KR20010015578A - 전류 과부하에 대한 신속한 자동 응답 전자 스위치 - Google Patents

Abstract

전자석(20)과 적어도 2개의 접점(21)을 갖는 전자석 계전기 디바이스(18), 제어 반도체 디바이스(22)와, 상기 제어 반도체 디바이스(22)의 동작을 제어하는 역할을 하는 반도체 명령 회로(24), 계전기 디바이스(18)와 반도체 명령 회로 (24)를 제어하는 계전기 명령 회로(28)와, 전류 과부하를 상기 계전기 명령회로에 통보하는 과부하 센서(26)와, 저항기(32)와 그리고 유도기 (34)를 포함하는 전자 스위치 회로가 개시된다. 접점 (21)이 비 접속 상태 상태인 때 저항기(32)는 높은 전류 부하를 받게되고 이 상태를 반도체 명령 회로(24)에 자동으로 신호하며, 이에 응답하여 상기 반도체 명령 회로(24)는 제어 반도체 디바이스(22)가 오프상태로 되게 한다. 또한, 유도기(34)가 소정 임계치 이상의 전류 과부하를 받게된 때, 이 유도기(34)는 전자석 계전기 디바이스(18)의 전자석(20)이 접점들을 비 접속 상태로 되게 하기에 충분한 크기의 유도계를 발생시킨다.

Description

전류 과부하에 대한 신속한 자동 응답 전자 스위치{ELECTRONIC SWITCH FOR QUICK, AUTOMATIC RESPONSE TO CURRENT OVERLOADS}

본 기술 분야에는 세 가지 타입의 전자 스위치가 널리 사용된다. 첫번째 타입에는 계전기가 포함된다, 두 번째 타입에는 반도체 스위치가 포함되며, 세 번째 타입에는 서로 병렬 연결된 계전기와 반도체로 된 스위치가 포함된다. 이들 타입의 스위치들은 각각 특징적인 문제점들을 갖는다.

동작시, 자체의 높은 저항때문에, 반도체 기반의 전자 스위치인 반도체 스위치는 상당한 에너지 및 열을 소비하므로 동작시 자체에 발생되는 열을 방열시키기 위한 방렬 유닛을 필요로 한다.

또한, 그러한 반도체 스위치의 제어 유닛 (CPU)은 반도체 자신 및/또는 회로의 다른 소자들에 손상을 줄 수 있는 전류 부하에서의 갑작스런 상승을 즉시 감시하여 이에 응답할 수 있을 정도로 빠르지는 못하다. 전형적인 응답시간은 20-30 ms 범위에 있다.

계전기 기반의 계전기 스위치는 예컨대 회로의 결함과 관계되는 높은 전류 부하를 유지하도록 되어있으므로 부피가 크다. 전술한 바와 마찬가지로, 그러한 계전기 스위치의 제어 유닛 (CPU)은 계전기 스위치 자체 및/또는 회로의 소자들에 손상을 야기할 수 있는 전류부하의 갑작스런 상승을 감시하여 이에 응답하기에 충분히 빠르지는 못하다. 전형적인 응답시간은 20-30 ms 범위에 있다.

또한, 계전기의 접점을 접속/비접속 상태로 되게하는데 있어 스파크가 생성되는데, 이는 스위치를 손상시켜 신뢰성이 저하되게 한다.

높은 전류 과부하의 조건들 (예컨대, 쇼트 전류)하에서, 이 스파크는 상당한 열을 발생시켜 접점이 녹게하며 때때로 스위치에서 불이나게하여 이 스위치를 완전히 파괴시켜 버린다.

계전기와 반도체가 결합된 스위치에 있어서, 정상적인 동작상태에서는 상기 스파크 문제가 해결된다. 그러나, 이들 소자의 CPU는 이들이 병렬 연결되어 있으므로 계전기 및/또는 반도체의 동작상태 (온 또는 오프 동작)를 감시해야 하는 심각한 문제에 직면하게 된다. 이들 소자들이 오프상태에 있을 때에만 CPU가 제 기능을 하게된다.

감시 시간이 느리게 되면, 제어 시간에 영향을 주어 판단을 통해 응답하는데 필요한 시간을 연장시킨다. 이는 스위치 또는 회로의 다른 소자들에 손상을 줄 수 있는 전류 과부하의 발생 시 큰 문제점을 갖는다. 전형적인 응답시간은 20-30ms 범위이다.

