KR20000059960A

KR20000059960A - 에치엠디에스 도포장치

Info

Publication number: KR20000059960A
Application number: KR1019990007913A
Authority: KR
Inventors: 김용수
Original assignee: 윤종용; 삼성전자 주식회사
Priority date: 1999-03-10
Filing date: 1999-03-10
Publication date: 2000-10-16

Abstract

본 발명은 HMDS 용액이 들어있는 소오스 탱크와, 상기 소오스 탱크에 연결되어 상기 HMDS 용액을 증기화시킬 수 있는 질소 가스를 주입할 수 있는 버블링 라인과, 상기 소오스 탱크에 연결되어 상기 증기화된 HMDS를 희석하게금 질소를 주입할 수 있는 질소 라인과, 상기 소오스 탱크에 연결되어 있고 상기 희석된 HMDS 증기를 챔버내의 반도체 웨이퍼 상에 주입할 수 있는 증기라인과, 상기 챔버 상단의 증기 라인에 상기 희석된 HMDS 증기를 필터링하게 설치된 증기 필터를 구비하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 HMDS 도포장치를 제공한다. 이에 따라, 본 발명의 HMDS 도포장치는 질소 라인, 버블링 라인에 필터가 설치되어 있지 않아 필터로 인한 설비 효율을 향상시킬 수 있고, 증기 필터를 챔버 상단에 위치하게 하여 증기 필터 내에 수분 또는 흄의 발생을 원천적으로 방지하여 반도체 웨이퍼 내의 파티클 발생을 억제할 수 있다.

Description

에치엠디에스 도포장치{Apparatus for coating HMDS}

본 발명은 반도체 제조 장치에 관한 것으로, 보다 상세하게는 에치엠디에스(이하, "HMDS"라 함) 도포장치에 관한 것이다.

일반적으로, 반도체 웨이퍼, 예컨대 실리콘 웨이퍼 상에 반도체 소자를 제조하기 위하여는 다양한 반도체 제조 공정, 예컨대 막질 형성 공정, 이온주입공정 및 사진식각공정을 거쳐야 한다. 이중에서, 사진식각공정을 살펴보면 임의의 물질막이 형성된 반도체 웨이퍼 상에 상기 물질막과 후에 도포되는 포토레지스트 간의 접착력을 향상시키기 위하여 HMDS를 도포한다. 이어서, 상기 HMDS가 도포된 반도체 웨이퍼 상에 포토레지스트를 도포한 후, 노광 및 현상을 통하여 원하는 형태를 물질막 패턴을 형성한다. 여기서, 상기 HMDS를 도포하는 종래의 HMDS 도포 장치를 설명한다.

도 1은 종래 기술에 의한 HMDS 도포장치를 설명하기 위한 개략도이다.

구체적으로, 종래의 HMDS 도포장치는 HMDS 용액(2)이 들어있는 소오스 탱크(1)와, 상기 소오스 탱크(1)에는 버블링 라인(3) 및 질소 라인(5)이 연결되어 있다. 상기 버블링 라인(3)은 질소 가스의 유량을 조절하는 플로우 미터(7)와, 상기 플로우 미터(7)의 후단에 상기 질소가스의 불순물을 필터링하는 버블링 필터(9)가 설치되어 있다. 상기 버블링 라인(3)을 따라 상기 플로우 미터(7) 및 버블링 필터(9)를 순차적으로 통과한 질소가 상기 소오스 탱크(1)에 주입되어 상기 HMDS 용액(2)을 버블링시켜 증기화시킨다. 상기 질소 라인(5)에는 질소 가스의 유량을 조절하는 플로우 미터(11)와, 상기 플로우 미터(11)의 후단에 희석 필터(13)가 설치되어 있고, 상기 질소 라인(5)을 통하여 소오스 탱크(1)에 질소 가스가 주입된다.

그리고, 상기 소오스 탱크(1) 내에서 기체화된 HMDS 증기(4)는 질소 라인(5)에 의하여 주입된 질소 가스와 희석되고, 희석된 HMDS 증기(4)는 증기 라인(15)을 통하여 챔버(17) 내의 플레이트(19) 상의 반도체 웨이퍼(도시 안됨)에 도포된다.

