KR20010004096A - Planarization of semiconductor device - Google Patents

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Abstract

PURPOSE: A method for flattening a semiconductor device is provided to improve the productivity of the semiconductor device by increasing the uniformity of processes. CONSTITUTION: The first interlayer insulation film is formed on a semiconductor substrate formed with a predetermined wire layer. A polishing stop layer is formed on the first interlayer dielectric film. Then, the second interlayer dielectric film is formed on the polishing step layer. After that, a CMP(Chemical Mechanical Polishing) process is carried out until the polishing stop layer is exposed by using slurries which slowly polish the polishing stop layer, thereby flattening the first and second interlayer dielectric films. Then, the polishing stop layer is removed. The first and second interlayer dielectric films are formed by an oxide film.

Description

반도체소자의 평탄화방법{Planarization of semiconductor device}Planarization method of semiconductor device

본 발명은 고선택비 슬러리를 이용한 CMP(chemical mechanical polishing)에 의한 반도체소자의 평탄화방법에 관한 것으로, 특히 배선층간 절연막에 연마정지층을 도입하고 이 연마정지층과 층간절연막간의 연마선택비가 높은 슬러리를 사용하여 반도체소자의 층간절연막을 평탄화하여 단차를 제거하는 방법에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a planarization method of a semiconductor device by chemical mechanical polishing (CMP) using a high selectivity slurry. In particular, a polishing stop layer is introduced into an interlayer wiring insulating film, and a slurry having a high polishing selectivity between the polishing stop layer and the interlayer insulating film is provided. The present invention relates to a method of planarizing an interlayer insulating film of a semiconductor device to remove a step.

CMP기술은 반도체소자 제작과정중에 발생하는 단차를 제거하여 평탄화하기 위해 개발된 공정이다. CMP에 의한 평탄화는 연마 입자가 포함된 슬러리를 폴리우레탄등의 재질로 만들어진 패드위로 공급하면서 웨이퍼를 이 패드면에 마찰시키면 웨이퍼 표면에 증착된 산화막 또는 금속막의 돌출된 부분이 제거됨으로써 평탄화를 구현하는 것이다. 슬러리에 포함된 케미컬에 의한 화학반응은 표면의 요철에는 무관하게 등방성으로 작용하지만 패드가 닿는 돌출부위의 반응물이 먼저 제거되기 때문에 평탄화가 이루어지는 것이다. 그런데 탄성체인 패드는 웨이퍼 표면의 굴곡을 따라 일정 정도 변형되므로 연마 대상인 돌출부위뿐만 아니라 높이가 낮은 지역도 일부 연마함으로써 전체적인 평탄화 특성을 감소시킨다. 또한 패드가 직접 닿지 않는 부분이라 하더라도 미시적으로는 마이크로미터 이하의 아주 가까운 거리에 있으므로 패드의 움직임에 따라 슬러리 입자의 움직임이 발생하고, 이에 따라 소량이나마 연마가 발생하여 역시 평탄화 특성을 저해한다. 현재 DRAM이나 ASIC반도체의 제작에서 배선층간 절연막의 평탄화를 위해 CMP가 채용되는 빈도가 급격히 늘어나고 있는 실정이나 완전 평탄화를 위해서는 해결해야할 문제점이 많다.CMP technology is a process developed to planarize and remove the step that occurs during the semiconductor device manufacturing process. Planarization by CMP provides a flattening process by supplying a slurry containing abrasive particles onto a pad made of a material such as polyurethane, and rubbing the wafer against the pad surface, thereby removing planarization of the oxide film or metal film deposited on the wafer surface. will be. The chemical reaction by the chemical contained in the slurry acts isotropic irrespective of the surface irregularities, but planarization is performed because the reactants on the protruding portion of the pad is first removed. However, since the pad, which is an elastic body, is deformed to some extent along the curvature of the wafer surface, the planarization characteristic of the pad is reduced by partially polishing not only the protruding portion to be polished but also the low height region. In addition, even if the pads are not directly in contact with the micro-micrometer is very close to the micrometer or less because the movement of the slurry particles according to the movement of the pad, a small amount of polishing occurs, thereby also hinder the flattening characteristics. Currently, in the manufacture of DRAM or ASIC semiconductors, the frequency of the adoption of CMP for the planarization of the insulating film between the wiring layers is rapidly increasing, but there are many problems to be solved for the perfect planarization.

