KR20000032965A

KR20000032965A - 전력 트랜지스터의 개선된 온도보상회로

Info

Publication number: KR20000032965A
Application number: KR1019980049602A
Authority: KR
Inventors: 차재민
Original assignee: 윤종용; 삼성전자 주식회사
Priority date: 1998-11-18
Filing date: 1998-11-18
Publication date: 2000-06-15

Abstract

본 발명은 온도보상회로에 관해 개시한다. 특히, 본 발명은 무선이동통신 고주파 및 마이크로파 장비의 온도보상회로 등에 적용한 전력 트랜지스터의 개선된 온도보상회로에 관한 것이다. 본 장치는, 온도보상 다이오드 D2와, D2와 직렬로 연결된 보정기능의 저항 R2와, R2와 직렬로 연결되어 전압강하를 보상하는 D1과, D1을 베이스에 연결하여 다이오드 전류를 증폭시키는 에미터 플로워 Q2와, Q2의 베이스와 컬렉터에 연결되어 바이어스 전류를 조절하는 저항 R1과, R1에 연결되어 Q2의 바이어스를 인가하는 전원 V_BB및 Q2의 에미터에 병렬로 연결된 인덕터 L1 및 캐패시터 C1으로 구성된다. 따라서, 본 발명은 온도보상용 다이오드에 적절한 값의 저항을 직렬로 연결함으로써, 사용하고자 하는 전력 트랜지스터의 온도 특성과 비슷한 온도 특성을 갖는 온도보상용 다이오드를 선정하더라도 적절한 저항값을 조정하여 전력 트랜지스터의 온도특성과 정확하게 같은 특성을 얻을 수 있는 효과가 있다.

Description

전력 트랜지스터의 개선된 온도보상회로

본 발명은 온도보상회로에 관한 것으로, 특히 무선이동통신 고주파 및 마이크로파 장비의 온도보상회로 등에 적용한 전력 트랜지스터의 개선된 온도보상회로에 관한 것이다.

도 1 은 종래의 전력 트랜지스터의 온도보상회로 구성도이다. 이에 도시한 바와, 같이 인덕터 L1(20)과, 캐패시터 C1(30)과, 저항 R1(50)과, 사용하고자 하는 전력 트랜지스터 Q1(10)과, 다이오드 D1(60)과 D2(70)의 전류를 증폭시키는 에미터 폴로워(emitter follower) Q2(40)와, Q2(40)의 V_BE를 보상하는 다이오드 D1(60)과, Q1(10)의 온도보상용 다이오드 D2(70)로 구성된다.

온도보상용 다이오드 D2(70)는 전력 트랜지스터 Q1(10)의 베이스-에미터 간 다이오드의 온도특성과 동일한 온도특성을 갖고 있고, 서로 극성을 달리 하고 있으므로 온도보상이 가능하다. 하지만, 온도보상용 다이오드의 선정에 있어 사용하고자 하는 전력 트랜지스터와 동일한 온도특성을 갖는 다이오드 또는 트랜지스터를 선정했었다.

이와 같이 종래의 온도보상회로에 있어서는 온도보상용 다이오드의 선정시 사용하고자 하는 전력 트랜지스터와 동일한 온도특성을 갖는 다이오드 또는 트랜지스터를 선정해야 하는 문제점이 있었다.

따라서, 본 발명의 목적은 온도보상용 다이오드에 적절한 값의 저항을 직렬로 연결함으로써, 사용하고자 하는 전력 트랜지스터의 온도 특성과 비슷한 온도 특성을 갖는 온도보상용 다이오드를 선정하더라도 적절한 저항값을 조정함으로써 상기의 문제점을 해결한다.

상기의 목적을 달성하기 위한 본 발명의 구체적인 수단으로, 온도보상 다이오드 D2(170); 상기 D2(170)와 직렬로 연결된 보정기능의 저항 R2(160); 상기 R2(160)와 직렬로 연결되어 전압강하를 보상하는 D1(150); 상기 D1(150)을 베이스에 연결하여 다이오드 전류를 증폭시키는 에미터 플로워 Q2(130); 상기 Q2(130)의 베이스와 컬렉터에 연결되어 바이어스 전류를 조절하는 저항 R1(140); 상기 R1(140)에 연결되어 Q2(130)의 바이어스를 인가하는 전원 V_BB(180); 및 상기 Q2(130)의 에미터에 병렬로 연결된 인덕터 L1(110) 및 캐패시터 C1(120)로 구성함으로써 달성된다.

도 1 은 종래의 전력 트랜지스터의 온도보상회로 구성도.

도 2 는 본 발명 전력 트랜지스터의 개선된 온도보상회로의 일실시 예.

