KR20010017932A - An Electroluminescence Display - Google Patents
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Abstract
Description
본 발명은 전계발광표시장치(Electroluminescence Display : 이하, ELD소자라 칭함)에 관한 것으로서, 특히, EL다이오드의 캐소드전극에 인가되는 전압을 조절하여 구동 특성을 향상시킬 수 있는 ELD에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an electroluminescence display (hereinafter referred to as ELD element), and more particularly, to an ELD capable of improving driving characteristics by controlling a voltage applied to a cathode electrode of an EL diode.
ELD는 EL(Electroluminescence) 물질로 이루어진 발광층에 외부로 부터 주입되는 전자와 홀이 재결합되어 발광하는 발광소자이다. ELD는 주입되는 전자와 홀이 재결합되어 발광하므로 백라이트(backlight)를 필요로 하지 않아서 패널의 두께를 박형화할 수 있으며, 또한, 전력소비량을 상대적으로 낮출 수 있기 때문에 차세대 디스플레이로 관심이 집중되고 있다.ELD is a light emitting device that emits light by recombination of electrons and holes injected from the outside into a light emitting layer made of EL (Electroluminescence) material. Since ELD emits light by recombining the injected electrons and holes, it is possible to reduce the thickness of the panel because it does not require a backlight, and further, since the power consumption can be relatively lowered, attention is focused on the next generation display.
특히, 유기 ELD는 유기 EL 물질로 발광층을 형성하여 사용하는 것으로 구동 전압이 낮고, 발광효율이 높으며, 또한, 저온 공정으로 제조가 가능한 등의 장점이 있다.In particular, the organic ELD is formed by using a light emitting layer formed of an organic EL material, and has advantages such as low driving voltage, high luminous efficiency, and low temperature process.
능동형 ELD는 다수개의 스캔전극배선과 데이터전극배선이 교차하여 다수개의 화소셀을 형성하고 있고, 각각의 화소셀에는 전압공급배선이 스캔전극배선과 데이터전극배선에 절연되게 형성되는 구조를 가지고 있다. 각각의 화소셀은 박막트랜지스터(Thin Film Transistor : 이하, TFT라 칭함)로 이루어진 스위칭소자 및 구동소자와 스토리지 캐패시터 및 EL부를 구비하고 있다.The active ELD has a structure in which a plurality of scan electrode wirings and data electrode wirings cross each other to form a plurality of pixel cells, and each pixel cell has a voltage supply wiring insulated from the scan electrode wiring and the data electrode wiring. Each pixel cell includes a switching element, a driving element, a storage capacitor, and an EL part made of a thin film transistor (hereinafter, referred to as a TFT).
도 1은 종래 기술에 따른 ELD의 단위 화소셀의 회로도이다.1 is a circuit diagram of a unit pixel cell of an ELD according to the prior art.
종래 기술에 따른 ELD는 TFT로 이루어진 스위칭트랜지스터(T11), 구동트랜지스터(T12), 커패시터(C1) 및 EL다이오드(ED1)가 하나의 화소셀을 구성한다.In the ELD according to the prior art, the switching transistor T11, the driving transistor T12, the capacitor C1, and the EL diode ED1 each consisting of TFTs constitute one pixel cell.
상기에서 스위칭트랜지스터(T11)는 게이트에 게이트구동회로(도시되지 않음)로부터 주사신호가 입력되게 연결되고, 소오스에 데이터구동회로(도시되지 않음)로부터 데이터신호가 입력되게 연결되며, 드레인에 구동트랜지스터(T12)의 게이트가 연결된다.In the switching transistor T11, a scan signal is input to a gate from a gate driver circuit (not shown), a data signal is input from a data driver circuit (not shown) to a source, and a driving transistor is connected to a drain. The gate of T12 is connected.
또한, 스위칭트랜지스터(T11)의 드레인에 게이트가 연결된 구동트랜지스터(T12)의 소오스는 제 1 전원전압단(Vdd)과 연결되고 드레인은 EL다이오드(ED1)의 애노드와 연결된다. 그리고, EL다이오드(ED1)의 캐소드는 제 2 전원전압단(접지)과 연결된다. 구동트랜지스터(T12)의 게이트와 소오스 사이에 캐패시터(C1)가 연결된다.In addition, the source of the driving transistor T12 having a gate connected to the drain of the switching transistor T11 is connected to the first power supply voltage terminal Vdd, and the drain is connected to the anode of the EL diode ED1. The cathode of the EL diode ED1 is connected to the second power supply voltage terminal (ground). The capacitor C1 is connected between the gate and the source of the driving transistor T12.