CMP에 의한 평탄화 정도를 향상시키기 위해서는 증착량과 연마량을 동시에 늘리면 된다. 하지만 이 방법은 증착시, 연마시의 불균일도가 증가하기 때문에 웨이퍼내의 연마후 균일도를 저하시키는 약점이 있다. 또 성질이 딱딱한 연마패드를 사용하면 단차를 더욱 효과적으로 제거해낼 수 있지만, 연마후의 균일도가 나빠지는 단점이 있다. 이러한 단점들외에도 배선층간 절연막의 평탄화는 기본적으로 연마되는 도중에 연마를 멈추어야 하므로 연마공정이 끝나는 시점을 정확히 제어할 수 없다는 근본적인 문제를 안고 있다.In order to improve the degree of planarization by CMP, the deposition amount and the polishing amount may be increased at the same time. However, this method has a disadvantage in that the unevenness during polishing increases during deposition, thereby lowering the uniformity after polishing in the wafer. In addition, the use of a hard polishing pad can remove the step more effectively, but has a disadvantage of worsening the uniformity after polishing. In addition to these drawbacks, the planarization of the insulating film between the wiring layers has a fundamental problem that it is not possible to accurately control the timing of the polishing process because the polishing must be stopped during the polishing.

본 발명은 상술한 문제점을 해결하기 위한 것으로, 연마정지층을 배선층간 절연막의 중간에 삽입하고 이 연마정지층과 층간절연막에 대해 연마선택비가 높은 슬러리를 사용하여 층간절연막을 연마함으로써 층간절연막의 평탄화가 중간에 삽입된 상기 연마정지층에서 정지하면서 전체적인 평탄화가 이루어지도록 한 반도체소자의 평탄화방법을 제공하는 것을 그 목적으로 한다.SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to solve the above-mentioned problem, and the planarization of the interlayer insulating film is made by inserting the polishing stop layer in the middle of the interlayer insulating film and polishing the interlayer insulating film using a slurry having a high polishing selectivity for the polishing stop layer and the interlayer insulating film. An object of the present invention is to provide a planarization method of a semiconductor device in which an overall planarization is performed while stopping at the polishing stop layer interposed therebetween.

상기 목적을 달성하기 위한 본 발명의 반도체소자의 평탄화방법은 소정의 배선층이 형성된 반도체기판 상부에 제1층간절연막을 형성하는 단계와, 상기 제1층간절연막상에 연마정지층을 형성하는 단계, 상기 연마정지층상에 제2층간절연막을 형성하는 단계, 상기 제1 및 제2층간절연막에 비해 상기 연마정지층을 연마하는 속도가 매우 느린 특성을 갖는 슬러리를 사용하여 상기 연마정지층이 노출될때까지 CMP공정을 진행하여 상기 층간절연막을 평탄화하는 단계, 및 상기 연마정지층을 제거하는 단계를 포함하여 구성된다.According to an aspect of the present invention, there is provided a method of planarizing a semiconductor device, the method including forming a first interlayer insulating film on a semiconductor substrate on which a predetermined wiring layer is formed, and forming a polishing stop layer on the first interlayer insulating film. Forming a second interlayer insulating film on the polishing stop layer, and using a slurry having a very slow rate of polishing the polishing stop layer compared to the first and second interlayer insulating films, using the slurry until the polishing stop layer is exposed. Performing a process to planarize the interlayer insulating film, and removing the polishing stop layer.

