KR20000059169A - System for suplying slurry in the CPM process of semiconductor manufacturing - Google Patents

System for suplying slurry in the CPM process of semiconductor manufacturing Download PDF

Info

Publication number
KR20000059169A
KR20000059169A KR1020000041396A KR20000041396A KR20000059169A KR 20000059169 A KR20000059169 A KR 20000059169A KR 1020000041396 A KR1020000041396 A KR 1020000041396A KR 20000041396 A KR20000041396 A KR 20000041396A KR 20000059169 A KR20000059169 A KR 20000059169A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
slurry
pressure
supply
pipe
flow rate
Prior art date
Application number
KR1020000041396A
Other languages
Korean (ko)
Other versions
KR100343746B1 (en
Inventor
박경호
Original Assignee
박경호
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 박경호 filed Critical 박경호
Priority to KR1020000041396A priority Critical patent/KR100343746B1/en
Publication of KR20000059169A publication Critical patent/KR20000059169A/en
Application granted granted Critical
Publication of KR100343746B1 publication Critical patent/KR100343746B1/en

Links

Classifications

    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24GRINDING; POLISHING
    • B24BMACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B57/00Devices for feeding, applying, grading or recovering grinding, polishing or lapping agents
    • B24B57/02Devices for feeding, applying, grading or recovering grinding, polishing or lapping agents for feeding of fluid, sprayed, pulverised, or liquefied grinding, polishing or lapping agents

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
  • Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)

Abstract

PURPOSE: A system for supplying a slurry in a CMP(chemical mechanical polishing) process is to smoothly circulate the slurry and simultaneously supply the slurry to each position equally, thereby increasing a yield of a semiconductor. CONSTITUTION: A system for supplying a slurry in a CMP(chemical mechanical polishing) process comprises a main hydraulic circuit(8') comprised of a withdrawing pipe(14') and a supplying pipe(12') connected to a supplying portion(4) to circulate the slurry, a flow meter(34) and a pressure gage(30) for measuring a flow and a pressure in a slurry supplying line, and an automatic valve(34) for automatically opening/closing the hydraulic circuit according to the flow and pressure measured in the flow meter and pressure gage. In the system, a pressure difference between the supplying pipe and the withdrawing pipe is equally maintained.

Description

반도체 씨엠피 공정의 슬러리 공급시스템{System for suplying slurry in the CPM process of semiconductor manufacturing}System for suplying slurry in the CPM process of semiconductor manufacturing}

본 발명은 반도체 씨엠피(CMP) 공정에 관한 것으로서, 슬러리가 공급되는 각 POU(Point Of Use)에 일정한 양의 슬러리를 공급하기 위한 반도체 씨엠피 공정의 슬러리 공급시스템에 관한 것이다.The present invention relates to a semiconductor CMP process, and more particularly to a slurry supply system of a semiconductor CMP process for supplying a certain amount of slurry to each point of use (POU) to which the slurry is supplied.

반도체에 있어서 화학적/ 물리적 연마공정이라 해석될 수 있는 씨엠피(CMP, Chemical Mechanical Polishing) 기술은 웨이퍼(Wafer)의 표면을 평탄화하는 기술의 하나이다. 보다 상세하게는 웨이퍼의 패턴이 형성되어 있는 박막표면에 연마패드를 접촉시킨후, 현탄액 성상의 슬러리액을 그 표면에 공급하면서 회전시켜 연마하는 공정으로서, 웨이퍼의 표면을 화학적 및 물리적인 방법으로 평탄가공하는 기술이다.CMP (Chemical Mechanical Polishing) technology, which can be interpreted as a chemical / physical polishing process in semiconductors, is one of the techniques for planarizing the surface of a wafer. In more detail, a polishing pad is brought into contact with a thin film surface on which a wafer pattern is formed, and then rotated and polished while supplying a slurry liquid of suspension form to the surface. The wafer surface is chemically and physically processed. Flat processing technology.

이러한 기술은 반도체소자 표면구조의 고집적화, 복잡화에 따른 필요적 요구에 따라 개발된 기술로서, 다양한 가공방법 및 세정액(슬러리)이 개발되고 있는 실정이다.This technology is a technology developed according to the necessary requirements due to the high integration and complexity of the surface structure of the semiconductor device, various processing methods and cleaning liquids (slurry) has been developed.

