KR20010018689A - A wafer exposure device - Google Patents

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KR20010018689A
KR20010018689A KR1019990034745A KR19990034745A KR20010018689A KR 20010018689 A KR20010018689 A KR 20010018689A KR 1019990034745 A KR1019990034745 A KR 1019990034745A KR 19990034745 A KR19990034745 A KR 19990034745A KR 20010018689 A KR20010018689 A KR 20010018689A
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KR1019990034745A
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김봉수
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김영환
현대반도체 주식회사
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    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/20Exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/2022Multi-step exposure, e.g. hybrid; backside exposure; blanket exposure, e.g. for image reversal; edge exposure, e.g. for edge bead removal; corrective exposure
    • G03F7/2026Multi-step exposure, e.g. hybrid; backside exposure; blanket exposure, e.g. for image reversal; edge exposure, e.g. for edge bead removal; corrective exposure for the removal of unwanted material, e.g. image or background correction
    • G03F7/2028Multi-step exposure, e.g. hybrid; backside exposure; blanket exposure, e.g. for image reversal; edge exposure, e.g. for edge bead removal; corrective exposure for the removal of unwanted material, e.g. image or background correction of an edge bead on wafers

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Abstract

PURPOSE: An exposure apparatus for a periphery of a wafer is provided to shorten an interval of time for an exposure process, by performing an exposure regarding the periphery of the wafer while a peripheral exposure unit is moving, so that a center of the wafer does not change before and after a peripheral exposure. CONSTITUTION: A table(100) for aligning a flat zone has a wafer revolving plate on which a wafer(110) is placed, revolving and moving vertically. A plurality of side spot sensors and check sensors detect periphery and the flat zone of the wafer settled on the wafer revolving plate, installed in an upper portion of the table for aligning the flat zone. A sensor for detecting an appearance of the wafer detects a revolving center of the wafer settled on the wafer revolving plate, installed in an upper portion of the table for aligning the flat zone. A peripheral exposure unit performs an exposure regarding the periphery of the wafer settled on the wafer revolving plate, horizontally moving in an X axis regarding the table for aligning the flat zone.

Description

웨이퍼 주변 노광장치{A wafer exposure device}A wafer exposure device

본 발명은 웨이퍼 주변 노광 장치에 관한 것으로써, 더욱 상세하게는 웨이퍼의 주변 노광 전에 실시되는 웨이퍼 플랫존 정렬 단계를 감소시키고, 웨이퍼 주변 노광시 웨이퍼 주변 노광폭의 정확성을 향상시킨 웨이퍼 주변 노광 장치이다.The present invention relates to a wafer peripheral exposure apparatus, and more particularly to a wafer peripheral exposure apparatus that reduces the wafer flat zone alignment step performed before the wafer peripheral exposure, and improves the accuracy of the wafer peripheral exposure width during wafer peripheral exposure. .

일반적으로 반도체 소자를 생산하기 위해 웨이퍼 표면에 감광제인 포토레지스트(photo-resist;이하 PR)를 도포하고, 수은 램프 또는 자외선 램프 등의 광원에서 발생된 빛을 웨이퍼 상에 형성될 패턴을 갖는 레티클 또는 마스크에 조사시켜 포토레지스트(PR)를 노광하고, 식각하여 패턴을 형성하게 되는데, 이를 포토공정 기술(Photo lithography)이라 한다.In general, a photoresist (PR), which is a photoresist, is applied to a surface of a wafer to produce a semiconductor device, and a reticle having a pattern to form light generated from a light source such as a mercury lamp or an ultraviolet lamp on a wafer, or The photoresist PR is exposed to light by etching to a mask to be etched to form a pattern. This is called photolithography.

이런 포토공정 기술에서 웨이퍼의 전면 노광 전에 웨이퍼의 정렬이 이루어지지 않는 경우 노광시 패턴의 불균일한 노광이 이루어지는 문제점이 있다.In such a photo process technology, when the wafer is not aligned before the entire surface exposure of the wafer, there is a problem in that the pattern is unevenly exposed during exposure.