따라서, 이들 3가지 타입의 종래의 스위치 모두에 관계되는 공통적인 문제는 전류 부하에서 갑작스런 예상치 못한 상승에 대해 응답이 지연된다는 것으로, 이와 같은 응답지연은 전류부하의 상승으로 인해 회로에 손상을 초래하게 된다.

계전기 및/또는 반도체에 전류 과부하가 가해지는 시간을 짧게 하면 소비전류가 보다 적어지며 그럼으로써 손상을 감소시킬 수 있음을 이해 할 수 있을 것이다.

따라서, 전류 과부하에 신속히 자동으로 응답하도록 된 전자스위치에 대한 필요성이 널리 인식되며 이와 같은 전자 스위치를 가질 수 있다면 이는 큰 장점을 지닐 수 있게된다.

본 발명에 따르면, 전류 과부하에 신속히 자동으로 응답하도록 된 전자 스위치가 제공된다.

다음에 설명하는 본 발명의 바람직한 실시예들에서의 추가적인 특성에 따르면, 전원과 부하를 포함하는 주 회로를 제어하는 전자 스위치 회로가 제공되며, 이 회로는 (a) 전자석과 적어도 2개의 접점을 포함하며 전원과 주 회로의 부하에 직렬 연결되는 전자석 계전기 디바이스와; (b) 상기 전자 스위치 회로의 일부가 되는 제어 반도체 디바이스와; (c) 상기 반도체 디바이스에 연결되어 상기 제어 반도체 디바이스의 동작을 제어하는 역할을 하는 반도체 명령회로와; (d) 상기 전자석 계전기 디바이스의 전자석 및 상기 반도체 명령회로에 연결되어 상기 계전기 디바이스와 상기 반도체 명령회로를 제어하는 역할을 하는 계전기 명령회로와; (e) 상기 주 회로에 흐르는 전류부하를 판정하여 전류 과부하 상태를 상기 계전기 명령회로에 통보하는 과부하 센서와; 그리고 (f) 상기 제어 반도체 디바이스에 병렬 연결되는 저항기를 포함하며, 상기 저항기와 상기 제어 반도체 디바이스는 상기 전자석 계전기 디바이스와 병렬 연결된다. 계전기 디바이스의 접점이 비 접속상태일 때 상기 저항기는 보다 높은 전류부하를 받게되어 이를 반도체 명령회로에 자동으로 신호하며, 이에 응답하여 상기 반도체 명령 회로는 상기 제어 반도체 디바이스가 오프상태로 되게 한다.

상기 바람직한 실시예들에서의 또 다른 특징에 따르면, 상기 전자 스위치 회로는 (g) 부하에 직렬 연결되며 상기 전자석 계전기 디바이스의 전자석에 밀접하게 위치되는 유도기를 더 포함한다. 소정 임계치(threshold) 이상의 전류 과부하를 받게된 때, 상기 유도기는 상기 전자석 계전기 디바이스의 전자석이 상기 접점들을 비 접속 상태로 되게 하기에 충분한 크기의 유도계 (induction field)를 발생시킨다.

상기 바람직한 실시예들의 또 다른 특징에 따르면, 상기 계전기 디바이스가 비 접속 상태로 될 때, 이로 인해 높은 전류 부하를 받는 저항기는 상기 반도체 명령회로에 이 상태를 자동으로 신호하며, 이에 응답하여 상기 반도체 명령회로는 약 4ms 안에 상기 제어 반도체 디바이스가 오프 상태로 되게 한다.

상기 바람직한 실시예들에서의 또 다른 특징에 따르면, 상기 소정의 임계치는 약 100 암페어 이상이다.

상기 바람직한 실시예들에서의 또 다른 특징에 따르면, 상기 소정 임계치 이상의 전류 부하를 받게된 때, 상기 유도기는 약 2ms 이내에 상기 전자석 계전기 디바이스의 전자석이 상기 접점들을 비 접속 상태로 되게 하기에 충분한 크기의 유도계를 발생시킨다.

상기 바람직한 실시예들에서의 또 다른 특징에 따르면, 여기에서 설명하는 회로들중 어느것을 포함하는 전자 스위치가 제공된다.

본 발명은 전류 과부하에 신속히 자동으로 응답하도록 되어 있으며, 갑작스런 전혀 예상치 못한 전류 부하의 상승에 거의 즉각적으로 지연 없는 자동 반사적인 응답을 나타내는데 사용될 수 있는 전자 스위치를 제공함으로써 현재까지 알려진 스위치 구성들의 단점들을 완벽히 해소해준다.

