KR20010019922A - electrostatic microstructures and fabrication method - Google Patents
electrostatic microstructures and fabrication method Download PDFInfo
- Publication number
- KR20010019922A KR20010019922A KR1019990036600A KR19990036600A KR20010019922A KR 20010019922 A KR20010019922 A KR 20010019922A KR 1019990036600 A KR1019990036600 A KR 1019990036600A KR 19990036600 A KR19990036600 A KR 19990036600A KR 20010019922 A KR20010019922 A KR 20010019922A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- layer
- substrate
- movable
- electrode
- electrostatic
- Prior art date
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 43
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 21
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 27
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 21
- 239000000725 suspension Substances 0.000 claims description 8
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 claims description 6
- 238000007747 plating Methods 0.000 claims description 6
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910021419 crystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 abstract description 6
- 230000008569 process Effects 0.000 description 22
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 10
- 230000008859 change Effects 0.000 description 7
- 239000010408 film Substances 0.000 description 6
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 4
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 3
- 238000004518 low pressure chemical vapour deposition Methods 0.000 description 3
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 2
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 2
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 2
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 238000010292 electrical insulation Methods 0.000 description 1
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 238000005459 micromachining Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 230000007261 regionalization Effects 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
- H01L21/033—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising inorganic layers
- H01L21/0334—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising inorganic layers characterised by their size, orientation, disposition, behaviour, shape, in horizontal or vertical plane
- H01L21/0337—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising inorganic layers characterised by their size, orientation, disposition, behaviour, shape, in horizontal or vertical plane characterised by the process involved to create the mask, e.g. lift-off masks, sidewalls, or to modify the mask, e.g. pre-treatment, post-treatment
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
- B81C—PROCESSES OR APPARATUS SPECIALLY ADAPTED FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS
- B81C1/00—Manufacture or treatment of devices or systems in or on a substrate
- B81C1/00388—Etch mask forming
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02518—Deposited layers
- H01L21/02587—Structure
- H01L21/0259—Microstructure
- H01L21/02595—Microstructure polycrystalline
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02518—Deposited layers
- H01L21/02587—Structure
- H01L21/0259—Microstructure
- H01L21/02598—Microstructure monocrystalline
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/28—Manufacture of electrodes on semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/268
- H01L21/283—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current
- H01L21/288—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current from a liquid, e.g. electrolytic deposition
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Micromachines (AREA)
- Pressure Sensors (AREA)
Abstract
Description
본 발명은 미세 구조물(microstructures)에 관한 것으로, 특히 서브 마이크로미터 간극을 갖는 콤 형상의 센서나 액튜에이터에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION Field of the Invention The present invention relates to microstructures and, more particularly, to comb-shaped sensors or actuators having submicrometer gaps.
정전기(electrostatic) 방식을 이용한 센서나 액튜에이터 등은 커패시터 구조의 가동(movable) 구조물에 전압을 인가하여 정전 용량(capacitance)의 변화를 감지하거나, 커패시터 양전극에 유도되는 전계에 의한 정전기력(electrostatic)을 이용하여 가동부를 구동한다.Sensors and actuators using an electrostatic method apply a voltage to a movable structure of a capacitor structure to detect a change in capacitance, or use an electrostatic force caused by an electric field induced on a capacitor positive electrode. To drive the movable part.
이와 같은 정전 방식의 감지/구동 방식은 전류의 소모가 극히 적어서, 다른 감지/구동방식을 갖는 센서나 액튜에이터보다 전력 소모가 낮다.The electrostatic sensing / driving method consumes very little current, resulting in lower power consumption than sensors or actuators having other sensing / driving methods.
또한, 정전 용량은 압전(piezoelectric) 방식이나 압저항(piezoresitive) 방식에 비해 월등하게 온도 의존성이 낮고, 빠른 응답 특성, 주변 집적 회로(peripheral integrated circuit)와의 집적화에 용이하다.In addition, the capacitance is significantly lower in temperature dependency than the piezoelectric or piezoresitive method, and is easy to integrate with a quick response characteristic and a peripheral integrated circuit.
일반적인 형태의 정전 방식 액튜에이터 및 용량형 센서의 전극을 보면 도 1 에 나타낸 것과 같이 단순한 평판 커패시터(parallel plate capacitor) 구조를 갖는다.The electrodes of a conventional electrostatic actuator and capacitive sensor have a simple parallel plate capacitor structure as shown in FIG. 1.
이와 같이 제 1 평판(1)과 제 2 평판(2)사이에 일정한 구동 전압 V가 인가된 경우 액튜에이터의 구동력 F와 평판 전극의 간격 x 간에는 다음 수학식 1 과 같이 나타내며, 간격과 구동력에 비선형적인 문제가 발생한다.As described above, when a constant driving voltage V is applied between the first flat plate 1 and the second flat plate 2, the driving force F of the actuator and the space x of the flat plate electrode are expressed by Equation 1 below, and are nonlinear to the space and the driving force. A problem arises.
또한, 용량형 센서에 적용될 경우 감지하고자 하는 외부 변수(measurand)에 따라 변화하는 간극 x에 의해 발생하는 정전 용량의 변화는 다음 수학식 2와 같이 표현할 수 있다.In addition, when applied to a capacitive sensor, a change in capacitance caused by a gap x that changes according to an external variable (measurand) to be detected may be expressed by Equation 2 below.
평판 전극 구조가 용량형 센서로 이용되는 경우 역시 전극간의 간격에 따라 출력신호가 비선형적인 특성을 나타낸다.When the plate electrode structure is used as the capacitive sensor, the output signal also exhibits nonlinear characteristics according to the distance between the electrodes.