여기서, 슬러리로 현재 사용되고 있는 화학물질로는 실리카가 일반적이며, 기타 질산용액, 수산화칼륨, OXIDE, POLY 또는 METAL 등이 다양하게 개발되어 사용되고 있다.Here, silica is generally used as a chemical currently used as a slurry, and other nitric acid solutions, potassium hydroxide, OXIDE, POLY, or METAL have been variously developed and used.

본 발명은 특히, 위의 슬러리액 공급 시스템의 개선에 관한 것으로서, 도 1에 도시된 종래의 슬러리 공급시스템이 가지는 여러 문제를 해결하고자 안출되었다.The present invention relates, in particular, to an improvement of the above slurry solution supply system, and is intended to solve various problems of the conventional slurry supply system shown in FIG.

종래의 슬러리 공급시스템을 도 1을 참조하여 설명하면 대략 다음과 같다.A conventional slurry supply system will be described below with reference to FIG. 1.

슬러리원액을 수용하는 소스드럼(2, Source Drum)으로부터 인출되어 공급부(4)에 공급되는 슬러리는 유압펌프(도시생략)에 의해 압력이 가해진 상태로 공급관을 거쳐 각각의 사용지점(6, POU, Point Of Use)까지 압송된다. 사용지점은 설비의 규모에 따라 1개에서 13개 정도까기 다양한 갯수로 제공될 수 있다.The slurry withdrawn from the source drum (2, Source Drum) containing the slurry stock solution and supplied to the supply unit 4 is passed through the supply pipe in a state in which pressure is applied by a hydraulic pump (not shown) to the respective point of use (6, POU, Point of use). Points of use can be provided in various numbers, from one to thirteen depending on the size of the installation.

도시된 바와 같이, 슬러리는 공급관(12)과 회수관(14)으로 구성되는 메인 유압회로(8)를 따라 순환하게 되며, 그 중 일부는 공급관의 곳곳으로부터 분기되어 사용지점을 거쳐 회수관까지 연결되는 다수의 서브 유압회로(10)를 거치게 된다. 슬러리는 서브 유압회로 지나는 동안 웨이퍼의 표면에 공급되는 것이다.As shown, the slurry is circulated along the main hydraulic circuit 8, which is composed of the supply pipe 12 and the recovery pipe 14, some of which branch off from the supply pipe to connect to the recovery pipe through the point of use. Be passed through a plurality of sub-hydraulic circuit (10). The slurry is supplied to the surface of the wafer while passing through the sub hydraulic circuit.

회수관(14) 및 서브 유압회로의 회수관(16)을 통해 회수되는 슬러리는 임시 저장탱크(18) 내로 귀환 저장된후, 다시 공급부(4)로 복귀하여 재순환하게 된다.The slurry recovered through the recovery pipe 14 and the recovery pipe 16 of the sub-hydraulic circuit is returned and stored in the temporary storage tank 18, and then returned to the supply unit 4 to be recycled.

요구하는 시각에 요구하는 양으로 슬러리를 사용지점까지 공급하기 위하여 종래에 시행되어 왔던 방법은 서브 유압회로의 공급관(20) 및 회수관(16)에 각각 밸브(22)를 설치하는 것이다. 상기 밸브(22)는 전자식 매뉴얼 밸브로서, 스위치의 조작에 의해 개폐되는 방식이 사용되었다. 또한, 회수관(14)의 말단애 리듀서(24, Reducer)를 설치하는 것이다. 리듀서(24)는 벤튜리관과 같이 내경이 감소된 형태로 되어 유압회로의 압력을 어느 정도 이상으로 유지시키기 위하여 사용되었다.The conventional method for supplying the slurry to the point of use in the required amount at the required time is to install the valves 22 in the supply pipe 20 and the recovery pipe 16 of the sub hydraulic circuit, respectively. The valve 22 is an electronic manual valve, and a method of opening and closing the valve 22 is used. In addition, an end reducer 24 of the recovery pipe 14 is provided. The reducer 24 is used in order to maintain the pressure of the hydraulic circuit to a certain degree by reducing the inner diameter like the venturi tube.

