KR20010006830A - Semiconductor treatment device and methode thereof - Google Patents

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KR20010006830A
KR20010006830A KR1020000013958A KR20000013958A KR20010006830A KR 20010006830 A KR20010006830 A KR 20010006830A KR 1020000013958 A KR1020000013958 A KR 1020000013958A KR 20000013958 A KR20000013958 A KR 20000013958A KR 20010006830 A KR20010006830 A KR 20010006830A
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오오하시히로유끼
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고미야 히로요시
가부시끼가이샤 한도따이 센단 테크놀로지스
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Abstract

PURPOSE: To prevent treatment liquid or rinsing water from remaining at a substrate or a substrate retention part by providing a supply path for supplying chemical liquid or pure water into a treatment tank while a semiconductor material retaining tool is connected to the supply source of the chemical liquid or the pure water. CONSTITUTION: A substrate retaining tool 3 is provided with a substrate 4 and three substrate connection parts 5 that are connected to the substrate 4, and the substrate part 4 is provided with an introduction line 8 that is connected to the supply source of external chemical liquid or pure water. The substrate 4 and the substrate contact part 5 of the substrate retaining tool 2 is formed to be hollow or to have a pipeline inside, chemical liquid or pure water that is supplied from the introduction line 8 is circulated inside, and the chemical liquid or rinsing water is allowed to flow out of a supply port 6 that is provided at the substrate contact part 5. A treatment chemical introduction port 9 is provided to introduce the chemical or rinsing water for treatment to a treatment tank 2, and a dry chemical introduction port 10 is provided to introduce drying chemicals or the like from the upper portion of the treatment tank 2.

Description

반도체 처리 장치 및 처리 방법 {SEMICONDUCTOR TREATMENT DEVICE AND METHODE THEREOF}Semiconductor Processing Equipment & Processing Methods {SEMICONDUCTOR TREATMENT DEVICE AND METHODE THEREOF}

본 발명은 반도체 재료의 처리 장치 및 처리 방법의 개량에 관한 것으로, 특히 배치(batch)식의 처리 장치 및 처리 방법에 관한 것이다.TECHNICAL FIELD This invention relates to the improvement of the processing apparatus and processing method of a semiconductor material. Specifically, It is related with the batch processing apparatus and processing method.

도4는 종래의 배치식 세정 장치에 있어서의 처리조 구조의 일예를 도시한 도면이다. 도4에 있어서, 도면 부호 1은 반도체 기판, 도면 부호 2는 처리조, 도면 부호 3A는 반도체 기판(1)을 보유 지지하는 기판 보유 지지구, 도면 부호 4A는 그 베이스부, 도면 부호 5A는 반도체 기판(1)을 적재하는 기판 접촉부, 도면 부호 9는 처리용 약액 등의 도입구, 도면 부호 10은 건조용 약품 등의 도입구를 도시한다.4 is a diagram showing an example of a treatment tank structure in a conventional batch type washing apparatus. In Fig. 4, reference numeral 1 denotes a semiconductor substrate, reference numeral 2 denotes a processing tank, reference numeral 3A denotes a substrate holding tool for holding the semiconductor substrate 1, reference numeral 4A denotes a base portion, and reference numeral 5A denotes a semiconductor. The board | substrate contact part which mounts the board | substrate 1, 9 is an introduction port of processing chemicals, etc., and 10 is an introduction port of drying chemicals.

이와 같은 종래의 배치식 세정 장치에 있어서의 예를 들어 IPA 건조 장치(이소프로필 알코올 건조 장치)에 있어서는 기판 건조시에 반도체 기판(1)과 기판 접촉부(5A)의 간극에 순수한 물이 잔류하는 경향이 있었다. 이 물방울의 잔류는 부근의 오염을 흡착하기 쉽고, 기판 상에 있어서 이물질의 발생 원인이 되는 것으로 알려져 있다.In such a conventional batch cleaning apparatus, for example, in the IPA drying apparatus (isopropyl alcohol drying apparatus), there is a tendency for pure water to remain in the gap between the semiconductor substrate 1 and the substrate contacting portion 5A during substrate drying. There was this. It is known that the residual water droplets easily adsorb contaminants in the vicinity and cause foreign matters on the substrate.

도5에, 건조시에 물방울 잔류에 의해 반도체 기판(1)에 부착된 이물질(1A)의 기판 맵의 예를 도시한다.Fig. 5 shows an example of a substrate map of the foreign matter 1A attached to the semiconductor substrate 1 due to residual water droplets upon drying.

또한, 인산이나 황산 등에 의한 점성이 높은 약액으로 에칭 혹은 세정한 후의 물세척시, 기판 보유 지지부에 에칭 혹은 세정액이 잔류한다. 이들 약품 잔류는 에칭 후의 물 흐름시, 기판 보유 지지부에 있어서의 순수한 물 치환 효율이 악화되어 그 부분에 있어서의 에칭량이 많아지는 현상이 있다.In addition, during the washing of water after etching or washing with a highly viscous chemical liquid such as phosphoric acid or sulfuric acid, the etching or cleaning liquid remains in the substrate holding portion. These chemical residues have a phenomenon in which the pure water substitution efficiency in the substrate holding part deteriorates during the water flow after etching, and the etching amount in the portion increases.

