KR20000038873A - Integrated core winding transformer - Google Patents

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박성호
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박철순
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이계철
한국전기통신공사
정선종
한국전자통신연구원
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Abstract

PURPOSE: An integrated core winding transformer is provided to manufacture an AC/DC converting rectifier comprising an integrated transformer in a chip. CONSTITUTION: An AC voltage is applied to a primary winding(221), and a current is flowed through the primary winding(221). A magnetic field induction core(214) generates magnetic field by the current. A secondary winding(222) is disposed in parallel to the primary winding(221). A magnetic field induction current is generated by the magnetic field. The secondary winding(22) outputs a DC voltage according to the winding ratio.

Description

집적형 철심 권선형 변압기 구조 및 그 제작방법, 이 집적형 변압기를 포함한 집적 에이씨/디씨 변환 정류기의 구조 및 그 제작방법Integrated iron core winding transformer structure and manufacturing method thereof, structure of integrated AC / DC conversion rectifier including this integrated transformer and manufacturing method thereof

본 발명은 이종접합 쌍극자 트랜지스터 전자 소자를 이용한 고속 전송용 집적회로의 DC 전압원에 관한 것으로서, 특히 회로와 동일 칩내에서 동시에 제작되는 집적 변압기의 구조 및 그 제작방법과 이 변압기를 포함한 AC-DC 변환 정류기의 구조 및 그 제작방법에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a DC voltage source of a high speed transmission integrated circuit using heterojunction dipole transistor electronic devices, and more particularly, to a structure and a manufacturing method of an integrated transformer simultaneously manufactured in the same chip as a circuit and an AC-DC conversion rectifier including the transformer. It relates to a structure and a method of manufacturing the same.

일반적으로, 집적회로의 원활한 동작을 위하여 회로의 주 DC 전원을 공급하는 이외에 다수의 제어용 DC 전원이 필요하게 된다. 즉, 전체 회로를 구동하기 위한 DC 전압원은 필수적이고 회로의 요소 요소에 회로의 성능을 제어하기 위한 부가적인 DC 전원이 필요하게 된다. 그런데, 기존의 회로에 있어서는 별도의 전압원을 사용하거나 주 전원으로부터 바이어스 회로 등을 이용하여 필요한 크기의 전압을 내부적으로 이용하였다. 그러나, 바이어스 회로는 대개의 경우 저항으로 구성되므로 저항에서의 열에 의한 불필요한 전력소비를 유발하고 있으며, GHz급 고속 회로의 경우에는 바이어스 회로를 통한 궤환회로를 구성하여 간섭현상을 유발하기도 한다.In general, a plurality of control DC power sources are required in addition to supplying the main DC power of the circuit for the smooth operation of the integrated circuit. That is, a DC voltage source for driving the entire circuit is essential and an additional DC power source for controlling the performance of the circuit is required for the element elements of the circuit. However, in the existing circuit, a voltage having a required magnitude is used internally by using a separate voltage source or by using a bias circuit from a main power source. However, since the bias circuit is usually composed of a resistor, it causes unnecessary power consumption due to heat in the resistor. In the case of the GHz-class high-speed circuit, a feedback circuit through the bias circuit is also configured to cause interference.

또한, 별도의 전압원을 외부에서 사용하는 경우 회로의 제어가 편리한 장점이 있는 반면, 별도의 전압원에 대한 경제적 문제와 전체 시스템이 복잡해지는 문제가 제기된다.In addition, while the use of a separate voltage source from the outside has the advantage that the control of the circuit is convenient, while the economic problems for the separate voltage source and the problem that the entire system is complicated.

종래의 이종접합 쌍극자 트랜지스터 소자를 이용한 GHz급 고속 집적회로의 동작 및 제어에 필요한 별도의 DC 전압원의 동작원리를 도 1을 참조하여 설명한다.An operation principle of a separate DC voltage source required for operation and control of a GHz-class high speed integrated circuit using a conventional heterojunction dipole transistor device will be described with reference to FIG. 1.

도 1은 일반적인 DC 전압원을 설명하기 위한 개념도로서, 그 예로서 AC/DC 변환 정류기의 회로도를 나타낸다.1 is a conceptual diagram illustrating a general DC voltage source, and shows a circuit diagram of an AC / DC conversion rectifier as an example.

변압기의 1차측 입력단(101)에 인가된 AC 전압은 변압기(102)를 통하여 원하는 DC전압 수준까지 변환된 후 정류 다이오드(103)를 통하여 DC전압으로 정류하여 부하(104)에 공급한다. 물론, 정밀하고 보다 깨끗한 직류파형을 얻기 위하여 브릿지형 정류기를 사용하기도 하며, 또한 정류 후에 필터를 사용하여 보다 깨끗한 직류 파형을 얻을 수 있으나 그 근본 동작원리는 여기서 설명한 바와 같다.The AC voltage applied to the primary input terminal 101 of the transformer is converted to a desired DC voltage level through the transformer 102 and rectified to a DC voltage through the rectifying diode 103 to be supplied to the load 104. Of course, a bridge type rectifier may be used to obtain a precise and cleaner DC waveform, and after rectification, a cleaner DC waveform may be obtained by using a filter, but the fundamental operation principle thereof is as described herein.

즉, 도 1에서 필요한 크기의 전압으로 변환시켜주는 변압기(102)는 기존의 경우 철심 권선 변압기를 사용하여 1, 2차 권선비에 따라 변압 비율을 결정하게 되는데 그 크기가 거대하므로 집적이 불가능한 문제점이 있다.That is, the transformer 102 that converts to the voltage of the required size in FIG. 1 determines the transformer ratio according to the primary and secondary winding ratios using the iron core winding transformer in the conventional case. have.