도 1a 내지 1e는 본 발명의 일실시예에 의한 반도체소자의 평탄화방법을 도시한 공정순서도,1A to 1E are process flowcharts showing a planarization method of a semiconductor device according to an embodiment of the present invention;

도 2a 및 2b는 본 발명에 의한 반도체소자 평탄화방법에 사용되는 콘택 가이드의 평면도,2A and 2B are plan views of a contact guide used in the semiconductor device planarization method according to the present invention;

도 3은 본 발명의 다른 실시예에 의한 반도체소자의 평탄화방법을 설명하기 위한 도면.3 is a view for explaining the planarization method of a semiconductor device according to another embodiment of the present invention.

*도면의 주요부분에 대한 부호의 설명** Description of the symbols for the main parts of the drawings *

1.배선 2.제1층간절연막1. Wiring 2. First interlayer insulating film

3.연마정지층 4.제2층간절연막3. Polishing stop layer 4. Second interlayer insulating film

5.콘택영역 6.콘택 가이드5. Contact Area 6. Contact Guide

10.반도체기판10. Semiconductor Board

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명을 상세히 설명한다.Hereinafter, with reference to the accompanying drawings will be described in detail the present invention.

도 1a 내지 1e에 본 발명의 일실시예에 의한 반도체소자의 평탄화방법을 공정순서에 따라 도시하였다.1A to 1E illustrate a planarization method of a semiconductor device according to an exemplary embodiment of the present invention in accordance with a process sequence.

먼저, 도 1a에 나타낸 바와 같이 반도체기판(10)상에 반도체 제조에 필요한 소정의 배선층(1)(예를 들면, DRAM의 워드라인이나 비트라인)을 형성하고 그 전면에 배선층간 절연막으로서 제1절연산화막(2)을 형성한다. 이때, 제1층간절연산화막(2)의 두께는 배선간 절연이 이루어질 수 있도록 실험적으로 결정된 양만큼으로 한다. 일반적으로, 층간절연막은 매우 두껍게 증착한 다음 연마하여 두께를 결정된 값에 맞추는 방법을 사용하지만 본 발명의 경우에는 배선 상부에 꼭 필요한 양만큼만 증착한다. 상기 제1층간절연막(2)은 화학기상증착이나 물리적 기상증착법, 스핀코팅(spin coating)등의 방법을 이용하여 BPSG, PSG, 도핑되지 않은 산화막등을 증착하여 형성하며, 그 두께는 500-10000Å정도로 하는 것이 바람직하다.First, as shown in FIG. 1A, a predetermined wiring layer 1 (for example, a word line or a bit line of a DRAM) necessary for semiconductor manufacturing is formed on the semiconductor substrate 10, and the first wiring layer is formed as an insulating film between the wiring layers on the entire surface thereof. An insulating oxide film 2 is formed. At this time, the thickness of the first interlayer dielectric oxide film 2 is set to an amount determined experimentally so that the inter-wire insulation can be achieved. In general, the interlayer insulating film is deposited very thick and then polished to adjust the thickness to the determined value. However, in the case of the present invention, only the necessary amount is deposited on the wiring. The first interlayer insulating film 2 is formed by depositing BPSG, PSG, undoped oxide film or the like using chemical vapor deposition, physical vapor deposition, or spin coating, and the thickness thereof is 500-10000-100. It is preferable to make it to an extent.

이어서 도 1b에 나타낸 바와 같이 상기 제1층간절연산화막(2) 상부에 연마정지층으로서 실리콘질화막(3)을 소정두께, 예컨대 50-5000Å로 증착한 후, 도 1c에 나타낸 바와 같이 상기 실리콘질화막(3) 상부에 다시 제2층간절연산화막(4)을 일정두께로 형성한다. 제2층간절연막(4)은 화학기상증착이나 물리적 기상증착법, 스핀코팅등의 방법을 이용하여 BPSG, PSG, 도핑되지 않은 산화막등을 증착하여 형성하며, 더욱 효과적인 연마 정지를 위하여 상기 제1층간절연막보다 연마속도가 높거나 동일한 산화막을 증착하여 형성하는 것이 바람직하다.Subsequently, as shown in FIG. 1B, a silicon nitride film 3 is deposited on the first interlayer insulating oxide film 2 as a polishing stop layer at a predetermined thickness, for example, 50-5000 mm, and then the silicon nitride film ( 3) A second interlayer insulating oxide film 4 is formed on the upper portion at a constant thickness again. The second interlayer insulating film 4 is formed by depositing BPSG, PSG, undoped oxide film, or the like by chemical vapor deposition, physical vapor deposition, spin coating, or the like. It is preferable to form by depositing an oxide film having a higher or higher polishing rate.