상술한 구성의 전계발광표시장치는 게이트구동회로(도시되지 않음)로부터 주사신호가 입력되면 스위칭트랜지스터(T11)가 '턴온(turn on)'되어 화소셀이 선택된다. 그리고, 데이터구동회로(도시되지 않음)로부터 데이터신호가 입력되면 '턴온(turn on)'된 스위칭트랜지스터(T11)를 통해 구동트랜지스터(T12)의 게이트에 인가된다. 그러므로, 구동트랜지스터(T12)는 '턴온(turn on)'되어 제 1 전원전압단(Vdd)과 제 2 전원전압단(접지) 사이에 구동 전류(I1)가 흐르게 된다. 이 때, EL다이오드(ED1)는 애노드를 통해 주입되는 정공과 캐소드를 통해 주입되는 전자가 발광층(도시되지 않음)에서 재결합하여 발광하게 된다.In the electroluminescent display device having the above-described configuration, when a scan signal is input from a gate driver circuit (not shown), the switching transistor T11 is 'turned on' and the pixel cell is selected. When a data signal is input from a data driving circuit (not shown), the data signal is applied to the gate of the driving transistor T12 through the switching transistor T11 that is turned on. Therefore, the driving transistor T12 is 'turned on' so that the driving current I1 flows between the first power supply voltage terminal Vdd and the second power supply voltage terminal (ground). At this time, the EL diode ED1 emits light by recombining holes injected through the anode and electrons injected through the cathode in the emission layer (not shown).
상기에서 구동트랜지스터(T12)가 '턴온(turn on)'되면 게이트구동회로(도시되지 않음)로부터 이 화소셀의 스위칭트랜지스터(T11)의 게이트에 주사신호가 입력되지 않게 되고 다음 화소셀(도시되지 않음)이 선택되어 스위칭트랜지스터(도시되지 않음)의 주사신호가 입력된다. 그러므로, 스위칭트랜지스터(T11)는 '턴오프(turn off)'되어 구동트랜지스터(T12)는 게이트에 데이터신호가 전달되지 않는다. 그러나, 이 화소셀이 선택되어 스위칭트랜지스터(T11)를 통해 구동트랜지스터(T12)의 게이트에 인가되는 데이터신호가 캐패시터(C1)에도 축적되므로 다음 주사신호가 입력될 때까지 구동트랜지스터(T12)는 게이트의 전압이 유지되어 '턴온(turn on)' 상태가 유지된다. 그러므로, 이 화소셀이 선택되지 않고 다른 화소셀이 선택될 때에도 구동트랜지스터(T12)에 구동 전류(I1)가 일정하게 흐르게 되어 EL다이오드(ED1)는 계속해서 발광한다.When the driving transistor T12 is 'turned on', the scan signal is not inputted from the gate driving circuit (not shown) to the gate of the switching transistor T11 of the pixel cell and the next pixel cell (not shown). Is selected to input a scanning signal of a switching transistor (not shown). Therefore, the switching transistor T11 is 'turned off' so that the driving transistor T12 does not transmit a data signal to the gate. However, since the pixel cell is selected and the data signal applied to the gate of the driving transistor T12 through the switching transistor T11 is also accumulated in the capacitor C1, the driving transistor T12 is gated until the next scan signal is input. The voltage at is maintained to maintain a 'turn on' state. Therefore, even when this pixel cell is not selected and another pixel cell is selected, the driving current I1 flows constantly in the driving transistor T12, and the EL diode ED1 continues to emit light.
상기에서 구동트랜지스터(T12)에 흐르는 구동전류(I1)는In the above, the driving current I1 flowing through the driving transistor T12 is
가 된다. 여기서, μn는 전계이동도, Co는 게이트절연막의 용량, W는 채널의 폭, L은 채널의 길이, VGS1는 게이트-소오스전압, VTH는 문턱전압을 나타내는데, 이들 파라메타들은 구동트랜지스터(T12)에 대한 것이다.Becomes Where μ n is the field mobility, C o is the capacitance of the gate insulating film, W is the width of the channel, L is the length of the channel, V GS1 is the gate-source voltage, and V TH is the threshold voltage. For (T12).
