KR20000028985A - 직류 전압 변환기를 실현하기 위하여 집적 회로를포함하는 반도체 장치 - Google Patents

직류 전압 변환기를 실현하기 위하여 집적 회로를포함하는 반도체 장치 Download PDF

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Abstract

본 발명은, 제 1 DC 바이어스 전압(VDD)을 갖는 집적 회로를 포함하는 반도체 장치로서, 상기 집적 회로는, DC 전압 변환기를 실현하기 위하여, 상기 제 1 DC 바이어스 전압에 기초하여 AC 신호를 생성하기 위한 발진기 기능을 갖는 회로 소자와, 상기 정류된 AC 신호에 기초하여 상기 제 1 바이어스 전압의 부호와 반대 부호의 제 2 DC 바이어스 전압(VOUTP)을 생성하기 위한 정류기 기능을 갖는 회로 소자를 구비하고, 상기 두 회로 소자는 상호 의존적인 발진기 기능과 정류기 기능을 갖는, 반도체 장치에 관한 것이다. 상기 집적 회로는, 발진기 기능을 수행하기 위하여, 소스(S1, S2)가 집합적으로 접지에 연결되게 차동적으로 배열되고 AC 신호를 생성하는 전계효과 트랜지스터(T1 및 T2)를 구비한 두 개의 증폭기 스테이지(T1,L1; T2,L2)를 포함하고, 정류기 기능을 수행하기 위하여, 병렬로 연결되고 각각 반대 위상의 AC 신호의 교체를 정류시키는 두 개의 반파 정류기 스테이지(Δ3,T1; Δ4,T2)를 포함한다.
응용으로서는 휴대형 송신 기기를 들 수 있다.