따라서, 본 발명은 상술한 문제점을 해결하기 위하여 종래의 저항을 이용한 바이어스 회로를 사용하거나 외부의 직류 전압원을 별도로 사용하는 대신에 수평으로 배열된 집적형 철심 권선형 변압기의 구조와, 이 변압기의 제작방법과, 이 집적 변압기를 포함한 집적 AC/DC 전류 변환기의 구조 및 그 제작방법을 제공하는데 그 목적이 있다.Therefore, in order to solve the above problems, the present invention provides a structure of an integrated iron core winding transformer that is horizontally arranged instead of using a bias circuit using a conventional resistor or separately using an external DC voltage source, and fabricating the transformer. It is an object of the present invention to provide a method and a structure of an integrated AC / DC current converter including the integrated transformer and a method of manufacturing the same.

상기 목적을 달성하기 위한 본 발명의 집적형 철심 권선형 변압기의 구조는, AC 전압이 인가되어 전류가 흐르는 1차측 권선과, 상기 전류에 의해 자계를 발생하는 자계유도 철심과, 상기 1차측 권선과 수평으로 배열되고, 상기 권선들을 폐루프형태로 통과하여 상기 발생된 자계에 의해 자계유도전류를 발생시켜 권선비에 따른 DC 전압을 출력하는 2차측 권선으로 구성된 것을 특징으로 한다.The structure of the integrated iron core winding type transformer of the present invention for achieving the above object includes a primary side winding through which an AC voltage is applied to which a current flows, a magnetic field induction iron core generating a magnetic field by the current, and the primary winding; It is arranged horizontally, characterized in that consisting of the secondary winding which passes through the windings in the form of a closed loop to generate a magnetic field induction current by the generated magnetic field to output a DC voltage according to the turns ratio.

위에서, 1차측 권선과 2차측 권선 각각에는, 권선의 하부와 상부를 연결하기 위한 1, 2차 비아 구멍을 구비하고, 이 구멍에 금속으로 연결된다. 또한, 1차측 권선과 2차측 권선의 상, 하면에는 다른 소자와 연결하기 위한 배선금속이 각각 구비된 다.In the above, each of the primary side winding and the secondary side winding is provided with primary and secondary via holes for connecting the lower part and the upper part of the winding, and are connected to the hole by metal. In addition, upper and lower surfaces of the primary winding and the secondary winding are respectively provided with wiring metals for connecting with other elements.

또한 본 발명의 다른 특징인 집적형 변압기의 제작방법은, 1, 2차측 권선의 1차 배선금속에 해당하는 패턴을 사진 식각공정에 의해 형성한 후 하부 배선 부분인 1차 배선금속을 증착하는 제 1 단계와, 1차 절연성 표면보호막을 도포하고 1차 비아구멍을 식각한 후 2차 배선금속을 증착하여 1차 비아구멍을 금속으로 채워서 1차 배선금속과 연결시키면서 자계유도 철심을 동시에 형성하는 제 2 단계와, 이 결과물 위에 2차 절연성 표면보호막을 도포하고 2차 비아구멍을 식각한 후 3차 배선금속을 증착하여 2차 비아구멍을 금속으로 채워서 1차 비아구멍과 연결시켜 주면서 1, 2차측 권선의 상부 배선 부분인 3차 배선금속을 형성하는 제 3 단계를 수행하여 수평으로 배열된 형태의 집적형 철심 권선형 변압기를 제작한다.In addition, a method of manufacturing an integrated transformer, which is another feature of the present invention, includes forming a pattern corresponding to the primary wiring metal of the primary and secondary windings by a photolithography process and then depositing the primary wiring metal, which is a lower wiring portion. The first step is to apply the primary insulating surface protection film, etch the primary via hole, and deposit the secondary wiring metal to fill the primary via hole with metal to connect with the primary wiring metal to form the magnetic field induction iron core simultaneously. Step 2, Apply a second insulating surface protection film on the resultant, etch the secondary via hole, and then deposit the tertiary wiring metal by filling the secondary via hole with metal to connect with the primary via hole. A third step of forming the tertiary wiring metal, which is the upper wiring portion of the winding, is performed to fabricate an integrated iron core winding transformer having a horizontal arrangement.

또한 본 발명의 또 다른 특징인 상기 집적형 변압기를 집적한 AC/DC 변환 정류기는, 1차측 권선에 인가되는 AC 전압을 받아 자계유도 철심에 의해서 자계를 발생하여 상기 1차측 권선에 수평으로 배열된 2차측 권선에 자계유도 전류를 발생시켜 DC 전류를 출력하고, 상기 1, 2차측 권선이 통과되는 부분과 상기 철심 및 상기 권선 이외의 부분에 절연성 표면 보호막으로 덮여지는 집적형 철심 권선형 변압기와, 저항성 베이스 금속전극과 컬렉터 금속전극이 연결되는 정류용 다이오드가 상기 변압기의 2차측 권선 일측단에 연결되어 상기 DC 전류를 정류하고, 상기 2차측 권선의 타측단과 에미터 전극 사이에 연결되는 정류기 출력용 저항을 구비한 이종 접합 쌍극자 트랜지스터(HBT) 소자가 집적된다.In addition, an AC / DC conversion rectifier incorporating the integrated transformer, which is another feature of the present invention, receives an AC voltage applied to a primary winding and generates a magnetic field by a magnetic field induction iron core, which is arranged horizontally on the primary winding. An integrated iron core winding transformer in which a magnetic field induction current is generated in the secondary winding to output a DC current, and the primary and secondary windings are passed through, and the iron core and a portion other than the winding are covered with an insulating surface protective film; A rectifier diode connected to a resistive base metal electrode and a collector metal electrode is connected to one end of the secondary winding of the transformer to rectify the DC current, and a resistor for rectifier output connected between the other end of the secondary winding and the emitter electrode. A heterojunction dipole transistor (HBT) element having a structure is integrated.

