는 폴리이미드를 포함함을 특징으로 한는 음향 광학 소자.
  4. 제 1 항에 있어서, 상기 변환기 근처에 위치된 다른 음향 흡수기를 더 포함함을 특징으로 하는 음향-광학 소자.
  5. 제 1 항에 있어서, 상기 광학 웨이브가이드로 향하는 탄성 표면파를 통제하기 위한 음향 웨이브가이드를 더 포함함을 특징으로 하는 음향 광학 소자.
  6. 제 5 항에 있어서, 상기 변환기를 포함한 음향 웨이브가이드의 끝부분이 적어도 2mm 이상 확장됨을 특징으로 하는 음향 광학 소자.
  7. 제 6 항에 있어서, 상기 확장된 음향 웨이브가이드는 구부러짐을 특징으로 하는 음향 광학 소자.
  8. 제 5 항에 있어서,
    상기 음향 흡수기의 끝 부분은 상기 음향 웨이브가이드의 종결 끝부분 근처에 위치되고, 상기 음향 흡수기의 끝 부분은 음향 에너지를 흡수하기 위한 모양을 갖음을 특징으로 하는 음향 광학 소자.
  9. 제 8 항에 있어서,
    상기 음향 흡수기의 끝부분은 V 모양임을 특징으로 하는 음향 광학 소자.
  10. 표면을 따라서 탄성 표면파가 진행할 수 있는 물질의 기판과,
    기판에 형성된 제 1, 제 2 광학 웨이브가이드와,
    상기 제 1, 제 2 광학 웨이브가이드에 접하고 각각 제 1, 제 2 끝단을 갖는 제 1, 제 2 음향 웨이브가이드와,
    상기 제 1, 제 2 음향 웨이브가이드에서 각각 탄성 표면파를 발생하는 제 1, 제 2 변환기와,
    상기 제 1, 제 2 음향 웨이브가이드를 둘러싸는 음향 흡수기를 포함함을 특징으로 하는 음향 광학 스위치.
  11. 제 10 항에 있어서, 상기 기판 물질은 LiNbO3임을 특징으로 하는 음향 광학 스위치.
  12. 제 10 항에 있어서, 상기 음향 흡수기는 폴리이미드를 포함함을 특징으로 하는 음향 광학 스위치.
  13. 제 10 항에 있어서, 상기 제 1, 제 2 변환기 근처에 위치한 음향 흡수기를 더 포함함을 특징으로 하는 음향 광학 스위치.
  14. 제 10 항에 있이서, 상기 제 1, 제 2 음향 웨이브가이드 사이에 위치한 음향 흡수기의 스트립을 더 포함함을 특징으로 하는 음향 광학 스위치.
  15. 제 14 항에 있어서, 상기 음향 흡수기의 스트립은 적어도 50 마이크론 폭을 갖음을 특징으로 하는 음향 광학 스위치.
  16. 제 10 항에 있어서, 음향 에너지를 흡수하기 위한 모양을 갖고 적어도 상기 제 1 음향 웨이브가이드의 한 끝부분 근처에 위치한 음향 흡수기 끝부분을 갖음을 특징으로 하는 음향 광학 스위치.
  17. 제 16 항에 있어서, 상기 음향 흡수기 끝부분은 V 모양임을 특징으로 하는 음향 광학 스위치.
  18. 제 10 항에 있어서, 음향 에너지를 흡수하기 위한 모양을 갖고 적어도 상기 제 2음향 웨이브가이드의 한 끝부분 근처에 위치한 음향 흡수기 끝부분을 갖음을 특징으로 하는 음향 광학 스위치.
  19. 제 18 항에 있어서, 상기 음향 흡수기 끝부분은 V 모양임을 특징으로 하는 음향 광학 스위치.
  20. 제 10 항에 있어서, 상기 변환기들을 포함한 제 1, 제 2 음향 웨이브가이드의 끝 부분들은 적어도 2mm 이상 확장됨을 특징으로 하는 음향 광학 스위치.
  21. 제 20 항에 있어서, 상기 확장된 음향 웨이브가이드는 휘어짐을 특징으로 하는 음향 광학 스위치.
  22. 표면을 따라서 탄성 표면파을 전파할 수 있는 물질의 기판과,
    상기 기판에 형성된 적어도 한 개의 광학 웨이브가이드와,
    상기 기판에 형성된 적어도 한 개의 음향 웨이브가이드와,
    상기 탄성 표면파를 발생하는 적어도 하나의 변환기와,
    적어도 한 개의 음향 웨이브가이드를 둘러싸는 음향 흡수기를 포함하여 구성됨을 특징으로 하는 음향 광학 소자.