상기 수학식 1, 2에서, x, A는 각각 공기의 유전율(permittivity), 콤 전극간의 거리, 극판의 면적을 나타낸다.In Equations 1 and 2 , x and A represent the permittivity of the air, the distance between the comb electrodes and the area of the electrode plate, respectively.
이와 같은 문제점을 개선하기 위하여 현재 많이 사용되고 있는 구조가 도 2 에 나타낸 것과 같은 상호 교차하는(interdigitating) 형태의 전극 배열을 갖는 콤(comb) 구조이다.In order to solve such a problem, a widely used structure is a comb structure having an electrode arrangement of an interdigitating form as shown in FIG. 2.
도 2 (a)는 종래 기술에 따른 콤 전극 배열 일부의 사시도 이고, 도 2 (b)는 도 2 (a)에 표시된 타원 내의 콤 전극의 단면도이고, 도 2 (c)는 도 2 (a)에 표시된 타원 내의 콤 전극의 평면도이다.Figure 2 (a) is a perspective view of a part of the comb electrode arrangement according to the prior art, Figure 2 (b) is a cross-sectional view of the comb electrode in the ellipse shown in Figure 2 (a), Figure 2 (c) is Figure 2 (a) Is a plan view of a comb electrode in an ellipse shown in FIG.
도 2 (a)를 보면 고정 전극(fixed finger)(5)과 가동 전극(moving finger)(4)이 각각 기판에 수평형태로 배열되어 있으며, 상기 양전극 사이에 구동 전압 V가 인가되면 가동 전극이 받는 힘은 다음 식과 같이 표현된다.Referring to FIG. 2A, a fixed finger 5 and a moving finger 4 are arranged horizontally on a substrate, and when the driving voltage V is applied between the two electrodes, the movable electrode is The force received is expressed as
상기 수학식 3에서, t, g는 각각 공기의 유전율(permittivity), 콤 전극의 두께, 콤 전극간의 간극을 나타내며,는 콤 전극의 모서리 부분에서 발생하는 프린지 전계(fringe field)에 의한 영향을 보정해 주기 위한 상수이다.In Equation 3 , t, g represent the permittivity of the air, the thickness of the comb electrode, the gap between the comb electrodes, Is a constant for correcting the influence due to the fringe field generated at the corner of the comb electrode.
또한, 용량형 센서로 적용될 경우 정전 용량의 변화는 가동부 전극의 변위 x에 따라 다음 수학식 4와 같은 관계를 갖는다.In addition, when applied as a capacitive sensor, the change in capacitance has a relationship as shown in Equation 4 according to the displacement x of the movable electrode.
즉, 감지 전극의 변위에 선형적으로 비례하는 출력을 얻을 수 있게 되는 것이다.In other words, an output linearly proportional to the displacement of the sensing electrode can be obtained.
따라서, 상기 수학식 3, 4에 나타낸 바와 같이 구동력 및 감도(sensitivity)가 콤 전극간의 간극 g에 반비례하게 되므로 콤 구조의 액튜에이터나 용량형 센서는 동일한 소모 전력으로 보다 높은 구동력이나 감도를 실현하기 위해서 높은 종횡비()를 갖는 콤 전극 구조를 구현하면 된다.Therefore, as shown in Equations 3 and 4, the driving force and sensitivity are inversely proportional to the gap g between the comb electrodes, so that an actuator or a capacitive sensor having a comb structure can achieve higher driving force or sensitivity at the same power consumption. High aspect ratio ( The comb electrode structure having) may be implemented.
그러면, 높은 종횡비를 구현하는 일반적인 방법으로 다음 두 가지 방법을 생각할 수 있다.Then, the following two methods can be considered as a general way to achieve a high aspect ratio.
첫째, 구조물의 두께를 도금 등의 방법으로 증가시키거나 비등방도(anisotropy)가 큰 건식 식각을 이용하는 방법이다.First, it is a method of increasing the thickness of the structure by a method such as plating or using dry etching having a large anisotropy.
둘째, 콤 전극간의 간극을 줄이는 방법으로 사진 묘화(photolithography) 공정의 정밀도를 높여 콤 전극의 간극을 마이크로미터 이하로 패터닝(patterning)하고 이 사진 묘화 패턴을 건식 식각을 통해 구조물층에 전이하는 방법이다.Secondly, by increasing the precision of the photolithography process by reducing the gap between the comb electrodes, the gap of the comb electrode is patterned to less than micrometer and the photo drawing pattern is transferred to the structure layer through dry etching. .
그러나 이상에서 설명한 종래 기술에 따른 콤 형상을 갖는 미세 구조물은 다음과 같은 문제점을 가지고 있다.However, the microstructure having the comb shape according to the related art described above has the following problems.
첫째, 상기 첫 번째 방법인 도금을 이용한 방법은 구조물의 단차가 크게 되어 구조물 제작 공정의 마지막 단계에서만 적용할 수 있는 제한이 따르게 된다.First, the method using the first method of plating is to increase the step height of the structure is to follow the limitation that can be applied only in the last step of the structure manufacturing process.
또한, 구조물의 두께가 수십에서 수백 마이크로미터에 이르게 되어 차후 추가 공정이 불가능하며, 통상 집적회로 제조 공정에 사용되지 않는 물질의 금속을 이용하게 되어 주변 회로와 콤 구조물을 단일 기판 상에 집적화 하기가 어렵다.In addition, the thickness of the structure can range from tens to hundreds of micrometers, making it impossible to further process it later, and it is difficult to integrate peripheral circuits and comb structures on a single substrate by using metals that are not normally used in integrated circuit manufacturing processes. it's difficult.