아울러, 본 발명의 또 다른 특징인 AC/DC 변환 정류기의 제작방법은, 반 절연성 화합물 반도체 기판상에 순차적으로 성장된 버퍼층 박막과 부 컬렉터층 박막과 컬렉터층 박막과 베이스층 박막과 에미터층 박막과 캡층 박막으로 구성된 에피구조를 형성하는 제 1 과정과, 상기 에피 구조 결과물의 에미터층 박막 상부의 선택된 부분에 저항성 에미터 금속전극을 형성하는 제 2 과정과, 식각에 의해 베이스층 박막의 표면을 노출시킨 후 베이스층 박막 상부의 선택된 부분에 저항성 베이스 금속전극을 형성하는 제 3 과정과, 식각에 의해 부 컬렉터층 박막의 표면을 노출시킨 후 부 컬렉터층 박막 상부의 선택된 부분에 저항성 베이스 금속전극과 연결되는 저항성 컬렉터 금속전극을 형성하는 제 4 과정과, 상기 결과 구조에서 소자 분리 식각에 의해 정류용 다이오드 소자를 정의하고, 소자 분리 식각에 의해 노출된 상기 버퍼층 박막 표면의 선택된 부분에 필요한 1차 배선 금속 및 저항용 금속을 증착하는 제 5 과정과, 그리고 이 결과물의 전체 표면에 1차 절연성 표면 보호막을 도포한 후 HBT소자를 포함한 필요한 부분에 1차 비아 구멍을 식각하고 2차 배선 금속인 자계유도 철심을 증착하며 이어서 2차 절연성 표면 보호막을 도포한 후 필요한 부분에 2차 비아 구멍을 식각하고, 상기 구멍들을 금속으로 채워서 연결시키면서 1, 2차측 권선의 3차 배선 금속을 증착하는 제 6 과정을 포함하여 제작한다.In addition, a method of manufacturing an AC / DC conversion rectifier, which is another feature of the present invention, includes a buffer layer thin film, a secondary collector layer thin film, a collector layer thin film, a base layer thin film and an emitter layer thin film sequentially grown on a semi-insulating compound semiconductor substrate. A first process of forming an epitaxial structure composed of a cap layer thin film, a second process of forming a resistive emitter metal electrode on a selected portion of the upper part of the emitter layer thin film of the epitaxial structure resultant, and exposing the surface of the base layer thin film by etching A third process of forming a resistive base metal electrode on the selected portion of the base layer thin film after exposure, and exposing the surface of the sub collector layer thin film by etching, and then connecting the resistive base metal electrode to the selected portion of the upper portion of the sub collector layer thin film A fourth process of forming a resistive collector metal electrode, and the rectification is performed by device isolation etching in the resultant structure. A fifth process of defining an odd device and depositing a necessary primary wiring metal and a resistance metal on a selected portion of the surface of the buffer layer thin film exposed by device isolation etching, and a primary insulating surface protective film on the entire surface of the resultant After the coating, the primary via hole is etched in the necessary part including the HBT element, the magnetic induction iron core is deposited as the secondary wiring metal, and then the secondary insulating surface protective film is applied, and then the secondary via hole is etched in the required part. The sixth process of depositing the tertiary wiring metal of the primary and secondary windings while filling the holes with metal is connected.

이와 같은 본 발명은 기존의 이종접합 바이폴라 트랜지스터(HBT)의 제작공정을 동시에 사용하여 집적화된 소형 변압기를 제작할 수 있으므로 10GHz급 고속전자회로에서 필요한 제어용 직류전압원을 회로 제작과 동시에 회로내에 제작하여 경제적일 뿐만 아니라 회로의 고속 특성을 유지시켜 줄 수 있을 것으로 기대된다. 또한, 철심 권선형 변압기의 형태를 가지고 있으므로 1,2차 권선비를 자유로이 변환하여 원하는 수준의 전압을 쉽게 얻을 수 있으며, 1, 2차측 권선을 진공 증착방법에 의한 Ti/Au와 같은 고 품질의 금속을 사용하므로 손실이 적고 변환 효율을 극대화할 수 있는 장점이 있다. 또한 사진식각법에 의하여 필요한 형상을 식각하고, 진공 증착에 의하여 1,2차 배선금속을 증착하므로 그 크기를 극소화하여 현재의 안정된 공정을 사용하는 경우 1pF의 커패시턴스에 필요한 정도의 소형 공간만이 필요하다.As described above, the present invention can manufacture an integrated small transformer using the manufacturing process of the existing heterojunction bipolar transistor (HBT) at the same time. Therefore, it is economical to manufacture the control DC voltage source required for the 10GHz high-speed electronic circuit in the circuit at the same time as the circuit fabrication. It is also expected to maintain the high speed characteristics of the circuit. In addition, since it has the form of iron core winding type transformer, it is possible to freely convert the primary and secondary winding ratios to obtain a desired level of voltage, and high quality metal such as Ti / Au by vacuum deposition method for primary and secondary windings. Because of this, the loss is small and the conversion efficiency can be maximized. In addition, since the required shape is etched by photolithography and the first and second wiring metals are deposited by vacuum deposition, the size is minimized and only a small space necessary for capacitance of 1pF is required when using the current stable process. Do.

도 1은 종래의 AC/DC 변환 정류기의 회로도,1 is a circuit diagram of a conventional AC / DC conversion rectifier,

도 2는 본 발명에 따른 집적형 변압기의 구성도,2 is a block diagram of an integrated transformer according to the present invention;

도 3은 본 발명에 따른 집적형 변압기와 이종접합 바이폴라 트랜지스터의 집적화한 AC/DC 전류 변환기 구조의 단면도,3 is a cross-sectional view of an integrated AC / DC current converter structure of an integrated transformer and a heterojunction bipolar transistor according to the present invention;

도 4는 본 발명에 따른 집적 AC/DC 변환 정류기 구조의 평면도.4 is a plan view of an integrated AC / DC conversion rectifier structure according to the present invention.