Description

직류 전압 변환기를 실현하기 위하여 집적 회로를 포함하는 반도체 장치{SEMICONDUCTOR DEVICE INCLUDING AN INTEGRATED CIRCUIT FOR REALIZING A DC VOLTAGE CONVERTER}
본 발명은 DC 전압 변환기를 실현하기 위하여 집적 회로를 포함하는 반도체 장치에 관한 것이다.
본 발명은, 이동 및 무선 전화기, 및 일반적으로는 휴대용 응용기기에서 사용되는 집적 회로를 포함하는 반도체 장치의 제조 산업에서 그 응용을 찾을 수 있다.
일반적으로 휴대형 기기를 위해, 전원 공급은 배터리에 의해 양의 DC 전압 형태로 제공된다. 이들 휴대형 기기는 전화 송신 기능(송/수신)과 많은 다른 기능을 포함할 수 있다. 많은 수의 이들 기능은 집적 회로의 사용에 의해 보장되는데, 이러한 집적 회로는 한 편으로는 배터리의 DC 전압에 의해 전달되는 양의 DC 바이어스 전압을, 다른 한 편으로는 생성될 음의 바이어스 전압을 빈번하게 필요로 한다.
복수 DC 전압의 생성기는 유럽특허출원(EP 0 176 823호)으로 이미 공지되었다. 상기 특허의 명세서는, 1차 권선이 표준 분배 네트워크에 연결되는 트랜스의 2차 권선에 의해 생성된 AC 전압에 인가되는 다이오드 정류기 회로에 대해 기술한다.
서로 다른 값을 갖는 두 부호의 DC 전압을 제공하기 위하여, 상기 회로는 트랜스의 두 개의 2차 권선으로부터 나오는 두 개의 AC 전압과, 4개의 다이오드 및 두 개의 커패시터와 연결 커패시터에 의해 형성되는 한 개의 정류기를 포함하거나, 또는 한 개의 2차 권선으로부터 나오는 한 개의 AC 전압과, 직렬 또는 병렬로 배열된 2 개의 정류기 회로를 포함하는데, 이들 두 정류기 회로를 위해 8개의 다이오드와, 별도의 커패시터를 제외한 4개의 커패시터가 필요하다.
이러한 장치는 전체적으로 집적될 수 없고, AC 네트워크에 연결하여야만 하고, 귀찮은 트랜스를 사용하여야만 할 필요가 있고, 더욱이 회로 자체는 트랜스의 크기가 줄어든다면 증가된 수의 요소를 포함할 것이다.
본 발명의 목적은, 표준 셀 또는 배터리에 의한 양의 DC 전원에 기초하여 음의 DC 전압을 생성하기 위해 적합한 완전히 집적된 회로를 포함하는 반도체 장치를 제공하는 것이다.
이러한 목적은 청구항 1항에서 청구된 장치에 의해 달성된다.
이러한 장치의 장점은, MMIC형(Monolithic Microwave Integrated Circuits: 단일 마이크로파 집적 회로)의 휴대형 또는 무선 전화기 및 다른 휴대형 기기에서 현재 사용되는 마이크로파 집적 회로 기술로 완전히 집적될 수 있다는 점이다. 지금까지, 집적 반도체 장치의 외부에 존재하던 공지된 DC 전압 변환기 장치에 대해서 완전한 집적은 이루어지지 못했다. MMIC 회로의 기능을 위해 필요한 다양한 DC 전압은 MMIC 밖에서 생성되었다.
이러한 장치의 다른 장점은, MMIC 기판으로 집적될 수 있다는 점뿐만 아니라, MMIC 자체의 양의 바이어스 전압에 기초하여 음의 DC 전압을 생성한다는 점이다. 이러한 결과, 상기 장치는 이들 MMIC를 포함하는 휴대형 기기의 표준 셀 또는 배터리에 의해, 간단하게 MMIC와 동시에 전원을 공급받는 다는 점이다.
일반적인 방법에 있어서, 본 발명은 음의 전압 및 양의 전압에 의해 전원을 공급받는 스테이지를 구비하는 집적 회로에서 그 응용을 찾을 수 있다.
본 발명의 이들 및 다른 특성은 이후에 설명되는 실시예를 참조로 제한되지 않는 예를 통해 자명해질 것이며, 또한 설명될 것이다.
도 1은 DC 전압 변환기 회로를 도시하는 도면.
＜도면 주요 부분에 대한 부호의 설명＞
T1,T2 : 전계효과 트랜지스터 Δ3,Δ4 : 다이오드
G1,G2 : 게이트 D1, D2 : 드레인
S1,S2 : 소스 L1, L2 : 자체 인덕턴스
DC 전압 변환기 회로는, VDD로 표시된 단자 상에서 유용한, 표준 셀 또는 배터리에 의해 생성된 양의 DC 전압을, OUTP로 표시된 단자 상에서 유용한 음의 DC 전압으로 변환하기 위하여, 집적 회로에 의해 형성된 수단을 포함한다. 양의 DC 전압은, 집적 회로의 양의 바이어스 전압을 바람직하게는 DC 전압 변환기 회로와 동일한 기판 상에서 실현하기 위하여 사용된다. 단자(OUTP) 상에서 생성된 음의 DC 전압은 이러한 집적 회로의 음의 바이어스 전압을 실현하기 위해 사용된다. 실제로, 집적 회로가 전계효과 트랜지스터에 의해 실현될 때, 트랜지스터의 드레인 바이어스는 간혹 양의 DC 전압을 필요로 하고, 게이트 바이어스는 음의 DC 전압을 필요로 한다.
이러한 DC 전압 변환기 회로는, 단일 기판 상에 단일체로 집적될 수 있는 마이크로파 회로의 기술과 모두 양립할 수 있는 라인 소자, 커패시터, 다이오드 및 전계효과 트랜지스터에 의해 형성된다. 오늘날, MMIC로 표시되는 이들 회로는 갈륨 비소의 반절연 기판 상에 유리하게 증착되는데, 상기 기판 상에 화학 주기율표 III-V족 재질의 적층이 실현되고, 회로의 소자는 예컨대 포토리소그래피 기술을 포함하는 단계로 증착된다. 이들 MMIC는 상술한 원격 통신에 대한 응용을 위한 마이크로파 주파수 영역에서 동작한다. 이들 회로는 극도로 치밀하고, 휴대형 송신 장치에 삽입하기에 유리하다.