이들 입자의 발생이나 에칭의 불균일은 반도체 장치의 제조 수율을 저하시키는 요인이 되고 있었다.Generation | occurrence | production of these particle | grains and the nonuniformity of the etching have become a factor which reduces the manufacture yield of a semiconductor device.

본 발명은 상술한 종래의 과제를 해결하기 위해 이루어진 것으로, 기판 처리시의 처리액이 기판 혹은 기판 보유 지지부에 잔류하거나, 또한 세정시의 세정수가 기판 혹은 기판 보유 지지부에 잔류하거나 하는 것을 방지하여, 입자 발생의 억제 및 에칭 균일성의 향상 등을 목적으로 한 반도체 재료의 처리 장치 및 처리 방법을 제공하고자 하는 것이다.SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to solve the above-mentioned conventional problems, and prevents the processing liquid during substrate processing from remaining in the substrate or the substrate holding portion, and also prevents the washing water from washing from remaining in the substrate or the substrate holding portion, It is an object of the present invention to provide a processing apparatus and processing method for a semiconductor material for the purpose of suppressing particle generation and improving etching uniformity.

도1은 본 발명의 실시 형태 1에 의한 반도체 재료의 처리조의 투시 사시도.1 is a perspective perspective view of a processing tank of a semiconductor material according to Embodiment 1 of the present invention.

도2는 본 발명의 실시 형태 1에 의한 반도체 재료 보유 지지구의 사시도.2 is a perspective view of a semiconductor material holding tool according to Embodiment 1 of the present invention.

도3은 본 발명의 실시 형태 2에 의한 반도체 재료의 처리조의 투시 사시도.Fig. 3 is a perspective perspective view of the processing tank of semiconductor material according to the second embodiment of the present invention.

도4는 종래의 배치식 세정 장치에 있어서의 처리조 구조의 일예를 도시한 투시 사시도.4 is a perspective perspective view showing an example of a treatment tank structure in a conventional batch type washing apparatus.

도5는 종래의 배치식 세정 방법에 있어서 반도체 기판에 부착된 이물질의 기판 맵을 도시한 도면.Fig. 5 shows a substrate map of foreign matter attached to a semiconductor substrate in a conventional batch cleaning method.

<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명><Description of the code | symbol about the principal part of drawing>

1 : 반도체 기판(반도체 재료)1: semiconductor substrate (semiconductor material)

2 : 처리조2: treatment tank

3 : 기판 보유 지지구(반도체 재료 보유 지지구)3: substrate holding tool (semiconductor material holding tool)

4 : 베이스부4: base part

5 : 기판 접촉부5: substrate contact

6 : 공급구(개구)6: supply port (opening)

7 : 약품 혹은 세정수의 방향7: direction of chemical or washing water

8 : 도입 라인8: introduction line

9 : 처리 약품 도입구9: treatment chemical inlet

10 : 건조 약품 도입구10: dry chemical inlet

11 : 세정수 액면 센서11: cleaning water liquid level sensor

12 : 도입 라인12: introduction line

13 : 공급구13: supply port

14 : 약액 도입구14: chemical inlet

15 : 약품 혹은 세정수의 방향15: direction of chemical or washing water

본 발명의 청구항 1에 관한 반도체 처리 장치는 반도체 재료의 처리조와, 이 처리조 속에 배치되어 반도체 재료를 보유 지지하는 반도체 재료 보유 지지구와, 상기 처리조에 처리용 또는 세정용 약액 또는 순수한 물을 도입하는 도입 수단을 구비하고, 상기 반도체 재료 보유 지지구는 약액 또는 순수한 물의 공급원에 접속되어 약액 또는 순수한 물을 상기 처리조 내에 공급하는 공급로를 갖고 있는 것을 특징으로 하는 것이다.A semiconductor processing apparatus according to claim 1 of the present invention includes a processing tank for semiconductor materials, a semiconductor material holding tool disposed in the processing tank to hold the semiconductor material, and a treatment or cleaning chemical or pure water introduced into the processing tank. The introduction material means is provided, and the said semiconductor material holding | maintenance tool is connected with the supply source of chemical liquid or pure water, It is characterized by having the supply path which supplies chemical liquid or pure water in the said processing tank.

또한, 청구항 2에 관한 반도체 처리 장치는 청구항 1에 있어서, 상기 반도체 재료 보유 지지구는 약액 또는 순수한 물의 공급구를 반도체 재료를 보유 지지하는 보유 지지면에 복수개 갖고 있는 것을 특징으로 하는 것이다.The semiconductor processing apparatus according to claim 2 is characterized in that the semiconductor material holding tool has a plurality of supply ports for chemical liquid or pure water on the holding surface for holding the semiconductor material.

또한, 청구항 3에 관한 반도체 처리 장치는 청구항 1에 있어서, 상기 반도체 재료 보유 지지구는 건조용 약액, 그 증기 또는 그 연무(mist)를 공급하는 것을 특징으로 하는 것이다.The semiconductor processing apparatus according to claim 3 is characterized in that the semiconductor material holding tool supplies a drying chemical liquid, its vapor or its mist.