슬러리는 작업자가 스위치를 닫아 놓았을 때에만 공급되므로, 단지 시간에 의해서만 그의 유량이 제어되게 된다. 즉, 메인회로(8) 및 서브회로(10)의 유압에 상관없이 밸브(22)의 개폐에 의해서만 유량이 공급되므로 모든 사용지점(6)에 각각 일정한 유량공급을 기대하기가 힘들었다.The slurry is only supplied when the operator closes the switch, so that its flow rate is controlled only by time. That is, regardless of the hydraulic pressure of the main circuit 8 and the sub-circuit 10, since the flow rate is supplied only by opening and closing the valve 22, it was difficult to expect a constant flow rate supply to all the use points (6), respectively.

종래의 시스템에 있어서 가장 크게 대두되는 문제는 메인회로의 회수관(14) 말단의 역압력(Back Pressure) 저하로 적당한 양의 슬러리가 서브회로(10)를 통해 사용지점(6)까지 공급되지 못하였다는 것이다. 이는 서브회로 내의 슬러리의 순환을 둔하게 하여 슬러리의 침전 및 응집을 초래하기도 하였다. 슬러리의 회로내 침전 및 입자간의 응집은 유량을 더욱 불안정하게 하는 원인이 되며, 슬러리의 비중을 저하시키게 된다(슬러리를 구성하는 미세한 입자는 원할한 순환이 이루어지지 않을시 이온작용에 의해 상호 응집된다). 슬러리의 유량 저하는 씨엠피(CMP) 기술에 있어 화학적 효과를 저하하게 하는 원인이 되며, 응집된 슬러리 입자는 웨이퍼의 표면에 미세한 긁힘을 발생하게 되므로 웨이퍼를 손상시켜 수율을 저하시킨다.The biggest problem in the conventional system is that due to the decrease in the back pressure at the end of the return pipe 14 of the main circuit, an appropriate amount of slurry cannot be supplied to the point of use 6 through the sub circuit 10. It is. This slowed down the circulation of the slurry in the subcircuits and resulted in precipitation and aggregation of the slurry. In-circuit precipitation of the slurry and coagulation between particles cause further unstable flow rate and lower the specific gravity of the slurry (the fine particles constituting the slurry coagulate with each other by ionic action when a smooth circulation is not achieved. ). The lowering of the flow rate of the slurry is a cause of lowering the chemical effect in the CMP technology, and the aggregated slurry particles generate fine scratches on the surface of the wafer, thereby damaging the wafer and lowering the yield.

상기한 바와 같은 문제에 대한 본 발명의 목적은, 슬러리의 순환을 원활하게 하는 동시에 각 사용지점에 일정한 유량으로 공급되도록 하는 슬러리 공급시스템을 제공함으로써, 궁극적으로 반도체의 수율을 향상시키는데 있다. 이러한 시스템을 위하여 본 발명은 자동적으로 회로 내의 유압을 제어함으로써, 사용지점에 일정한 밀도의 유량을 일정하게 공급하는데 그 구체적인 목적을 가진다.An object of the present invention for the above problems is to improve the yield of the semiconductor by providing a slurry supply system to facilitate the circulation of the slurry and to be supplied at a constant flow rate to each point of use. For this system, the present invention has a specific purpose to automatically supply a constant flow rate at a point of use by automatically controlling the hydraulic pressure in the circuit.

도 1은 종래의 슬러리 공급시스템을 도시한다.1 shows a conventional slurry supply system.

도 2는 본 발명에 따른 슬러리 공급시스템의 구성도이다.2 is a block diagram of a slurry supply system according to the present invention.

도 3은 본 발명의 다른 실시예에 따른 슬러리 공급시스템의 구성도이다.3 is a block diagram of a slurry supply system according to another embodiment of the present invention.

* 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 *Explanation of symbols on the main parts of the drawings