상기에서 구동트랜지스터(T12)는 구동전류(I1)의 포화(saturation) 영역에서 구동되게 하여 안정된 동작 특성을 갖도록 하는 것이 바람직하다. 구동트랜지스터(T12)는 드레인-소오스전압(VDS1)의 크기에 따라 구동전류(I1)의 선형영역 또는 포화영역에서 구동하게 된다. 즉, 구동트랜지스터(T12)는 드레인-소오스전압(VDS1)의 크기가 작을 수록 구동전류(I1)의 선형영역에서 구동하게 되고, 클수록 포화영역에서 동작하게 된다.The driving transistor T12 is preferably driven in the saturation region of the driving current I1 to have stable operating characteristics. The driving transistor T12 is driven in the linear region or the saturation region of the driving current I1 according to the magnitude of the drain-source voltage V DS1 . That is, the smaller the magnitude of the drain-source voltage V DS1 , the driving transistor T12 is driven in the linear region of the driving current I1, and the larger is the saturation region.
그러나, 종래 기술에 따른 ELD에서는 EL다이오드의 캐소드가 접지 상태이므로 드레인-소오스전압(VDS1)이 제 1 전원전압단(Vdd)의 인가 전압에 의해 한정되므로 구동트랜지스터가 구동전류의 포화영역이 아닌 선형(liner) 영역에서 동작될 수 있어동작 특성이 저하되는 문제점이 있었다. 또한, 제 1 및 제 2 전원전압단 사이에 전압이 순방향 바이어스로만 인가되므로 EL다이오드에 전하가 축적만 되고 제거되지 않으므로 수명이 짧아지는 문제점이 있었다.However, in the ELD according to the related art, since the cathode of the EL diode is grounded, the drain-source voltage V DS1 is limited by the applied voltage of the first power supply voltage terminal Vdd, so that the driving transistor is not a saturation region of the driving current. It can be operated in the linear (liner) area has a problem that the operating characteristics are deteriorated. In addition, since the voltage is applied only with the forward bias between the first and second power supply voltage terminals, there is a problem that the life is shortened because only charge is accumulated and not removed in the EL diode.
본 발명의 목적은 구동트랜지스터가 구동전류의 포화영역에서 동작되도록 하여 동작 특성을 향상시킬 수 있는 ELD를 제공함에 있다.An object of the present invention is to provide an ELD capable of improving the operating characteristics by allowing the driving transistor to be operated in the saturation region of the driving current.
본 발명의 다른 목적은 EL다이오드에 전하가 축적되는 것을 방지하여 수명을 향상시킬 수 있는 ELD를 제공함에 있다.Another object of the present invention is to provide an ELD capable of improving life by preventing charge from accumulating in the EL diode.
상기 목적들을 달성하기 위하여 본 발명에 따른 ELD는 주사신호에 선택되어 입력되는 데이터신호를 전송하는 스위칭트랜지스터와, 상기 스위칭트랜지스터에 전송된 데이터신호에 의해 구동되어 제 1 전원전압단과 제 2 전원전압단 사이의 전압차에 의해 구동전류를 흘리는 구동트랜지스터와, 상기 구동트랜지스터의 소오스와 게이트 사이에 연결되어 데이터신호가 차단되어도 상기 구동트랜지스터가 구동되도록 상기 게이트 전압을 일정하게 유지하는 캐패시터와, 상기 구동트랜지터의 구동전류에 의해 발광하는 전계발광다이오드를 포함하는 전계발광표시장치에 있어서, 상기 제 2 전원전압단에 음의 전압이 인가되는 구성을 갖는다.In order to achieve the above objects, an ELD according to the present invention is a switching transistor for transmitting a data signal selected and input to a scanning signal, and driven by a data signal transmitted to the switching transistor, so that the first power supply voltage terminal and the second power supply voltage terminal are driven. A drive transistor for driving a drive current by a voltage difference between the capacitor, a capacitor connected between the source and the gate of the drive transistor to maintain the gate voltage constant so that the drive transistor is driven even when the data signal is blocked, and the drive transistor An electroluminescent display device comprising an electroluminescent diode that emits light by a jitter drive current, wherein a negative voltage is applied to the second power supply voltage terminal.