그리고, 평면 방향으로 최소 선폭이 줄어드는 것이 아니므로 액튜에이터 및 센서의 소형화나 집적도의 향상에 이점이 없다는 문제점을 가진다.In addition, since the minimum line width is not reduced in the planar direction, there is a problem in that there is no advantage in miniaturization of the actuator and the sensor or improvement in the degree of integration.
둘째, 상기 두 번째 방법은 사진 묘화의 공정 변동률(process variance) 및 건식 식각의 비등방도 등에 따라 간극의 변화가 직접적으로 영향을 받으며, MEMS(Micro Electro Mechanical Systems) 구조물과 같이 높은 단차를 생성하는 이전 공정으로 인해 패터닝하고자 하는 평면의 터폴로지(topology)차가 심한 표면은 마이크로미터 이하의 미세 패턴 형성을 묘화하기에 어려운 문제점이 있다.Secondly, in the second method, the change of the gap is directly affected by the process variance of the photo drawing and the anisotropy of the dry etching, and the generation of the high step such as the MEMS (Micro Electro Mechanical Systems) structure. Due to the process, the surface having a large difference in topology of the planar surface to be patterned has a problem in that it is difficult to draw the micro pattern formation below the micrometer.
셋째, 상기 두 번째의 문제점을 해결하여 마이크로미터 이하의 간극 패턴을 사진 묘화 공정으로 형성하더라도 콤 전극 형태를 만들기 위한 이방성 식각 단계에서 언더-컷(under-cut) 등에 의해 형성 가능한 최소 선폭(Critical Dimension : CD) 손실이 발생하여, 묘화 공정에서 패터닝 된 치수 보다 넓어진 간극을 얻게 되어 공정 신뢰도가 떨어지는 문제점이 있다.Third, the minimum dimension that can be formed by under-cut etc. in the anisotropic etching step for forming the comb electrode shape even if the gap pattern of micrometer or less is formed by a photo drawing process by solving the second problem. : CD) loss occurs, so that the gap is wider than the patterned dimension in the drawing process, there is a problem that the process reliability is low.
따라서 본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위해 안출한 것으로서, 정전 용량형 감지를 위한 콤 형상의 미세 구조물의 핵심 요소인 구동/감지 콤 전극 배열의 전극간 간격을 마이크로미터 이하로 구현하는데 그 목적이 있다.Accordingly, the present invention has been made to solve the above problems, to realize the inter-electrode spacing of the drive / sensing comb electrode array, which is a key element of the comb-shaped microstructure for capacitive sensing, to a micrometer or less There is this.
도 1 은 종래 기술에 따른 정전형 미세 구조물의 구성도1 is a configuration diagram of an electrostatic microstructure according to the prior art
도 2 (a)는 종래 기술에 따른 콤 전극 배열 일부의 사시도Figure 2 (a) is a perspective view of a part of the comb electrode arrangement according to the prior art
(b)는 도 2 (a)에 표시된 타원 내의 콤 전극의 단면도(b) is sectional drawing of the comb electrode in the ellipse shown to FIG. 2 (a).
(c)는 도 2 (a)에 표시된 타원 내의 콤 전극의 평면도(c) is a plan view of the comb electrode in the ellipse shown in FIG.
도 3 은 본 발명에 따른 정전형 미세 구조물의 실시 예3 is an embodiment of an electrostatic microstructure according to the present invention
도 4 는 도 3의 미세 구조물을 제작하기 위한 포토 마스크의 레이아웃(layout)4 is a layout of a photo mask for manufacturing the microstructure of FIG.
도 5 는 본 발명에 따른 정전형 미세 구조물의 제조 공정도5 is a manufacturing process diagram of the electrostatic microstructure according to the present invention
*도면의 주요부분에 대한 부호의 설명* Explanation of symbols for main parts of the drawings
4 : 가동전극 5 : 고정전극4 movable electrode 5 fixed electrode
6 : 서브 마이크로 간극 7 : 구동 구조물6: submicro gap 7: drive structure
8 : 서스펜션 9 : 가동부 전극패드8: suspension 9: movable part electrode pad
10 : 앵커 11 : 고정부 전극패드10: anchor 11: fixing part electrode pad
12 : 절연 박막 13 : 가동부 마스크 패턴12: insulating thin film 13: moving part mask pattern
14 : 앵커 형성 마스크 패턴 15 : 고정부 마스크 패턴14: anchor formation mask pattern 15: fixed part mask pattern
16 : 기판 17, 20, 21 : 희생층16: substrate 17, 20, 21: sacrificial layer
18 : 구조물층 19 : 식각 마스크18: structure layer 19: etching mask
22 : 절연 박막 23, 25 : 감광막22: insulated thin film 23, 25: photosensitive film
24 : 구동부 형성층24: drive part forming layer
상기와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 정전형 미세 구조물 및 제조 방법의 특징은, 기판 상에 제 1 희생층 및 제 1 구조물층을 순차적으로 형성하고 상기 제 1 희생층과 제 1 구조물층을 기판이 노출되도록 식각하여 소정의 패턴을 형성하는 공정, 전면에 제 2 희생층을 형성하고 식각하여 상기 기판과 제 1 구조물층을 노출시키는 공정, 전면에 절연층 및 제 2 구조물층을 순차적으로 형성하는 공정, 상기 제 2 구조물층을 상기 절연층이 노출되도록 평탄화하게 식각하는 공정, 상기 노출된 절연층을 선택적으로 식각하는 공정, 상기 제 1, 2 희생층을 제거하고 상기 절연층의 노출된 부분을 선택적으로 제거하는 공정을 포함하여 이루어지는데 있다.Features of the electrostatic microstructure and manufacturing method according to the present invention for achieving the above object, sequentially forming a first sacrificial layer and the first structure layer on the substrate and the first sacrificial layer and the first structure layer Forming a predetermined pattern by etching the substrate to expose the substrate, forming a second sacrificial layer on the front surface and etching to expose the substrate and the first structure layer, and sequentially insulating the insulating layer and the second structure layer on the front surface. Forming a second structure layer, and etching the second structure layer so as to expose the insulating layer, selectively etching the exposed insulating layer, removing the first and second sacrificial layers, and exposing the insulating layer. It comprises a step of selectively removing the portion.