〈도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명〉

10, 100 : 전력 트랜지스터 Q1

20, 110 : 인덕터 L1

30, 120 : 캐패시터 C1

40, 130 : 전력 트랜지스터 Q2

50, 140 : 저항 R1

60, 150 : 다이오드 D1

70, 170 : 다이오드 D2

160 : 저항 R2

180 : V_BB

이하에서 본 발명의 바람직한 실시 예를 첨부한 도면에 의거 상세히 설명하면 다음과 같다.

도 2 는 본 발명 전력 트랜지스터의 개선된 온도보상회로의 일실시 예이다. 이에 도시한 바와 같이, 바이어스 전류를 조정하기 위한 저항 R1(140)과, R1(140)에 연결되어 Q2(130)의 바이어스를 인가하는 전원 V_BB(180)와, Q1(100) 및 D2(170)의 온도특성을 맞추기 위하여 D2(170)에 직렬로 연결된 저항 R2(160)와, 고주파 신호가 바이어스 회로로 들어가는 것을 블로킹(Blocking)하는 인덕터 L1(110) 및 캐패시터 C1(120)이 Q1(100)의 베이스(Base)단에 각각 직렬 및 병렬로 연결되어 구성된다. 이의 작용 및 효과를 도 2 를 참조하여 상세히 설명하면 다음과 같다.

적절하게 조정된 저항 R1(140)에 의해 Q2(130)가 바이어스 되면, D1(150)과 D2(170)의 다이오드 전류와 크기가 동일한 전류가 에미터 폴로워 Q2(130)의 베이스로 흘러 이를 증폭한 Q2(130)의 에미터 전류가 전력 트랜지스터 Q1(100)을 바이어스 시킨다. 그리고, D1(150)에서는 Q2(130)의 베이스-에미터 간의 전압과 동일한 전압강하가 있으며, 저항 R2(160)와 온도보상 다이오드 D2(170)의 전압의 합이 전력 트랜지스터 Q1(100)의 베이스-에미터 간의 전압과 동일하며 서로 극성이 반대이고, 다이오드의 일반적인 온도특성으로 온도가 변함에 따라 다이오드의 턴온(Turn-on) 전압이 변하게 된다.

그런데, 온도특성이 동일하게 선택된 전력 트랜지스터 Q1(100)과 온도보상 다이오드 D2(170)의 극성을 반대로 연결함으로써, 온도변화에 따른 턴온 전압의 변화를 보상할 수 있게 된다. 또한, 온도보상 다이오드 D2(170)에 직렬로 연결된 저항 R2(160)에 의해 온도보상 다이오드 R2(160)의 온도특성을 전력 트랜지스터 Q1(100)의 온도특성과 동일하게 구현할 수 있다.

이상에서 상세히 설명한 바와 같이 본 발명은 온도보상용 다이오드에 적절한 값의 저항을 직렬로 연결함으로써, 사용하고자 하는 전력 트랜지스터의 온도 특성과 비슷한 온도 특성을 갖는 온도보상용 다이오드를 선정하더라도 적절한 저항값을 조정하여 전력 트랜지스터의 온도특성과 정확하게 같은 특성을 얻을 수 있는 효과가 있다.

Claims

온도보상 다이오드(D2)와;

상기 온도보상 다이오드(D2)와 직렬로 연결된 보정기능의 저항(R2)과;

상기 저항(R2)과 직렬로 연결되어 전압강하를 보상하는 다이오드(D1)와;

상기 다이오드(D1)를 베이스에 연결하여 다이오드 전류를 증폭시키는 에미터 플로워(Q2)와;

상기 에미터 플로워(Q2)의 베이스와 컬렉터에 연결되어 바이어스 전류를 조절하는 저항(R1)과;

상기 저항(R1)에 연결되어 에미터 플로워(Q2)의 바이어스를 인가하는 전원(V_BB); 및

상기 에미터 플로워(Q2)의 에미터에 병렬로 연결된 인덕터(L1) 및 캐패시터(C1)로 구성됨을 특징으로 하는, 전력 트랜지스터의 개선된 온도보상회로.
제 1 항에 있어서, 상기 온도보상 다이오드(D2)는 전력 트랜지스터(Q1)의 온도특성과 유사함을 특징으로 하는, 전력 트랜지스터의 개선된 온도보상회로.
제 1 항에 있어서, 상기 저항(R1)은 온도보상 다이오드(D2)의 온도특성을 전력 트랜지스터(Q1)의 온도특성과 동일하게 보상함을 특징으로 하는, 전력 트랜지스터의 개선된 온도보상회로.