또한, 청구항 4에 관한 반도체 처리 장치는 청구항 1에 있어서, 상기 반도체 재료 보유 지지구는 세정용 약액 또는 순수한 물을 공급하는 것을 특징으로 하는 것이다.The semiconductor processing apparatus according to claim 4 is characterized in that the semiconductor material holding tool supplies a cleaning chemical or pure water.

또한, 청구항 5에 관한 반도체 처리 장치는 청구항 1에 있어서, 상기 반도체 재료 보유 지지구는 에칭용 약액을 공급하는 것을 특징으로 하는 것이다.The semiconductor processing apparatus according to claim 5 is the semiconductor processing apparatus according to claim 1, wherein the semiconductor material holding tool supplies the chemical liquid for etching.

또한, 청구항 6에 관한 반도체 처리 장치는 청구항 1에 있어서, 상기 처리조 내에 배치되고, 상기 처리조 내의 약액 또는 순수한 물을 검지하여 상기 반도체 재료 보유 지지구가 상기 약액 또는 순수한 물의 액면보다 위로 나온 것을 검출하는 검출 수단을 구비한 것을 특징으로 하는 것이다.Further, in the semiconductor processing apparatus according to claim 6, the semiconductor processing apparatus according to claim 1 is disposed in the processing tank, and detects the chemical liquid or the pure water in the processing tank so that the semiconductor material holding tool emerges above the liquid level of the chemical liquid or the pure water. It is characterized by including the detection means for detecting.

또한, 청구항 7에 관한 반도체 처리 장치는 반도체 재료의 처리조와, 이 처리조 속에 배치되어 반도체 재료를 보유 지지하는 반도체 재료 보유 지지구와, 상기 처리조 내에 처리용 또는 세정용의 약액 또는 순수한 물을 도입하는 도입 수단과, 상기 처리조 내에 배치되어 약액 또는 순수한 물의 공급원에 접속되어 약액 또는 순수한 물을 상기 반도체 재료 보유 지지구의 반도체 재료의 보유 지지면 근방에 공급하는 공급 수단을 구비한 것을 특징으로 하는 것이다.In addition, the semiconductor processing apparatus according to claim 7 introduces a processing tank for semiconductor materials, a semiconductor material holding tool disposed in the processing tank and holding the semiconductor material, and a chemical liquid or pure water for treatment or cleaning in the processing tank. And a supply means arranged in the processing tank and connected to a source of chemical liquid or pure water to supply the chemical liquid or pure water to the vicinity of the holding surface of the semiconductor material of the semiconductor material holder. .

또한, 청구항 8에 관한 반도체 처리 방법은 반도체 재료의 처리조에서, 반도체 재료 보유 지지구에 보유 지지된 반도체 재료를 처리용 약액 또는 순수한 물로 처리하는 단계와, 상기 처리 후에 상기 반도체 재료와 재료 보유 지지구와의 접촉면 근방에 세정용 또는 건조용 약품 또는 순수한 물을 공급하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 것이다.In addition, the semiconductor processing method according to claim 8 includes the steps of: treating a semiconductor material held in a semiconductor material holding tool with a processing liquid or pure water in a processing tank of semiconductor material; and holding the semiconductor material and material holding after the processing. Supplying cleaning or drying chemicals or pure water in the vicinity of the contact surface with the sphere.

또한, 청구항 9에 관한 반도체 처리 방법은 반도체 재료의 처리조 내에서 반도체 재료 보유 지지구에 보유 지지된 반도체 재료를 처리용 약액 또는 순수한 물로 처리하는 단계에 있어서, 상기 처리조 내에 상기 처리용 약액 또는 순수한 물을 도입하는 동시에, 상기 반도체 재료와 상기 반도체 재료 보유 지지구와의 접촉면 근방으로부터 상기 접촉면을 향해 처리용 약액 또는 순수한 물을 공급하는 것을 특징으로 하는 것이다.Further, the semiconductor processing method according to claim 9 further comprises the step of treating the semiconductor material held by the semiconductor material holding tool with a processing liquid or pure water in the processing tank of the semiconductor material. Pure water is introduced, and a treatment chemical or pure water is supplied from the vicinity of the contact surface between the semiconductor material and the semiconductor material holding tool toward the contact surface.

이하, 본 발명의 실시 형태에 대해 도면을 참조하여 설명한다.EMBODIMENT OF THE INVENTION Hereinafter, embodiment of this invention is described with reference to drawings.