상기 목적들을 달성하기 위하여 본 발명에 따른 ELD는 주사신호에 선택되어 입력되는 데이터신호를 전송하는 스위칭트랜지스터와, 상기 스위칭트랜지스터에 전송된 데이터신호에 의해 구동되어 제 1 전원전압단과 제 2 전원전압단 사이의 전압차에 의해 구동전류를 흘리는 구동트랜지스터와, 상기 구동트랜지스터의 소오스와 게이트 사이에 연결되어 데이터신호가 차단되어도 상기 구동트랜지스터가 구동되도록 상기 게이트 전압을 일정하게 유지하는 캐패시터와, 상기 구동트랜지터의 구동전류에 의해 발광하는 전계발광다이오드를 포함하는 전계발광표시장치에 있어서, 상기 제 2 전원전압단에 상기 스위칭트랜지스터에 주사신호가 입력되기 전에 상기 제 1 전원전압단의 전압 레벨 보다 높은 전압 레벨의 펄스가 인가되는 구성을 갖는다.In order to achieve the above objects, an ELD according to the present invention is a switching transistor for transmitting a data signal selected and input to a scanning signal, and driven by a data signal transmitted to the switching transistor, so that the first power supply voltage terminal and the second power supply voltage terminal are driven. A drive transistor for driving a drive current by a voltage difference between the capacitor, a capacitor connected between the source and the gate of the drive transistor to maintain the gate voltage constant so that the drive transistor is driven even when the data signal is blocked, and the drive transistor An electroluminescent display device comprising an electroluminescent diode emitting light by a driving current of jitter, wherein the voltage is higher than the voltage level of the first power supply voltage terminal before a scan signal is input to the switching transistor. It has a configuration in which a pulse of a level is applied.
도 1은 종래 기술에 따른 전계발광소자의 단위 화소셀의 회로도1 is a circuit diagram of a unit pixel cell of an electroluminescent device according to the prior art.
도 2는 본 발명에 따른 전계발광소자의 단위 화소셀의 회로도2 is a circuit diagram of a unit pixel cell of an electroluminescent device according to the present invention.
도 3은 본 발명에 따른 전계발광소자의 동작 파형도3 is an operational waveform diagram of an electroluminescent device according to the present invention.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명을 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, the present invention will be described with reference to the accompanying drawings.
도 2는 본 발명에 따른 ELD의 단위 화소셀의 회로도이다.2 is a circuit diagram of a unit pixel cell of an ELD according to the present invention.
본 발명에 따른 ELD는 M×N(M 및 N은 자연수)의 화소가 매트릭스 형태로 배열되며, 이 각각의 화소는 TFT로 이루어진 스위칭트랜지스터(T21), 구동트랜지스터(T22), 커패시터(C2) 및 EL다이오드(ED2)로 구성된다.In the ELD according to the present invention, pixels of M × N (M and N are natural numbers) are arranged in a matrix form, and each of the pixels includes a switching transistor T21, a driving transistor T22, a capacitor C2, and a TFT. It consists of an EL diode ED2.
상기에서 스위칭트랜지스터(T21)는 게이트에 게이트구동회로(도시되지 않음)로부터 주사신호가 입력되게 연결되고, 소오스에 데이터구동회로(도시되지 않음)로부터 데이터신호가 입력되게 연결되며, 드레인에 구동트랜지스터(T22)의 게이트와 연결된다.In the switching transistor T21, a scan signal is input to a gate from a gate driver circuit (not shown), a data signal is input from a data driver circuit (not shown) to a source, and a driving transistor is connected to a drain. It is connected to the gate of T22.
또한, 스위칭트랜지스터(T21)의 드레인에 게이트가 연결된 구동트랜지스터(T22)의 소오스는 제 1 전원전압단(Vdd)과 연결되고 드레인은 EL다이오드(ED2)의 애노드와 연결된다. 그리고, EL다이오드(ED2)의 캐소드는 접지 상태가 아닌 음(-)의 전압을 갖는 제 2 전원전압단(Vss)과 공통 연결된다. 또한, 제 2 전원전압단(Vss)은 ELD의 마지막 번째 줄(N번째 줄)에 인가되는 주사신호와 첫 번째 줄에 인가되는 주사신호 사이의 귀선소거시간 중에 제 1 전원전압단(Vdd)의 전압 레벨 보다 높은 전압 레벨을 갖는 펄스가 입력된다. 구동트랜지스터(T22)의 게이트와 소오스 사이에 캐패시터(C2)가 연결된다.In addition, the source of the driving transistor T22 having a gate connected to the drain of the switching transistor T21 is connected to the first power supply voltage terminal Vdd, and the drain is connected to the anode of the EL diode ED2. The cathode of the EL diode ED2 is commonly connected to the second power supply voltage terminal Vss having a negative voltage instead of the ground state. Also, the second power supply voltage terminal Vss is connected to the first power supply voltage terminal Vdd during the blanking time between the scan signal applied to the last line (N-th line) of the ELD and the scan signal applied to the first line. A pulse having a voltage level higher than the voltage level is input. The capacitor C2 is connected between the gate and the source of the driving transistor T22.
