KR20000057783A - 이미지 감지 장치 및 이미지 포착 방법 - Google Patents

이미지 감지 장치 및 이미지 포착 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR20000057783A
KR20000057783A KR1020000002775A KR20000002775A KR20000057783A KR 20000057783 A KR20000057783 A KR 20000057783A KR 1020000002775 A KR1020000002775 A KR 1020000002775A KR 20000002775 A KR20000002775 A KR 20000002775A KR 20000057783 A KR20000057783 A KR 20000057783A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
pixel
signal
row
column
optical sensor
Prior art date
Application number
KR1020000002775A
Other languages
English (en)
Inventor
도머스티븐엠.
반다켈리미첼
루바차레이몬드
젠트리게리카이쓰
Original Assignee
비센트 비.인그라시아
모토로라 인코포레이티드
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 비센트 비.인그라시아, 모토로라 인코포레이티드 filed Critical 비센트 비.인그라시아
Publication of KR20000057783A publication Critical patent/KR20000057783A/ko

Links

Classifications

    • A—HUMAN NECESSITIES
    • A21—BAKING; EDIBLE DOUGHS
    • A21B—BAKERS' OVENS; MACHINES OR EQUIPMENT FOR BAKING
    • A21B3/00—Parts or accessories of ovens
    • A21B3/13—Baking-tins; Baking forms
    • A21B3/132—Assemblies of several baking-tins or forms
    • A—HUMAN NECESSITIES
    • A21—BAKING; EDIBLE DOUGHS
    • A21B—BAKERS' OVENS; MACHINES OR EQUIPMENT FOR BAKING
    • A21B1/00—Bakers' ovens
    • A21B1/02—Bakers' ovens characterised by the heating arrangements
    • A21B1/33—Ovens heated directly by combustion products
    • A—HUMAN NECESSITIES
    • A21—BAKING; EDIBLE DOUGHS
    • A21B—BAKERS' OVENS; MACHINES OR EQUIPMENT FOR BAKING
    • A21B3/00—Parts or accessories of ovens
    • A21B3/006—Means for cleaning the baking cavity
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F24—HEATING; RANGES; VENTILATING
    • F24C—DOMESTIC STOVES OR RANGES ; DETAILS OF DOMESTIC STOVES OR RANGES, OF GENERAL APPLICATION
    • F24C15/00—Details
    • F24C15/14—Spillage trays or grooves
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F24—HEATING; RANGES; VENTILATING
    • F24C—DOMESTIC STOVES OR RANGES ; DETAILS OF DOMESTIC STOVES OR RANGES, OF GENERAL APPLICATION
    • F24C15/00—Details
    • F24C15/34—Elements and arrangements for heat storage or insulation
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02B—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES RELATED TO BUILDINGS, e.g. HOUSING, HOUSE APPLIANCES OR RELATED END-USER APPLICATIONS
    • Y02B40/00—Technologies aiming at improving the efficiency of home appliances, e.g. induction cooking or efficient technologies for refrigerators, freezers or dish washers

Abstract

이미지 포착 시스템(10)은 광 센서(20)에 배열되어 있는 광검출기(36)로부터 전압의 판독을 제어하기 위한 신호를 발생시키는 인터페이스 블록(22)을 갖는 집적 회로(18)를 포함한다. 화소 위치(a pixel site)에서 광에 반응하는 상기 광검출기(36)에 의하여 발생된 전압은 상기 화소 위치를 에워싸는 다른 광검출기에 의하여 발생된 전압을 유해하게 파괴하지 않고 판독되고 리셋된다. 화소 소자(34)는 매크로 블록(20A)으로 그룹 배치되고 상기 매크로 블록(20A)으로부터의 아날로그 감지 신호는 감지 블록(26)에서 실시간으로 판독된다. 상기 감지 블록(26)은 YUV 형식으로 디지털 신호로 변환하기 위하여 아날로그 감지 신호를 증폭시킨다.