<실시 형태 1><Embodiment 1>

도1은 본 발명의 실시 형태 1을 설명하기 위한 반도체 재료의 처리조의 투시 사시도이다. 또한, 도2는 반도체 재료 보유 지지구의 사시도이다. 도1 및 도2에 있어서, 도면 부호 1은 처리되는 반도체 기판(일반적으로 반도체 재료), 도면 부호 2는 반도체 기판(1)을 처리 또는 세정하기 위한 처리조, 도면 부호 3은 반도체 기판(1)을 보유 지지하는 기판 보유 지지구(일반적으로 반도체 재료 보유 지지구), 도면 부호 4는 그 베이스부, 도면 부호 5는 반도체 기판(1)과 접촉하여 이를 지지하는 기판 보유 지지구(2)의 기판 접촉부, 도면 부호 6은 기판 보유 지지구(2)의 기판 접촉부(5)로부터 약품 혹은 세정수를 공급하기 위한 공급구(개구), 도면 부호 7은 기판 접촉부(5)의 공급구(6)로부터 처리조 내로 공급되는 약품 혹은 세정수의 방향을 나타낸다.1 is a perspective perspective view of a processing tank of a semiconductor material for explaining Embodiment 1 of the present invention. 2 is a perspective view of the semiconductor material holding tool. 1 and 2, reference numeral 1 denotes a semiconductor substrate (generally a semiconductor material) to be processed, reference numeral 2 denotes a processing tank for treating or cleaning the semiconductor substrate 1, and reference numeral 3 denotes a semiconductor substrate 1 Substrate holder (generally a semiconductor material holder) for holding the substrate, reference numeral 4 denotes a base portion thereof, and reference numeral 5 denotes a substrate of the substrate holder 2 that contacts and supports the semiconductor substrate 1. The contact portion, 6 denotes a supply port (opening) for supplying chemicals or washing water from the substrate contact portion 5 of the substrate holding opening 2, and the reference numeral 7 denotes a supply opening 6 of the substrate contacting portion 5. The direction of chemicals or washing water supplied into the treatment tank is shown.

또한, 도면 부호 8은 기판 보유 지지구(2)에 외부로부터 약품 혹은 세정수를 도입하기 위한 도입 라인(배관), 도면 부호 9는 처리조(2)에 처리용 약품 혹은 세정수를 도입하기 위한 종래부터 설치해 둔 처리 약품 도입구, 도면 부호 10은 처리조(2)의 상부로부터 건조용 약품 등을 도입하기 위해, 종래부터 설치해 둔 건조 약품 도입구, 도면 부호 11은 세정수 액면 센서를 나타낸다.In addition, reference numeral 8 denotes an introduction line (piping) for introducing a chemical or washing water into the substrate holding tool 2 from the outside, and reference numeral 9 denotes a treatment chemical or washing water for introducing the treatment chemical into the treatment tank 2. Conventionally installed treatment chemical introduction port, reference numeral 10 denotes a conventionally installed dry chemical introduction port, reference numeral 11 denotes a washing water liquid level sensor in order to introduce a drying chemical or the like from the upper portion of the treatment tank 2.

도2에 도시한 바와 같이, 기판 보유 지지구(3)는 베이스부(4)와 이 베이스부(4)에 접속된 3개의 기판 접촉부(5)를 구비하고 있다. 또한, 베이스부(4)에는 외부의 약액 또는 순수한 물의 공급원에 접속된 도입 라인(8)을 구비하고 있다.As shown in FIG. 2, the board | substrate holding tool 3 is equipped with the base part 4 and the three board | substrate contact parts 5 connected to this base part 4. As shown in FIG. In addition, the base portion 4 is provided with an introduction line 8 connected to a source of external chemical liquid or pure water.

기판 보유 지지구(2)의 베이스부(4) 및 기판 접촉부(5)는 중공이거나 혹은 내부에 관로를 갖도록 형성되고, 도입 라인(8)으로부터 공급되는 약액 또는 순수한 물이 내부를 유통하여 기판 접촉부(5)에 설치된 공급구(6)로부터 약액 또는 세정수가 유출하도록 되어 있다.The base portion 4 and the substrate contact portion 5 of the substrate holding device 2 are hollow or formed to have a conduit therein, and the chemical liquid or pure water supplied from the introduction line 8 flows through the substrate contact portion. The chemical liquid or the washing water flows out from the supply port 6 provided in (5).

다음에, 이 처리 장치의 조작에 대해 설명한다.Next, the operation of this processing apparatus will be described.

우선, 반도체 기판(1)의 약액에 의한 에칭 혹은 약액 등에 의한 세정시, 처리 약품 도입구(9)로부터 약품이 도입되지만, 그 때 동시에 기판 접촉부(5)의 공급구(6)로부터 반도체 기판(1)과 기판 접촉부(5)의 접촉 부분을 향해, 혹은 그 근방에서 동일한 약품을 공급한다. 이로써, 반도체 기판(1)이 기판 접촉부(5)와 접촉하고 있는 부분에도 약품이 잘 유통하여 체류하는 일이 없다. 따라서, 약액 등에 의한 반도체 기판(1)의 처리를 균일하게 행할 수 있다.First, chemicals are introduced from the processing chemical introduction port 9 at the time of etching with the chemical liquid of the semiconductor substrate 1 or cleaning with the chemical liquid or the like, but at the same time, the semiconductor substrate (from the supply port 6 of the substrate contact portion 5) is introduced. The same chemical | medical agent is supplied toward or near the contact part of 1) and the board | substrate contact part 5. Thereby, the chemical | medical agent distribute | circulates well and does not stay in the part which the semiconductor substrate 1 contacts with the board | substrate contact part 5, either. Therefore, the process of the semiconductor substrate 1 by chemical liquid etc. can be performed uniformly.