그리고, 웨이퍼 전면에 감광제인 포토레지스트(PR)를 도포하고, 노광시켜 식각하는 과정에서 웨이퍼 주변부를 먼저 세정액으로 세정하게 되는데, 웨이퍼 주변부를 세정하더라도 지저분한 문제점이 남게 된다.In the process of applying photoresist (PR), which is a photoresist, to the entire surface of the wafer, and exposing and etching the photoresist, the peripheral portion of the wafer is first cleaned with a cleaning solution.

따라서, 웨이퍼 전면을 전체적으로 노광하기 전에 먼저 웨이퍼의 정렬을 진행시키고, 웨이퍼 주변부를 노광하는 웨이퍼 주변 노광을 실시하여 식각 공정에서 발생되는 웨이퍼 주변부 이물질 발생을 최소화하게 된다.Therefore, before exposing the entire surface of the wafer, the alignment of the wafer is first performed, and the wafer peripheral exposure that exposes the wafer peripheral part is performed to minimize the generation of foreign substances on the wafer peripheral part generated in the etching process.

제 1 도 및 제 2 도는 웨이퍼의 정렬 및 웨이퍼 주변부 노광을 실시하는 종래의 웨이퍼 주변 노광 장치를 설명하기 위한 도면으로써, 종래의 웨이퍼 주변 노광 장치는 웨이퍼 얼라인(플랫존 정렬)이 진행되는 플랫존 정렬 테이블(10)에 상하 및 회전 구동하는 회전 테이블(11)이 있다.1 and 2 are diagrams for explaining a conventional wafer peripheral exposure apparatus that performs wafer alignment and wafer peripheral exposure. In the conventional wafer peripheral exposure apparatus, a flat zone in which wafer alignment (flat zone alignment) is performed is performed. The alignment table 10 has a rotation table 11 that is driven up and down and rotationally.

그리고, 플랫존 정렬 테이블(10) 상면 일측으로 웨이퍼 주변 노광을 위한 주변 노광유닛(19)이 위치된다.The peripheral exposure unit 19 for exposing the wafer to one side of the flat zone alignment table 10 is positioned.

주변 노광유닛(19)은 365㎚ 파장대를 갖는 I-라인(i-line)을 발생시키는 광발생부(22)가 고정설치되어 있으며, 광발생부(22)의 하측으로 광을 받아 웨이퍼(22) 주변 노광폭과 노광량을 설정하는 주변 노광 센서(21)가 상하 운동 가능케 설치된다.The peripheral exposure unit 19 is fixed with a light generating unit 22 for generating an i-line having a wavelength range of 365 nm, and receives the light below the light generating unit 22 to receive a wafer 22. The peripheral exposure sensor 21 which sets the peripheral exposure width and the exposure amount is provided so that it can move up and down.

또한, 웨이퍼(22)가 웨이퍼 회전 테이블(11)에 위치되면 웨이퍼 플랫존을 검출하여 웨이퍼를 정렬시키는 제 1 및 제 2 플랫존 검출 유닛(A,B)이 플랫존 정렬 테이블(10)의 상면으로 각각 설치되어 웨이퍼 플랫존을 검출할 수 있도록 한다.In addition, when the wafer 22 is positioned on the wafer rotation table 11, the first and second flat zone detection units A and B for detecting the wafer flat zone and aligning the wafers have an upper surface of the flat zone alignment table 10. Each of them is installed so that the wafer flat zone can be detected.

제 1 플랫존 검출 유닛(A)은 두 개의 0。 체크 센서(16a,16b)와, 두 개의 0。 체크 센서 사이에 설치된 90。 사이드 스폿 센서(13)와, 0。 체크 센서의 양측으로 설치된 0。 프런트 스폿센서(12a,12b)로 이루어진다.The first flat zone detection unit A is provided with two 0 ° check sensors 16a and 16b, a 90 ° side spot sensor 13 disposed between the two 0 ° check sensors, and a 0 ° check sensor on both sides. 0. It consists of the front spot sensors 12a and 12b.

그리고, 제 2 플랫존 검출 유닛(B)은 두 개의 90。 체크 센서(17a,17b)와, 체크 센서 사이에 설치된 0。 사이드 스폿 센서(15)와, 90。 체크 센서의 양측으로 설치된 90。 사이드 스폿 센서(14a,14b)로 이루어진다.The second flat zone detection unit B has two 90 ° check sensors 17a and 17b and a 0 ° side spot sensor 15 provided between the check sensors and 90 ° provided on both sides of the 90 ° check sensor. It consists of side spot sensors 14a and 14b.