이 상태에서 산화막에 비해 실리콘질화막을 매우 느리게 연마하는 CeO2계 고선택비 슬러리를 사용하여 상기 제2층간절연산화막(4)을 연마하는바, 산화막:질화막의 선택비가 30:1 이상인 슬러리를 사용하여 연마한다. 이때, 중간층인 질화막(3)이 드러날 때까지 연마함으로써 질화막에서 연마가 더 이상 진행되지 않고 시간이 경과되는, 이른바 연마정지가 일어나도록 한다. 단, 배선간 연결부인 콘택(5)이 형성될 위치의 층간절연막과 층간절연막 사이에 질화막이 남아 있으면 이후 콘택식각이 어려워지므로 도 1d에 나타낸 바와 같이 소자 설계 단계에서 콘택영역(5)의 주변에 콘택 가이드(contact guide)(6)를 형성하여 콘택 주변을 돋우어 주어 상기와 같은 현상을 방지한다. 즉, 층간절연막이 콘택 주변을 둘러싸면서 솟아오르게 하기 위해서 증착되는 막의 두께보다 콘택(5)과 콘택 가이드(6) 사이의 거리가 더 가깝게 설계하여 증착막이 컨포멀 증착(conformal deposition)되면서 빈틈이 메워지는 성질을 이용한다. 차세대 콘택 기술인 자기정합 콘택을 사용하는 경우에는 콘택 가이드의 측벽을 이용하여 콘택 식각이 일어나게 할 수 있다. 상기 콘택 가이드(6)의 모양은 도 2a 및 2b에 도시한 바와 같이 안쪽 폭이 콘택 크기보다는 크고 증착막 두께의 2배보다는 작은 사각 액자 모양(도 2a)이나 평행선 모양(도 2b)으로 하는 것이 바람직하다.In this state, the second interlayer dielectric oxide film 4 was polished using a CeO 2 based high selectivity slurry that polishes the silicon nitride film very slowly compared to the oxide film, and a slurry having an oxide to nitride film selectivity ratio of 30: 1 or more was used. Polish At this time, the polishing is performed until the nitride film 3, which is the intermediate layer, is exposed, so that the polishing stops, which is time-lapsed and the polishing does not proceed any further in the nitride film. However, if the nitride film remains between the interlayer insulating film and the interlayer insulating film at the position where the interconnect 5 is to be connected, the contact etching becomes difficult, so that the contact region 5 is around the contact region 5 in the device design step as shown in FIG. The contact guide (6) is formed to raise the contact around to prevent the above phenomenon. That is, the distance between the contact 5 and the contact guide 6 is designed to be closer than the thickness of the deposited film so that the interlayer insulating film rises around the contact, so that the gap is filled as the deposited film is conformal deposition. Use losing properties. In the case of using self-aligned contact, which is a next-generation contact technology, contact etching may be performed by using sidewalls of the contact guide. As shown in FIGS. 2A and 2B, the contact guide 6 may have a rectangular frame shape (FIG. 2A) or a parallel line shape (FIG. 2B) whose inner width is larger than the contact size and smaller than twice the thickness of the deposited film. Do.