다음에, 반도체 기판(1)의 약액에 의한 에칭 혹은 약액에 의한 세정이 종료하여 처리된 약액을 물세척할 때, 처리 약품 도입구(9)로부터 세정수가 도입되는 동시에 기판 접촉부(5)의 공급구(6)로부터도 세정수를 공급하여 기판 접촉부(5)에 잔류하고 있는 약품을 적극적으로 세정수로 치환한다.Next, when the etching of the semiconductor substrate 1 or the cleaning of the chemical liquid is finished and the washed chemical liquid is washed with water, the washing water is introduced from the processing chemical inlet 9 and the substrate contact portion 5 is supplied. Washing water is also supplied from the sphere 6 to actively replace the chemicals remaining in the substrate contacting portion 5 with the washing water.

특히, 인산이나 황산 등의 점성이 높은 에칭 혹은 세정액으로 반도체 기판(1)을 세정한 경우, 통상은 그 후의 물세척시에 기판 접촉부(5)의 약품이 치환되기 어렵기 때문에 잔류하여 에칭이나 세정 불균일이 발생하는 경향이 있다.In particular, when the semiconductor substrate 1 is cleaned with a highly viscous etching or cleaning solution such as phosphoric acid or sulfuric acid, the chemicals of the substrate contact portion 5 are difficult to be replaced during subsequent water washing, so that the residue remains and is etched or cleaned. Unevenness tends to occur.

그로 인해, 본 실시 형태에서는 기판 접촉부(5)가 반도체 기판(1)과 접촉하는 부분을 향해 공급구(6)로부터도 세정수를 공급하여 세정수에 의해 잔류 약액 등을 제거·치환하여 에칭이나 세정의 균일성 향상을 도모한다.Therefore, in this embodiment, washing | cleaning water is also supplied from the supply port 6 toward the part which the board | substrate contact part 5 contacts with the semiconductor substrate 1, and residual chemical liquid etc. are removed and replaced with washing water, and etching or the like is performed. The uniformity of the cleaning is improved.

이 경우, 필요에 따라 기판 보유 지지부(2)에 도입하는 약품이나 순수한 물의 압력을 조정하고 공급구(6)로부터 약품 혹은 물세척액을 소정의 유속으로 분출시켜 물세척 효과 등을 향상시킬 수 있다.In this case, the pressure of the chemicals or pure water introduced into the substrate holding part 2 can be adjusted as necessary, and the chemicals or the water washing liquid can be ejected from the supply port 6 at a predetermined flow rate to improve the water washing effect.

또, 이 경우, 물세척은 에칭 등의 처리를 행한 처리조와 동일한 처리조에서 행하는 경우와 별도의 처리조에서 행하는 경우가 있으나, 본 실시 형태는 어떠한 경우라도 적용할 수 있다.In this case, the water washing may be performed in a treatment tank separate from that in the same treatment tank in which the treatment such as etching is performed, but the present embodiment can be applied in any case.

또한, 에칭 및 세정시는 공급구(6)를 사용하지 않고, 처리 약품의 물세척시만 공급구(6)로부터 물세척액을 도입하도록 해도 좋다. 이 경우에서도, 마찬가지로 에칭이나 세정의 균일성 향상을 도모할 수 있다.In addition, you may make it introduce the water washing | cleaning liquid from the supply opening 6 only at the time of the water washing of a process chemical, without using the supply opening 6 at the time of an etching and washing | cleaning. In this case as well, the uniformity of etching and cleaning can be improved.

다음에, 반도체 기판(1)의 물세척을 종료한 후, 반도체 기판(1)의 건조 공정으로 들어 간다.Next, after the washing | cleaning of the water of the semiconductor substrate 1 is complete | finished, it enters into the drying process of the semiconductor substrate 1.

예를 들어, LSI의 배치 세정 장치 등에 있어서 현재 행해지고 있는 반도체 기판의 건조 방법은 반도체 기판(1)이 수중에 있는 동안에, 처리조(2) 상부의 공간에 건조 약품 도입구(10)로부터 건조 약품(이소프로필 알코올 등)을 도입한다. 이 때, 건조 약품은 액체나 증기 혹은 연무 형상으로, 단일체 혹은 질소 등의 가스와 함께 도입되는 경우가 많다.For example, the drying method of the semiconductor substrate currently performed by the LSI batch cleaning apparatus etc. is a drying chemical | medical agent from the drying chemical introduction port 10 to the space above the processing tank 2, while the semiconductor substrate 1 is in water. (Isopropyl alcohol, etc.) are introduced. At this time, the dry chemical is often introduced in the form of a liquid, steam or mist, together with a single substance or a gas such as nitrogen.

이 건조 약품의 도입후, 반도체 기판(1)을 침지하고 있는 세정수를 제거하여 반도체 기판(1)을 건조한다. 그 때, 기판 보유 지지구(2)의 기판 접촉부(5)에 표면 장력에 의해 물방울이 잔류하여 그곳에 이물질이 흡착하는 경향이 있다.After the introduction of the dry chemical, the washing water immersed in the semiconductor substrate 1 is removed to dry the semiconductor substrate 1. At that time, water droplets remain in the substrate contacting portion 5 of the substrate holding tool 2 due to surface tension, and foreign matter tends to be adsorbed there.