또한, 웨이퍼(22)의 중심점을 검출하기 위한 웨이퍼 외형 검출 센서(18)가 플랫존 정렬 테이블(10)의 상면에 위치된다.In addition, a wafer contour detection sensor 18 for detecting the center point of the wafer 22 is located on the upper surface of the flat zone alignment table 10.

이러한 구성으로 이루어진 종래의 웨이퍼 주변 노광 장치에 의해 웨이퍼의 플랫존 정렬과 웨이퍼 주변 노광을 설명하면 다음과 같다.The flat zone alignment and wafer peripheral exposure of the wafer by the conventional wafer peripheral exposure apparatus having such a configuration will be described as follows.

먼저, 웨이퍼의 플랫존 정렬은 미도시된 웨이퍼 이송수단에 의해 웨이퍼(22)가 웨이퍼 회전 테이블(11)에 안착되면, 외형검출 센서(18)가 웨이퍼의 중심점을 검출하고, 제 1 및 제 2 플랫존 검출유닛(A,B)의 스폿센서와 체크 센서가 웨이퍼의 플랫존을 검출하여 웨이퍼 정렬이 진행된다.First, the flat zone alignment of the wafer is performed when the wafer 22 is seated on the wafer rotation table 11 by a wafer transfer means (not shown), and the outline detection sensor 18 detects the center point of the wafer, and the first and second The spot sensor and the check sensor of the flat zone detection units A and B detect the flat zone of the wafer, and the wafer alignment proceeds.

그리고, 웨이퍼의 정렬이 완료되면 주변 노광 센서(21)가 상승하여 웨이퍼의 주변 노광폭과 주변 노광량을 측정하게 되고, 주변 노광 개시점을 찾아 광발생부(22)에서 I-라인(i-line)이 발생되어 웨이퍼 주변 노광을 진행한다.When the alignment of the wafer is completed, the peripheral exposure sensor 21 is raised to measure the peripheral exposure width and the peripheral exposure amount of the wafer. The peripheral exposure start point is found and the I-line is formed in the light generation unit 22. ) Is generated to perform exposure around the wafer.

주변 노광이 끝나면 주변 노광 센서(21)는 하강하여 원래의 위치로 돌아오고, 웨이퍼 외형 검출센서(18)는 웨이퍼의 중심점을 다시 검출하고, 제 1 및 제 2 플랫존 검출유닛(A,B)은 웨이퍼 플랫존을 다시 검출하여 웨이퍼의 정렬이 진행된다.After the peripheral exposure ends, the peripheral exposure sensor 21 descends to return to its original position, and the wafer contour detection sensor 18 detects the center point of the wafer again, and the first and second flat zone detection units A and B The wafer flat zone is detected again, and the wafer is aligned.

그러나, 종래의 웨이퍼 주변 노광장치는 주변 노광 유닛의 주변 노광 센서가 상하 방향으로만 이동하여 주변 노광량을 설정하게 되지만, 광발생부가 고정설치되어 있어 좌우 방향으로 이동되는 것이 불가능하다.However, in the conventional wafer peripheral exposure apparatus, the peripheral exposure sensor of the peripheral exposure unit moves only in the up and down direction to set the peripheral exposure amount. However, since the light generating unit is fixed, it is impossible to move in the left and right direction.

그러므로, 웨이퍼 주변 노광시 설정된 주변 노광폭만큼 노광을 하기 위해 플랫존 정렬 테이블 자체가 좌우로 이동되어야 하므로, 웨이퍼 주변 노광 전 웨이퍼 회전 중심좌표와 웨이퍼 주변 노광 후 웨이퍼의 회전 중심좌표가 서로 달라지게 된다.Therefore, the flat zone alignment table itself must be moved from side to side in order to expose by the set peripheral exposure width during wafer peripheral exposure, so that the center coordinates of the wafer rotation before the wafer peripheral exposure and the center of rotation of the wafer after the wafer peripheral exposure are different from each other. .