이어서 도 1e에 나타낸 바와 같이 연마정지가 일어난 질화막을 인산을 이용한 습식식각 방법 또는 건식식각으로 제거한다. 직전 단계에서 콘택이 뚫릴 부위는 콘택 가이드를 사용하여 돋우어 주었기 때문에 이후에 콘택이 뚫려야 하는 부분은 모두 산화막이 드러나 있게 된다. 이렇게 하면 콘택 식각시 중간의 질화막을 피해 산화막만을 식각하면 되므로 식각 공정을 용이하게 진행할 수 있다.Subsequently, as illustrated in FIG. 1E, the nitride film on which polishing stops have occurred is removed by a wet etching method or a dry etching method using phosphoric acid. Since the area where the contact is to be drilled in the previous step is raised by using the contact guide, the portion where the contact is to be drilled afterwards is exposed to the oxide film. In this case, the etching process may be easily performed since only the oxide layer is etched away from the intermediate nitride layer during the contact etching.

이어서 콘택 또는 플러그 형성공정등 후속 공정을 진행하여 구조물을 완성한다. 다른 층에서도 동일한 방식으로 층간절연막을 평탄화한다.Subsequently, the structure is completed by a subsequent process such as a contact or plug forming process. The other layer is planarized in the same manner.

본 발명의 다른 실시예로서, 상기 도 1e의 공정 진행후 층간산화막 사이에 질화막(3)의 끝부분이 드러난 부분이 후속 공정에서 단차를 형성하고 배선을 단락을 일으키는 것을 방지하기 위하여 얇은 절연막을 도 3에 나타낸 바와 같이 추가로 증착하여 단차를 완화시킬 수도 있다.In another embodiment of the present invention, a thin insulating film is used to prevent the portions of the nitride film 3 exposed between the interlayer oxide films after the process of FIG. 1E from forming a step in the subsequent process and short-circuit the wiring. As shown in Fig. 3, further deposition may be used to alleviate the step.

한편, 상기 실시예에서는 콘택 식각공정에서 산화막 사이에 질화막이 있을 경우 식각에 어려움이 있을 것으로 상정하고 콘택 가이드등을 설치하였으나, 콘택 식각공정시 산화막 사이에 있는 질화막을 한꺼번에 식각할 수 있으면 콘택 가이드를 사용하지 않을 수도 있다.On the other hand, in the above embodiment, when there is a nitride film between the oxide films in the contact etching process, it is assumed that there is difficulty in etching, but contact guides and the like are installed, but if the nitride film between the oxide films can be etched at the same time during the contact etching process, the contact guide is It may not be used.

본 발명의 다른 실시예로서, 상기 연마정지층으로 도핑되지 않은 폴리실리콘을 사용하는 것도 가능하다. 이 경우, 폴리실리콘을 연마정지층으로 제1층간절연막 상부에 증착한 후, 그위에 제2층간절연막을 형성하지 않고 폴리실리콘층을 바로 연마정지층으로 사용하여 연마를 실시할 수도 있다. 상기 실시예에서는 컨포멀 증착이 특징인 일반적인 CVD산화막을 층간절연막으로 이용하였으나, 증착과 식각이 반복적으로 일어나는 고밀도 플라즈마 증착(HDP-CVD)에 의해 형성되는 산화막을 층간절연막으로 사용할 수도 있으며, 이 경우는 산화막이 컨포멀 증착 특성을 보이지 않으므로 폴리실리콘층 상부에 제2층간절연막없이 폴리실리콘층을 바로 연마정지층으로 사용하는 실시예에서 더 유리하다. 콘택 가이드를 충분히 작은 폭으로 만들 경우 콘택 가이드 상부에서 HDP 증착량이 증가하지 않으므로 일반 실시예와 동일한 설계를 적용할 수 있다.As another embodiment of the present invention, it is also possible to use polysilicon that is not doped with the polishing stop layer. In this case, after the polysilicon is deposited on the first interlayer insulating film as the polishing stop layer, polishing may be performed using the polysilicon layer directly as the polishing stop layer without forming the second interlayer insulating film thereon. In the above embodiment, a general CVD oxide film characterized by conformal deposition is used as an interlayer insulating film. However, an oxide film formed by high density plasma deposition (HDP-CVD), in which deposition and etching are repeatedly performed, may be used as an interlayer insulating film. Since the oxide film does not exhibit conformal deposition characteristics, it is more advantageous in the embodiment in which the polysilicon layer is directly used as the polishing stop layer without the second interlayer insulating layer on the polysilicon layer. If the contact guide is made small enough, the amount of HDP deposition on the contact guide does not increase, and thus the same design as in the general embodiment may be applied.