2 ; 소스드럼 4 ; 공급부2 ; Source drum 4; Supply department

6 ; 사용지점(POU) 8,8' ; 메인회로6; Point of use 8,8 '; Main circuit

10,10' ; 서브회로10,10 '; Sub circuit

상기한 목적은, 반도체 웨이퍼(Wafer)의 표면을 연마하기 위한 씨엠피(CMP) 공정에서의 슬러리 공급시스템에 있어서, 공급탱크에 연결되는 공급관과 회수관으로 구성됨으로써 슬러리를 순환시키는 메인(main) 유압회로와; 순환되는 슬러리의 일부 유량을 사용지점, 즉 웨이퍼의 연마부위에 인출하여 공급하기 위한 것으로서, 일단이 공급관으로부터 연결되며 타단이 회수관에 연결되는 다수의 서브(sub) 유압회로로 구성되는 슬러리 공급라인에, 압력을 체크하기 위한 압력계와; 체크된 압력에 따라 유압회로를 자동적으로 개폐하는 자동밸브를 설치하는 것을 특징으로 하는 반도체 씨엠피(CMP) 공정의 슬러리 공급 시스템에 의해 달성된다.The above object is to provide a slurry supply system in a CMP process for polishing a surface of a semiconductor wafer, comprising a supply pipe and a recovery pipe connected to a supply tank to circulate the slurry. A hydraulic circuit; Slurry supply line composed of a plurality of sub hydraulic circuits, one end of which is connected from the supply pipe and the other end of which is connected to the recovery pipe, for drawing and supplying a part of the flow rate of the circulated slurry to the point of use, that is, the polishing part of the wafer. A pressure gauge for checking the pressure; It is achieved by the slurry supply system of the semiconductor CMP process, characterized in that an automatic valve for automatically opening and closing the hydraulic circuit in accordance with the checked pressure.

이하, 본 발명에 따른 실시예를 명세서에 첨부된 도면을 참조하여 더욱 상세하게 설명한다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in more detail with reference to the accompanying drawings.

도 2는 본 발명의 일실시예에 따른 슬러리 공급 시스템의 구성도이다.2 is a block diagram of a slurry supply system according to an embodiment of the present invention.

슬러리의 공급을 위한 기본적인 회로 구성은 종래의 그것과 같으므로 간략하게 설명한다. 공급탱크, 펌프 등을 포함하는 공급부(4)로부터 공급관(12') 및 회수관(14')으로 구성되는 메인(main) 유압회로(8', 이하, 메인회로)가 연결된다. 공급관의 곳곳에는 다수의 서브(sub) 유압회로(10', 이하, 서브회로)가 연결된다. 서브회로의 일단은 공급관(12')에 연결되며, 타단은 회수관(14')에 연결된다. 서브회로의 중간지점에는 사용지점(6), 즉 연마부(연마패드, 웨이퍼, 슬러리 공급단 등으로 구성되는 부분)로 향하는 파이프가 연결된다. 이 파이프를 통하여 슬러리가 인출 공급되는 것이다. 인출되지 않은 나머지 슬러리는 회수관(14')을 통해 저장탱크(4)로 귀환되게 된다. 여기서, 메인회로(8')는 서브회로(10')보다 큰 직경의 파이프로 연결된다.The basic circuit configuration for the supply of the slurry is the same as that of the conventional one and will be briefly described. A main hydraulic circuit 8 '(hereinafter, referred to as a main circuit) composed of a supply pipe 12' and a recovery pipe 14 'is connected from a supply part 4 including a supply tank, a pump, and the like. A plurality of sub hydraulic circuits 10 ′ (hereinafter, sub circuits) are connected to various parts of the supply pipe. One end of the sub circuit is connected to the supply pipe 12 'and the other end is connected to the recovery pipe 14'. The intermediate point of the sub-circuit is connected to the point of use 6, i.e., to the polishing section (part composed of the polishing pad, wafer, slurry supply stage, etc.). The slurry is withdrawn and supplied through this pipe. The remaining slurry that is not withdrawn is returned to the storage tank 4 through the recovery pipe 14 '. Here, the main circuit 8 'is connected by a pipe having a diameter larger than that of the sub circuit 10'.

위와 같은 회로구성에 의해 슬러리는 도시된 화살표 방향으로 흐르게 된다.The slurry is flowed in the direction of the arrow shown by the above circuit configuration.

본 발명의 실시예에 의하면, 메인회로(8') 내에 흐르는 유량의 압력을 체크하기 위한 압력계(30)와, 이 압력계에 의해 측정된 압력에 따라 자동적으로 개폐되는 자동밸브(32)가 공급관(12')과 회수관(14')의 사이에 연결된다. 또한, 유량을 측정하기 위한 유량계(34)가 더욱 설치될 수 있다. 이와 같은 유압기기에 의해 밸브(32)는 회로 내의 압력을 일정한 수준으로 유지시키기 위한 정압밸브와 같은 동작을 하게 된다.According to the embodiment of the present invention, a pressure gauge 30 for checking the pressure of the flow rate flowing in the main circuit 8 ', and an automatic valve 32 which is automatically opened and closed in accordance with the pressure measured by the pressure gauge are provided in the supply pipe ( 12 ') and the recovery pipe 14'. In addition, a flow meter 34 for measuring the flow rate may be further installed. By such a hydraulic device, the valve 32 operates like a constant pressure valve for maintaining the pressure in the circuit at a constant level.