따라서, 주변 노광 후 웨이퍼의 플랫존 및 회전 중심을 재검출하는 정렬단계를 거처야 하므로 주변 노광에 소요되는 단계가 많아져 시간적 손실이 켜져 생산 수율 측면에서 불리한 점이 많다.Therefore, since the alignment step of redetecting the flat zone and the rotation center of the wafer after the peripheral exposure is required, many steps are required for the peripheral exposure, and thus, there is a disadvantage in terms of production yield due to time loss.

이에 본 발명은 상기 종래의 문제점을 해결하기 위해 안출된 것으로써, 웨이퍼 주변 노광을 하기 전과 주변 노광을 한 후 웨이퍼 플랫존 정렬에 소요되는 시간을 감소시킨 웨이퍼 정렬장치를 제공하는데 그 목적이 있다.Accordingly, an object of the present invention is to provide a wafer alignment apparatus which reduces the time required for wafer flat zone alignment before and after the peripheral exposure, which is devised to solve the conventional problems.

따라서, 본 발명은 상기 목적을 달성하고자 웨이퍼 주변노광 및 웨이퍼 플랫존의 정렬이 진행되는 웨이퍼 주변 노광장치에 있어서, 상하 및 회전운동하며 웨이퍼가 안착되는 웨이퍼 회전판이 형성된 플랫존 정렬테이블과, 플랫존 정렬 테이블의 상단에 설치되어 웨이퍼 웨이퍼 회전판에 안착된 웨이퍼의 주변 및 플랫존을 검출하는 다수개의 사이드 스폿센서 및 체크 센서와, 플랫존 정렬 테이블의 상단에 설치되어 웨이퍼 회전판에 안착된 웨이퍼의 회전 중심을 감지하는 웨이퍼 외형 검출 센서와, 플랫존 정렬 테이블에 대해 X 축 방향으로 좌우 이동되면서 웨이퍼 회전판에 안착된 웨이퍼의 주변을 노광하는 주변 노광 유닛으로 이루어진다.Accordingly, the present invention provides a flat zone alignment table and a flat zone in which a wafer rotating plate on which a wafer is seated is mounted in a wafer peripheral exposure apparatus in which wafer peripheral exposure and wafer flat zone alignment are performed to achieve the above object. Multiple side spot sensors and check sensors installed on the top of the alignment table to detect the periphery and flat zone of the wafer seated on the wafer wafer turntable, and centers of rotation of the wafers mounted on the wafer turntable mounted on the top of the flat zone alignment table It consists of a wafer contour detection sensor for detecting a and the peripheral exposure unit for exposing the periphery of the wafer seated on the wafer rotating plate while moving left and right in the X-axis direction with respect to the flat zone alignment table.

그리고, 주변 노광 유닛은 단면의 형태가 '??'자 형태를 갖는 유닛몸체와, 유닛몸체의 상단에 설치되어 웨이퍼 주변 노광을 위해 365㎚의 파장대를 갖는 I-라인을 발생시키는 광발생부와, 유닛 몸체의 중단에 설치되어 광발생부의 I-라인을 받아 웨이퍼의 주변 노광폭 및 주변 노광량을 결정하는 주변 노광센서가 설치되며, 주변 노광 유닛은 스텝핑 모터에 의해 구동되도록 한다.The peripheral exposure unit includes a unit body having a cross-sectional shape of a '??' shape, a light generating unit installed at an upper end of the unit body to generate an I-line having a wavelength band of 365 nm for exposure of the wafer peripheral area; The peripheral exposure sensor is installed at the middle of the unit body and receives the I-line of the light generating unit to determine the peripheral exposure width and the peripheral exposure amount of the wafer. The peripheral exposure unit is driven by the stepping motor.

제 1 도 및 제 2 도는 종래의 웨이퍼 주변 노광장치를 설명하기 위한 도면.1 and 2 are views for explaining a conventional wafer peripheral exposure apparatus.

제 3 도 및 제 4 도는 본 발명인 웨이퍼 주변 노광장치를 설명하기 위한 도면.3 and 4 are views for explaining a wafer peripheral exposure apparatus according to the present invention.