연마정지층으로 폴리실리콘을 이용하는 경우, 층간절연막 사이에서 폴리실리콘 끝의 드러난 부분이 후속공정에서 단차를 형성하고 배선간 단락을 일으키는 것을 방지하기 위하여 층간절연막 연마후 드러난 폴리실리콘을 산화시켜 절연막으로 만드는 것도 가능하다.In the case of using polysilicon as the polishing stop layer, in order to prevent the exposed portions of the polysilicon tip between the interlayer insulating films from forming a step in the subsequent process and short-circuit between wires, the polysilicon exposed after polishing the interlayer insulating film is oxidized to form an insulating film. It is also possible.

이상에서 설명한 본 발명은 전술한 실시예 및 첨부된 도면에 의해 한정되는 것이 아니고, 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 여러 가지 치환, 변형 및 변경이 가능하다는 것이 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 있어 명백할 것이다.The present invention described above is not limited to the above-described embodiments and the accompanying drawings, and various substitutions, modifications, and changes can be made in the art without departing from the technical spirit of the present invention. It will be apparent to those of ordinary knowledge.

본 발명에 의하면, 층간절연막이 그 하부의 패턴 밀도에 상관없이 완전 평탄화되기 때문에 단차가 최소화되어 사진공정의 공정여유도가 증가한다. 사진공정이 안정화되면 CD변화가 최소화되고, 브릿지, 패턴 파괴등이 감소하므로 수율이 향상된다. 또한, 한개의 칩내에서 절연막의 두께 불균일성이 최소화되므로 후속 콘택식각 공정의 공정여유도가 증가한다. 콘택식각공정이 안정화되면 콘택오픈, 과도식각등의 문제가 해결되어 소자 특성을 균일화할 수 있다. 또한, 일반적으로 배선층간 절연막의 경우 연마가 종료되는 시점을 알기 어려워 연마시간으로 공정을 제어하고 있는데, 본 발명에서는 연마정지층을 사용하므로 연마 종료 시점을 알아내기가 용이하고, 따라서 웨이퍼간, 롯트(lot)간에 공정균일도를 증가시킬 수 있다. 이렇게 되면 CMP공정에서 발생하는 공정 불균일성이 최소화되어 생산성을 향상시킬 수 있다.According to the present invention, since the interlayer insulating film is completely planarized irrespective of the pattern density of the lower portion thereof, the step difference is minimized and the process margin of the photolithography process is increased. When the photography process is stabilized, CD change is minimized, and the yield is improved because bridges and pattern breakage are reduced. In addition, since the thickness nonuniformity of the insulating film is minimized in one chip, the process margin of the subsequent contact etching process is increased. When the contact etching process is stabilized, problems such as contact open and transient etching can be solved to uniformize device characteristics. In general, in the case of the insulating film between the wiring layers, it is difficult to know the time point at which polishing ends, and thus the process is controlled by the polishing time. In the present invention, the polishing stop layer is used, so it is easy to find the time point of polishing termination. Process uniformity can be increased between plots. This minimizes the process nonuniformity that occurs in the CMP process can improve productivity.