이와 같은 구성에 의한 시스템의 작동상태는 다음과 같다. 회수관(14')과 공급관(12')의 압력차(정확하게는, 공급관의 입구측 압력과, 회수관의 출구측 압력차)가 설정된 수치 이상으로 커지게 되면, 밸브(32)는 자동적으로 폐쇄됨으로써, 사용지점에 공급되는 유량의 감소를 방지하게 된다. 또한, 회수관(14')의 압력이 지나치게 높아지게 되면, 밸브(32)는 자동적으로 개방됨으로써, 사용지점(6)에 지나친 유량이 인출되는 것을 방지하게 된다. 여기서 사용되는 밸브(32)는 개폐량을 조절할 수 있는 방식으로서, 유량을 어느 정도 정밀하게 콘트롤할 수 있는 형식의 것이 요구된다.The operating state of the system by such a configuration is as follows. When the pressure difference between the recovery pipe 14 'and the supply pipe 12' (exactly, the inlet pressure of the supply pipe and the outlet pressure difference of the recovery pipe) becomes larger than the set value, the valve 32 automatically By closing, it is possible to prevent a decrease in the flow rate supplied to the point of use. In addition, when the pressure in the recovery pipe 14 'becomes too high, the valve 32 is automatically opened, thereby preventing the excess flow rate at the point of use 6 from being drawn out. The valve 32 used herein is a type capable of adjusting the opening and closing amount, and is required to have a type capable of precisely controlling the flow rate.

밸브(32)의 개폐는 유량계(34)로부터 신호를 인가받아 콘트롤될 수도 있을 것이다. 즉, 회수되는 슬러리의 유량이 지나치게 많아지면, 밸브를 닫아 그 유량을 감소시킴으로써 사용지점으로 향하는 유량을 증가시키는 것이다.Opening and closing of the valve 32 may be controlled by receiving a signal from the flow meter 34. In other words, if the flow rate of the recovered slurry is too large, the flow rate toward the point of use is increased by closing the valve and decreasing the flow rate.

이러한 유량제어기구는 회수관의 말단에 걸리는 압력(Back Pressure)의 제어에 그 설치 목적이 있으므로, 회수관의 말단(14'a)에 설치될 수도 있음은 당업자에게 자명할 것이다.It will be apparent to those skilled in the art that such a flow control mechanism may be installed at the end 14'a of the recovery pipe because the purpose of the flow control mechanism is to control the pressure applied to the end of the recovery pipe.

한편, 메인회로와 서브회로 사이에는 3방향 밸브(33, 3-way valve)가 설치되어, 콘트로부(30,32,34)에 이상이 있을시에도 회로를 구동할 수 있게 한다.On the other hand, a three-way valve (33, 3-way valve) is provided between the main circuit and the sub-circuit, so that the circuit can be driven even when there is an abnormality in the control section (30, 32, 34).

본 발명의 다른 실시예에 의하면, 슬러리 유량을 보다 세밀하게 조절하게 하는 시스템이 제공된다. 도 3은 본 발명의 다른 실시예에 따른 서브회로의 구성도이다.According to another embodiment of the present invention, a system is provided that allows for finer control of the slurry flow rate. 3 is a configuration diagram of a subcircuit according to another exemplary embodiment of the present invention.

각각의 서브회로의 공급관과 회수관에는 그 압력 내지 유량을 측정하기 위한 계측기(36)와 그 측정 결과에 따라 개폐되는 자동밸브(38)가 설치된다. 본 실시예에서 사용되는 밸브(38)의 형태는 도시된 바와 같은 파이프 연결구조에 적합한 유량조절밸브가 추천된다.The supply pipe and the recovery pipe of each subcircuit are provided with a measuring device 36 for measuring the pressure or flow rate and an automatic valve 38 which is opened and closed in accordance with the measurement result. The type of the valve 38 used in this embodiment is a flow control valve suitable for the pipe connection structure as shown.