이를 피하기 위해, 본 실시 형태에서는 기판 건조시, 이 기판 접촉부(5)의 공급구(6)로부터 이소프로필 알코올 등의 건조 약품 혹은 그 증기나 연무를 단일체 혹은 질소 등의 가스와 함께 도입하고, 기판 접촉부(5)의 잔류 물방울을 적극적으로 건조시켜 기판 접촉부(5)가 반도체 기판(1)에 접촉하고 있는 부분과 여기에 접촉하고 있는 반도체 기판(1)의 건조 효율의 향상을 도모한다.In order to avoid this, in the present embodiment, during drying of the substrate, a drying chemical such as isopropyl alcohol or its vapor or mist is introduced together with a single substance or a gas such as nitrogen from the supply port 6 of the substrate contact portion 5. The remaining water droplets of the contact portion 5 are actively dried to improve the drying efficiency of the portion where the substrate contact portion 5 is in contact with the semiconductor substrate 1 and the semiconductor substrate 1 that is in contact therewith.

다음에, 본 실시 형태에서는 처리조(2) 내의 세정수 등의 존재를 검출하는 액면 센서(11)를 설치하고 있다. 도1에 도시한 예에서는, 액면 센서(11)는 처리조(2)의 바닥부에서 기판 접촉부(5)와 동일한 위치 혹은 그 보다 낮은 위치에 설치되어 있다.Next, in this embodiment, the liquid level sensor 11 which detects the presence of wash | cleaning water etc. in the processing tank 2 is provided. In the example shown in FIG. 1, the liquid level sensor 11 is provided at the same position as or lower than the substrate contacting portion 5 at the bottom of the processing tank 2.

반도체 기판(1)이 세정수 중에 침지되고 처리조(2) 내의 상부 공간에 건조 약품(이소프로필 알코올 등)이 도입된 후, 세정수를 제거하여 서서히 액면을 낮추어 건조가 행해진다. 이 때, 액면 센서(11)에 의해 액면이 기판 접촉부(5)보다 내려간 것을 판단하고 기판 접촉부(5)가 건조 약품 중에 노출된 시점으로부터, 기판 접촉부(5)의 공급구(6)로부터 건조 약액의 공급을 개시하도록 제어한다. 이와 같이 하면, 건조 약품의 사용량을 감소시키는 것이 가능해진다.After the semiconductor substrate 1 is immersed in the washing water and a dry chemical (isopropyl alcohol, etc.) is introduced into the upper space in the treatment tank 2, the washing water is removed to gradually lower the liquid level and drying is performed. At this time, it is determined by the liquid level sensor 11 that the liquid level is lower than the substrate contact portion 5, and the dry chemical liquid is supplied from the supply port 6 of the substrate contact portion 5 from the time when the substrate contact portion 5 is exposed in the dry chemical. Control to start the supply of. In this way, it becomes possible to reduce the amount of dry chemical used.

또, 상술한 설명은 체류한 세정수를 처리조(2)의 하부로부터 제거하여 세정액면의 수위를 낮추는 경우에 대해 설명했다.In addition, the above description demonstrated the case where the washing water which stayed was removed from the lower part of the processing tank 2, and the level of the washing liquid surface is lowered.

그러나, 반도체 기판(1)을 기판 보유 지지구(2)와 함께 세정액으로부터 끌어 올려 상부의 건조 약품 중으로 옮기는 경우도 있다. 이 경우에는 액면 센서(11)를 기판 보유 지지구(2)와 연결하고 기판 보유 지지구(2)와 함께 세정액으로부터 끌어 올리도록 한다. 이로써, 마찬가지로 기판 접촉부(5)의 공급구(6)로부터 건조 약품을 유출시키는 타이밍을 제어할 수 있다.However, in some cases, the semiconductor substrate 1 is pulled out of the cleaning liquid together with the substrate holding tool 2 and moved into the upper dry chemical. In this case, the liquid level sensor 11 is connected to the substrate holding tool 2 and pulled out of the cleaning liquid together with the substrate holding tool 2. Thereby, the timing which flows out a dry chemical from the supply port 6 of the board | substrate contact part 5 can be controlled similarly.

이상 설명한 바와 같이, 본 실시 형태에 따르면 종래 기술에서 문제였던 기판 보유 지지구(3)의 잔류 물방울에 흡착하고 있던 이물질이 잔류 물방울의 감소와 함께 발생하지 않게 되어 이물질에 의한 제품 수율 저하를 방지하는 것이 가능해진다.As described above, according to the present embodiment, foreign matter adsorbed to the residual water droplets of the substrate holding tool 3, which has been a problem in the prior art, does not occur with the reduction of the residual water droplets, thereby preventing a decrease in product yield due to the foreign matter. It becomes possible.

또한, 이와 같은 방식으로 인해, 기판 보유 지지부의 약품 치환 혹은 건조 효율이 개선되어 기판 내의 에칭 균일성 향상, 물세척 시간의 단축, 건조시의 이물질 부착의 억제, 건조 시간의 단축 등의 작용 및 효과가 있다.In addition, such a method improves the chemical substitution or drying efficiency of the substrate holding part, thereby improving the etching uniformity in the substrate, shortening the washing time of water, suppressing foreign matter adhesion during drying, and shortening the drying time. There is.

<실시 형태 2><Embodiment 2>

도3은 본 발명의 실시 형태 2를 설명하기 위한 반도체 재료의 처리조의 투시 사시도이다.Fig. 3 is a perspective perspective view of a processing tank of semiconductor material for explaining the second embodiment of the present invention.