〈도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명〉<Explanation of symbols for main parts of drawing>

101 : 변압기의 1차측 입력단 102 : 변압기101: primary input terminal of the transformer 102: transformer

103 : 정류용 다이오드 104 : 정류기 출력 부하용 저항103: rectifier diode 104: resistor for rectifier output load

201 : 반 절연성 기판 202 : 버퍼층 박막201: semi-insulating substrate 202: buffer layer thin film

203 : 부 컬렉터층 박막 204 : 컬렉터층 박막203: secondary collector layer thin film 204: collector layer thin film

205 : 베이스층 박막 206 : 에미터층 박막205: base layer thin film 206: emitter layer thin film

207 : 에미터 캡층 박막 208 : 저항성 에미터 금속전극207: emitter cap layer thin film 208: resistive emitter metal electrode

209 : 저항성 베이스 금속전극 210 : 저항성 컬렉터 금속전극209: resistive base metal electrode 210: resistive collector metal electrode

211 : 1차 배선금속 212 : 1차 절연성 표면 보호막211: primary wiring metal 212: primary insulating surface protective film

213 : 1차 비아 구멍 214 : 2차 배선금속 및 자계유도 철심213: primary via hole 214: secondary wiring metal and magnetic field induction iron core

215 : 2차 절연성 표면 보호막 216 : 2차 비아 구멍215: secondary insulating surface protective film 216: secondary via hole

217 : 3차 배선금속 218 : 다이오드 제작용 연결 배선금속217: tertiary wiring metal 218: connecting wiring metal for diode fabrication

219 : 정류기 출력 부하용 저항 221 : 집적형 변압기의 1차측 권선219: resistor for rectifier output load 221: primary winding of integrated transformer

222 : 집적형 변압기의 2차측 권선222: secondary winding of the integrated transformer

240 : HBT로 제작된 정류용 다이오드240: rectifier diode made of HBT

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명을 상세히 설명한다.Hereinafter, with reference to the accompanying drawings will be described in detail the present invention.

도 2는 본 발명에 따른 집적형 철심 권선형 변압기의 실시 예에 대한 구성도이다.2 is a block diagram of an embodiment of an integrated iron core winding transformer according to the present invention.

본 발명에 따른 집적형 철심 권선형 변압기는, 1차측 권선(221), 2차측 권선(222), 상기 1차측 권선과 2차측 권선을 각각 통과하고 자계를 유도하는 폐루프 형태의 자계유도 철심(또는 2차 배선금속)(214)으로 구성되어 있다. 이 변압기는 1차측 권선과 2차측 권선이 수평으로 배열된 형태이다.In the integrated iron core winding transformer according to the present invention, the magnetic field induction iron core of a closed loop type which passes through the primary winding 221, the secondary winding 222, the primary winding and the secondary winding, respectively, and induces a magnetic field ( Or secondary wiring metal) 214. The transformer is a horizontal arrangement of primary and secondary windings.

상기에서 1, 2차측 권선(221, 222)은 1차 배선금속(211)과 3차 배선금속(217) 및 두 배선금속(211, 217)을 연결시켜주는 비아구멍(213, 216)을 통하여 형성된다.In the above, the primary and secondary windings 221 and 222 are formed through the via holes 213 and 216 connecting the primary wiring metal 211 and the tertiary wiring metal 217 and the two wiring metals 211 and 217. Is formed.

이와 같이 구성된 도 2의 작용을 살펴본다. 먼저 1차측 권선(221)에 AC전압이 인가되면 그에 따른 전류가 흐르게 되며 투자율이 높은 자계유도 철심(214)에 자계를 발생시키게 된다. 발생된 자계는 철심을 따라 발생하므로 2차측 권선(222)에도 같은 자계를 미치게 된다. 이 자계는 2차측 권선(222)에 자계 유도 전류를 발생시켜서 권선비에 따른 전압을 2차측 권선에 발생시키는 작용을 하게 된다. 여기서 1, 2차측 권선수는 회로내의 인용 가능한 전압과 원하는 전압의 크기를 고려하여 결정한다.Look at the operation of Figure 2 configured as described above. First, when an AC voltage is applied to the primary winding 221, a current flows according thereto, and a magnetic field inducing high magnetic permeability iron core 214 generates a magnetic field. Since the generated magnetic field is generated along the iron core, the secondary magnetic field 222 also has the same magnetic field. This magnetic field acts to generate a magnetic field induced current in the secondary winding 222 to generate a voltage according to the turns ratio to the secondary winding. Here, the number of primary and secondary windings is determined by considering the quotable voltage and the desired voltage in the circuit.

도 2에 도시된 바와 같은 집적형 철심 권선형 변압기를 제작하는 방법을 도 3의 일부를 참조하여 설명하면 다음과 같다.A method of fabricating an integrated iron core winding transformer as shown in FIG. 2 will now be described with reference to a part of FIG. 3.