Description

이미지 감지 장치 및 이미지 포착 방법{IMAGING DEVICE AND METHOD OF CAPTURING AN IMAGE}
본 발명은 일반적으로 반도체에 관한 것으로, 좀더 구체적으로는 집적된 이미지 감지 회로에 관한 것이다.
스캐너 및 디지털 카메라와 같은 고해상도 이미지 감지 시스템은 렌즈를 통하여 물체로부터 광 센서 상으로 오는 광을 수신함으로써 이미지를 포착한다. 광 센서는 전하 결합 소자, 광다이오드, 또는 광트랜지스터와 같은 광활성 감지 장치의 배열로 구성되어 있는 반도체 형판 위에서 제공된다. 광활성 반도체 장치는 물체로부터 수신된 광에 반응하여 비례하는 화소 신호를 발생시키는데, 이 화소 신호는 가시적인 이미지 감지 데이터를 생성하기 위하여 이미지 감지 회로를 통하여 처리된다.
이미지 감지 시스템은 상기 광 센서로부터 오는 비례하는 화소 신호를 감지하고 감지 회로에서 디지털 데이터를 발생시킨다. 데이터가 광 센서로부터 판독되는 방식으로 인하여, 디지털 데이터는 압축을 위하여 수용 가능한 형태를 가지는 데이터 블록으로 저장되고 재구성되어진다. 비디오 프레임은 휘도와 색도의 정보를 포함하는데, 이 휘도와 색도의 정보는 이미지 감지 데이터를 사용자에게 전송하기 위하여 필요로 하는 대역폭의 크기를 줄이기 위하여 코딩되고 압축되어야 한다. 데이터 압축을 하기에 앞서 데이터 블록을 형성하는 단계는 추가적인 데이터 처리 공정과 데이터 지연을 일으킨다.
따라서, 광 센서로부터 오는 데이터를 블록 형태로 판독할 수 있는 개선된 이미지 감지 시스템을 구비하는 것이 유리할 수 있다. 이 데이터가 이 데이터의 추가적인 처리 공정 없이 데이터 압축을 하기에 준비되어 있는 포맷으로 판독되어지는 것이 또한 유리할 수 있다.
도 1 은 이미지 포착 시스템을 위한 집적 회로가 부분적으로 분해되어 있는 등각 사시도.
도 2 는 도 1 에 도시된 바와 같은 집적 회로의 블록도.
도 3 은 도 2 의 화소 소자의 일실시예의 개략도.
도 4 는 매크로 블록(20A 및 20B)의 화소 소자(34)의 위치를 도시하는 도면.
도 5 는 도 4에 도시된 바와 같이 서로에 인접하여 위치된 매크로 블록에 대한 화소 소자의 판독을 제어하는 신호의 파형에 대한 타이밍도.
<도면 주요 부분에 대한 부호의 설명>
10 : 이미지 감지 시스템 12 : 이미지
14 : 리드 16 : 투명부
18 : 집적 회로 20 : 광 센서
22 : 인터페이스 블록 24 : 디지털 처리기
26 : 감지 블록 28 : 패키지
30 : 디스플레이 장치 34 : 화소 소자
48 : 열 신호 라인 50 : 열 리셋 라인
도 1 은 하나의 칩 상에 이미지 감지 장치 또는 카메라로도 지칭되는, 이미지 포착 시스템(10)의 부분적으로 분해되어 있는 등각 사시도를 도시한다. 이미지 포착 시스템(10)의 일부로서, 집적 회로(18)는 이미지(12)를 포착하고 처리하여 디스플레이 장치(30)로 디스플레이 하기 위하여, 아날로그 화소 신호를 인식 가능한 포맷으로 된 24 비트 RGB(레드, 그린, 블루) 디지털 데이터로 변환시킨다. 다른 처리 공정은 컬러 공간을, "YUV" 포맷 또는 컬러 공간으로 종종 지칭되는 8 비트의 4:2:0으로 포맷된 YCbCr(휘도, 블루 색도, 레드 색도) 컬러 공간으로 변환하게 한다.
패키지(28)는 이미지(12)로부터 반사된 광을 수신하기 위한 투명부(16)를 갖는 리드(lid)(14)를 구비하는 집적 회로(18)를 수용한다. 반사된 광은 집적 회로(18)의 영역에 형성되어 있는 광 센서(20)로 수신된다. 광 센서(20)는 광검출기로 지정되어 있고 화소 센서로의 기능을 하는 광활성 반도체 장치의 배열이다. 투명부(16)는 렌즈로서 동작하여 광 센서(20)가 배치되어 있는 초점 평면에 광을 집중시킨다. 대안적으로, 광은 리드(14)의 외부면에 위치되어 있고 이미지(12)와 광 센서(20) 사이에 배치된 렌즈(도시되어 있지 않음)에 의하여 광 센서(20) 상에 집중된다. 투명부(16)를 통하여 광 센서(20)의 광검출기 상에 투사된 광은 이미지(12)로부터 수신된 광의 세기에 비례하는 아날로그 화소 신호를 발생시킨다. 컬러 이미지가 요구될 때, 컬러 필터는 이미지(12)와 광 센서(20) 사이에 배치되어 각 광검출기가 특정 컬러의 광에 반응하게 된다.
바람직한 실시예에 있어서, 광 센서(20)의 광검출기는 352×288 활성 화소 위치(pixel site)의 코어로서 배열되어 있다. 일례로 약 20% 정도 만큼 코어의 크기를 증가시킴으로써, 418 × 344 화소 위치의 코어가 수신된 이미지(12)의 지터(jitter)를 보상하게 된다. 사용자 주소 지정 가능 화소 위치의 크기가 증가된 코어는 사용자 주소 지정 가능 화소의 교정(calibration)과 분리(isolation)를 가능하게 하는 추가적인 화소 위치에 의하여 더 에워싸여 질 수 있다.
광 센서(20) 외에도, 집적 회로(18)는 광 센서(20)에 위치되어 있는 화소 위치에서 광검출기의 판독을 제어하기 위한 신호를 발생시키는 인터페이스 블록(22)을 포함한다. 디지털 처리기(24)는 인터페이스 블록(22)을 위한 시작과 종료 주소를 발생시키고 행의 전송(row transfer), 집적 시간, 및 교정 프로토콜을 제어하기 위한 신호를 조종한다. 감지 블록(26)은 광 센서(20)로부터 오는 아날로그 감지 신호를 수신하고, 증폭하며 아날로그 감지 신호를 디지털 표현으로 변환시킨다.
도 2 는 도 1 에 도시된 바와 같은 집적 회로(18)의 블록도이다. 동일한 참조 번호는 동일한 소자를 나타내기 위하여 도면에서 사용되고 있다. 집적 회로(18)는 국부 영역들이나 매크로 블록(2OA 및 20B)으로 세부 분할되어 도시되어 있는 광 센서(20)를 포함하고 있다. 문자(A 및 B)는 광 센서(20) 내의, 화소 위치의 특정 그룹 지정, 즉 매크로 블록을 나타내기 위하여 참조 번호에 부가되어 있다. 매크로 블록(20A 및 20B)은 18×18 화소 위치의 배열을 가지는 바람직한 실시예로, 여러 가지 다수의 화소 위치를 포함할 수 있다. 매크로 블록(20A 및 20B)에 대한 18×18 배열의 크기는 컬러 정보가 매크로 블록 경계를 통해 전송될 수 있게 한다. RGB 시스템에 있어서, 광 센서(20)는 레드 빛에 반응하는 장치의 하나의 행, 블루 빛에 반응하는 또다른 행 및 그린 빛에 반응하는 제 3 의 행을 포함할 수 있다. 매크로 블록(20A 및 20B)에 있는 화소 위치의 번호 뿐만 아니라 광 센서(20) 내의 매크로 블록의 번호도 본 발명을 제한하지 않는다는 것을 주시하여야 할 것이다. 매크로 블록(20A 및 20B)은 시작 및 종료 주소에 의하여 광 센서(20) 내에 위치된다. 매크로 블록(20A 및 20B)의 시작과 종료 주소 위치는 광 센서(20) 내에서 화소에 기초하여 이동될 수 있다는 것도 또한 주의하여야 할 것이다.