■ 도면의 주요부분에 대한 간략한 부호 설명 ■■ Brief description of the main parts of the drawing ■

10,100 : 정렬 테이블 11,101 : 회전 테이블10,100: sort table 11,101: turn table

12,13,14,15, 102,103 : 스폿센서 16,17,104 : 체크 센서12,13,14,15,102,103: spot sensor 16,17,104: check sensor

18,105 : 외형 검출 센서 19,106 : 주변 노광유닛18,105: appearance detection sensor 19,106: peripheral exposure unit

20,108 : 광 발생부 21,109 : 주변 노광 센서20,108: light generator 21,109: ambient exposure sensor

22,110 : 웨이퍼 111 : 구동모터22,110 wafer 111 drive motor

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명인 웨이퍼 주변 노광장치에 대한 바람직한 일실시 예를 상세히 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, a preferred embodiment of the wafer peripheral exposure apparatus of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

제 3 도 및 제 4 도는 본 발명인 웨이퍼 주변 노광 장치를 설명하기 위한 도면이다.3 and 4 are diagrams for explaining the wafer peripheral exposure apparatus according to the present invention.

이를 참조하면, 본 발명인 웨이퍼 주변 노광 장치는 웨이퍼 얼라인이 진행되는 웨이퍼 정렬테이블(100)에 상하 및 회전 운동하는 웨이퍼 회전테이블(101)이 있다.Referring to this, in the wafer peripheral exposure apparatus of the present invention, there is a wafer rotation table 101 which moves up and down and rotates on the wafer alignment table 100 where wafer alignment is performed.

그리고, 웨이퍼 정렬 테이블(100)의 상단 일측에는 웨이퍼(110)의 중심점을 측정하는 웨이퍼 외형검출 센서(105)가 위치되고, 웨이퍼 정렬테이블(100)의 하단 일측에는 두 개의 0。 체크 센서(14a,104b)가 위치되며 0。 체크 센서의 외측으로 0。 프런트 스폿센서(102a,102b)가 각각 하나씩 위치된다.In addition, a wafer contour detection sensor 105 for measuring a center point of the wafer 110 is positioned at one upper end of the wafer alignment table 100, and two 0 ° check sensors 14a are positioned at one lower end of the wafer alignment table 100. And 104b are positioned, and 0 ° front spot sensors 102a and 102b are positioned outside the 0 ° check sensor, respectively.

그리고, 웨이퍼 정렬테이블(100)의 상단 좌측에는 0。 사이드 스폿센서(103)가 위치되고, 웨이퍼의 주변노광을 위한 주변 노광 유닛(106)이 0。사이드 스폿센서(103)에 대향된 위치인 웨이퍼 정렬테이블(100)의 상단 우측에 설치된다.The 0. side spot sensor 103 is positioned on the upper left side of the wafer alignment table 100, and the peripheral exposure unit 106 for the peripheral exposure of the wafer is positioned opposite to the 0. side spot sensor 103. The upper right side of the wafer alignment table 100 is installed.

주변 노광 유닛(106)을 제 4 도를 참조하여 좀더 자세히 설명한다. 제 4 도에서 미설명 도면 부호 107은 유닛몸체를 표기한 것이다.The peripheral exposure unit 106 will be described in more detail with reference to FIG. 4. In FIG. 4, reference numeral 107 denotes a unit body.

주변 노광 유닛은 대략적인 단면의 형태가 'ㅌ'자 형태로 이루어진 유닛몸체(107)로 이루어지며, 이 유닛몸체의 상단부(107-1)에는 웨이퍼 주변 노광을 위해 365㎚의 파장대를 갖는 I-라인(i-line)을 발생시키는 광발생부(108)가 형성되고, 중단부(107-2)에는 광발생부(108)의 광을 받아 주변 노광폭 및 주변 노광량을 결정하는 주변 노광센서(109)가 위치된다.The peripheral exposure unit is composed of a unit body 107 having an approximate cross-sectional shape in the shape of a 'ㅌ'. The upper end portion 107-1 of the unit body has an I- having a wavelength band of 365 nm for wafer peripheral exposure. A light generating unit 108 for generating a line (i-line) is formed, and the stop unit 107-2 receives an ambient light sensor for determining an ambient exposure width and an ambient exposure amount by receiving the light of the light generating unit 108. 109 is located.