본 발명에 따른 또 다른 특징은 콤 전극간의 서브 마이크로미터 간극을 콤 전극의 측벽면에 형성하는 희생층의 두께로 제어하는데 있다.Another feature according to the present invention is to control the sub-micrometer gap between the comb electrodes to the thickness of the sacrificial layer formed on the sidewall surface of the comb electrode.
본 발명의 특징에 따른 작용은 기존의 반도체 소자 제조 공정을 조합하여 콤 전극간의 간극을 마이크로미터 이하로 구현할 수 있는 마이크로머시닝 기술로서, 서브 마이크로미터의 간극을 형성하기 위한 특별한 묘화 장치나 단차가 큰 도금 등의 CMOS 반도체 제조 공정과의 호환성이 결여된 방법 없이도 기존의 제조 장비와 공정 기술로 서브 마이크로미터 간극을 갖는 콤 형상의 미세 구조물을 제공할 수 있다.The operation according to the characteristics of the present invention is a micromachining technique that can realize the gap between the comb electrodes to a micrometer or less by combining the existing semiconductor device manufacturing process, a special drawing device or a large step for forming the gap between the sub-micrometer Even without a method that lacks compatibility with CMOS semiconductor manufacturing processes such as plating, existing manufacturing equipment and process technology can provide a comb-shaped microstructure having a submicron gap.
본 발명의 다른 목적, 특성 및 잇점들은 첨부한 도면을 참조한 실시 예들의 상세한 설명을 통해 명백해질 것이다.Other objects, features and advantages of the invention will become apparent from the following detailed description of embodiments taken in conjunction with the accompanying drawings.
본 발명에 따른 정전형 미세 구조물의 바람직한 실시 예에 대하여 첨부한 도면을 참조하여 설명하면 다음과 같다.Preferred embodiments of the electrostatic microstructure according to the present invention will be described with reference to the accompanying drawings.
도 3 은 본 발명에 따른 정전형 미세 구조물의 실시예로써, 도 3을 보면 기판 상에 고정되도록 형성되어 각각 서로 다른 전압이 인가되는 가동부 전극 패드(9) 및 고정부 전극 패드(11)와, 상기 고정부 전극 패드(11)상의 일부 영역에 콤 구조를 가지고 형성된 고정전극(5)과, 상기 고정전극(5)과 동일한 평면상에 일부영역이 콤 구조로 형성되어 상기 고정전극(5)과 마이크로미터 이하의 간극으로 상호 교차하며 기판면과 평행하게 움직이는 가동 구조물(7)과, 상기 가동 전극 패드(9)와 가동 구조물(7)을 연결하고 상기 가동 구조물(7)의 지지와 변위에 대한 복원력을 제공하는 탄성체 요소인 서스펜션(8)으로 구성된다.3 is an embodiment of an electrostatic microstructure according to the present invention. Referring to FIG. 3, a movable part electrode pad 9 and a fixed part electrode pad 11 are formed to be fixed on a substrate and to be applied with different voltages. A fixed electrode 5 having a comb structure on a portion of the fixed electrode pad 11, and a portion of the fixed electrode 5 formed on the same plane as the fixed electrode 5 to form a comb structure; The movable structure 7 and the movable electrode pad 9 and the movable structure 7 which intersect with each other and are parallel to the substrate surface with a micrometer or less gap therebetween and are connected to the movable structure 7 for the support and displacement of the movable structure 7. It is composed of a suspension (8) which is an elastic element that provides a restoring force.
이와 같이 가동전극(4)과 고정전극(5) 사이의 간극(6)을 서브 마이크로미터로 제조함으로써, 저전압 구동, 선형성 형상, 감도 향상 등의 성능을 보인다.Thus, by manufacturing the gap 6 between the movable electrode 4 and the fixed electrode 5 with a submicrometer, performances, such as low voltage drive, a linear shape, and a sensitivity improvement, are exhibited.
그리고 가동전극(4)에 연결되는 가동 구조물(7)과, 상기 가동 구조물(7)을 지지하고 구조물 변위에 대한 복원력을 제공하는 서스펜션(8)의 형상은 적용 용도에 따라 적절히 변경된다.The shape of the movable structure 7 connected to the movable electrode 4 and the suspension 8 supporting the movable structure 7 and providing a restoring force to the displacement of the structure is appropriately changed depending on the application.
이와 같이 구성된 본 발명에 따른 서브 마이크로미터 간극을 갖는 콤 형상의 미세 구조물의 동작을 첨부한 도면을 참조하여 상세히 설명하면 다음과 같다.Referring to the accompanying drawings, the operation of the microstructure of the comb shape having the sub-micrometer gap according to the present invention configured as described above will be described in detail as follows.