본 발명은 전자 스위치에 관한 것으로, 보다 특별하게는 전류 과부하에 신속히 자동으로 응답하도록 된 전자 스위치에 관한 것이다.

본 출원서에서는 단지 예로써 첨부도면을 참조로 하여 본 발명을 기술한다.

도 1은 본 발명에 따른 전자 스위치에 사용되는 회로의 계략도이다.

본 발명은 전류 과부하에 신속히 자동으로 응답하도록 되어 있으며, 갑작스런 전혀 예상치 못한 전류 부하의 상승에 거의 즉각적으로 지연 없는( 예컨대 10ms 이하, 바람직하게는 6ms) 자동 반사적인 응답을 나타내는데 사용될 수 있는 전자 스위치에 관한 것이다. 특히, 본 발명은 높은 신뢰성, 안전성 및 자기 보호 특성을 갖는 스위치를 제공하는데 이용될 수 있다.

본 발명에 따른 전자 스위치의 원리 및 동작을 첨부 도면 및 상세한 설명을 통해 잘 이해 할 수 있을 것이다.

도면에 관하여, 도 1은 본 발명의 전자 스위치에 이용되는 전자 스위치 회로를 예시한 것으로써 이후부터는 회로 (10)로 언급하기로 한다.

전자 스위치 회로 (10)는 전원 (V) (14) (예컨대, 정 전원)과 부하 (16) (예컨대, 내부저항을 갖는 전기적으로 동작되는 디바이스)를 포함하는 주 회로 (12)를 제어하는 역할을 한다.

전자 스위치 회로 (10)는 전자석 계전기 디바이스 (18)를 포함한다. 계전기 디바이스 (18)는 전자석(20)과 전자석 (20)이 발생하는 자계의 영향으로 동작되는 적어도 두 개의 접점 (21)을 포함한다.

전자석 계전기 디바이스 (18)는 본 기술분야에 공지된 주 회로 (12)의 전원(14)과 부하 (16)에 직렬로 연결될 수 있다. 전자석 계전기 디바이스로써 이태리의 FEME 사가 공급하는 제품 (제품번호 : MZPA001-44-16)이 적합하다.

전자 스위치 회로 (10)는 또한 제어 반도체 디바이스 (22)를 포함한다. 디바이스 (22)는 회로 (10)에 연결되며, 하기 설명하는 바와 같이 동작한다.

회로 (10)를 구현하는데 적합한 제어 반도체 디바이스가 MOTOROLA 사에 의해 발행된 "MOTOROLA THITYSTOR DEVICE DATA"(Q2/95; DL137/D;REV6)의 페이지 1.6-46, 도 6.87에 기술되어 있다. 다른 적합한 디바이스들이 MOTOROLA 사에 의해 공급되는데, 예컨대 400V AC; 25A용으로써 제품번호 MAC223A(FP) 그리고 400V AC; 40A용으로써 제품번호 MAC224A6(FP)가 있다.

전자 스위치 회로 (10)는 또한 반도체 명령 회로 (24)를 포함한다. 명령 회로 (24)는 반도체 디바이스 (22)에 연결되며 본 기술분야에 잘 공지된 바와 같이 제어 반도체 디바이스 (22)의 동작을 제어하는 역할을 한다. 회로 (10)를 구현하는데 적합한 반도체 명령 회로가 MOTOROLA 사에 의해 발행된 "MOTOROLA THITYSTOR DEVICE DATA"(Q2/95; DL137/D;REV6)의 페이지 1.6-30, 도 6.60에 기술되어 있다.

전자 스위치 회로 (10)는 또한 과부하 센서 (26)를 포함한다. 센서 (26)는 주 회로 (12)에 흐르는 전류 부하를 판정 (측정)하는 역할을 한다. 센서 (26)는 부하 (16)에 직렬로 연결되는 데, 이 경우에 센서 (26)는 암페어메터이다. 그러나, 본 기술분야에 잘 공지된 바와 같이 전류 판정을 간접적으로 (예컨대 유도를 통해) 수행하는 다른 구성들로도 가능하다.

전자 스위치 회로 (10)는 계전기 명령 회로 (28)를 포함한다. 회로 (28)는 전자석 계전기 디바이스 (18)의 전자석(20), 반도체 명령회로 (24) 및 센서 (26)에 연결된다.