먼저, 사진 식각공정을 사용하여 1, 2차측 권선(221, 222)의 1차 배선금속에 해당하는 패턴을 완성하고 진공 증착공정 등을 이용하여 1차 배선금속(211)을 증착한다. 이어서, 1차 절연성 표면보호막(도 3의 '212')을 도포하고 1차 비아구멍(213)을 식각한 후 2차 배선금속을 증착하여 1차 비아구멍(213)을 금속으로 채워서 1차 배선금속(211)과 연결 시키면서 자계유도 철심(214)을 동시에 형성한다. 이때 자계유도 철심(214)은 스퍼터 등과 같은 별도의 증착장비를 이용하여 투자율이 높은 금속막으로 증착할 수 도 있다. 이어서 2차 절연성 표면보호막(도 3의 '215')을 도포하고 2차 비아구멍(216)을 식각한 후 3차 배선금속을 증착하여 2차 비아구멍(216)을 금속으로 채워서 1차 비아구멍(213)과 연결시켜 주면서 1, 2차 권선의 상부 배선 부분인 3차 배선금속(217)을 형성하여 도 2에 도시된 바와 같은 수평으로 배열된 형태의 집적형 철심 권선형 변압기를 완성한다.First, a pattern corresponding to the primary wiring metal of the primary and secondary windings 221 and 222 is completed using a photolithography process, and the primary wiring metal 211 is deposited using a vacuum deposition process or the like. Subsequently, the primary insulating surface protection film ('212' in FIG. 3) is applied, the primary via hole 213 is etched, and the secondary wiring metal is deposited to fill the primary via hole 213 with metal to form the primary wiring. The magnetic field induction iron core 214 is formed at the same time while being connected to the metal 211. In this case, the magnetic field inducing iron core 214 may be deposited as a metal film having a high permeability using a separate deposition apparatus such as a sputter. Subsequently, a secondary insulating surface protection film (“215” in FIG. 3) is applied, the secondary via hole 216 is etched, and the third via metal is deposited to fill the secondary via hole 216 with metal to fill the primary via hole. The third wiring metal 217, which is the upper wiring portion of the primary and secondary windings, is formed while connecting to the 213, thereby completing an integrated iron core winding transformer having a horizontal arrangement as shown in FIG.

상기와 같이 제조되는 집적형 철심 권선형 변압기와 이종접합 바이폴라 트랜지스터(HBT) 소자를 동일 칩 내부에 집적화한 AC/DC 전류 변환기 구조와 그 제작과정을 도 3의 단면도와 도 4를 참조로 하여 설명한다.An AC / DC current converter structure in which the integrated iron core winding transformer and the heterojunction bipolar transistor (HBT) device manufactured as described above are integrated in the same chip and a fabrication process thereof will be described with reference to FIG. 3 and FIG. 4. do.

먼저, HBT 소자를 제작하는 과정을 살펴보면, 반 절연성 화합물 반도체 기판(201)상에 순차적으로 버퍼층 박막(202), 부 컬렉터층 박막(203), 컬렉터층 박막(204), 베이스층 박막(205), 금지대역폭이 큰 에미터층 박막(206), 캡층 박막(207)을 성장한다. 여기서 에미터(206)와 컬렉터(204)에 금지대역폭이 큰 동일 반도체를 사용하는 이중 이종접합 쌍극자 트랜지스터 소자를 제작할 수 있다. 상기 에미터층 박막(206) 상부에 저항성 에미터 금속전극(208)을 형성하고, 식각을 통하여 에미터-베이스 접합 영역을 형성하면서 베이스층 박막(205)의 표면이 노출되도록 식각한 후 결과 구조에 저항성 베이스 금속전극(209)을 형성한다. 이어서 식각을 통하여 베이스-컬렉터 접합 영역을 형성하면서 컬렉터층 박막(204)의 표면이 노출되도록 한 후 결과 구조에 저항성 컬렉터 금속전극(210)을 형성하고 소자 분리 식각을 통하여 이종접합 바이폴라 트랜지스터 소자를 정의한다. 도 1에 도시된 바와 같은 정류용 다이오드(103)를 제작하는 경우에는 저항성 베이스 금속전극(209)과 컬렉터 금속전극(210)을 함께 연결하여 준다.First, a process of fabricating an HBT device will be described. A buffer layer thin film 202, a secondary collector layer thin film 203, a collector layer thin film 204, and a base layer thin film 205 are sequentially formed on a semi-insulating compound semiconductor substrate 201. , The emitter layer thin film 206 and the cap layer thin film 207 having a large forbidden bandwidth are grown. Here, a double heterojunction dipole transistor element using the same semiconductor having a large forbidden bandwidth for the emitter 206 and the collector 204 can be fabricated. The resistive emitter metal electrode 208 is formed on the emitter layer thin film 206, and the surface of the base layer thin film 205 is etched to form the emitter-base junction region through etching, and then the resulting structure is exposed. The resistive base metal electrode 209 is formed. Subsequently, the surface of the collector layer thin film 204 is exposed while forming a base-collector junction region through etching, and then, a resistive collector metal electrode 210 is formed on the resulting structure, and a heterojunction bipolar transistor device is defined through device isolation etching. do. In the case of manufacturing the rectifying diode 103 as shown in FIG. 1, the resistive base metal electrode 209 and the collector metal electrode 210 are connected together.

이와 같이 HBT소자를 제작한 후에 집적형 철심 권선형 변압기를 집적하는데 그 과정을 살펴보면 다음과 같다.After fabricating the HBT device as described above, the integrated iron core winding transformer is integrated.

먼저 1차 배선금속(211)을 상기 버퍼층 박막(202) 위에 증착한다.First, a first wiring metal 211 is deposited on the buffer layer thin film 202.

또한 1차 배선금속을 증착한 버퍼층 박막(202) 위에 저항용 금속(219)을 이어서 증착하고, 상기 완성된 HBT 소자와 집적형 변압기가 형성될 전체 구조의 표면에 절연성 표면 보호막(212)을 도포한 후 HBT를 포함한 필요한 부분에 1차 비아구멍(213)을 건식 식각법을 사용하여 형성하여 준다. 그후 1차 비아 구멍(213)에 금속을 채워넣는다.Further, a resistive metal 219 is subsequently deposited on the buffer layer thin film 202 on which the primary wiring metal is deposited, and an insulating surface protective film 212 is applied to the surface of the entire structure in which the completed HBT element and the integrated transformer are to be formed. After that, the primary via hole 213 is formed in the required portion including the HBT by using a dry etching method. The metal is then filled in the primary via hole 213.

그리고, 집적형 변압기의 2차 배선금속(214)을 증착하여서 변압기의 자계유도 철심을 형성함과 동시에 상기 HBT소자의 배선금속(214)을 형성한다. 여기서 자계유도 철심의 투자율을 높이기 위하여 스퍼터 등과 같은 증착장비를 사용하여 투자율이 높은 자성물질을 증착할 수도 있다.The secondary wiring metal 214 of the integrated transformer is deposited to form the magnetic field induction iron core of the transformer and the wiring metal 214 of the HBT element. Here, in order to increase the magnetic permeability of the magnetic induction iron core, a magnetic material having a high permeability may be deposited using a deposition apparatus such as a sputter.