인터페이스 블록(22)은 디지털 처리기(24)로부터의 행 및 열의 주소를 수신하고 광 센서(20) 내에서 화소 위치를 제어하는 신호를 발생시킨다. 예로서, 인터페이스 블록(22)은 광 센서(20)의 354 개의 행과 448 개의 열 각각에 위치되어 있는 화소 위치에 제어 신호를 제공한다. 예를 들어, 인터페이스 블록(22)은 광 센서(20)의 각 행에 대하여 행 리셋(ROW RESET) 신호, 행 선택(ROW SELECT) 신호, 및 전송(TRANSFER) 신호를 발생시키고(도 3 참조), 광 센서(20)의 각 열에 대하여 열 리셋(COLUMN RESET) 신호를 발생시킨다. 이리하여, 광 센서(20)의 행과 열에 따른 화소 위치를 위해 인터페이스 블록(22)에 의하여 발생된 제어 신호는 X-Y 주소 지정을 가능하게 하는데, 여기서 X 및 Y 는 열과 행의 번호를 각각 나타낸다.
광 센서(20)의 X-Y 주소 지정 가능성은 그 화소 위치에서 광검출기에 의하여 발생된 전압을 판독하기 위하여 개개 화소 위치에 접속 가능하게 하는 것을 주의하여야 할 것이다. 낮은 잡음, 즉 솔리드 스테이트(solid state)의 화소 신호의 정밀한 감지를 달성하는 일반적인 방법은 그 화소를 두 번 측정하는 것이다. 화소 소자(34)는 광검출기(36) 상에 적분된 실제 신호(전하)에 대하여 첫번째로 감지된다. 열 리셋(COLUMN RESET)과 행 리셋(ROW RESET) 신호는 화소 소자(34)를 리셋한다. 화소 소자(34)는 화소 소자(34)가 자신의 고유 "다크" 레벨 또는 기준 레벨로 리셋되고 난 이후에 두번째로 감지된다. 종래 발명은 X-Y 주소 지정 가능성이 단일 화소 위치의 리셋 측정과 신호 모두를 달성하게 한다. 그러나, 이러한 종래 기술의 처리에 있어서, 화소 소자의 동일한 행과 공통인 다른 화소 위치도 또한 리셋되어, 이들 화소 소자에 대한 현 프레임의 정보를 파괴한다. 종래 기술에 비하여, 특정 화소 위치에서 광검출기(36)에 의하여 발생된 전압은 임의의 다른 화소 위치에서 다른 광검출기(36)에 의하여 발생된 전압을 유해하게 파괴하지 않고도 판독되고 리셋된다. 이리하여 본 발명은 화소마다 리셋 성능을 이용하여 X-Y 주소 지정과 판독을 가능하게 한다.
개개 화소 위치로부터의 데이터가 판독을 위하여 선택되어진 이후에, 그 화소 위치에서 광검출기에 의하여 광원에 반응하여 발생된 전압은 감지 블록(26) 내의 프로그래밍 가능한 이득 증폭기(도시되지 않음)로 전송되고 디지털 신호로 변환된다. 열 신호 라인(COLUMN SIGNAL LINE)(도 3 참조)으로 전송된 각 아날로그 감지 신호는 그 크기가 제어 데이터 값에 의하여 설정되는 이득에 이르도록 증폭된다. 화소 위치가 매크로 블록(20A)과 같은 광 센서(20) 내에서 그룹으로 이루어질 때, 매크로 블록(20A)에 대응하는 광검출기에 의하여 발생된 모든 아날로그 감지 신호는 그 매크로 블록으로부터 오는 아날로그 신호의 증폭을 제어하는 공통 제어 데이터값을 가질 수 있다. 일반적 용법으로, 프로그래밍 가능 레지스터(도시되지 않음)는 컬러 밸런싱(balancing)과 노출(exposure)을 위하여 사용되는 "실시간" 이득 제어를 위해 제어 데이터 값을 공급한다.
이미지 감지 데이터는 이미지 포착 시스템(10)에 의하여 공급된 무선 주파수(RF) 반송파 신호를 변조할 수 있다. RF 반송파 신호를 수신하는 수신기(도시되지 않음)는 RF 신호를 하부 중간 주파수(IF)로 다운 변환할 것이다. IF 신호로부터 복구된 변조 데이터는 디스플레이 장치(30)에 상영될 수 있다. 대안적인 응용에 있어서, 감지 블록(26)은 버스나 케이블 상으로 외부 디지털 신호 처리 장치(도시되지 않음)에 전송하기 위하여 다수의 패키지(28) 리드(lead) 상에 병렬 이미지 감지 데이터를 제공할 수 있다. 외부 디지털 신호 처리 장치는 디스플레이 장치(30)에서 상영하기 위하여 이미지 감지 데이터를 준비한다. 디스플레이 장치(30)가 모니터로 도시될지라도, 프린터와 같은 다른 유형의 장치나 디스크 드라이브와 같은 저장 장치가 감지 블록(26)을 통하여 발생된 이미지 감지 데이터를 수신할 수 있다. 이미지 포착 시스템(10)으로부터 다른 전자 장치로의 이미지 감지 데이터를 전송하기 위한 방법은 본 발명을 제한하지 않는다는 것을 주시하여야 할 것이다.
디지털 처리기(24)는 광원에 반응하여 광검출기에 의하여 발생된 전압의 초기 디지털 표현을 이산 코사인 변환(DCT : Discrete Cosine Transform) 데이터 값과 같은 코딩된 값으로 변환시킨다. 예로서, 화소 위치에서 광검출기에 의하여 발생된 전압은 감지 블록(26)에 의하여 수신되고 하나의 화소 위치로부터 온 데이터만이 판독되고 동시에 변환되는, 8 비트 크기의 값으로 변환된다. 매크로 블록(20A) 내의 나머지 화소 위치로부터 전압 값을 판독하고 변환한 후에, 디지털 처리기(24)는 RGB의 크기 데이터의 24 비트 디지털 코드를 계산하기 위하여 습득된 화소 코드에 대한 공간 컬러 보간 처리 공정을 수행한다. 매크로 블록(20A)으로 지정되어 있는 화소 위치의 블록은 광 센서(20) 내의 어느 곳에서도 형성될 수 있다는 것을 주시하여야 할 것이다.
디지털 처리기(24)는 16×16 화소 그룹 지정, 즉 매크로 블록(20A) 내에 데이터를 저장하고 처리한다. 컬러 공간의 변환은 이들 256×24 비트의 RGB 데이터에 대해 수행되고, 이미지 압축에 적합한 YCbCr 4:2:0 "YUV" 매크로 블록 포맷으로 나타난다. 일단 "YUV" 매크로 블록 포맷으로 되면, 감지 블록(26)에 의하여 매크로 블록(20A)으로부터 판독되고 변환된 256 개의 화소 위치를 나타내는 데이터는 이미지 포착 시스템(10)으로부터 전송될 준비가 된다. 매크로 블록(20A)으로부터 256 개의 비트의 데이터로 구성된 광 센서(20)로부터의 데이터 판독과 함께, 이 데이터는 표준 압축 알고리즘에 의하여 처리되는 포맷으로 있게 된다. 디지털 처리기(24)의 본 실시예는 "요구되는 바와 같은" 기초에 대한 매크로 블록 코딩된 정보를 외부 압축 처리기로 전송하기 위하여 필요로 하는 모든 처리 공정을 수행한다. 디지털 처리기(24)의 다른 실시예는 실리콘 영역의 증가로 압축 처리 공정을 처리하도록 구성될 수 있다.