계전기 명령회로 (28)는 계전기 디바이스 (18)와 반도체 명령 회로 (24)를 제어하는 역할을 한다. 회로 (28)는 센서(26)에 연결되며, 상기 센서 (26)는 주 회로 (12)에서의 전류 부하가 소정의 임계치 (예컨대 약 25암페어 범위)를 초과할 때 회로(28)에 신호한다. 즉, 다시 말해서, 센서 (26)는 전류 과부하 (예컨대 50 또는 100 암페어)를 받을 때, 이를 적어도 회로 (28)에 통보 또는 신호한다.

전자 스위치 회로 (10)는 또한 저항기 (32)를 포함한다. 제어 반도체 디바이스 (22)에 직렬 연결되며, 디바이스 (22)와 저항기 (32)가 계전기 디바이스 (18)와 병렬 연결된다.

계전기 디바이스 (18)의 접점 (21)이 비 접속 상태 일 때 (예컨대 비 접속 프로세스를 시작할 때), 이로 인해 높은 전류 부하 및/또는 전압을 받는 저항기 (32)는 그 상태를 반도체 명령 회로 (24)에 신호하며, 이에 응답하여 반도체 명령 회로 (24)는 제어 반도체 디바이스 (22)가 오프 상태로 되게 한다. 디바이스 (22)는 약 10ms, 바람직하게는 약 7ms, 보다 바람직하게는 약 4ms 이하 내에 오프 상태로 되어, 디바이스 (18)의 접점(21)이 비 접속상태로 되게 된다.

저항기는 약 5ohm의 저항을 갖는 것이 적합하다. 적합한 저항을 갖는 저항기 (32)를 선택하면 높은 전류의 발생을 제한할 수 있으며, 그럼으로써 부하 (16) 및 반도체 디바이스 (22)를 보호할 수 있게된다.

전자 스위치 회로 (10)는 저항기 (32)의 대안으로써 바람직하게는 저항기 (32)이외에 유도기 (34)를 더 포함한다. 유도기 (24)는 주 회로 (12)의 부하 (16)에 직렬 연결될 수 있다. 유도기 (34)는 전자석 계전기 디바이스 (18)의 전자석 (20)에 매우 밀접하게 (예컨대, 0.01-5.0mm, 보다 바람직하게는 0.5-1.5mm, 가장 바람직하게는 약 1mm) 위치되어, 유도기 (34)가 소정의 높은 임계치 이상 (예컨대 약 50 암페어 이상, 바람직하게는 약 100암페어 이상)의 전류 부하를 받을 때 유도기 (34)는 전자석 계전기 디바이스 (18)의 전자석 (20)이 접점 (21)을 비 접속 상태로 되도록 하기에 충분한 크기의 유도계를 발생시킨다.

주목할 사항으로, 동작 시 유도기 (34)는 부하 (16)에 직렬 연결되며, 주 회로 (12)에 흐르는 전류 또한 유도기 (34)에 직접 흐른다. 유도기 (34)는 길이가 약 1cm 인 두꺼운 (예컨대 직경이 1.5mm) 금속 컨덕터로 되며, 계전기 디바이스 (18)의 전자석 (20)으로부터 약 1mm 떨어져 위치된다.

본 발명의 바람직한 실시예에 따르면, 접점 (21)은 소정의 높은 임계치 이상의 전류 부하를 받을 때 약 1 내지 3ms (바람직하게는 2ms)내에 비 접속 상태로 된다.

본 발명의 한 바람직한 실시예에서, 센서 (26)는 제어 유닛 (CPU)에 연결되며, 또한 회로 (24)에, 바람직하게는 또한 자체적으로 제어 유닛 (30)에 연결된다.

본 발명의 다른 바람직한 실시예에서, 회로 (10)는 또한 영 교차 (zero crossing) 검출 회로 (도시 않됨)를 포함할 수 있는데, 이 검출 회로는 AC 조건하에서 영 교차점을 검출하며 본 기술 분야에 잘 공지된 바와 같이 정상적인 동작 조건하에서 회로의 스위칭 시간을 맞추는데 이용될 수 있다.

회로 (10)의 동작은 다음과 같다.