이어서, 상기 결과물의 표면에 2차 절연성 표면 보호막(215)을 형성하고 HBT 소자를 포함한 필요한 부분에 2차 비아구멍(216)을 건식 식각법을 사용하여 형성한 후, 진공증착 공정에 의하여 2차 비아구멍(216)을 금속으로 채워서 1차 비아구멍(213)의 금속과 연결 시키면서 1, 2차 권선의 상부 금속부분을 형성하는 3차 배선금속(217)을 증착하여 집적형 변압기를 완성한다. 이때, 2차측 권선(222)의 3차 배선금속(217)은 도 4에 도시된 HBT 정류용 다이오드(240)에 연결하고, 2차측 권선(222)의 1차측 배선금속 또는 3차측 배선금속(211, 217)은 상기 정류기 출력 부하용 저항(219)의 일측단에 연결하고, 이 저항(219)의 타측단에는 HBT 소자의 에미터 금속전극(214)에 연결한다.Subsequently, the secondary insulating surface protection film 215 is formed on the surface of the resultant product, and the secondary via hole 216 is formed in the required portion including the HBT element by dry etching, and then the secondary is formed by the vacuum deposition process. Filling the via hole 216 with metal to connect the metal of the primary via hole 213 to deposit the tertiary wiring metal 217 forming the upper metal part of the primary and secondary windings to complete the integrated transformer. At this time, the tertiary wiring metal 217 of the secondary winding 222 is connected to the HBT rectifying diode 240 shown in FIG. 4, and the primary wiring metal or the tertiary wiring metal ( 211 and 217 are connected to one end of the rectifier output load resistor 219, and the other end of the resistor 219 is connected to the emitter metal electrode 214 of the HBT element.

상기의 공정을 거쳐서 완성된 집적형 변압기를 포함한 집적 AC/DC 변환 정류기의 평면도를 도 4에서 제시하였다. 도 4에서 변압기의 1, 2차측 입, 출력단을 표시하는 (221)과 (222)사이의 집적형 철심 권선형 변압기는 도 1의 변압기 (102)와 같은 역할을 하며, 이종접합 바이폴라 트랜지스터의 베이스 금속전극(209)과 컬렉터 금속전극(210)을 연결하는 금속막(218)에 의하여 도 4의 정류용 다이오드(240)는 도 1에서 제시된 정류용 다이오드(103)와 같은 역할을 한다. 또한 도 4에서의 정류기 출력 부하용 저항(219)은 도 1의 정류기 출력 부하용 저항(104)과 같은 역할을 수행한다.A plan view of an integrated AC / DC conversion rectifier including an integrated transformer completed through the above process is shown in FIG. 4. In FIG. 4, the integrated iron core winding type transformer between 221 and 222 indicating primary and secondary input and output ends of the transformer functions as the transformer 102 of FIG. 1, and is the base of the heterojunction bipolar transistor. The rectifying diode 240 of FIG. 4 functions as the rectifying diode 103 shown in FIG. 1 by the metal film 218 connecting the metal electrode 209 and the collector metal electrode 210. Also, the resistor 219 for the rectifier output load in FIG. 4 performs the same function as the resistor 104 for the rectifier output load in FIG. 1.

본 발명의 실시 예에 의한 집적형 변압기를 포함한 집적 AC/DC 변환 정류기를 이용하여 이종접합 바이폴라 트랜지스터 고속 회로 등과 같은 고 집적 회로를 설계하는 경우 회로의 직류 제어를 회로 내부에서 자유로이 할 수 있다는 장점 이외에 필요한 경우 회로내의 차폐를 용이하게 할 수 있다는 장점이 있다.When designing a high integrated circuit such as a heterojunction bipolar transistor high speed circuit using an integrated AC / DC conversion rectifier including an integrated transformer according to an embodiment of the present invention, in addition to the advantage that the DC control of the circuit can be freely performed inside the circuit. There is an advantage that the shielding in the circuit can be facilitated if necessary.

상기에서는 일 실시예의 장치 구조를 설명하였으나 본 발명의 사상에 벗어남이 없이 다르게 실시할 수도 있음은 이 분야에 통산적인 지식을 가진 자는 쉽게 알 수 있을 것이다.In the above description of the device structure of one embodiment, it can be easily understood by those skilled in the art that the present invention may be implemented differently without departing from the spirit of the present invention.

상술한 바와 같이 본 발명에 의하면 기존의 이종접합 바이폴라 트랜지스터를 제작하기 위한 공정을 이용하여 고속회로 제작과 동시에 동일 칩내에 집적형 변압기를 포함한 AC/DC 변환 정류기를 집적회로의 형태로 제작이 가능하다. 이러한 집적형 변압기를 포함한 고속회로는 회로의 부분제어를 위한 직류 전압원을 칩 내부에서 해결할 수 있으므로 그 구조가 간단하고 공정상에서 종래와 비교할 때 많은 장점을 가지고 있으며, 10GHz급 이상의 고속회로에서 내부의 필요한 차폐를 확실하게 하여서 고속회로의 고속 성능을 개선시킬 수 있다.As described above, according to the present invention, an AC / DC conversion rectifier including an integrated transformer in the same chip may be manufactured in the form of an integrated circuit at the same time using a conventional process for manufacturing a heterojunction bipolar transistor. . The high-speed circuit including the integrated transformer can solve the DC voltage source for the partial control of the circuit inside the chip, and its structure is simple and has many advantages compared to the conventional one in the process. The shielding can be ensured to improve the high speed performance of the high speed circuit.