먼저, 도 3 의 구조가 마이크로 액튜에이터에 적용되는 경우에는 서스펜션 (8)에 의해 현가된 가동 구조물(7)은 콤 전극 배열의 가동전극(4)과 고정전극(5)사이에 인가된 구동 전압에 의해 가동부 전극 배열이 전기적 인력을 받아 상기 가동전극(4)과 고정전극(5)이 겹치는 중첩부 x가 증가하는 방향으로 움직인다.First, when the structure of FIG. 3 is applied to a micro actuator, the movable structure 7 suspended by the suspension 8 is applied to the driving voltage applied between the movable electrode 4 and the fixed electrode 5 of the comb electrode array. As a result, the movable electrode array receives electrical attraction and moves in an increasing direction of the overlapping portion x where the movable electrode 4 and the fixed electrode 5 overlap.
그리고 구동 전압을 제거하면 기판과 연결되어 고정된 앵커(7)에 연결된 서스펜션(8)의 복원력에 의해 구동 전 상태의 위치로 가동 구조물(7)이 되돌아가게 된다.When the driving voltage is removed, the movable structure 7 is returned to the position before the driving by the restoring force of the suspension 8 connected to the substrate and fixed to the anchor 7.
이때, 구동 전압은 가동부 전극 패드(9)와 고정부 전극 패드(11) 사이에 인가되며, 고정부 구조물(11)과 가동부 구조물(7)의 전기적 절연(insulation)을 위해 절연 박막(12)이 기판과 고정부 구조물(11) 사이에 형성되어 있다.At this time, the driving voltage is applied between the movable electrode pad 9 and the fixed electrode pad 11, and the insulating thin film 12 is applied to electrically insulate the fixed structure 11 and the movable structure 7. It is formed between the substrate and the fixed structure (11).
다음으로, 도 3 의 구조가 용량형 센서에 적용되는 경우에는 외부 감지 대상의 변화로 가동부가 화살표 방향으로 움직이게 되며, 이에 따라 콤의 고정전극(5)과 가동전극(4)의 중첩 길이 x가 변화하게 되어 양전극에 형성되는 정전 용량의 변화로 나타나게 된다.Next, when the structure of FIG. 3 is applied to the capacitive sensor, the movable part moves in the direction of the arrow due to the change of the external sensing object, whereby the overlap length x of the fixed electrode 5 and the movable electrode 4 of the comb is The change is caused by the change in the capacitance formed on the positive electrode.
도 4 는 도 3의 미세 구조물을 제작하기 위한 포토 마스크의 레이아웃(layout)을 나타낸 것으로, 각 공정 단계별로 사진 묘화 공정에서 가동부 형상용 마스크(13), 앵커 형상용 마스크(14), 고정부 형상용 마스크(15) 순으로 포토 마스크가 적용된다.4 shows a layout of the photo mask for manufacturing the microstructure of FIG. 3, wherein the movable part shape mask 13, the anchor shape mask 14, and the fixed part shape are used in the photo drawing process in each step of the process. The photo mask is applied in order for the mask 15.
도 5 는 본 발명에 따른 정전형 미세 구조물의 제조 공정도를 나타낸 것으로써, 도 5 (a)와 같이 기판(16)에 릴리즈 될 구조물이 현가되는 높이 만큼 희생층(17)을 형성한 후 가동부 구조물로 쓰이게 되는 구조물층(18)을 형성한다.Figure 5 shows a manufacturing process of the electrostatic microstructure according to the present invention, as shown in Figure 5 (a) after forming the sacrificial layer 17 to the height that the structure to be released on the substrate 16, the movable part structure Form the structure layer 18 to be used as.
이어 상기 구조물층(18)을 설계된 가동부의 형상으로 식각(etching)하기 위해 사진 묘화 공정을 거쳐 식각 마스크(19)를 패터닝 한다.Subsequently, the etching mask 19 is patterned through a photo drawing process to etch the structure layer 18 into the shape of the designed movable part.
이때, SOI(Silicon On Insulator) 웨이퍼(wafer)를 이용하여 제작할 경우에는 기판(16), 희생층(17), 구조물층(18)층이 각각 실리콘 기판, 산화막, 단결정 실리콘이 된다.In this case, when fabricating using a silicon on insulator (SOI) wafer, the substrate 16, the sacrificial layer 17, and the structure layer 18 may be a silicon substrate, an oxide film, and single crystal silicon, respectively.
단결정 실리콘으로 형성된 구조물층(18)은 잔류 응력(residual stress) 및 응력 기울기(stress gradient)가 매우 작다.The structure layer 18 formed of single crystal silicon has a very small residual stress and stress gradient.
상기 희생층(17) 구조는 필요에 따라 공정 완료 후 절연층으로 이용될 박막 위에 형성된 구조로도 가능하다.The sacrificial layer 17 structure may be formed on a thin film to be used as an insulating layer after completion of the process, if necessary.
그리고 상기 식각 마스크(19)를 그대로 이용할 수도 있고, 구조물층(18)과 높은 식각 선택도를 갖는 물질을 이용한 하드 마스크(hard mask)로도 가능하다.The etching mask 19 may be used as it is, or may be a hard mask using a material having a high etching selectivity with the structure layer 18.
이어 도 5 (b)와 같이 상기 형성된 식각 마스크(19)를 통하여 비등방성 반응성 이온 식각(Reactive Ion Etching : RIE)등의 건식 식각으로 가동부 콤 전극(4), 가동 구조물(7), 서스펜션(8), 가동부 전극 패드(9) 등 기판으로부터 릴리즈 되는 가동부 구조물을 형성한 후 식각 마스크(19)를 제거한다.Subsequently, as shown in FIG. 5B, the comb electrode 4, the movable structure 7, and the suspension 8 are formed by dry etching such as anisotropic reactive ion etching (RIE) through the formed etching mask 19. ) And the etching mask 19 is removed after forming the movable part structure that is released from the substrate such as the movable part electrode pad 9.