정상적인 동작 조건하에서의 동작

정상적인 동작 조건하에서, 전류가 계전기 디바이스 (18)의 접점을 통해 직접 흐르고, 병렬로는 반도체 디바이스 (22)와 저항기 (32)를 통해 유도기 (34), 센서 (26) 및 그후 부하(16)로 흐른다.

또한, 정상적인 동작 조건하에서 회로 (10)는 수동 또는 제어 (CPU) 명령에 의해 온 상태에서 오프 상태로 전환된다. 계전기 명령 회로 (28)는 수동 또는 CPU 오프 명령을 수신하여 계전기 디바이스 (18)에 오프 명령을 발생시킨다. 결과적으로, 접점(21)은 비 접속상태로 된다. 비 접속 상태가 되면, 저항기 (32)는 상승된 전류 부하를 받게되고 그럼으로써 명령회로 (24)는 디바이스 (22)에 온 상태로 되도록 명령한다. 따라서, 스파크의 형성이 회피된다.

또한, 정상적인 동작 조건하에서 회로 (10)는 수동 또는 제어 (CPU) 명령에 의해 오프 상태에서 온 상태로 전환된다. 회로 (28)는 온 명령을 수신하고 그후 회로 (24)에 디바이스 (22)를 온 상태로 하도록 명령한다. 곧 바로, 회로 (28)는 계전기 디바이스 (18)에 온 상태로 전환하도록 명령한다. 다시 스파크의 형성이 회피된다.

따라서, 정상적인 동작 조건하에서 계전기 디바이스 (18)가 온 또는 오프로 전환한때, 반도체 디바이스는 온 상태로 되어 스파크 형성을 방지하게 된다. 이 프로세스는 대체로 수 십ms 연장될 수 있다.

약간의 전류 과부화 하에서의 동작

여기서 사용되는 표현 "약간의 전류 과부하"는 계전기 디바이스 (18)가 영향을 받을 정도로 유도기 (34)에 영향을 주지는 않는, 센서 (36)가 회로 (28)에 통보하는데 영향을 주는 전류 부하 (예컨대 약 25암페어 이상)를 말하는 것이다.

과부하를 검출하면, 센서 (26)는 이를 회로에 통보한다. 이에 응답하여, 회로(28)는 계전기 디바이스 (18)에 회로를 비 접속 상태로 하도록 명령한다. 디바이스 (18)의 접점 (21)이 비 접속 상태로 되면, 저항기 (32)는 전류 과부하를 받으며 결과적으로 회로 (24)는 디바이스(22)에 턴 오프 되도록 명령한다. 이 응답은 예컨대 접점 (21)이 비 접속 상태로 된 지 4ms 내에 빠르게 이루어지며, 반도체 (22)가 오프 상태로 된다.

높은 전류 과부화 하에서의 동작

여기서 사용되는 표현 "높은 전류 과부하"는 계전기 디바이스 (18)의 접점 (21)의 비 접속상태가 되도록 유도기 (34)에 영향을 주는 예컨대 50 또는 100암페어 이상의 전류 부하를 말한다.

이 경우에, 유도기 (34)에 흐르는 전류는 계전기 디바이스 (18)의 전자석(20)이 접점 (21)을 비 접속 상태로 되도록 한다. 이 동작은 매우 빠르며, 본 발명의 한 바람직한 실시예에서 약 1 내지 3ms, 전형적으로는 약 2ms 연장된다.

접점 (21)이 비 접속 상태로 되면, 저항기 (32)는 전류 부하 및/또는 전압에서의 상승을 받으며, 회로(24)에 반도체 디바이스 (22)를 오프 상태로 전환하도록 신호한다. 이 동작은 전술한 바와 같이 약 4ms 내에 완료된다.

따라서, 유도기 (34) 및 저항기 (32)는 공동으로 높은 전류 과부하의 경우에 약 6ms 내에 회로를 비 접속상태로 하기 위한 리플렉서(reflexes)로서 역할을 한다. 이와 같은 즉각적인 응답은 회로, 스위치 또는 이들의 관련 소자들 중 어느 것 예컨대 부하로의 손상이 효과적으로 방지될 수 있도록 해준다. 더욱이, 그러한 짧은 응답은 높은 열 발산 기능이 결합된 부피가 큰 소자들 대신에 보다 작고 비용이 저렴한 전기 소자들의 이용을 가능하게 해준다.