Claims (23)

소정의 배선층이 형성된 반도체기판 상부에 제1층간절연막을 형성하는 단계와,Forming a first interlayer insulating film on the semiconductor substrate on which the predetermined wiring layer is formed; 상기 제1층간절연막상에 연마정지층을 형성하는 단계,Forming a polishing stop layer on the first interlayer insulating film; 상기 연마정지층상에 제2층간절연막을 형성하는 단계,Forming a second interlayer insulating film on the polishing stop layer, 상기 제1 및 제2층간절연막에 비해 상기 연마정지층을 연마하는 속도가 매우 느린 특성을 갖는 슬러리를 사용하여 상기 연마정지층이 노출될때까지 CMP공정을 진행하여 상기 층간절연막을 평탄화하는 단계, 및Planarizing the interlayer insulating film by performing a CMP process until the polishing stop layer is exposed using a slurry having a characteristic that the polishing stop layer is very slow compared to the first and second interlayer insulating films; and 상기 연마정지층을 제거하는 단계를 포함하는 반도체소자의 평탄화방법.Removing the polishing stop layer. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 제1 및 제2층간절연막을 산화막으로 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 평탄화방법.And the first and second interlayer insulating films are formed of oxide films. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 제1 및 제2층간절연막은 화학기상증착이나 물리적 기상증착 또는 스핀코팅에 의해 BPSG, PSG 또는 도핑되지 않은 산화막을 증착하여 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 평탄화방법.The first and second interlayer insulating films are formed by depositing BPSG, PSG, or undoped oxide films by chemical vapor deposition, physical vapor deposition, or spin coating. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 연마정지층을 실리콘질화막 또는 폴리실리콘으로 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 평탄화방법.And the polishing stop layer is formed of silicon nitride film or polysilicon. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 제1층간절연막은 상기 배선층과 후속공정에서 층간절연막 상부에 형성될 상부 배선층간의 절연이 가능한 두께로 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 평탄화방법.And the first interlayer insulating film is formed to have a thickness that enables insulation between the wiring layer and the upper wiring layer to be formed on the interlayer insulating film in a subsequent process. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 제1층간절연막을 500-10000Å 두께로 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 평탄화방법.And forming the first interlayer dielectric layer at a thickness of 500-10000 Å. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 연마정지층을 50-500Å 두께로 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 평탄화방법.And forming a polishing stop layer having a thickness of 50-500 GPa. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 제2층간절연막을 상기 제1층간절연막보다 연마속도가 빠르거나 같은 물질로 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 평탄화방법.And the second interlayer insulating film is formed of a material having a polishing rate higher than or equal to that of the first interlayer insulating film. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 슬러리로 상기 층간절연막:연마정지층의 선택비가 적어도 30:1 이상인 슬러리를 사용하는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 평탄화방법.And a slurry having a selectivity ratio of the interlayer insulating film to the polishing stop layer of at least 30: 1 as the slurry. 제9항에 있어서,The method of claim 9, 상기 슬러리로 CeO2계 슬러리를 사용하는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 평탄화방법.CeO 2 slurry is used as the slurry planarization method of a semiconductor device. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 연마정지층을 건식식각 또는 습식식각에 의해 제거하는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 평탄화방법.And removing the polishing stop layer by dry etching or wet etching. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 연마정지층을 제거하는 단계후에 기판 전면에 절연막을 형성하는 단계가 더 포함되는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 평탄화방법.And forming an insulating film on the entire surface of the substrate after removing the polishing stop layer. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 연마정지층으로 폴리실리콘을 사용하는 경우, 상기 연마정지층인 폴리실리콘층 제거후에 드러난 폴리실리콘을 산화시켜 절연막으로 만드는 단계가 더 포함되는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 평탄화방법.When polysilicon is used as the polishing stop layer, the method further comprises oxidizing the polysilicon exposed after removing the polysilicon layer as the polishing stop layer to form an insulating film. 