또한, 밸브의 개폐에 의한 유량 조절에는 그 한계가 있게 되므로, 공급탱크에 승압 또는 감압시킬 수 있는 압력 조절수단(40)을 구비한다. 즉, 사용지점으로 공급되는 유량을 기반으로 하여 피드백(Feedback) 방식으로 공급탱크의 질소(N2) 충진압력의 용량을 조절하게 하는 것이다.In addition, since the flow rate adjustment by opening and closing the valve has its limit, it is provided with a pressure adjusting means 40 capable of raising or lowering the supply tank. That is, the capacity of the nitrogen (N 2 ) filling pressure of the supply tank is adjusted in a feedback manner based on the flow rate supplied to the point of use.

이를 위해 공급부(4)는 질소탱크(42), 이로부터 연결되는 유량조절밸브(44, Mass Flow Controller), 사용지점과 연결되는 슬러리 공급탱크(46) 및 회수관의 말단에 연결되는 회수탱크(48)로 구성된다. 메인회로의 게측부에 의해 측정되는 유량 또는 압력치는 유량조절밸브(44)를 조정하기 위한 변수로 작용하며, 유량조절밸브의 개폐정도에 따라 질소의 공급량이 변화게 된다. 질소의 공급량 내지 공급압력은 슬러리를 공급탱크로부터 메인회로로 압출하는 유량 내지 압력과 비례하게 된다.To this end, the supply unit 4 includes a nitrogen tank 42, a flow control valve 44 connected therefrom, a slurry supply tank 46 connected to a point of use, and a recovery tank connected to an end of the recovery pipe ( 48). The flow rate or pressure value measured by the crab side of the main circuit acts as a variable for adjusting the flow control valve 44, and the supply amount of nitrogen changes according to the opening and closing degree of the flow control valve. The supply amount or supply pressure of nitrogen is proportional to the flow rate or pressure for extruding the slurry from the supply tank to the main circuit.

이는 회수되는 슬러리와 사용지점으로 향하는 슬러리의 양을 최적으로 콘트롤하기에 적합한 형식이다.This is a type suitable for optimal control of the amount of slurry recovered and the amount of slurry directed to the point of use.

상기한 바와 같이, 본 발명은 슬러리 공급회로 내의 압력 내지 유량을 체크하여 자동적으로 조정하는 것을 그 요지로 한다. 그러므로 이러한 취지의 다른 변경 실시예도 본 발명의 기술적 사상의 범위 내에 있게 될 것이다.As mentioned above, this invention makes it the summary to check and adjust automatically the pressure or flow volume in a slurry supply circuit. Therefore, other modified embodiments of the above spirit will be within the scope of the technical idea of the present invention.

위와 같은 압력 내지 유량제어 시스템에 의해, 슬러리는 회로내에서 원활하게 순환되게 되어 응집량이 최소화된다. 또한, 슬러리를 요구하는 양으로 각 사용지점에 공급할 수 있게 되어 반도체 씨엠피(CMP) 공정의 효과를 극대화하여 웨이퍼의 수율향상을 가져올 수 있게 된다.By the above pressure to flow control system, the slurry is smoothly circulated in the circuit to minimize the amount of flocculation. In addition, the slurry can be supplied to each point of use in the required amount to maximize the effect of the semiconductor CMP (CMP) process to bring the improved yield of the wafer.

Claims (3)