도 3은 본 발명에 따른 ELD의 동작 파형도이다.3 is an operational waveform diagram of an ELD according to the present invention.
상술한 구성의 ELD의 동작을 도 3의 동작 파형도를 참조하여 설명한다.The operation of the ELD having the above-described configuration will be described with reference to the operation waveform diagram of FIG. 3.
ELD는 제 1 전원전압단(Vdd)과 제 2 전원전압단(Vss)의 각각에 도 3a 및 도 3b와 같은 소정 전압, 예를 들면, 제 1 전원전압단(Vdd)에 7V의 전압과 제 2 전원전압단(Vss)에 -2.5V의 전압을 인가한다.The ELD has a predetermined voltage as shown in FIGS. 3A and 3B in each of the first power supply voltage terminal Vdd and the second power supply voltage terminal Vss, for example, a voltage of 7V and a first voltage in the first power supply voltage terminal Vdd. 2 Apply a voltage of -2.5V to the supply voltage terminal (Vss).
그리고, 도 3c의 제 1 주사신호(G1)가 입력되어 게이트구동회로(도시되지 않음)으로부터 ELD의 첫 번째 줄에 입력되면 도 2에 도시된 화소셀이 선택되어 스위칭트랜지스터(T21)가 '턴온(turn on)'된다. 그리고, 데이터구동회로(도시되지 않음)로부터 데이터신호(도시되지 않음)가 입력되면 '턴온(turn on)'된 스위칭트랜지스터(T21)를 통해 구동트랜지스터(T22)의 게이트에 인가된다. 그러므로, 구동트랜지스터(T22)는 '턴온(turn on)'되어 구동트랜지스터(T22)에 구동전류(I2)가 흐르게 되며, 이에 의해, EL다이오드(ED2)는 애노드를 통해 주입되는 정공과 캐소드를 통해 주입되는 전자가 발광층(도시되지 않음)에서 재결합하여 발광하게 된다.When the first scan signal G1 of FIG. 3C is input to the first line of the ELD from the gate driving circuit (not shown), the pixel cell shown in FIG. 2 is selected so that the switching transistor T21 is turned on. (turn on) ' When a data signal (not shown) is input from the data driving circuit (not shown), the data signal is applied to the gate of the driving transistor T22 through the switching transistor T21 that is turned on. Therefore, the driving transistor T22 is 'turned on' so that the driving current I2 flows in the driving transistor T22, whereby the EL diode ED2 is injected through the anode and the hole through the cathode. The injected electrons recombine in the light emitting layer (not shown) to emit light.