그리고 도 5 (c)와 같이 등각(conformal)의 증착 방법으로 서브 마이크로미터 간극을 형성해 줄 희생층(20)을 웨이퍼 전면에 형성한다.As shown in FIG. 5C, a sacrificial layer 20 is formed on the entire surface of the wafer to form a submicron gap by a conformal deposition method.
이어 도 5 (d)와 같이 상기 희생층(20)을 RIE 등의 비등방성 식각으로 측벽(sidewall)에만 간극 형성용 희생층(21)이 남도록 한다.Subsequently, as shown in FIG. 5 (d), the sacrificial layer 20 for forming gaps remains on only sidewalls by anisotropic etching such as RIE.
이때, 전극간 간극 형성을 위한 상기 희생층(21)은 저압 화학 기상 증착(LPCVD)된 산화막 등을 이용할 수 있으며, 상기 희생층(17)과 동일한 물질을 채택하는 것이 바람직하다.In this case, a low pressure chemical vapor deposition (LPCVD) oxide film or the like may be used as the sacrificial layer 21 for forming the inter-electrode gap, and the same material as the sacrificial layer 17 may be adopted.
그리고, 증착법에 의한 측벽면의 두께는 손쉽게 마이크로미터 이하로 구현할 수 있으며, 두께 제어도 수십 Å 이내로 정밀하게 조절할 수 있다.In addition, the thickness of the side wall surface by the deposition method can be easily implemented to a micrometer or less, and the thickness control can be precisely adjusted within several tens of micrometers.
이와 같은 제조 공정에 의해 콤 전극(4)(5)간의 간극은 포토 마스크상의 최소 선폭이 아니라 측벽 희생층의 두께로 제어한다.By such a manufacturing process, the gap between the comb electrodes 4 and 5 is controlled not by the minimum line width on the photomask but by the thickness of the sidewall sacrificial layer.
이어 도 5 (e)와 같이 등각(conformal) 하게 증착되는 절연 박막층(22)을 웨이퍼 전면에 형성한다.Subsequently, an insulating thin film layer 22 that is conformally deposited as shown in FIG. 5E is formed on the entire surface of the wafer.
상기 박막층(22)은 차후 형성될 고정부 패턴과 기판(16)간의 전기적 절연을 위한 절연 박막(12)이 된다.The thin film layer 22 may be an insulating thin film 12 for electrical insulation between the fixing part pattern to be formed later and the substrate 16.
그리고 도 5 (f)와 같이 앵커 형성 마스크(14)를 사용하여 앵커 패턴을 감광막(23)에 사진 묘화 공정으로 패터닝 한다.And the anchor pattern is patterned on the photosensitive film 23 by the photo-drawing process using the anchor formation mask 14 as shown in FIG.
이어 도 5 (g)와 같이 패터닝 된 감광막(23)을 식각 마스크로 하여 앵커(10)가 형성될 구멍을 비등방성 식각으로 형성한다.Subsequently, as shown in FIG. 5 (g), the hole on which the anchor 10 is to be formed is formed by anisotropic etching using the patterned photoresist 23 as an etching mask.
이때, 절연층(22), 구조물층(18), 희생층(17)을 순차적으로 식각하고 식각 마스크(23)를 제거한다.In this case, the insulating layer 22, the structure layer 18, and the sacrificial layer 17 are sequentially etched and the etch mask 23 is removed.
그리고 도 5 (h)와 같이 전면에 고정부 구조가 될 물질(24)을 형성한다.And as shown in Figure 5 (h) to form a material 24 to be a fixed structure on the front.
상기 고정부 형성층(24)은 저압화학 기상증착 등의 방법이나 도금(electroplating) 등의 방법으로 형성할 수 있으며, 도금을 이용할 경우에는 도 5 (g) 공정에서 시드층(seed metal)을 형성한 후 도 5 (h) 공정에서 도금을 수행한다.The fixing part forming layer 24 may be formed by a method such as low pressure chemical vapor deposition or electroplating. In the case of using plating, a seed metal is formed in the process of FIG. 5 (g). After the plating is performed in FIG. 5 (h) process.
그리고, 상기 고정부 형성층(24)은 앞 공정에서 형성된 패턴들의 높이보다 두껍게(overflow) 형성하며, 도 5 (i)와 같이 CMP(Chemical Mechanical Polishing) 방법 등으로 평탄화 시킨다.In addition, the fixing part forming layer 24 is formed to overflow (thickness) than the height of the patterns formed in the previous process, and planarized by CMP (Chemical Mechanical Polishing) method as shown in FIG.
상기 평탄화 공정에서는 절연 박막층(22)이 식각 정지 층(etch stop layer)의 기능을 하게 되며, 앵커(10) 및 고정부 콤 전극(5)이 형성된다.In the planarization process, the insulating thin film layer 22 functions as an etch stop layer, and the anchor 10 and the fixing comb electrode 5 are formed.
그리고 도 5 (j)와 같이 상기 식각 정지층으로 표면이 드러난 절연 박막층(22)을 선택적으로 제거한다.5, the insulating thin film layer 22 having the surface exposed to the etch stop layer is selectively removed.