도3에 있어서, 도면 부호 12는 약품 혹은 세정수의 도입 라인, 도면 부호 13은 도입 라인(13)에 설치된 공급구(개구), 도면 부호 14는 도입 라인(12)에 약품 혹은 세정수를 도입하기 위한 약액 도입구, 도면 부호 15는 도입 라인(12)의 공급구(13)로부터 처리조 내에 공급되는 약품 혹은 세정수의 방향을 나타낸다.In Fig. 3, reference numeral 12 denotes an introduction line of a chemical or washing water, reference numeral 13 denotes a supply port (opening) provided in the introduction line 13, and reference numeral 14 introduces a chemical or washing water into the introduction line 12. The chemical liquid introduction port for the purpose, reference numeral 15 denotes the direction of the chemicals or the washing water supplied from the supply port 13 of the introduction line 12 into the treatment tank.

이 경우, 기판 보유 지지구(3) 자체에는 약액의 공급 수단을 설치하지 않아 좋다. 그 밖의 구성 부분은 도1과 마찬가지이며, 동일 또는 상당 부분에 동일한 부호를 붙여 그 설명을 생략한다.In this case, the substrate holding means 3 itself may not be provided with a supply means for the chemical liquid. Other components are the same as those in Fig. 1, and the same or equivalent parts are denoted by the same reference numerals and the description thereof is omitted.

본 실시 형태에서는 도입 라인(12)이 기판 보유 지지구(3)의 기판 접촉부(5) 근방에 배치되고, 다수의 공급구(6)가 기판 접촉부(5)에 면하도록 설치되어 있다.In this embodiment, the introduction line 12 is arrange | positioned in the vicinity of the board | substrate contact part 5 of the board | substrate holding tool 3, and many supply ports 6 are provided so that the board contact part 5 may face.

외부의 약액 또는 순수한 물의 공급원으로부터의 약품은 약액 도입구(14)로부터 도입 라인(12)에 도입되고, 공급구(13)로부터 기판 접촉부(5)를 향해 유출하게 된다.Chemicals from an external source of chemical or pure water are introduced into the introduction line 12 from the chemical solution introduction port 14 and flow out from the supply port 13 toward the substrate contacting portion 5.

앞에 서술한 실시 형태 1에서는 기판 보유 지지구(3)의 기판 접촉부(5)에 설치한 공급구(6)로부터 약액 등을 유출시키고 있었던 것에 대해, 본 실시 형태 2에서는 별도로 도입 라인(12)을 설치한 것이다. 이와 같이 하면, 도입 라인(12)의 배치 혹은 약품 등의 흐름 방향을 조정하기 쉬운 이점이 있다.In Embodiment 1 mentioned above, although the chemical liquid etc. were outflowing from the supply port 6 provided in the board | substrate contact part 5 of the board | substrate holding tool 3, in this Embodiment 2, the introduction line 12 is separately provided. It is installed. By doing in this way, there exists an advantage which is easy to adjust the arrangement | positioning of the introduction line 12, or the flow direction, such as chemical | medical agent.

그 기능과 동작 및 효과는 실시 형태 1에서 설명한 바와 마찬가지이므로 상세한 설명은 생략한다.Since the functions, operations, and effects are the same as those described in the first embodiment, detailed description is omitted.

또, 이상의 실시 형태 1 및 2에서는 반도체 기판의 처리 및 세정을 예로 하여 설명했다. 그러나, 본 발명은 반도체 웨이퍼 등의 반도체 재료, 액정 부품, 그 밖의 재료의 처리 및 세정에도 적용할 수 있다.In addition, in Embodiment 1 and 2, the process and cleaning of a semiconductor substrate were demonstrated as an example. However, the present invention can also be applied to the processing and cleaning of semiconductor materials such as semiconductor wafers, liquid crystal components, and other materials.

본 명세서에서, 반도체 재료라 함은 그와 같은 것을 포함하여 포괄적으로 의미하는 것으로 한다.In this specification, the term "semiconductor material" is intended to mean inclusively including such things.

이상 설명한 바와 같이, 본 발명에 따르면 반도체 재료와 이를 보유 지지하는 반도체 재료 보유 지지구와의 접촉 부분을 향해 처리용 또는 세정용 약품 혹은 세정수를 적극적으로 공급하여 반도체 재료와 반도체 재료 보유 지지구의 접촉면 근방의 약품 혹은 순수한 물, 또는 잔류하는 잔류액의 치환 효율을 향상시킬 수 있어 에칭이나 세정 혹은 건조 성능의 향상을 도모하고, 또한 처리 장치(일반적으로 반도체 제조 장치)의 처리 능력의 향상 등을 도모할 수 있다.As described above, according to the present invention, the treatment or cleaning chemicals or the washing water are actively supplied toward the contact portion between the semiconductor material and the semiconductor material holding tool holding the same, and thus the vicinity of the contact surface between the semiconductor material and the semiconductor material holding tool. It is possible to improve the substitution efficiency of chemicals or pure water, or residual residual liquids, to improve the etching, cleaning or drying performance, and to improve the processing capability of the processing apparatus (generally a semiconductor manufacturing apparatus). Can be.