  23. 제 22 항에 있어서, 상기 기판 물질은 LiNbO3임을 특징으로 하는 음향 광학 소자.
  24. 제 22 항에 있어서, 상기 음향 흡수기는 폴리이미드를 포함함을 특징으로 하는 음향 광학 소자.
  25. 제 22 항에 있어서, 상기 적어도 한 개의 변환기 근처에 위치한 음향 흡수기를 더 포함함을 특징으로 하는 음향 광학 소자.
  26. 제 22 항에 있어서, 음향 에너지를 흡수하기 위한 모양을 갖고 상기 적어도 한 개의 음향 웨이브가이드의 끝부분 근처에 위치한 음향 흡수기의 끝부분을 갖음을 특징으로 하는 음향 광학 소자.
  27. 제 25 항에 있어서, 상기 흡수기 끝부분은 V 모양임을 특징으로 하는 음향 광학 소자.
  28. 제 22 항에 있어서, 두개의 광학 웨이브가이드가 있음을 특징으로 하는 음향 광학 소자.
  29. 제 28 항에 있어서, 상기 두 개의 광학 웨이브가이드 사이에 위치한 음향 흡수기의 스트립을 더 포함함을 특징으로 하는 음향 광학 소자.
  30. 제 29 항에 있어서, 상기 음향 흡수기의 스트립은 적어도 50 마이크론의 폭을 갖음을 특징으로 하는 음향 광학 소자.
  31. 제 22 항에 있어서, 상기 변환기를 포함한 상기 적어도 한 개의 음향 웨이브가이드 끝부분은 적어도 2 mm 이상 확장됨을 특징으로 하는 음향 광학 소자.
  32. 제 31 항에 있어서, 상기 적어도 한 개의 확장된 음향 웨이브는 휘어짐을 특징으로 하는 음향 광학 소자.
  33. 표면을 따라서 탄성 표면파를 전파할 수 있는 물질의 기판과,
    기판에 형성된 제 1, 제 2 광학 웨이브가이드와,
    상기 제 1, 제 2 광학 웨이브가이드와 접하고 각각 제 1, 제 2 끝단을 갖는 제 1, 제 2 음향 웨이브가이드와,
    상기 제 1, 제 2 음향 웨이브가이에 각각 탄성 표면파를 발생하는 제 1, 제 2 변환기와,
    상기 제 1, 제 2 음향 웨이브가이드 사이에 위치한 음향 흡수기를 포함하여 형성됨을 특징으로 하는 음향 광학 스위치.
  34. 제 33 항에 있어서, 상기 기판 물질은 LiNbO3임을 특징으로 하는 음향 광학 스위치.
  35. 제 33 항에 있어서, 상기 음향 흡수기는 폴리이미드를 포함함을 특징으로 하는 음향 광학 스위치.
  36. 제 33 항에 있어서, 상기 제 1, 제 2 광학 웨이브가이드와 제 1, 제 2 음향 웨이브가이드를 둘러싸는 읍향 흡수기를 더 포함함을 특징으로 하는 음향 광학 스위치.
  37. 제 33 항에 있어서, 상기 음향 흡수기는 적어도 50 마이크론 폭을 갖음을 특징으로 하는 음향 광학 스위치.
  38. 제 33 항에 있어서, 음향 에너지를 흡수기하기 위한 모양을 갖고 상기 제 1, 제 2 음향 웨이브가이드의 적어도 한 끝부분 근처에 위치한 음향 흡수기의 끝부분을 갖음을 특징으로 하는 음향 광학 스위치.
  39. 제 38 항에 있어서, 상기 음향 흡수기 끝부부은 V 모양임을 특징으로 한는 음향 광학 스위치.
  40. 제 33 항에 있어서, 상기 변환기를 포함한 제 1, 제 2 음향 웨이브가이드의 끝부분은 적어도 2mm 이상 확장됨을 특징으로 하는 음향 광학 스위치.
  41. 제 40 항에 있어서, 상기 확장된 음향 웨이브가이드는 휘어짐을 특징으로 하는 음향 광학 스위치.
  42. 음향-광학 상호작용 영역을 형성하는 광학 웨이브가이드와 음향 웨이브가이드를 포함하는 기판을 제공하는 단계;
    음향-광학 상호작용 영역을 둘러싸는 영역에서 산란된 음파를 흡수하는 단계를 포함함을 특징으로 하는 음향 광학 소자에서 기생 효과를 제한하는 방법.
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