이어 도 5 (k)와 같이 포토 마스크인 고정부 형상용 마스크를 이용하여 감광막(25)을 패터닝 한 후, 도 5 (l)과 같이 노출된 가동부 및 고정부 형성층을 식각하고 감광막(25)을 제거한다.Subsequently, the photosensitive film 25 is patterned using a fixing part shape mask which is a photo mask as shown in FIG. 5 (k), and then the exposed movable part and the fixing part forming layer are etched as shown in FIG. 5 (l) and the photosensitive film 25 is removed. Remove
이때, 가동부 및 고정부 물질이 동일한 경우 한 번의 식각으로 도 5 (l)의 공정이 이루어질 수 있다.In this case, when the movable part and the fixed part material are the same, the process of FIG. 5 (l) may be performed by one etching.
그리고 도 5 (m)과 같이 바닥의 희생층(17) 및 측벽면에 형성되어 있는 서브 마이크로미터 간극 형성용 희생층(21)을 선택적으로 식각한 후, 도 5 (n)과 같이 노출된 절연 박막층(22)을 선택적으로 식각한 후 세정 및 건조 공정을 거치면 릴리즈 된 서브 마이크로미터 간극을 갖는 콤 형상의 미세 구조를 완성하게 된다.After selectively etching the sacrificial layer 17 on the bottom and the sub-micrometer gap forming sacrificial layer 21 formed on the sidewall surface as shown in FIG. 5 (m), the insulation exposed as shown in FIG. After the etching of the thin film layer 22 selectively, the cleaning and drying process is performed to complete the comb-shaped microstructure having the released submicron gap.
상기 세정 및 건조 공정인 릴리즈 후 공정(post-release process)에서는 기판(16)과 가동 구조물(7), 그리고 가동부 콤 전극(4)과 고정부 콤 전극(5)간의 부착 또는 점착 현상이 발생할 수 있으므로, 이를 방지해 주는 공정을 추가하는 것이 수율(yield)을 향상시킬 수 있는 방법이 된다.In the post-release process, which is a cleaning and drying process, adhesion or adhesion between the substrate 16 and the movable structure 7 and the movable comb electrode 4 and the fixed comb electrode 5 may occur. Therefore, adding a process to prevent this is a way to improve the yield (yield).
이와 같이 본 발명은 측벽 희생층 두께를 손쉽게 조절할 수 있는 점에 착안하여 정밀하게 서브 마이크로미터 간극을 갖는 정전형 미세 구조물을 반도체 일관 공정을 이용하여 제조할 수 있다.As described above, the present invention can manufacture a capacitive microstructure having a submicrometer gap precisely using a semiconductor integrated process, focusing on easily adjusting the sidewall sacrificial layer thickness.
그리고 정전형 액튜에이터에 적용하여 구동 전압을 낮추거나 구동력을 향상시키고 구동 변위를 증가시킬 수 있으며, 또한 용량형 센서에 적용하여 감도를 높일 수 있다.And it can be applied to the electrostatic actuator to lower the driving voltage or improve the driving force and increase the driving displacement, and also can be applied to the capacitive sensor to increase the sensitivity.
또한, SOI 웨이퍼를 이용하여 제조할 경우 가동부가 단결정 실리콘이므로 미세 구조물의 제작에 있어 중요한 요소인 현가 구조물의 잔류 응력과 응력 기울기를 제거할 수 있다.In addition, since the movable part is monocrystalline silicon when manufactured using the SOI wafer, it is possible to remove the residual stress and the stress gradient of the suspension structure, which is an important factor in the fabrication of microstructures.
이상에서 설명한 바와 같은 본 발명에 따른 정전형 미세 구조물 및 제조 방법은 다음과 같은 효과가 있다.The electrostatic microstructure and the manufacturing method according to the present invention as described above has the following effects.
첫째, 콤 전극간의 간격을 마이크로미터 이하로 초미세화 할 수 있으며, 그로 인해 반도체 일관 공정을 활용하여 제조할 수 있다.First, the spacing between the comb electrodes can be micronized to less than or equal to micrometers, thereby manufacturing using a semiconductor integrated process.
둘째, 콤 전극의 초미세화로 이 구조가 적용된 액튜에이터의 구동 전압을 낮추거나 구동력을 증가시킬 수 있으며, 용량형 센서의 경우에는 감도를 개선할 수 있다.Second, the ultra-miniaturization of the comb electrode can lower the driving voltage or increase the driving force of the actuator to which the structure is applied. In the case of the capacitive sensor, the sensitivity can be improved.
셋째, 구조물의 두께를 증가시키지 않고도 종횡비를 높일 수 있으므로, 이 구조가 적용되는 소자의 소형화 및 집적도 향상에 기여할 수 있다.Third, since the aspect ratio can be increased without increasing the thickness of the structure, it can contribute to the miniaturization and integration of the device to which the structure is applied.
넷째, 집적회로와 단일 기판 상에 제작되는 지능형 센서/액튜에이터 시스템에 적용할 수 있다.Fourth, it can be applied to an intelligent sensor / actuator system fabricated on an integrated circuit and a single substrate.
이상 설명한 내용을 통해 당업자라면 본 발명의 기술 사상을 이탈하지 아니하는 범위에서 다양한 변경 및 수정이 가능함을 알 수 있을 것이다.Those skilled in the art will appreciate that various changes and modifications can be made without departing from the spirit of the present invention.
따라서, 본 발명의 기술적 범위는 실시 예에 기재된 내용으로 한정되는 것이 아니라 특허 청구의 범위에 의하여 정해져야 한다.Therefore, the technical scope of the present invention should not be limited to the contents described in the embodiments, but should be defined by the claims.