Claims (9)

반도체 재료의 처리조와, 이 처리조 속에 배치되어 반도체 재료를 보유 지지하는 반도체 재료 보유 지지구와, 상기 처리조에 처리용 또는 세정용 약액 또는 순수한 물을 도입하는 도입 수단을 구비하고, 상기 반도체 재료 보유 지지구는 약액 또는 순수한 물의 공급원에 접속되어 약액 또는 순수한 물을 상기 처리조 내에 공급하는 공급로를 갖고 있는 것을 특징으로 하는 반도체 처리 장치.A processing tank for semiconductor materials, a semiconductor material holding tool disposed in the processing tank for holding the semiconductor material, and introduction means for introducing a processing or cleaning chemical liquid or pure water into the processing tank, and holding the semiconductor material holding. A sphere is connected to a source of chemical liquid or pure water, and has a supply path for supplying chemical liquid or pure water into the processing tank. 제1항에 있어서, 상기 반도체 재료 보유 지지구는 약액 또는 순수한 물의 공급구를 반도체 재료를 보유 지지하는 보유 지지면에 복수개 갖고 있는 것을 특징으로 하는 반도체 처리 장치.The semiconductor processing apparatus according to claim 1, wherein the semiconductor material holding tool has a plurality of supply ports for chemical liquid or pure water on a holding surface for holding the semiconductor material. 제1항에 있어서, 상기 반도체 재료 보유 지지구는 건조용 약액, 그 증기 또는 그 연무를 공급하는 것을 특징으로 하는 반도체 처리 장치.The semiconductor processing apparatus according to claim 1, wherein the semiconductor material holding tool supplies a drying chemical liquid, its vapor, or its mist. 제1항에 있어서, 상기 반도체 재료 보유 지지구는 세정용 약액 또는 순수한 물을 공급하는 것을 특징으로 하는 반도체 처리 장치.2. The semiconductor processing apparatus according to claim 1, wherein the semiconductor material holding tool supplies a cleaning liquid or pure water. 제1항에 있어서, 상기 반도체 재료 보유 지지구는 에칭용 약액을 공급하는 것을 특징으로 하는 반도체 처리 장치.The semiconductor processing apparatus according to claim 1, wherein the semiconductor material holding tool supplies an etching chemical. 제1항에 있어서, 상기 처리조 내에 배치되고, 상기 처리조 내의 약액 또는 순수한 물을 검지하여 상기 반도체 재료 보유 지지구가 상기 약액 또는 순수한 물의 액면보다 위로 나온 것을 검출하는 검출 수단을 구비한 것을 특징으로 하는 반도체 처리 장치.2. The apparatus according to claim 1, further comprising: detecting means disposed in the processing tank and detecting the chemical liquid or the pure water in the processing tank to detect that the semiconductor material holding tool emerges above the liquid level of the chemical liquid or pure water. A semiconductor processing apparatus. 반도체 재료의 처리조와, 이 처리조 속에 배치되어 반도체 재료를 보유 지지하는 반도체 재료 보유 지지구와, 상기 처리조 내에 처리용 또는 세정용 약액 또는 순수한 물을 도입하는 도입 수단과, 상기 처리조 내에 배치되어 약액 또는 순수한 물의 공급원에 접속되어 약액 또는 순수한 물을 상기 반도체 재료 보유 지지구의 반도체 재료의 보유 지지면 근방에 공급하는 공급 수단을 구비한 것을 특징으로 하는 반도체 처리 장치.A processing tank for semiconductor materials, a semiconductor material holding tool disposed in the processing tank and holding the semiconductor material, introducing means for introducing a processing or cleaning chemical liquid or pure water into the processing tank, and disposed in the processing tank. And a supply means connected to a supply source of the chemical liquid or the pure water to supply the chemical liquid or the pure water to the vicinity of the holding surface of the semiconductor material of the semiconductor material holding tool. 반도체 재료의 처리조에서, 반도체 재료 보유 지지구에 보유 지지된 반도체 재료를 처리용 약품 또는 순수한 물로 처리하는 단계와, 상기 처리 후에 상기 반도체 재료와 재료 보유 지지구와의 접촉면 근방에 세정용 또는 건조용 약품 또는 순수한 물을 공급하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 처리 방법.Treating a semiconductor material held in the semiconductor material holding tool with a treating agent or pure water in a processing tank of the semiconductor material, and for cleaning or drying in the vicinity of the contact surface between the semiconductor material and the material holding tool after the treatment; A method of processing a semiconductor comprising supplying a drug or pure water. 반도체 재료의 처리조 내에서 반도체 재료 보유 지지구에 보유 지지된 반도체 재료를 처리용 약액 또는 순수한 물로 처리하는 단계에서, 상기 처리조 내에 상기 처리용 약액 또는 순수한 물을 도입하는 동시에, 상기 반도체 재료와 상기 반도체 재료 보유 지지구와의 접촉면 근방으로부터 상기 접촉면을 향해 처리용 약액 또는 순수한 물을 공급하는 것을 특징으로 하는 반도체 처리 방법.Treating the semiconductor material held by the semiconductor material holding tool in the processing tank of the semiconductor material with the processing liquid or pure water, while introducing the processing liquid or pure water into the processing tank, A processing liquid or pure water is supplied from the vicinity of the contact surface with the semiconductor material holding tool toward the contact surface.
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