실험 결과, 가정에서 유지되는 부하 (220 V AC)를 쇼트 시키면 수 ms 이내에 1000 암페어를 초과하는 값으로 진행될 수 있는 과부하 전류가 발생되며, 때때로 (퓨즈가 존재하지 않는 경우) 상기 전류는 그러한 시간주기 내에서 10,000 암페어에 도달할 수 있는 것으로 밝혀졌다.

본 발명의 스위치를 이용한 결과, 쇼트 후 2ms 내에 측정 전류가 400ms로 제한됨이 확인 되었다. 이 값은 추가의 45ms 동안 유지되었으며, 그 후 측정 가능한 전류가 검출되지 않았다.

부수적으로, 센서 (26)는 또한 전류 과부하를 감지하며, 예컨대 회로 (28)에 모든 회로를 오프 상태로 전환하도록 신호함으로써 일련의 시퀀스를 초기화한다.

본 발명은 제한된 수의 실시예들에 관하여 설명되었지 만은 본 발명에 대한 많은 변형, 변화 및 다른 응용들이 만들어 질 수 있음을 알 수 있을 것이다.

Claims (6)

1. 전원과 부하를 포함하는 주 회로를 제어하는 전자 스위치 회로로써,

   (a) 전자석과 적어도 2개의 접점을 포함하며 전원과 주 회로의 부하에 직렬 연결되는 전자석 계전기 디바이스와;

   (b) 상기 전자 스위치 회로의 일부가 되는 제어 반도체 디바이스와;

   (c) 상기반도체 디바이스에 연결되며 상기 제어 반도체 디바이스의 동작을 제어하는 역할을 하는 반도체 명령회로와;

   (d) 상기 전자석 계전기 디바이스의 전자석 및 상기 반도체 명령회로에 연결되며 상기 계전기 디바이스와 상기 반도체 명령회로를 제어하는 역할을 하는 계전기 명령회로와;

   (e) 상기 주 회로에 흐르는 전류 부하를 판정하여 전류 과부하를 상기 계전기 명령회로에 통보하는 과부하 센서와;

   (f) 상기 제어 반도체 디바이스에 병렬 연결되는 저항기와, 상기 저항기와 상기 제어 반도체 디바이스는 상기 전자석 계전기 디바이스와 병렬 연결되고; 그리고

   (g) 부하에 직렬 연결되며, 상기 전자석 계전기 디바이스의 전자석에 밀접하게 위치되는 유도기를 포함하며,

   상기 유도기가 소정 임계치 이상의 전류 과부하를 받게된 때, 상기 유도기는 상기 전자석 계전기 디바이스의 전자석이 상기 접점들을 비 접속 상태로 되게 하기에 충분한 크기의 유도계를 발생시키고, 상기 전자석 계전기 디바이스의 상기 접점이 비 접속 상태인 때 이로 인해 보다 높은 전류부하를 받게되는 상기 저항기가 이 상태를 반도체 명령회로에 자동으로 신호하며, 이에 응답하여 상기 반도체 명령 회로는 상기 제어 반도체 디바이스가 오프상태로 되게 하는 것을 특징으로 하는 전자 스위치 회로.
2. 제 1 항에 있어서,

   상기 계전기 명령회로가 상기 반도체 명령 회로에 연결되며 상기 반도체 명령회로를 제어하는 역할을 하는 것을 특징으로 하는 전자 스위치 회로.
3. 제 1 항에 있어서,

   상기 계전기 디바이스가 비 접속 상태로 된 때, 이로 인해 높은 전류 부하를 받는 상기 저항기가 상기 반도체 명령회로에 이 상태를 자동으로 신호하며, 이에 응답하여 상기 반도체 명령회로는 약 4ms 안에 상기 제어 반도체 디바이스가 오프 상태로 되게 하는 것을 특징으로 하는 전자 스위치 회로.
4. 제 1 항에 있어서,

   상기 소정의 임계치는 약 50 암페어 이상인 것을 특징으로 하는 전자 스위치 회로.
5. 제 1 항에 있어서,

   상기 소정의 임계치는 약 100 암페어 이상인 것을 특징으로 하는 전자 스위치 회로.
6. 제 1 항에 있어서,

   상기 소정 임계치 이상의 전류 부하를 받게된 때, 상기 유도기는 약 1 내지 3ms 이내에 상기 전자석 계전기 디바이스의 전자석이 상기 접점을 비 접속 상태로 되게 하기에 충분한 크기의 상기 유도계를 발생시키는 것을 특징으로 하는 전자 스위치 회로.