이미지 포착 시스템(10)은 또한 디지털 방식으로 습득된 더 큰 이미지 내에 적절하게 선택된 영역을 인코딩함으로써 관심 영역(ROI : Region Of Interest)을 제공한다. 사용자가 ROI를 요청할 때, 더 높은 해상도로 선택된 영역에 있는 이미지를 확대(zoom in)하고 가시화하는 것이 본 발명으로 달성될 수 있다. 이미지 포착 시스템(10)은 그 화소 위치에서 광검출기에 의하여 발생된 전압을 판독하기 위하여 주소 지정 가능성과 개개 화소 위치로의 접속을 제공할 수 있다. 그러므로, ROI는 광 센서(20) 내에 한정된 부동 윈도우(floating window)에 대한 주소를 생성함으로써 지원된다. ROI 내의 다수의 화소 위치에 의하여 발생된 전압이 현 프레임에서 부동 윈도우를 에워싸는 화소 위치에서 다른 광검출기에 의하여 발생된 전압을 파괴함이 없이 판독되고 리셋될 수 있다. 화소 소자(34)의 제어 라인은 단일 화소 소자에 있는 광검출기에 의하여 발생된 전압의 "비파괴(non-destructive)" 판독을 가능하게 한다. 기타 다른 화소 소자에 있는 광검출기에 의하여 발생된 전압은 단일 화소 소자로부터 오는 전압이 판독되고 리셋될 때 변경되지 않는다. 광 센서(20)의 임의 접속 특성을 사용함으로써, 이미지 데이터는 특정 관심 영역에 대한 "이미지 확대(zooming-in)"를 위해 조절될 수 있다. 더욱이, 화소마다 광 센서(20)의 리셋 성능을 사용하여, 선택된 ROI 의 영역이나 이미지 데이터 외부의 영역들이 또한 현 프레임에서 판독되고 처리될 수 있다. 이것은 움직임 추정, 지터 보상, 및 초점 처리 알고리즘에 대한 기회가 "센서 상에서" 실현되게 해준다.
종래 기술의 센서 시스템은 센서로부터 데이터를 판독하고, 메모리 버퍼에 그 데이터를 저장하고, 매크로 블록에 해당하는 그 메모리 버퍼로부터 그 데이터를 선택하며, 또한 비디오 인코더에 그 매크로 블록을 전송시킨다. 더욱이, 종래 기술의 센서 시스템에 있어서, 이 데이터는 센서로부터 라인 별로 판독된다. 이리하여, 특정 관심 영역에 대하여 그 센서로부터 화소 데이터를 판독하기 위하여, 그 관심 영역 위의 행로부터의 모든 센서 데이터가 먼저 판독되고 저장되어야 한다. 희망하는 데이터를 검색하기 위하여 그 센서로부터 여분의 데이터를 판독하는 것, 그 데이터를 메모리에 저장하는 것, 및 그 데이터를 매크로 블록으로 재 포맷시키는 것은 시스템 휴지(system latency)를 일으킨다는 것을 주의하여야 할 것이다. 또 다른 방식으로 보면, 종래 기술의 센서 시스템에서 필요한 데이터는 적절한 매크로 블록 포맷으로 직접 판독될 수 없고, 비디오 인코더로 그 매크로 블록을 전송시키기 이전에 처리되어야만 한다. 부가적인 처리 공정은 센서로부터 데이터를 판독하는 것과 그 데이터를 비디오 인코더에 제공하는 것 사이에 시간 지연을 일으킨다.
대조적으로, 본 발명은 특정 관심 영역에 대한 데이터가 광 센서(20)로부터 판독되게 하고 처리 공정이 없이 직접 비디오 인코더(도시되지 않음)에 제공되게 한다. 임의의 추가적인 화소 데이터를 판독함이 없이, 특정 관심 영역에 대한 화소 데이터는 광 센서(20)로부터 판독될 수 있다. 더욱이, 그 데이터는 직접 비디오 인코더에 전송될 수 있는 적절한 매크로 블록 포맷으로 판독된다. 그 매크로 블록의 시작점은 광 센서(20)에서 임의 지점이 될 수 있다는 것을 주시하여야 할 것이다. 추가적인 처리 공정에 대한 요구 조건은 본 발명에 의하여 제거되고 그 화소 데이터는 부가적인 처리 공정과 관련되는 시간 지연이 없이 비디오 인코더에 "실시간"으로 제공된다. 그 데이터를 "실시간"으로 판독하는 다른 이점은 메모리 버퍼의 제거와 더 적은 회로로 기인하는 전력의 감소이다.
도 3 은 도 2 의 화소 소자(34)의 일 실시예의 개략도이다. 화소 소자(34)는 접지 전위를 수신하는 전력 전도체에 연결된 애노드(anode)를 가지는 광검출기(36)를 포함한다. 화소 소자(34)는 직렬로 연결된 N 채널의 금속 산화 반도체 전계 효과 트랜지스터(MOSFET : Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistors)(38, 40, 및 42)를 더 포함한다. 트랜지스터(38)의 소스 단자는 광검출기(36)의 캐소드에 연결된다. 트랜지스터(40)의 소스 단자는 트랜지스터(38)의 드레인 단자에 연결되고 43으로 지정된 노드(43)를 형성한다. 노드(43)에서 커패시터(도시되지 않음)는 트랜지스터(40 및 38)의 소스와 드레인 확산과 각각 연관되어 있는 커패시턴스 값을 갖는다는 것을 주시하여야 할 것이다. 트랜지스터(42)의 소스 단자는 트랜지스터(40)의 드레인 단자에 연결된다. 도 3에 도시된 바와 같이, 트랜지스터(42)의 게이트 단자는 신호(COLUMN RESET)를 수신하기 위한 라인(50)에 연결되고 트랜지스터(40)의 게이트 단자는 신호(ROW RESET)를 수신한다. 트랜지스터(42)의 드레인 단자는 전압(VDD)을 수신하기 위한 다른 전력 전도체에 연결된다.
트랜지스터(38 및 40)의 게이트 단자는 입력 단자(56 및 52)에 각각 연결된다. N 채널 MOSFET(44)는 트랜지스터(40)의 소스 단자에 연결된 게이트 단자와 전압(VDD)을 수신하는 전력 전도체에 연결된 드레인 단자를 가진다. MOSFET(46)는 입력 단자(54)에 연결된 게이트 단자, 트랜지스터(44)의 소스 단자에 연결된 드레인 단자, 및 열 신호 라인(48)에 연결된 소스 단자를 가진다. 열 신호 라인(48) 상의 신호는 화소 신호로 지칭된다.
도 4 는 매크로 블록(20A 및 20B)의 화소 소자의 위치를 도시하는 도면이다. 매크로 블록(20A 및 20B)(도 3)은 서로 인접하여 위치되고 그 매크로 블록은 도시의 편의를 위하여 2×2 배열의 간략화된 형태로 기술되어 있다. 매크로 블록(20A)에 있는 화소 소자는 행 1 에 화소 위치(A1 및 A2)가 배열되어 있고 행 2 에 화소 위치(A3 및 A4)가 배열되어 있다. 또한, 매크로 블록(20B)에 있는 화소 소자는 행 1 에 화소 위치(B1 및 B2)와 행 2 에 화소 위치(B3 및 B4)를 가지게 배열되어 있다. 이리하여, 서로 인접하게 위치되어 있는 매크로 블록(20A 및 20B)에 따라, 화소 위치(A1, A2, B1, 및 B2)는 행 1 에 위치되어 있고 화소 위치(A3, A4, B3, 및 B4)는 행 2 에 위치되어 있다. 화소 소자(34)는 각 화소 위치(A1 내지 A4 및 B1 내지 B4)에 위치되어 있다.
도 5 는 도 4 에 도시된 바와 같은 매크로 블록(20A 및 20B)의 행 1 및 행 2에서 화소 소자(34)의 판독을 제어하는 신호에 대한 파형의 타이밍도이다. 도 5의 파형에 대하여 수직축은 전압을 나타내고 수평축은 시간을 나타낸다는 것을 주시하여야 한다.