이러한 주변 노광유닛의 유닛몸체(107)에는 스텝핑 모터(stepping motor)(111)가 설치되어서 스텝핑 모터(111)에 의해 유닛몸체(107)가 웨이퍼 정렬 테이블(100)에 대해 X축 방향으로 미세하게 이동 가능케 한다.The unit body 107 of the peripheral exposure unit is provided with a stepping motor 111 so that the unit body 107 is finely disposed in the X-axis direction with respect to the wafer alignment table 100 by the stepping motor 111. Make it mobile.

상기와 같은 구성으로 이루어진 본 발명인 웨이퍼 예비 주변 노광 장치에 의한 웨이퍼의 정렬과 웨이퍼 주변 노광을 설명하면 다음과 같다.The wafer alignment and wafer peripheral exposure by the wafer preliminary peripheral exposure apparatus of the present invention having the above configuration will be described as follows.

미도시된 웨이퍼 이송수단으로부터 웨이퍼(110)가 로딩되면 회전 테이블(101)이 상승하여 웨이퍼(110)를 안착시키고, 웨이퍼 외형검출센서(105)가 웨이퍼의 중심점을 검출한다.When the wafer 110 is loaded from the wafer transfer means, not shown, the rotary table 101 is raised to seat the wafer 110, and the wafer contour detection sensor 105 detects the center point of the wafer.

그리고, 웨이퍼의 중심점 검출이 완료되면 주변 노광유닛(106) 전체가 정렬테이블(100)에 대해 X 축 방향으로 스텝핑 모터(111)에 의해 웨이퍼(110) 가장자리부터 주변 노광 설정폭 만큼 이동하고, 광발생부(108)에서 I-라인이 발생되어 웨이퍼 주변 노광을 시작하고, 회전 테이블(101)은 계속적으로 회전하여 웨이퍼 주변을 모두 노광시키게 된다.When the detection of the center point of the wafer is completed, the entire peripheral exposure unit 106 is moved from the edge of the wafer 110 by the peripheral exposure set width by the stepping motor 111 in the X axis direction with respect to the alignment table 100, An I-line is generated in the generator 108 to start exposure around the wafer, and the turntable 101 continuously rotates to expose all of the wafer periphery.

여기서, 주변 노광 유닛(106)은 스텝핑 모터(111)에 의해 이동됨으로써 미세한 이동이 가능하여 주변 노광 설정폭을 미세하게 조절할 수 있다.Here, the peripheral exposure unit 106 may be moved by the stepping motor 111 to allow fine movement, thereby finely adjusting the peripheral exposure setting width.

웨이퍼 주변 노광이 모두 완료되면 주변 노광 유닛(106)은 다시 X 축방향으로 이동되어 원래의 위치로 이동되고, 스폿센서(102 내지 103)와 체크센서(104)가 웨이퍼(110)의 플랫존을 검출하여 웨이퍼의 정렬을 진행시키게 된다.When the wafer peripheral exposure is completed, the peripheral exposure unit 106 is moved in the X axis direction again to the original position, and the spot sensors 102 to 103 and the check sensor 104 move the flat zone of the wafer 110. Detection is performed to align the wafer.

그리고, 웨이퍼 플랫존 정렬이 완료되면 웨이퍼는 미도시된 이송수단에 의해 웨이퍼 스테이지로 이송되어 웨이퍼 전면 노광공정이 진행되게 된다.When the wafer flat zone alignment is completed, the wafer is transferred to the wafer stage by a transfer means (not shown), and the wafer front surface exposure process is performed.

상기에서 상술한 바와 같이, 본 발명인 웨이퍼 주변 노광 장치는 웨이퍼 주변 노광폭을 설정하기 위해 플랫존 정렬 테이블은 이동하지 않고, 주변 노광 유닛이 이동하면서 웨이퍼 주변노광이 진행됨으로써 웨이퍼 중심점이 주변 노광 전,후에 변하지 않게 되어 주변 노광 후에 한번의 웨이퍼 플랫존 정렬을 실시하면 된다.As described above, in the wafer peripheral exposure apparatus of the present invention, the flat zone alignment table does not move to set the wafer peripheral exposure width, and the wafer center exposure is performed while the peripheral exposure unit moves so that the wafer center point is before the peripheral exposure, It does not change later, and the wafer flat zone alignment may be performed once after the peripheral exposure.