상기에서 구동트랜지스터(T22)가 '턴온(turn on)'되면 게이트구동회로(도시되지 않음)로부터 첫 번째 줄의 화소셀의 게이트에 제 1 주사신호(G1)가 입력되지 않게 되고 두 번째 줄에 도 3b의 제 2 주사신호(G2)가 입력된다. 그러므로, 두 번째 줄의 화소셀(도시되지 않음)이 선택되어 첫 번째 줄의 화소셀들과 같이 구동된다. 그러나, 첫 번째 줄의 화소셀은 선택되지 않으므로 스위칭트랜지스(T21)는 '턴오프(turn off)'되어 구동트랜지스터(T22)는 게이트에 데이터신호가 전달되지 않으나, 첫 번째 줄의 화소셀이 선택될 때 스위칭트랜지스터(T21)를 통해 구동트랜지스터(T22)의 게이트에 인가되는 데이터신호가 캐패시터(C2)에도 축적되므로 다음 프레임(frame)에서 도 3c의 제 1 주사신호(G1)가 입력될 때까지 구동트랜지스터(T22)는 게이트의 전압이 유지되어 '턴온(turn on)' 상태가 유지된다. 그러므로, 두 번째 줄의 화소셀이 선택될 때에도 선택되지 않은 첫 번째 줄의 화소셀은 구동트랜지스터(T22)에 구동전류(I2)가 일정하게 흐르게 되어 EL다이오드(ED2)는 계속해서 발광한다.When the driving transistor T22 is 'turned on', the first scan signal G1 is not inputted to the gate of the pixel cells of the first row from the gate driver circuit (not shown), and the second row is turned on. The second scan signal G2 of FIG. 3B is input. Therefore, the pixel cells of the second row (not shown) are selected and driven together with the pixel cells of the first row. However, since the pixel cells of the first row are not selected, the switching transistor T21 is 'turned off' so that the driving transistor T22 does not transmit a data signal to the gate. When selected, since the data signal applied to the gate of the driving transistor T22 through the switching transistor T21 is also accumulated in the capacitor C2, when the first scan signal G1 of FIG. 3C is input in the next frame. Until now, the driving transistor T22 maintains the 'turn on' state because the voltage of the gate is maintained. Therefore, even when the pixel cells of the second row are selected, the driving current I2 flows constantly in the driving transistor T22 in the pixel cells of the first row that are not selected, so that the EL diode ED2 continues to emit light.
상기에서 구동트랜지스터(T22)에 흐르는 구동 전류(I2)의 량은,The amount of driving current I2 flowing in the driving transistor T22 in the above,
가 된다. 여기서, μn는 전계이동도, Co는 게이트절연막의 용량, W는 채널의 폭, L는 채널의 길이, VGS2는 게이트-소오스전압, VTH는 문턱전압을 나타내는데, 이들 파라메타들은 구동트랜지스터(T22)에 대한 것이다.Becomes Where μ n is the field mobility, C o is the capacitance of the gate insulating film, W is the width of the channel, L is the length of the channel, V GS2 is the gate-source voltage, and V TH is the threshold voltage. For (T22).
상기에서 구동전류(I2)는 드레인-소오스전압(VDS2)의 크기가 증가될 수록 포화(saturation) 되어 구동트랜지스터(T22)가 안정되게 동작되는데, 제 2 전원전압단(Vss)이 음(-)의 전압을 가지므로 접지 상태일 때 보다 드레인-소오스전압(VDS2)이 크게된다. 따라서, 구동트랜지스터(T22)는 구동전류(I2)의 포화(saturation) 영역에서 구동하게 되어 안정된 동작 특성을 가지므로 EL다이오드(ED2)가 안정되게 동작된다.The driving current I2 is saturated as the magnitude of the drain-source voltage V DS2 increases, so that the driving transistor T22 operates stably, and the second power supply voltage terminal Vss is negative (−). ), The drain-source voltage V DS2 is greater than in the ground state. Therefore, the driving transistor T22 is driven in the saturation region of the driving current I2 and thus has stable operating characteristics, so that the EL diode ED2 is operated stably.
그리고, ELD의 마지막 번째 줄의 화소셀에 도 3e의 제 N 주사신호(GN)가 입력될때까지 첫 번째 줄 및 두 번째 줄의 화소셀을 포함하는 이전 줄의 모든 화소셀은 각각의 캐패시터에 축적된 데이터신호에 의해 구동되어 각각의 EL다이오드는 계속해서 발광한다.Then, all the pixel cells of the previous row including the first and second row pixel cells are accumulated in the respective capacitors until the Nth scan signal GN of FIG. 3E is input to the pixel cells of the last row of the ELD. Driven by the received data signal, each EL diode continues to emit light.