동작 면에서 볼 때, 도 2, 도 3, 도 4, 및 도 5를 참조하면, 라인(60)은 인터페이스 블록(22)에 의하여 매크로 블록(20A 및 20B)의 제 1 행에 위치되어 있는 화소 소자(34)의 입력 단자(56)에 공급되는 TRANSFER1 으로 지정된 신호에 대한 타이밍을 도시한다. 광검출기(36)는 화소 소자(34)에 의하여 수신된 광의 세기에 반응하여 애노드와 캐소드 단자 사이에 전압을 발생시킨다. 전형적으로, 광검출기(36)의 단자 양단에 발생되는 전압은 수신 광에 대하여 약 33㎳ 의 노출 시간 이내에 안정화된다. TRANSFER1으로 지정된 신호가 시간(t0)에서 낮은 레벨에서부터 높은 레벨로 전이될 때, 광검출기(36)에 의하여 발생된 전압은 화소 소자(34)의 노드(43)(도 3 참조)에 나타난다. 행 1에 있는 각 화소 소자, 즉 위치(A1, A2, B1, 및 B2)(도 4)에 있는 화소 소자에 대한 노드(43)에서의 전압은 그 위치에서 대응하는 광검출기(36)(도 3)에 의하여 발생된 전압에 따라 변화된다.
TRANSFER2 로 지정된 다른 신호에 대한 타이밍은 시간(t1)에서 낮은 레벨에서부터 높은 레벨로의 전이를 도시하고 라인(70)에 의하여 도시되어 있다(도 5 참조). 인터페이스 블록(22)(도 2 참조)은 매크로 블록(20A 및 20B)(도 4 참조)의 제 2 행에 있는 화소 소자(34)에 신호(TRANSFER2)를 공급한다. 제 2 행에 있는 각 화소 소자(34), 즉 위치(A3, A4, B3, 및 B4)(도 4)에 있는 화소 위치(34)의 노드(43)(도 3 참조)에서의 전압은 대응하는 광검출기(36)에 의하여 발생된 전압에 따라 시간(t1)에서 변경된다.
시간(t2)에서, ROW SELECT1 으로 지정된 신호는 라인(62)에 의하여 도시된 바와 같이 낮은 레벨에서부터 높은 레벨로 전이된다. 그 신호(ROW SELECT1)는 인터페이스 블록(22)(도 2 참조)에 의하여 매크로 블록(20A 및 20B)(도 4 참조)에 있는 제 1 행에 공급되고, 위치(A1, A2, B1, 및 B2)에 대한 열 신호 라인(48)이 대응하는 노드(43)(도 3 참조)에서의 전압에 따라 전압 값을 변경하게 한다. 제 1 행(도 4)에 있는 화소 소자(34)에 대한 각 열 신호 라인(48)은 대응하는 위치(A1, A2, B1, 및 B2)에 위치되어 있는 광검출기(36) 양단에 발생된 전압에 기초한 제 1 값을 가진다.
감지 블록(26)(도 2)에 있는 다중화기(도시되지 않음)는 아날로그 감지 신호에 대한 이 제 1 값을 수신한다. 그 다중화기는 매크로 블록(20A)의 제 1 행에 대한 희망하는 화소 신호를 제공하는 열 신호 라인(48)을 선택한다. 다르게 말하면, 위치(A1 및 A2)에서 열 신호 라인(48) 상의 화소 신호는 판독을 위하여 선택된다. 이들 감지된 값은 감지 블록(26)에 포함된 샘플 및 보존 회로(sample and hold circuit)(도시되지 않음)에 임시적으로 저장된다. 다중화기는 매크로블록(20B)의 위치(B1 및 B2)에서 제 1 행로부터 화소 신호를 출력하기 위한 열 신호 라인(48)을 선택하지 않는다.
시간(t3)에서, ROW RESET1 및 COLUMN RESET1 로 지정된 신호는 라인(64 및 66)에 의하여 도시된 바와 같이 낮은 레벨에서부터 높은 레벨로 각각 전이된다. ROW RESET1 신호는 인터페이스 블록(22)(도 2 참조)에 의하여 매크로 블록(20A 및 20B)(도 4 참조)에 있는 화소 소자(34)의 제 1 행에 공급된다. COLUMN RESET1 신호는 인터페이스 블록(22)에 의하여 매크로 블록(20A)에서 위치(A1 및 A2)에 있는 화소 소자(34)에 또한 공급된다. ROW RESET1 및 COLUMN RESET1 신호는 매크로 블록(20A)의 제 1 행에 있는 화소 소자(34)에 대한 노드(43)(도 3 참조)에서의 전압의 리셋 상태를 일으킨다. 매크로 블록(20B)의 제 1 행에 있는 화소 소자(34)가 ROW RESET1 신호를 수신할지라도, 매크로 블록(20B)의 위치(B1 및 B2)에서의 두 개의 COLUMN RESET1 신호는 작동되지 않고 그 매크로 블록에 있는 화소 소자(34)는 리셋되지 않는다.
감지 블록(26)(도 2)에 있는 다중화기는 매크로 블록(20A)의 제 1 행에 위치되어 있는 선택된 화소 소자(34)의 열 신호 라인(48) 상의 제 2 값, 즉 리셋 값을 수신한다. 선택된 화소 소자(34)에 대한 제 1 값과 제 2 값 사이의 전압 차이는 광 센서(20)의 그 선택된 위치에서 판독되는 이미지 부분의 감지된 값을 제공한다.
시간(t4)에서, ROW SELECT2 로 지정된 신호는 라인(72)에 의하여 도시된 바와 같이 낮은 레벨에서부터 높은 레벨로 전이된다. 신호(ROW SELECT2)는 인터페이스 블록(22)(도 2 참조)에 의하여 매크로 블록(20A 및 20B)(도 4 참조)에 있는 제 2 행에 공급되고 열 신호 라인(48)이 대응하는 노드(43)(도 3 참조)에서의 전압에 따라 전압 값을 변경하게 한다. 제 2 행(도 4)에 있는 화소 소자(34)에 대한 각 열 신호 라인(48)은 위치(A3, A4, B3, 및 B4)에 위치되어 있는 대응하는 광검출기(36) 양단에 발생되는 전압에 기초한 신호 값을 가진다.
감지 블록(26)(도 2)에 있는 다중화기(도시되지 않음)는 아날로그 감지 신호를 수신하고 매크로 블록(20A)의 제 2 행에 대한 화소 신호를 출력하기 위하여 열 신호 라인(48)을 선택한다. 그 다중화기는 매크로 블록(20A)의 제 2 행 즉 위치(A3 및 A4)에 대한 화소 신호를 출력하기 위한 열 신호 라인(48)을 선택한다. 다중화기는 매크로 블록(20B)의 제 2 행 즉 위치(B3 및 B4)에 대한 화소 신호를 출력하기 위한 열 신호 라인(48)을 선택하지 않는다.
시간(t5)에서, ROW RESET2 및 COLUMN RESET1 으로 지정된 신호는 라인(74 및 66)에 의하여 도시된 바와 같이 낮은 레벨에서부터 높은 레벨로 각각 전이된다. ROW RESET2 신호는 인터페이스 블록(22)(도 2 참조)에 의하여 매크로 블록(20A 및 20B)(도 4 참조)에 있는 제 2 행에 공급된다. 두 개의 COLUMN RESET1 신호는 인터페이스 블록(22)에 의하여 매크로 블록(20A)에서 위치(A3 및 A4)에 있는 화소 소자에 공급된다. ROW RESET2 및 COLUMN RESET1 신호는 매크로 블록(20A)의 제 2 행에 있는 위치(A3 및 A4)에서의 화소 소자(34)에 대한 노드(43)(도 3 참조)에서의 전압의 리셋 상태를 일으킨다. 매크로 블록(20B)의 제 2 행에 있는 화소 소자(34)가 ROW RESET2 신호를 수신할지라도, 화소 위치(B3 및 B4)에 있는 두 개의 COLUMN RESET1 신호는 작동되지 않고 이들 위치에 위치되어 있는 화소 소자(34)는 리셋되지 않는다. 그 화소 신호는 판독되고 있지 않은 임의의 다른 화소 소자(34)에 있는 광검출기(36)에 의하여 발생된 데이터를 파괴시키지 않고 매크로 블록(20A)으로부터 판독되는 것을 주시하여야 할 것이다.