Claims (7)
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019990036600A KR20010019922A (en) | 1999-08-31 | 1999-08-31 | electrostatic microstructures and fabrication method |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019990036600A KR20010019922A (en) | 1999-08-31 | 1999-08-31 | electrostatic microstructures and fabrication method |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20010019922A true KR20010019922A (en) | 2001-03-15 |
Family
ID=19609428
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019990036600A KR20010019922A (en) | 1999-08-31 | 1999-08-31 | electrostatic microstructures and fabrication method |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR20010019922A (en) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100373739B1 (en) * | 2001-05-07 | 2003-02-26 | 조동일 | Method for Fabrication of Electrostatic Vertical Actuators Using One Single-crystalline Silicon Wafer |
| KR100434541B1 (en) * | 2001-08-24 | 2004-06-05 | 삼성전자주식회사 | Optical scanner and manufacturing method thereof |
| KR100465914B1 (en) * | 2002-03-27 | 2005-01-13 | 한국과학기술원 | Micro-actuator fabrication method |
| KR100662463B1 (en) * | 2005-09-27 | 2007-01-02 | 엘지전자 주식회사 | A apparatus for scanning high-speed data storage and method for manufacturing the apparatus |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07176768A (en) * | 1993-12-17 | 1995-07-14 | Murata Mfg Co Ltd | Acceleration sensor |
| JPH1079520A (en) * | 1996-09-05 | 1998-03-24 | Denso Corp | Method for manufacturing semiconductor dynamical amount sensor |
| JPH10125935A (en) * | 1996-10-15 | 1998-05-15 | Nippon Motorola Ltd | Manufacture of movable capacitor structure and movable capacitor structure |
| JPH10163505A (en) * | 1996-11-29 | 1998-06-19 | Mitsubishi Materials Corp | Semiconductor inertia sensor and its manufacture |
| JPH11220140A (en) * | 1998-02-02 | 1999-08-10 | Denso Corp | Semiconductor dynamic-quantity sensor and manufacture thereof |
-
1999
- 1999-08-31 KR KR1019990036600A patent/KR20010019922A/en not_active Application Discontinuation
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07176768A (en) * | 1993-12-17 | 1995-07-14 | Murata Mfg Co Ltd | Acceleration sensor |
| JPH1079520A (en) * | 1996-09-05 | 1998-03-24 | Denso Corp | Method for manufacturing semiconductor dynamical amount sensor |
| JPH10125935A (en) * | 1996-10-15 | 1998-05-15 | Nippon Motorola Ltd | Manufacture of movable capacitor structure and movable capacitor structure |
| JPH10163505A (en) * | 1996-11-29 | 1998-06-19 | Mitsubishi Materials Corp | Semiconductor inertia sensor and its manufacture |
| JPH11220140A (en) * | 1998-02-02 | 1999-08-10 | Denso Corp | Semiconductor dynamic-quantity sensor and manufacture thereof |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100373739B1 (en) * | 2001-05-07 | 2003-02-26 | 조동일 | Method for Fabrication of Electrostatic Vertical Actuators Using One Single-crystalline Silicon Wafer |
| KR100434541B1 (en) * | 2001-08-24 | 2004-06-05 | 삼성전자주식회사 | Optical scanner and manufacturing method thereof |
| KR100465914B1 (en) * | 2002-03-27 | 2005-01-13 | 한국과학기술원 | Micro-actuator fabrication method |
| KR100662463B1 (en) * | 2005-09-27 | 2007-01-02 | 엘지전자 주식회사 | A apparatus for scanning high-speed data storage and method for manufacturing the apparatus |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5375033A (en) | Multi-dimensional precision micro-actuator | |
| US20030048036A1 (en) | MEMS comb-finger actuator | |
| US7172917B2 (en) | Method of making a nanogap for variable capacitive elements, and device having a nanogap | |
| US6074890A (en) | Method of fabricating suspended single crystal silicon micro electro mechanical system (MEMS) devices | |
| US6888662B2 (en) | Micro-mechanical system employing electrostatic actuator and fabrication methods of same | |
| US5563343A (en) | Microelectromechanical lateral accelerometer | |
| US6897537B2 (en) | Micro-electro-mechanical system (MEMS) variable capacitor apparatuses and related methods | |
| US5429993A (en) | Semiconductor accelerometer and method of its manufacture | |
| US7141989B1 (en) | Methods and apparatus for a MEMS varactor | |
| EP2460762B1 (en) | MEMS device having reduced stiction and manufacturing method | |
| KR100373739B1 (en) | Method for Fabrication of Electrostatic Vertical Actuators Using One Single-crystalline Silicon Wafer | |
| JP2005209625A (en) | Micro electronic mechanical system switch | |
| CN110149582A (en) | A kind of preparation method of MEMS structure | |
| KR20010019922A (en) | electrostatic microstructures and fabrication method | |
| JP2001004658A (en) | Dual-shaft semiconductor acceleration sensor and manufacture thereof | |
| JP2007243757A (en) | Condenser microphone | |
| JP2007274096A (en) | Diaphragm and its production process | |
| US20120133003A1 (en) | Micromechanical component | |
| JP4174761B2 (en) | Mechanism device manufacturing method and mechanism device | |
| JP4611005B2 (en) | Sensor element | |
| CN216350791U (en) | Acceleration sensor chip | |
| JP2024125819A (en) | Acceleration sensor and method for manufacturing the same | |
| KR100465914B1 (en) | Micro-actuator fabrication method | |
| KR0160912B1 (en) | Micro-relay and manufacturing method thereof | |
| JP2005534505A (en) | Method for producing a microsystem structure with lateral gaps and corresponding microsystem structure |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| E601 | Decision to refuse application |