반도체기판상에 소정의 배선층을 형성함과 동시에 배선간 연결을 위하여 후속공정에서 형성될 콘택의 주변영역에 콘택 가이드를 형성하는 단계와,Forming a predetermined wiring layer on the semiconductor substrate and forming a contact guide in a peripheral region of the contact to be formed in a subsequent process for connection between the wirings; 상기 반도체기판 상부에 제1층간절연막을 형성하는 단계,Forming a first interlayer insulating film on the semiconductor substrate; 상기 제1층간절연막상에 연마정지층을 형성하는 단계,Forming a polishing stop layer on the first interlayer insulating film; 상기 연마정지층상에 제2층간절연막을 형성하는 단계,Forming a second interlayer insulating film on the polishing stop layer, 상기 제1 및 제2층간절연막에 비해 상기 연마정지층을 연마하는 속도가 매우 느린 특성을 갖는 슬러리를 사용하여 상기 연마정지층이 노출될때까지 CMP공정을 진행하여 상기 층간절연막을 평탄화하는 단계, 및Planarizing the interlayer insulating film by performing a CMP process until the polishing stop layer is exposed using a slurry having a characteristic that the polishing stop layer is very slow compared to the first and second interlayer insulating films; and 상기 연마정지층을 제거하는 단계를 포함하는 반도체소자의 평탄화방법.Removing the polishing stop layer. 제14항에 있어서,The method of claim 14, 상기 연마정지층을 제거하는 단계후에 상기 층간절연막의 소정부분을 선택적으로 식각하여 배선간 연결을 위한 콘택을 형성하는 단계가 더 포함되는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 평탄화방법.And after the removing the polishing stop layer, selectively etching a predetermined portion of the interlayer insulating film to form a contact for interconnection. 제14항에 있어서,The method of claim 14, 상기 콘택 가이드는 상기 배선층 설계시 함께 설계하는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 평탄화방법.And the contact guide is designed together with the wiring layer design. 제14항에 있어서,The method of claim 14, 상기 콘택 가이드는 상기 제1층간절연막의 두께와 스텝 커버리지를 고려하여 설계하는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 평탄화방법.The contact guide is designed in consideration of the thickness and step coverage of the first interlayer insulating film. 제14항에 있어서,The method of claim 14, 상기 콘택 가이드는 상기 제1층간절연막 증착시 콘택 가이드의 측면에 증착되는 층간절연막이 서로 만나 콘택 가이드 사이가 층간절연막으로 메워지도록 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 평탄화방법.The contact guide is a planarization method of a semiconductor device characterized in that the interlayer insulating film deposited on the side of the contact guide when the first interlayer insulating film is deposited so that the contact guide is filled with the interlayer insulating film. 제14항에 있어서,The method of claim 14, 상기 콘택 가이드는 상기 콘택 주변을 둘러싸는 사각 액자 모양이나 평행선 모양으로 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 평탄화방법.The contact guide is a planarization method of a semiconductor device, characterized in that formed in a rectangular frame shape or parallel shape surrounding the contact surroundings. 제14항에 있어서,The method of claim 14, 상기 콘택 가이드는 그 안쪽 폭이 콘택 크기보다는 크고 제1층간절연막 두께의 2배보다는 작게 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 평탄화방법.And the contact guide has an inner width greater than a contact size and smaller than twice the thickness of the first interlayer insulating film. 소정의 배선층이 형성된 반도체기판 상부에 층간절연막을 형성하는 단계와,Forming an interlayer insulating film on the semiconductor substrate on which the predetermined wiring layer is formed; 상기 층간절연막상에 연마정지층을 형성하는 단계,Forming a polishing stop layer on the interlayer insulating film; 상기 층간절연막에 비해 상기 연마정지층을 연마하는 속도가 매우 느린 특성을 갖는 슬러리를 사용하여 상기 연마정지층이 노출될때까지 CMP공정을 진행하여 상기 층간절연막을 평탄화하는 단계, 및Planarizing the interlayer insulating film by performing a CMP process until the polishing stop layer is exposed using a slurry having a characteristic that the polishing stop layer is very slow compared to the interlayer insulating film; and 상기 연마정지층을 제거하는 단계를 포함하는 반도체소자의 평탄화방법.Removing the polishing stop layer. 제21항에 있어서,The method of claim 21, 상기 층간절연막을 HDP-CVD산화막으로 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 평탄화방법.And the interlayer insulating film is formed of an HDP-CVD oxide film. 제21항에 있어서,The method of claim 21, 상기 연마정지층을 폴리실리콘을 증착하여 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 평탄화방법.And the polishing stop layer is formed by depositing polysilicon.
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