반도체 웨이퍼(Wafer)의 표면을 연마하기 위한 씨엠피(CMP) 공정에서의 슬러리 공급시스템에 있어서 공급부(4)에 연결되는 공급관(12')과 회수관(14')으로 구성됨으로써 슬러리를 순환시키는 메인(Main) 유압회로(8')와; 순환되는 슬러리의 일부 유량을 사용지점(6), 즉 웨이퍼의 연마부위에 인출하여 공급하기 위한 것으로서, 일단이 공급관으로부터 연결되며 타단이 회수관에 연결되는 다수의 서브(sub) 유압회로(10')로 구성되는 슬러리 공급라인 내에, 유량 및 압력을 체크하기 위한 유량계(34) 및 압력계(30)로 측정되는 유량 및 압력에 따라 유압회로를 자동적으로 개폐하는 자동밸브(34)를 설치함으로써; 상기 공급관(12')과 상기 회수관(8')의 압력차를 일정하게 유지시키는 것을 특징으로 하는 반도체 씨엠피(CMP) 공정의 슬러리 공급 시스템.In a slurry supply system in a CMP process for polishing a surface of a semiconductor wafer, the slurry is circulated by a supply pipe 12 ′ and a recovery pipe 14 ′ connected to the supply unit 4. A main hydraulic circuit 8 '; A plurality of sub-hydraulic circuits 10 'for drawing and supplying some of the flow rate of the circulated slurry to the point of use 6, that is, the polishing portion of the wafer, one end of which is connected from the supply pipe and the other end of which is connected to the recovery pipe In the slurry supply line consisting of a), by installing a flow meter 34 for checking the flow rate and pressure and an automatic valve 34 for automatically opening and closing the hydraulic circuit in accordance with the flow rate and pressure measured by the pressure gauge 30; Slurry supply system of the semiconductor CMP process, characterized in that to maintain a constant pressure difference between the supply pipe (12 ') and the recovery pipe (8'). 반도체 웨이퍼(Wafer)의 표면을 연마하기 위한 씨엠피(CMP) 공정에서의 슬러리 공급시스템에 있어서 공급부(4)에 연결되는 공급관(12')과 회수관(14')으로 구성됨으로써 슬러리를 순환시키는 메인(Main) 유압회로(8')와; 순환되는 슬러리의 일부 유량을 사용지점(6), 즉 웨이퍼의 연마부위에 인출하여 공급하기 위한 것으로서, 일단이 공급관으로부터 연결되며 타단이 회수관에 연결되는 다수의 서브(sub) 유압회로(10')로 구성되는 슬러리 공급라인 내에, 유량 및 압력을 체크하기 위한 유량계(34) 및 압력계(30)로 측정되는 유량 및 압력에 따라, 상기 메인회로로 공급되는 슬러리의 압송압력을 조정하기 위한 압력 조절수단(40)을 상기 공급부(4) 내에 설치함으로써 상기 공급관(12')과 상기 회수관(8')의 압력차를 일정하게 유지시키는 것을 특징으로 하는 반도체 씨엠피(CMP) 공정의 슬러리 공급 시스템.In a slurry supply system in a CMP process for polishing a surface of a semiconductor wafer, the slurry is circulated by a supply pipe 12 ′ and a recovery pipe 14 ′ connected to the supply unit 4. A main hydraulic circuit 8 '; A plurality of sub-hydraulic circuits 10 'for drawing and supplying some of the flow rate of the circulated slurry to the point of use 6, that is, the polishing portion of the wafer, one end of which is connected from the supply pipe and the other end of which is connected to the recovery pipe Pressure control for adjusting the pressure feeding pressure of the slurry supplied to the main circuit according to the flow rate and pressure measured by the flow meter 34 and the pressure gauge 30 to check the flow rate and pressure in the slurry supply line consisting of Slurry supply system of the semiconductor CMP process, characterized in that the pressure difference between the supply pipe 12 'and the recovery pipe 8' is kept constant by providing the means 40 in the supply portion 4. . 제 2항에 있어서, 상기 압력 조절수단(40)은 슬러리를 유압방식에 의해 상기 공급관으로 압송하기 위한 공급탱크(46) 내의 질소(N2)의 충진압력을 조정하는 유량조절밸브(44)인 것을 특징으로 하는 반도체 씨엠피(CMP) 공정의 슬러리 공급 시스템.3. The pressure regulating means (40) according to claim 2, wherein the pressure regulating means (40) is a flow regulating valve (44) for adjusting the filling pressure of nitrogen (N 2 ) in the supply tank (46) for feeding the slurry to the supply pipe by a hydraulic method. Slurry supply system of the semiconductor CMP process.
KR1020000041396A 2000-07-19 2000-07-19 System for suplying slurry in the CPM process of semiconductor manufacturing KR100343746B1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020000041396A KR100343746B1 (en) 2000-07-19 2000-07-19 System for suplying slurry in the CPM process of semiconductor manufacturing

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020000041396A KR100343746B1 (en) 2000-07-19 2000-07-19 System for suplying slurry in the CPM process of semiconductor manufacturing

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20000059169A true KR20000059169A (en) 2000-10-05
KR100343746B1 KR100343746B1 (en) 2002-07-20

Family

ID=19678778

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020000041396A KR100343746B1 (en) 2000-07-19 2000-07-19 System for suplying slurry in the CPM process of semiconductor manufacturing

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR100343746B1 (en)