상기 증기 라인(15)에는 제1 솔레노이드 밸브(21) 및 플로우 미터(23)가 연결되어 있고, 상기 플로우 미터(23)의 후단에는 증기 필터(25) 및 제2 솔레노이드 밸드(27)가 연결되어 있다. 상기 제1 솔레노이드 밸브(21) 및 제2 솔레노이드 밸브(27)는 희석된 HMDS 증기의 온 및 오프를 조절한다. 상기 제1 솔레노이드 밸드(21)에는 오버플로우되는 HMDS 증기를 저장하는 오버플로우 탱크(29)가 연결되어 있다. 상기 플로우 미터(23)는 상기 희석된 HMDS 증기(4)의 양을 조절한다. 상기 증기 필터(25)는 상기 HMDS 증기(4)의 불순물 등을 필터링하는 역할을 한다. 즉, 희석된 HMDS 증기(4)가 제1 솔레노이드 밸드(21), 플로우 미터(23), 증기 필터(25) 및 제2 솔레노이드 밸드(27)를 거친 후에 공기 라인(33)에 연결된 공기 필터(31)를 거친 공기와 희석되어 챔버(17)의 플레이트(19) 상에 위치하는 반도체 웨이퍼(도시 안됨) 상에 도포된다. 도 1에서, 공기 필터(31)는 반영구적으로 사용하는 필터이다.

그런데, 종래의 HMDS 도포장치에서는 질소 라인(5), 버블링 라인(3) 및 증기 라인(15)에 각각 필터(9,13, 25)가 설치되어 있어 어느 하나라도 압력 변화가 있을 가능성이 높아 설비 효율 및 고장이 많이 발생하는 문제점이 있다. 더욱이, 종래의 HMDS 도포장치는 필터(9,13,25)의 불량이 발생할 경우 반도체 웨이퍼 상에 형성되는 패턴이 불량, 예컨대 포토레지스트 들뜸 등의 불량이 발생한다.

또한, 종래의 HMDS 도포장치에서는 HMDS 증기(4)가 증기 필터(25)에 의하여 필터링되었다 하더라도 HMDS 내에 수분이 포함되어 있을 경우 반도체 웨이퍼 내에 파티클이 발생되는 문제점이 있다.

따라서, 본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는 패턴 불량 및 파티클 발생을 억제할 수 있는 HMDS 도포 장치를 제공하는 데 있다.

도 2는 본 발명에 의한 HMDS 도포장치를 설명하기 위한 개략도이다.

상기 기술적 과제를 달성하기 위하여, 본 발명은 HMDS 용액이 들어있는 소오스 탱크와, 상기 소오스 탱크에 연결되어 상기 HMDS 용액을 증기화시킬 수 있는 질소 가스를 주입할 수 있는 버블링 라인과, 상기 소오스 탱크에 연결되어 상기 증기화된 HMDS를 희석하게금 질소를 주입할 수 있는 질소 라인과, 상기 소오스 탱크에 연결되어 있고 상기 희석된 HMDS 증기를 챔버내의 반도체 웨이퍼 상에 주입할 수 있는 증기라인과, 상기 챔버 상단의 증기 라인에 상기 희석된 HMDS 증기를 필터링하게 설치된 증기 필터를 구비하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 HMDS 도포장치를 제공한다. 상기 버블링 라인 및 질소 라인에는 플로우 미터가 연결되어 있을 수 있다. 상기 증기 라인에는 공기 라인이 연결되어 있을 수 있다.

이하, 첨부 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 상세히 설명한다.

구체적으로, 본 발명의 HMDS 도포장치는 HMDS 용액(42)이 들어있는 소오스 탱크(41)와, 상기 소오스 탱크(41)에는 버블링 라인(43) 및 질소 라인(45)이 연결되어 있다. 상기 버블링 라인(43)은 질소 가스의 유량을 조절하는 플로우 미터(47)가 설치되어 있다. 상기 버블링 라인(43)을 따라 상기 플로우 미터(47)를 통과한 질소 가스가 상기 소오스 탱크(41)에 주입되어 상기 HMDS 용액(42)을 버블링시켜 증기화시킨다. 상기 질소 라인(45)에는 질소 가스의 유량을 조절하는 플로우 미터(49)가 설치되어 있고, 상기 질소 라인(45)을 통하여 소오스 탱크(41)에 질소 가스가 주입된다. 특히, 본 발명의 HMDS 도포장치에서 질소 라인(45) 및 버블링 라인(43)에 종래와 다르게 필터가 설치되어 있지 않아 필터에서 발생할 수 있는 문제점을 원천적으로 방지하여 설비 효율을 증가시킬 수 있다.