시간(t6)에서, ROW SELECT1 으로 지정된 신호는 라인(62)에 의하여 도시된 바와 같이 낮은 레벨에서부터 높은 레벨로 전이된다. ROW SELECT1 으로 지정된 신호는 인터페이스 블록(22)(도 2 참조)에 의하여 매크로 블록(20A 및 20B)에 있는 제 1 행(도 4)에 공급되고, 열 신호 라인(48)이 대응하는 노드(43)(도 3 참조)에서의 전압에 따라 전압 값을 변경하게 한다. 제 1 행(도 4)에 있는 화소 소자(34), 즉 화소 위치(A1, A2, B1, 및 B2)에 있는 화소 소자(34)에 대한 각 열 신호 라인(48)은 그들 화소 위치에 위치되어 있는 대응하는 광검출기(36) 양단에 발생된 전압에 기초한 신호 값을 가진다.
감지 블록(26)(도 2)에 있는 다중화기(도시되지 않음)는 아날로그 감지 신호를 수신하고 매크로 블록(20B)의 제 1 행에 대한 화소 신호를 출력하기 위하여 열 신호 라인(48)을 선택한다. 그 다중화기는 매크로 블록(20B)의 제 1 행, 즉 위치(B1 및 B2)에 대한 화소 신호를 출력하기 위하여 열 신호 라인(48)을 선택한다. 다중화기는 매크로 블록(20A)의 제 1 행로부터 화소 신호를 출력하기 위하여 화소 위치(A1 및 A2)의 열 신호 라인(48)을 선택하지 않는다.
시간(t7)에서, ROW RESET1 및 COLUMN RESET2 로 지정된 신호는 라인(64 및 76)에 의하여 도시된 바와 같이 낮은 레벨에서부터 높은 레벨로 각각 전이된다. ROW RESET1 신호는 인터페이스 블록(22)(도 2 참조)에 의하여 매크로 블록(20A 및 20B)에 있는 제 1 행(도 4 참조)에 공급되고, 두 개의 COLUMN RESET2 신호는 인터페이스 블록(22)(도 2 참조)에 의하여 매크로 블록(20B)의 제 1 행에 있는 화소 위치(B1 및 B2)에 공급된다. ROW RESET1 및 COLUMN RESET2 신호는 매크로 블록(20B)의 제 1 행에 있는 화소 소자(34)에 대하여 노드(43)(도 3 참조)에서의 전압의 리셋을 일으킨다. 매크로 블록(20A)의 제 1 행에 있는 화소 소자(34)가 ROW RESET1 신호를 수신할지라도, 화소 위치(A1 및 A2)에서 두 개의 COLUMN RESET2 신호는 매크로 블록(20A)에 대해 작동하지 않고, 그들 위치에서 화소 위치(34)는 리셋되지 않는다.
감지 블록(26)(도 2)에 있는 다중화기는 매크로 블록(20B)의 제 1 행에 위치되어 있는 선택된 화소 소자(34)의 열 신호 라인(48) 상의 리셋 값을 수신한다. 선택된 화소 소자(34)에 대한 제 1 값과 제 2 값 사이의 전압 차이는 광 센서(20)의 선택된 위치에서 판독되는 이미지 부분의 감지된 값을 제공한다.
시간(t8)에서, ROW SELECT2 로 지정된 신호는 라인(72)에 의하여 도시된 바와 같이 낮은 레벨에서부터 높은 레벨로 전이된다. 신호(ROW SELECT2)는 인터페이스 블록(22)(도 2 참조)에 의하여 매크로 블록(20A 및 20B)에 있는 제 2 행(도 4 참조)에 공급되고, 열 신호 라인(48)이 대응하는 노드(43)(도 3 참조)에서의 전압에 따라 전압값을 변경하게 한다. 제 2 행(도 4)에 있는 화소 소자(34) 즉 위치(A3, A4, B3, 및 B4)에서의 화소 소자(34)에 대한 각 열 신호 라인(48)은 대응하는 화소 위치에 위치되어 있는 광검출기(36) 양단에 발생된 전압에 기초한 신호 값을 가진다.
감지 블록(26)(도 2)에 있는 다중화기(도시되지 않음)는 아날로그 감지 신호를 수신하고 매크로 블록(20B)의 제 2 행에 위치되어 있는 화소 소자(34)로부터 화소 신호를 출력하기 위하여 열 신호 라인(48)을 선택한다. 이리하여, 그 다중화기는 매크로 블록(20B)의 제 2 행에 대한 화소 신호, 즉 위치(B3 및 B4)에서의 화소 소자(34)로부터의 데이터를 출력하기 위하여 열 신호 라인(48)을 선택한다. 다중화기는 매크로 블록(20A)의 제 2 행에 대한 화소 신호, 즉 화소 위치(A3 및 A4)에 있는 화소 소자(34)로부터의 데이터를 출력하기 위하여 열 신호 라인(48)을 선택하지 않는다.
시간(t9)에서, ROW RESET2 및 COLUMN RESET2 로 지정된 신호는 라인(74 및 76)에 의하여 도시된 바와 같이 낮은 레벨로부터 높은 레벨로 각각 전이된다. ROW RESET2 신호는 인터페이스 블록(22)(도 2 참조)에 의하여 매크로 블록(20A 및 20B)(도 4 참조)에서 제 2 행에 공급된다. 두 개의 COLUMN RESET2 신호는 인터페이스 블록(22)에 의하여 매크로 블록(20B)의 제 2 행에서 위치(B3 및 B4)에 있는 화소 소자에 공급된다. ROW RESET2 와 COLUMN RESET2 신호는 매크로 블록(20B)의 제 2 행에 있는 화소 소자(34)에 대한 노드(43)(도 3 참조)에서의 전압의 리셋 상태를 일으킨다. 매크로 블록(20A)의 제 2 행에 있는 화소 소자(34)가 ROW RESET2 신호를 수신할지라도, 화소 위치(A3 및 A4)에 있는 두 개의 COLUMN RESET2 신호는 동작하지 않고, 이들 위치에 있는 화소 소자(34)는 리셋되지 않는다. 매크로 블록(20B)에 있는 화소 소자(34)로부터의 화소 신호는 판독되지 않은 다른 화소 소자(34)에 포함된 데이터를 유해하게 파괴하지 않고 판독된다.
지금까지 본 발명은 광 센서 내에 있는 광검출기의 그룹으로부터 화소 데이터를 판독하는 회로와 방법을 제공하고 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그 구룹 지정은 단일 화소 소자 또는 화소 소자의 선택된 영역을 포함할 수 있고, 또한 현 이미지 프레임 동안에 다른 화소 위치에 있는 화소 전압 정보를 유해하게 파괴시키지 않고 "임의 접속" 순서로 판독될 수 있다. 광 센서가 매크로 블록이라고 불리는 물리적 영역으로 분리될 때, 본 발명은 "임의 접속의" X-Y 주소 지정 기능을 제공한다. 매크로 블록의 경계는 임의의 화소 위치에서 시작하고 종료될 수 있고, "부동" ROI 윈도우 기능("floating" ROI windowing), 패닝 기능(panning), 및 확대 기능(zooming function)이 실시간 "주문형" 매크로 블록 판독("on-demand" macroblock readout)으로 가능하다. 광 센서로부터 판독된 것과 같은 매크로 데이터는 데이터 압축과 전송을 위하여 구성된다.