따라서, 본 발명에 의하여 제작된 집적형 변압기를 포함한 AC/DC 변환 정류기는 종래의 직류 전압원과 비교하여 회로의 고속 동작 특성이 향상되도록 하였으며, 이를 이용하여 고속회로를 설계, 제작하면 설계의 허용치가 넓어질 뿐만 아니라 극소형의 높은 성능을 가진 회로의 제작을 가능하게 하여 준다.Therefore, the AC / DC conversion rectifier including the integrated transformer manufactured according to the present invention improves the high-speed operation characteristics of the circuit compared to the conventional DC voltage source. In addition to being wider, it enables the fabrication of extremely high performance circuits.

Claims (13)

집적용 변압기에 있어서,In the integrated transformer, AC 전압이 인가되어 전류가 흐르는 1차측 권선;A primary winding to which an AC voltage is applied and current flows; 상기 전류에 의해 자계를 발생하는 자계유도 철심; 및A magnetic field induction iron core generating a magnetic field by the current; And 상기 1차측 권선과 수평으로 배열되고, 상기 권선들을 폐루프형태로 통과하여 상기 발생된 자계에 의해 자계유도전류를 발생시켜 권선비에 따른 DC 전압을 출력하는 2차측 권선으로 구성된 것을 특징으로 하는 집적형 철심 권선형 변압기 구조.An integrated type comprising: a secondary side winding arranged horizontally with the primary winding and passing the windings in a closed loop to generate a magnetic field induction current by the generated magnetic field to output a DC voltage according to a turns ratio Iron core wound transformer structure. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 1차측 권선과 2차측 권선 각각에는, 권선의 하부와 상부를 연결하기 위한 1, 2차 비아 구멍을 구비하고, 이 구멍에 금속으로 연결된 것을 특징으로 하는 집적형 철심 권선형 변압기 구조.And each of the primary side winding and the secondary side winding has primary and secondary via holes for connecting the lower part and the upper part of the winding, and are connected to the holes by metal. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 1차측 권선과 2차측 권선의 상, 하면에는 다른 소자와 연결하기 위한 배선금속이 각각 구비된 것을 특징으로 하는 집적형 철심 권선형 변압기의 구조.The upper and lower surfaces of the primary winding and the secondary winding have wiring metals for connecting with other elements, respectively. 1, 2차측 권선의 1차 배선금속에 해당하는 패턴을 사진 식각공정에 의해 형성한 후 하부 배선 부분인 1차 배선금속을 증착하는 제 1 단계;A first step of forming a pattern corresponding to the primary wiring metal of the primary and secondary windings by a photolithography process and then depositing the primary wiring metal as the lower wiring portion; 1차 절연성 표면보호막을 도포하고 1차 비아구멍을 식각한 후 2차 배선금속을 증착하여 1차 비아구멍을 금속으로 채워서 1차 배선금속과 연결시키면서 자계유도 철심을 동시에 형성하는 제 2 단계; 및A second step of applying a primary insulating surface protection film, etching the first via hole, and depositing a second wiring metal to fill the first via hole with metal to connect with the first wiring metal to form a magnetic field induction iron core simultaneously; And 이 결과물 위에 2차 절연성 표면보호막을 도포하고 2차 비아구멍을 식각한 후 3차 배선금속을 증착하여 2차 비아구멍을 금속으로 채워서 1차 비아구멍과 연결시켜 주면서 1, 2차측 권선의 상부 배선 부분인 3차 배선금속을 형성하는 제 3 단계를 수행하여 수평으로 배열된 형태의 집적형 철심 권선형 변압기를 제작하는 것을 특징으로 하는 집적형 철심 권선형 변압기의 제작방법.Apply the secondary insulating surface protection film on the resultant, etch the secondary via hole, and then deposit the tertiary wiring metal to fill the secondary via hole with metal to connect with the primary via hole, and connect the upper wiring of the primary and secondary windings. A method of manufacturing an integrated iron core winding transformer, comprising: forming an integrated iron core winding transformer in a horizontal arrangement by performing a third step of forming a tertiary wiring metal as a part. 제 4 항에 있어서,The method of claim 4, wherein 상기 1차, 2차 배선금속은 진공 증착공정을 이용하여 증착하는 것을 특징으로 하는 집적형 철심 권선형 변압기의 제작방법.The primary and secondary wiring metal is a method of manufacturing an integrated iron core winding transformer, characterized in that the deposition by using a vacuum deposition process. 제 4 항에 있어서,The method of claim 4, wherein 상기 자계유도 철심은 스퍼터를 이용하여 금속막으로 증착하는 것을 특징으로 하는 집적형 철심 권선형 변압기의 제작방법.The magnetic field induction iron core is a method of manufacturing an integrated iron core winding type transformer, characterized in that to deposit a metal film using a sputter. 제 4 항에 있어서,The method of claim 4, wherein 상기 1, 2차측 권선은 Ti/Au 를 사용하여 제작하는 것을 특징으로 하는 집적형 철심 권선형 변압기의 제작방법.The primary and secondary windings are manufactured using an integrated iron core winding transformer, characterized in that the production using Ti / Au. AC/DC 변환 정류기의 구조에 있어서,In the structure of the AC / DC conversion rectifier, 1차측 권선에 인가되는 AC 전압을 받아 자계유도 철심에 의해서 자계를 발생하여 상기 1차측 권선에 수평으로 배열된 2차측 권선에 자계유도 전류를 발생시켜 DC 전류를 출력하고, 상기 1, 2차측 권선이 통과되는 부분과 상기 철심 및 상기 권선 이외의 부분에 절연성 표면 보호막으로 덮여지는 집적형 철심 권선형 변압기;Receives an AC voltage applied to the primary winding, generates a magnetic field by the magnetic field induction core, generates a magnetic field induction current in the secondary winding arranged horizontally on the primary winding, and outputs a DC current. The primary and secondary windings An integrated iron core