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20020095751A (en) * 2001-06-15 2002-12-28 동부전자 주식회사 Apparatus for suppling slurry
KR100406475B1 (en) * 2000-12-23 2003-11-20 (주)에이에스티 Slurry supplying apparatus for CMP equipment
KR100431714B1 (en) * 2001-06-13 2004-05-17 플러스엔지니어링 주식회사 Apparatus for controlling quantity of flow in the slurry supply system
KR100454120B1 (en) * 2001-11-12 2004-10-26 삼성전자주식회사 Device of supplying chemical for slurry mechanical polishing apparatus and method thereof
KR20050068835A (en) * 2003-12-30 2005-07-05 동부아남반도체 주식회사 Regulation method of chemical supply pressure
KR100673787B1 (en) * 2005-10-28 2007-01-24 동부일렉트로닉스 주식회사 Slurry providing device for cmp equipment
KR101122536B1 (en) * 2010-11-05 2012-03-19 (주)스마트에이스 Slurry supply system for cmp apparatus

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100412337B1 (en) * 2001-10-26 2003-12-31 (주)에이에스티 Slurry settle preventing apparatus for CMP equipment

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100406475B1 (en) * 2000-12-23 2003-11-20 (주)에이에스티 Slurry supplying apparatus for CMP equipment
KR100431714B1 (en) * 2001-06-13 2004-05-17 플러스엔지니어링 주식회사 Apparatus for controlling quantity of flow in the slurry supply system
KR20020095751A (en) * 2001-06-15 2002-12-28 동부전자 주식회사 Apparatus for suppling slurry
KR100454120B1 (en) * 2001-11-12 2004-10-26 삼성전자주식회사 Device of supplying chemical for slurry mechanical polishing apparatus and method thereof
US6814835B2 (en) 2001-11-12 2004-11-09 Samsung Electronics Co., Ltd. Apparatus and method for supplying chemicals in chemical mechanical polishing systems
KR20050068835A (en) * 2003-12-30 2005-07-05 동부아남반도체 주식회사 Regulation method of chemical supply pressure
KR100673787B1 (en) * 2005-10-28 2007-01-24 동부일렉트로닉스 주식회사 Slurry providing device for cmp equipment
KR101122536B1 (en) * 2010-11-05 2012-03-19 (주)스마트에이스 Slurry supply system for cmp apparatus

Also Published As

Publication number Publication date
KR100343746B1 (en) 2002-07-20

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US10814455B2 (en) Slurry feed system and method of providing slurry to chemical mechanical planarization station
US7743783B2 (en) Method and apparatus for recycling process fluids
KR100343746B1 (en) System for suplying slurry in the CPM process of semiconductor manufacturing
KR100454120B1 (en) Device of supplying chemical for slurry mechanical polishing apparatus and method thereof
JP3432161B2 (en) Polishing liquid supply device
KR100835330B1 (en) Method for supplying slurry to polishing apparatus
KR20220077077A (en) Cleaning chemical liquid supply device and cleaning chemical liquid supply method
JP2002178261A (en) Abrasive fluid supply device, additive replenishing method to abrasive fluid supply device and polishing deice
KR100431714B1 (en) Apparatus for controlling quantity of flow in the slurry supply system
JP3801325B2 (en) Polishing apparatus and semiconductor wafer polishing method
CN221135520U (en) Grinding fluid supply assembly, grinding fluid supply device and chemical mechanical polishing system
JP2021133431A (en) Processing fluid transfer system
KR20040025090A (en) Slurry and chemical supply equipment for cmp
KR102325074B1 (en) Apparatus for mixing carbon dioxide to deionizer water
US20230249145A1 (en) Chemical supply apparatus, cleaning system, and chemical supply method
CN220215547U (en) Photoresist conveying device
JP3217958B2 (en) Pure water production method
KR102719298B1 (en) Slurry Supply Device
CN209125575U (en) Chemical-mechanical grinding device
US20230010749A1 (en) Method and apparatus for reducing solvent consumption
JPH11627A (en) Cleaning liquid supply system and cleaning liquid supplying method
TW411292B (en) Buffer device to supply slurry
CN117381670A (en) Polishing liquid supply assembly, device, method and chemical mechanical polishing system
KR20240048241A (en) Flow control apparatus for fluid transfer piping for wafer cleaning
KR200177067Y1 (en) Apparatus for controlling fixed quantity of chemical in chemical tank for processing of wet etching in fabrication of semiconductor device

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
G15R Request for early opening
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20060616

Year of fee payment: 5

LAPS Lapse due to unpaid annual fee