Claims (5)

  1. 광 센서 배열 상으로 투사되는 광에 반응하는 다수의 화소 소자(20A)를 포함하는 상기 광 센서 배열(20)을 포함하는 이미지 감지 장치(18)에 있어서,
    상기 화소 소자의 제 1 행에 위치된 제 1 화소 소자(A1)는 제 1 행 선택 신호(ROW SELECT)를 수신할 때 제 1 화소 신호의 제 1 값을 제공하고 제 1 열 리셋 신호(COLUMN RESET)를 수신할 때 상기 제 1 화소 신호의 제 2 값을 제공하기 위한 열 신호 라인(48) 상의 출력을 가지는 이미지 감지 장치.
  2. 광 센서 배열(20)의 다수의 화소 소자에 저장되어 있는 이미지 부분을 감지하는 방법에 있어서,
    제 1 화소 소자(A1)에 저장되어 있는 열 신호 라인(48) 상의 제 1 화소 신호의 제 1 값을 감지하기 위하여 상기 제 1 행 선택 신호(ROW SELECT)를 지정(assert)하는 단계, 및
    상기 열 신호 라인(48) 상의 상기 제 1 화소 신호의 제 2 값을 감지하기 위하여 제 1 열 리셋 신호(COLUMN RESET)를 지정하는 단계를 포함하는 다수의 화소 소자에 저장되어 있는 이미지 부분을 감지하는 방법.
  3. 제 2 항에 있어서, 제 2 화소 소자(A2)에 저장되어 있는 제 2 화소 신호의 제 1 값을 감지하기 위하여 상기 제 1 행 선택 신호(ROW SELECT)를 지정하는 단계와,
    상기 제 2 화소 신호의 제 2 값을 감지하기 위하여 제 2 열 리셋 신호를 지정하는 단계를 더 포함하는 다수의 화소 소자에 저장되어 있는 이미지 부분을 감지하는 방법.
  4. 제 3 항에 있어서, 상기 제 1 열 리셋 신호를 지정하는 단계 이후가 되기까지 상기 제 2 열 리셋 신호를 지정하는 단계를 지연시키는 단계를 더 포함하는 다수의 화소 소자에 저장되어 있는 이미지 부분을 감지하는 방법.
  5. 집적 회로 내의 광 센서 배열의 다수의 화소 소자에 저장되어 있는 이미지 부분을 판독하는 방법에 있어서,
    화소 소자(20A)의 제 1 행에 있는 제 1 및 제 2 화소 소자(A1, A2)를 제공하는 단계와,
    상기 제 1 화소 소자의 열 신호 라인(48) 상의 제 1 화소 신호의 제 1 값을 감지하는 단계와,
    상기 제 2 화소 소자의 제 2 화소 신호를 리셋팅하지 않고 상기 제 1 화소 신호를 리셋팅하는 단계를 포함하는 다수의 화소 소자에 저장되어 있는 이미지 부분을 판독하는 방법.
KR1020000002775A 1999-02-05 2000-01-21 이미지 감지 장치 및 이미지 포착 방법 KR20000057783A (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US24593299A 1999-02-05 1999-02-05
US9/245,932 1999-02-05