또한, ELD의 첫 번째 줄의 화소셀에 입력되는 도 3c의 제 1 주사신호(G1)의 상승 에지(rising edge)와 마지막 번째줄의 화소셀에 입력되는 도 3e의 제 N 주사신호(GN)의 하강 에지(falling edge) 사이가 하나의 화면을 표시하는 1 프레임(frame)이다. 상기에서 프레임 사이의 귀선소거기간 동안에 도 3b에 도시된 바와 같이 제 2 전원전압단(Vss)에 제 1 전원전압단(Vdd)의 전압 레벨 보다 높은 전압 레벨, 예를 들면, 12V의 전압 레벨을 갖는 펄스가 인가된다. 그러므로, EL다이오드(ED2)에 순간적으로 역방향바이어스가 걸리게 되어 EL다이오드(ED2)에 축적되는 전하를 제 1 전원전압단(Vdd)을 통해 방전시킨다. 그러므로, EL다이오드(ED2)에 전하가 축적되는 것을 방지하여 전하에 의한 소자의 손상을 방지하므로 수명이 길어진다.Further, the rising edge of the first scan signal G1 of FIG. 3C input to the pixel cells of the first row of the ELD and the Nth scan signal GN of FIG. 3E input to the pixel cells of the last row. Between falling edges of is one frame displaying one screen. During the blanking period between the frames, a voltage level higher than the voltage level of the first power supply voltage terminal Vdd, for example, a voltage level of 12 V, is applied to the second power supply voltage terminal Vss as shown in FIG. 3B. Having pulse is applied. Therefore, the reverse bias is momentarily applied to the EL diode ED2, and the charge accumulated in the EL diode ED2 is discharged through the first power supply voltage terminal Vdd. Therefore, it is possible to prevent charges from accumulating in the EL diode ED2, thereby preventing damage to the device due to the charges, thereby increasing the lifespan.
상술한 바와 같이 본 발명에 따른 ELD는 제 2 전원전압단(Vss)에 음(-)의 전압을 갖도록 하므로 구동트랜지스터의 드레인-소오스전압(VDS2)을 크게하여 구동트랜지스터를 구동전류가 충분히 포화된 영역에서 동작하도록 하며, 또한, 프레임 사이의 귀선소거기간 동안에 제 2 전원전압단(Vss)에 제 1 전원전압단(Vdd)의 전압 레벨 보다 높은 전압 레벨을 갖는 펄스를 인가하여 EL다이오드에 순간적으로 역방향바이어스가 걸리게 하므로써 EL다이오드에 축적되는 전하를 제 1 전원전압단(Vdd)을 통해 방전시킨다.As described above, since the ELD according to the present invention has a negative voltage at the second power supply voltage terminal Vss, the drain-source voltage V DS2 of the driving transistor is increased to sufficiently saturate the driving current of the driving transistor. And pulses having a voltage level higher than the voltage level of the first power supply voltage terminal Vdd to the second power supply voltage terminal Vss during the blanking period between the frames. The reverse bias is applied to discharge the charge accumulated in the EL diode through the first power supply voltage terminal Vdd.
따라서, 본 발명은 구동트랜지스터의 구동전류가 충분히 포화된 영역에서 동작하므로 동작 특성이 향상되며, 또한, EL다이오드에 전하가 축적되는 것을 방지하므로 수명을 향상시킬 수 있는 잇점이 있다.Therefore, the present invention operates in a region where the driving current of the driving transistor is sufficiently saturated, thereby improving operating characteristics, and also has an advantage of improving lifespan by preventing charge from accumulating on the EL diode.
Claims (4)
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019990033687A KR100640206B1 (en) | 1999-08-16 | 1999-08-16 | Electroluminescence Display |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019990033687A KR100640206B1 (en) | 1999-08-16 | 1999-08-16 | Electroluminescence Display |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20010017932A true KR20010017932A (en) | 2001-03-05 |
| KR100640206B1 KR100640206B1 (en) | 2006-10-31 |
Family
ID=19607344
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019990033687A KR100640206B1 (en) | 1999-08-16 | 1999-08-16 | Electroluminescence Display |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR100640206B1 (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100426132B1 (en) * | 2001-08-13 | 2004-04-08 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | organic electroluminescence display |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01154574A (en) * | 1987-12-11 | 1989-06-16 | Seiko Epson Corp | Integrated circuit for driving led |
| US5719589A (en) * | 1996-01-11 | 1998-02-17 | Motorola, Inc. | Organic light emitting diode array drive apparatus |
| KR19990030880U (en) * | 1997-12-30 | 1999-07-26 | 조희재 | Driving circuit of organic EL device |
-
1999
- 1999-08-16 KR KR1019990033687A patent/KR100640206B1/en not_active IP Right Cessation
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100426132B1 (en) * | 2001-08-13 | 2004-04-08 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | organic electroluminescence display |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR100640206B1 (en) | 2006-10-31 |
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| A201 | Request for examination | ||
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|
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|
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|
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