winding transformer which is covered with an insulating surface protection film on a portion through which the iron core and the winding core are passed; 저항성 베이스 금속전극과 컬렉터 금속전극이 연결되는 정류용 다이오드가 상기 변압기의 2차측 권선 일측단에 연결되어 상기 DC 전류를 정류하고, 상기 2차측 권선의 타측단과 에미터 금속전극 사이에 연결되는 정류기 출력용 저항을 구비한 이종 접합 쌍극자 트랜지스터(HBT) 소자가 집적된 것을 특징으로 하는 AC/DC 변환 정류기의 구조.A rectifier diode connected to a resistive base metal electrode and a collector metal electrode is connected to one end of the secondary winding of the transformer to rectify the DC current, and is used for rectifier output connected between the other end of the secondary winding and the emitter metal electrode. A structure of an AC / DC conversion rectifier characterized by the integration of a heterojunction dipole transistor (HBT) device with a resistor. 제 8 항에 있어서,The method of claim 8, 상기 1, 2차측 권선은, 2차 배선 금속인 상기 자계유도철심의 하부 및 상부에 1 차 배선금속 및 3차 배선금속이 각기 설치되고, 이 1차 배선금속과 3차 배선금속이 1, 2차 비아 구멍에 채워진 금속으로 각각 연결된 것을 특징으로 하는 AC/DC 변환 정류기의 구조.The primary and secondary windings are provided with a primary wiring metal and a tertiary wiring metal, respectively, in the lower portion and the upper portion of the magnetic induction core which are secondary wiring metals. A structure of an AC / DC conversion rectifier, characterized in that each is connected to a metal filled in a secondary via hole. 제 8 항 또는 제 9 항에 있어서,The method according to claim 8 or 9, 상기 2차측 권선의 3차 배선금속은 상기 정류용 다이오드의 일측에 연결되고, 1차 배선 금속은 상기 부하용 저항에 연결된 것을 특징으로 하는 AC/DC 변환 정류기의 구조.The tertiary wiring metal of the secondary winding is connected to one side of the rectifying diode, the primary wiring metal structure of the AC / DC conversion rectifier, characterized in that connected. 반 절연성 화합물 반도체 기판상에 순차적으로 성장된 버퍼층 박막과 부 컬렉터층 박막과 컬렉터층 박막과 베이스층 박막과 에미터층 박막과 캡층 박막으로 구성된 에피구조를 형성하는 제 1 과정;Forming an epi structure comprising a buffer layer thin film, a sub collector layer thin film, a collector layer thin film, a base layer thin film, an emitter layer thin film, and a cap layer thin film sequentially grown on a semi-insulating compound semiconductor substrate; 상기 에피 구조 결과물의 에미터층 박막 상부의 선택된 부분에 저항성 에미터 금속전극을 형성하는 제 2 과정;Forming a resistive emitter metal electrode on a selected portion of the upper part of the emitter layer thin film of the epitaxial structure resultant; 식각에 의해 베이스층 박막의 표면을 노출시킨 후 베이스층 박막 상부의 선택된 부분에 저항성 베이스 금속전극을 형성하는 제 3 과정;Exposing the surface of the base layer thin film by etching to form a resistive base metal electrode on a selected portion of the base layer thin film; 식각에 의해 부 컬렉터층 박막의 표면을 노출시킨 후 부 컬렉터층 박막 상부의 선택된 부분에 저항성 베이스 금속전극과 연결되는 저항성 컬렉터 금속전극을 형성하는 제 4 과정;Exposing the surface of the secondary collector layer thin film by etching and forming a resistive collector metal electrode connected to the resistive base metal electrode on a selected portion of the secondary collector layer thin film; 상기 결과 구조에서 소자 분리 식각에 의해 정류용 다이오드 소자를 정의하고, 소자 분리 식각에 의해 노출된 상기 버퍼층 박막 표면의 선택된 부분에 필요한 1차 배선 금속 및 저항용 금속을 증착하는 제 5 과정; 및Defining a rectifying diode device by device isolation etching in the resultant structure, and depositing a first wiring metal and a resistance metal required for a selected portion of the surface of the buffer layer thin film exposed by device isolation etching; And 이 결과물의 전체 표면에 1차 절연성 표면 보호막을 도포한 후 HBT소자를 포함한 필요한 부분에 1차 비아 구멍을 식각하고 2차 배선 금속인 자계유도 철심을 증착하며 이어서 2차 절연성 표면 보호막을 도포한 후 필요한 부분에 2차 비아 구멍을 식각하고, 상기 구멍들을 금속으로 채워서 연결시키면서 1, 2차측 권선의 3차 배선 금속을 증착하는 제 6 과정을 포함하여 제작하는 것을 특징으로 하는 집적형 철심 권선형 변압기를 집적한 AC/DC 변환 정류기의 제작방법.After applying the primary insulating surface protective film on the entire surface of the resultant, the primary via hole is etched in the necessary part including the HBT element, the magnetic induction iron core, which is the secondary wiring metal, is deposited, and then the secondary insulating surface protective film is applied. An integrated iron core winding transformer is manufactured by etching a secondary via hole in a required part, and depositing the third wiring metal of the primary and secondary windings while filling the holes with metal and connecting the holes. Method of integrated AC / DC conversion rectifier. 제 11 항에 있어서,The method of claim 11, 상기 베이스 금속전극과 컬렉터 금속전극을 금속막에 의해 연결하여 정류 다이오드를 제작하는 것을 특징으로 하는 AC/DC 변환 정류기의 제작방법.And manufacturing a rectifying diode by connecting the base metal electrode and the collector metal electrode by a metal film. 제 11 항에 있어서,The method of claim 11, 상기 1, 2차 비아 구멍은 진공증착공정에 의해 금속을 채우는 것을 특징으로 하는 AC/DC변환 정류기의 제작방법.The first and second via holes are filled with metal by a vacuum deposition process, characterized in that the AC / DC conversion rectifier manufacturing method.
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