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20000057783A true KR20000057783A (ko) 2000-09-25

Family

ID=22928681

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020000002775A KR20000057783A (ko) 1999-02-05 2000-01-21 이미지 감지 장치 및 이미지 포착 방법

Country Status (4)

Country Link
JP (1) JP2000236481A (ko)
KR (1) KR20000057783A (ko)
CN (1) CN1264244A (ko)
TW (1) TW459459B (ko)

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8054357B2 (en) * 2001-11-06 2011-11-08 Candela Microsystems, Inc. Image sensor with time overlapping image output
TWI424746B (zh) * 2011-02-14 2014-01-21 Ind Tech Res Inst 影像感測器及其感測方法
CN103986927B (zh) * 2013-02-08 2016-04-06 豪威科技股份有限公司 用于传感器故障检测的系统及方法
US9998700B1 (en) 2016-12-05 2018-06-12 Omnivision Technologies, Inc. Image sensor failure detection

Also Published As

Publication number Publication date
TW459459B (en) 2001-10-11
CN1264244A (zh) 2000-08-23
JP2000236481A (ja) 2000-08-29

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US8194163B2 (en) Solid-state pickup apparatus, its driving method and camera system
JP4928674B2 (ja) 広いダイナミックレンジを達成するための時間インデックス付け方法を用いた多サンプリング方法
US7362894B2 (en) Image processing apparatus and method, recording medium, and program
US6069351A (en) Focal plane processor for scaling information from image sensors
US7012635B2 (en) Solid state image sensor and video system using the same
US7808538B2 (en) Image sensors with blooming reduction mechanisms
US7397509B2 (en) High dynamic range imager with a rolling shutter
US20150271427A1 (en) Physical information acquisition method, a physical information acquisition apparatus, and a semiconductor device
JP4609092B2 (ja) 物理情報取得方法および物理情報取得装置
EP1098512A2 (en) Pixel design for interlaced reading for high sensitivity CMOS image sensors
US20010009440A1 (en) Memory updating for digital pixel sensors
US7129978B1 (en) Method and architecture for an improved CMOS color image sensor
US6999116B1 (en) Image processing apparatus, method and computer-readable storage medium having a color suppression mechanism
KR20160015712A (ko) 이미지 촬상 장치 및 방법
KR20000057783A (ko) 이미지 감지 장치 및 이미지 포착 방법
US20020106129A1 (en) Method and apparatus for providing adaptive multiple resolution of optical imagers
JP4720275B2 (ja) 撮像装置
US6947085B1 (en) CMOS sensor with data flow control
KR100697541B1 (ko) 촬상 회로 및 공간 보상의 방법
JP2003018465A (ja) 撮像装置および撮像システム
US20240155245A1 (en) Ambient light sensing using image sensor
JPH08294057A (ja) 固体撮像素子
CN116095519A (zh) 图像传感器、传感器架构、摄像模组及电子设备
KR100272338B1 (ko) 인터라인트랜스퍼시시디의출력신호변환장치
KR20060077161A (ko) 이미지 센서 및 이미지 스케일링 다운 방법

Legal Events

Date Code Title Description
WITN Withdrawal due to no request for examination