그리고, 상기 소오스 탱크(41) 내에서 기체화된 HMDS 증기(44)는 질소 라인(45)에 의하여 주입된 질소 가스와 희석되고, 희석된 HMDS 증기(44)는 증기 라인(51)을 통하여 반도체 웨이퍼에 도포된다. 상기 증기 라인(51)에는 제1 솔레노이드 밸브(53) 및 플로우 미터(55)가 연결되어 있고, 상기 플로우 미터(55)의 후단에는 제2 솔레노이드 밸드(57) 및 증기 필터(59)가 연결되어 있다. 상기 제1 솔레노이드 밸브(53) 및 제2 솔레노이드 밸브(57)는 희석된 HMDS 증기(44)의 온 및 오프를 조절하며, 상기 플로우 미터(55)는 상기 희석된 HMDS 증기(44)의 양을 조절하며, 상기 증기 필터(57)는 상기 HMDS 증기(44)의 불순물등을 필터링하는 역할을 한다. 상기 희석된 HMDS 증기(44)가 제1 솔레노이드 밸드(53), 플로우 미터(55), 제2 솔레노이드밸브(57) 및 증기 필터(59)를 거친 후에 공기 라인(61)의 공기 필터(63)를 거친 공기와 희석되어 챔버(65) 내의 플레이트(67)에 위치한 반도체 웨이퍼(도시 안함) 상에 도포된다. 도 2에서, 공기 필터(63)는 반영구적으로 사용하는 필터이다.

특히, 본 발명의 HMDS 도포장치에서 증기 필터(59)는 챔버(65) 상단에 설치되어 있다. 이렇게 되면, 증기 필터(59)에 의하여 HMDS 증기(44)에 수분이나 흄이 발생하더라도 120℃정도에서 HMDS 증기(44)가 도포되기 때문에 증기 필터 내의 수분이 고열에 의하여 제거된다. 즉, 본 발명의 HMDS 도포 장치는 증기 필터(59)를 챔버 상단에 설치하여 증기 필터(59) 내에 누적된 수분 또는 흄이 원천적으로 없는 상태에서 HMDS 증기(44)를 반도체 웨이퍼 상에 도포한다.

이상, 실시예를 통하여 본 발명을 구체적으로 설명하였지만, 본 발명은 이에 한정되는 것이 아니고, 본 발명의 기술적 사상 내에서 당 분야에서 통상의 지식으로 그 변형이나 개량이 가능하다.

상술한 바와 같이 본 발명의 HMDS 도포장치에서는 질소 라인, 버블링 라인에 필터가 설치되어 있지 않아 필터로 인한 설비 효율을 향상시킬 수 있다. 그리고, 본 발명의 HMDS 도포장치에서는 증기 필터를 챔버 상단에 위치하게 하여 증기 필터 내에 수분 또는 흄의 발생을 원천적으로 방지하여 반도체 웨이퍼 내의 파티클 발생을 억제할 수 있다.

Claims

HMDS 용액이 들어있는 소오스 탱크;

상기 소오스 탱크에 연결되어 상기 HMDS 용액을 증기화시킬 수 있는 질소 가스를 주입할 수 있는 버블링 라인;

상기 소오스 탱크에 연결되어 상기 증기화된 HMDS를 희석하게금 질소를 주입할 수 있는 질소 라인;

상기 소오스 탱크에 연결되어 있고 상기 희석된 HMDS 증기를 챔버내의 반도체 웨이퍼 상에 주입할 수 있는 증기라인; 및

상기 챔버 상단의 증기 라인에 상기 희석된 HMDS 증기를 필터링하게 설치된 증기 필터를 구비하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 HMDS 도포장치.
제1항에 있어서, 상기 버블링 라인 및 질소 라인에는 플로우 미터가 연결되어 있는 것을 특징으로 하는 HMDS 도포장치.
제1항에 있어서, 상기 증기 라인에는 공기 라인이 연결되어 있는 것을 특징으로 하는 HMDS 도포장치.