따라서, 웨이퍼 주변 노광 및 웨이퍼 플랫존 정렬 단계가 감소되므로 주변 노광 및 플랫존정렬에 소요되는 시간이 감소시켜 전체적인 웨이퍼 노광 공정시간을 단축시켜 반도체 소자의 생산수율을 증대시키게 된다.Accordingly, since the wafer peripheral exposure and wafer flat zone alignment steps are reduced, the time required for peripheral exposure and flat zone alignment is reduced, thereby shortening the overall wafer exposure process time, thereby increasing the yield of semiconductor devices.

Claims (3)

웨이퍼 주변노광 및 웨이퍼 플랫존의 정렬이 진행되는 웨이퍼 주변 노광장치에 있어서,In the wafer peripheral exposure apparatus that the wafer peripheral exposure and the wafer flat zone alignment proceeds, 상하 및 회전운동하며 웨이퍼가 안착되는 웨이퍼 회전판이 형성된 플랫존 정렬테이블과;A flat zone alignment table on which a wafer rotating plate on which the wafer is seated is formed; 상기 플랫존 정렬 테이블의 상단에 설치되어 상기 웨이퍼 웨이퍼 회전판에 안착된 상기 웨이퍼의 주변 및 플랫존을 검출하는 다수개의 사이드 스폿센서 및 체크 센서와;A plurality of side spot sensors and a check sensor installed at an upper end of the flat zone alignment table to detect the periphery and the flat zone of the wafer seated on the wafer wafer rotating plate; 상기 플랫존 정렬 테이블의 상단에 설치되어 상기 웨이퍼 회전판에 안착된 상기 웨이퍼의 회전 중심을 감지하는 웨이퍼 외형 검출 센서와;A wafer contour detection sensor installed at an upper end of the flat zone alignment table to sense a rotation center of the wafer seated on the wafer rotating plate; 상기 플랫존 정렬 테이블에 대해 X 축 방향으로 좌우 이동되면서 상기 웨이퍼 회전판에 안착된 상기 웨이퍼의 주변을 노광하는 주변 노광 유닛으로 이루어진 것이 특징인 웨이퍼 주변 노광장치.And a peripheral exposure unit configured to expose the periphery of the wafer seated on the wafer rotating plate while moving left and right in the X-axis direction with respect to the flat zone alignment table. 청구항 1 에 있어서,The method according to claim 1, 상기 주변 노광 유닛은,The peripheral exposure unit, 단면의 형태가 'ㅌ'자 형태를 갖는 유닛몸체와;A unit body having a cross-sectional shape of a 'ㅌ' shape; 상기 유닛몸체의 상단에 설치되어 웨이퍼 주변 노광을 위해 365㎚의 파장대를 갖는 I-라인을 발생시키는 광발생부와;A light generating unit installed at an upper end of the unit body to generate an I-line having a wavelength band of 365 nm for exposure around a wafer; 상기 유닛 몸체의 중단에 설치되어 상기 광발생부의 I-라인을 받아 상기 웨이퍼의 주변 노광폭 및 주변 노광량을 결정하는 주변 노광센서가 설치된 것이 특징인 웨이퍼 주변노광장치.And a peripheral exposure sensor installed at the middle of the unit body and configured to receive an I-line of the light generating unit to determine the peripheral exposure width and the peripheral exposure amount of the wafer. 청구항 1 또는 2 에 있어서,The method according to claim 1 or 2, 상기 주변 노광 유닛은 스텝핑 모터에 의해 구동되는 것이 특징인 웨이퍼 주변 노광장치.And the peripheral exposure unit is driven by a stepping motor.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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KR20180119575A (en) * 2016-03-04 2018-11-02 가부시키가이샤 에바라 세이사꾸쇼 Plating apparatus and plating method
KR20200118864A (en) * 2018-03-13 2020-10-16 가부시키가이샤 야마모토메키시켄키 Plating device and plating system

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