도 1에 도시된 DC 전압 변환기 회로는 먼저 동일한 값을 갖는 두 개의 자체 인덕턴스(L1 및 L2)를 포함하는데, 이들 인덕턴스는 이들의 한 단부에 의해 양의 DC 전원의 단자(VDD)에 연결되고, 이들의 다른 단부에 의해 노드(D1 및 D2)에 각각 연결된다.
도 1의 회로는 그후 두 개의 전계효과 트랜지스터(T1 및 T2)를 포함한다. 트랜지스터(T1)의 드레인(D1)은 자체 인덕턴스(L1)에 접속하기 위한 노드(D1)를 형성한다. 트랜지스터(T2)의 드레인(D2)은 자체 인덕턴스(L2)에 접속하기 위한 노드(D2)를 형성한다. 각 트랜지스터(T1 및 T2)의 소스(S1 및 S2)는 각각 접지에 연결된다.
트랜지스터(T1)의 게이트(G1)는 커패시터(C2)를 경유하여 트랜지스터(T2)의 드레인(D2)에 연결된다. 트랜지스터(T2)의 게이트(G2)는 커패시터(C1)를 경유하여 트랜지스터(T1)의 드레인(D1)에 연결된다. 커패시터(C1 및 C2)는 DC 차단 커패시터외의 다른 기능은 갖지 않는다.
회로의 출력 단자(OUTP)는 한 편으로는 DC 차단 커패시터(C3)를 경유하여 접지에 연결되고, 다른 한 편으로는 다이오드(Δ3 및 Δ4)를 경유하여 각 게이트(G1 및 G2)에 각각 연결된다.
상술한 회로는 발진기 및 정류기를 형성한다. 발진기 또는 정류기 기능을 갖는 각 회로 소자는 전계효과 트랜지스터(T1 및 T2)의 고유 소자, 고유 커패시터 또는 다이오드를 사용하고, 따라서 이러한 회로는 발진기 기능을 순수하게 갖는 회로 부분 또는 정류기 기능을 순수하게 갖는 회로 부분으로 분리될 수 없다. 이들 부분은 상호 의존적이다.
발진기 기능을 갖는 회로 부분은 특정 목적에 대해 사전에 결정되는 주파수로 AC 신호를 생성하는 작업을 하지 않음을 인식해야 한다. 상기 회로는 높은 주파수의 AC 신호를 생성하는 것으로 충분하다.
발진기 기능을 갖는 회로부분은 자체 인덕턴스(L1 및 L2)의 접속과, 각 트랜지스터(T1 및 T2)의 게이트-소스간 고유 커패시턴스(CGS1및 CGS2)를 포함한다. 자체 인덕턴스(L1 및 L2)를 위해 선택된 값은 각 트랜지스터(T1 및 T2)의 선택에 의존하는 고유 커패시턴스(CGS1및 CGS2)의 값에 동조된다. 이들 고유 커패시턴스(CGS1및 CGS2)가 적을수록, AC 신호에 대해 얻어지는 주파수는 높아진다. 상술한 바와 같이, 연결 커패시터(C1 및 C2)는 발진 주파수에는 영향을 미치지 않는다.
발진기 기능을 갖는 회로 부분을 실현하기 위하여, 전계효과 트랜지스터(T1 및 T2)의 고유 특성은 이로부터 이득이 얻어진다.
자체 인덕턴스(L1 및 L2)에 접속된 트랜지스터(T1 및 T2)는, 선택적으로 제 1 트랜지스터(T1)의 입력(G1)이 제 2 트랜지스터(T2)의 출력(D2)에 연결되고, 제 2 트랜지스터(T2)의 입력(G2)은 제 1 트랜지스터(T1)의 출력(D1)에 연결되도록, 접속되는 두 개의 증폭기를 형성한다.
이들 조건에 있어서, 증폭되는 회로의 잡음은 회로가 발진 기능을 수행하기에 충분한 불안정성을 야기한다. 상기 회로의 이러한 부분에서 생성된 AC 전압은 DC 전압(VDD)에 겹쳐진다.
DC 전압 변환기 회로는 정류기 기능을 갖는 회로 부분을 더 포함한다. 정류기 기능을 수행하기 위하여, 트랜지스터(T1)의 고유 다이오드에 접속된 다이오드(Δ3)는 AC 신호의 첫 번째 교체를 정류시키고, 트랜지스터(T2)의 고유 다이오드에 접속된 다이오드(Δ4)는 AC 신호의 두 번째 교체를 정류시킨다. 실제로, 이러한 회로에서 AC 신호의 양의 교체는 브랜치(Δ3, T1)에서 한 순간에 발생하고, 반주기 이후에 다른 양의 교체는 브랜치(Δ4, T2)에서 발생한다.
따라서, 발진기는 차동 모드 발진기이므로, 발생하는 제 1 양의 교체는 도 1에 도시된 회로의 왼쪽 브랜치에 배열된 다이오드(Δ3)와 트랜지스터(T1)에 의해 정류되고, 반주기 이후 발생하는 제 2 양의 교체는 도 1에 도시된 회로의 오른쪽 브랜치에 배열된 다이오드(Δ4)와 트랜지스터(T2)에 의해 정류된다. 브랜치(Δ3,T1 및 Δ4, T2)는 차례로 동작한다.
이러한 회로는 따라서, 병렬 접속된 출력을 갖고, 반대 위상 입력 신호에 가해지는 두 개의 반파 정류기의 접속을 형성한다.
이러한 회로는 따라서, 단자(OUTP)에서 값(VOUTP)을 갖는 음의 DC 전압과 단자(VDD)에서 유용한 값(VDD)을 갖는 DC 신호을 얻을 수 있게 하는데, 이들의 비율은,
, 일반적으로 VDD는 표준 배터리 전압인 3V 정도이고, 따라서, VOUTP= -6 V 이다.
이러한 신호(VOUTP)는, 반도체 장치에 병합된 MMIC에서 사용되고, 휴대형 기기에 포함된 전계효과 트랜지스터의 게이트를 바이어스시키기 위해 유리하게 사용된다.
매우 적은 전력소모가 요구된다면, 이러한 회로는 더 적은 전력을 갖는 트랜지스터로 실현될 수도 있는데, 이러한 트랜지스터는 더 적은 증폭도를 가져,
VDD= 3 V이고, 따라서 VOUTP= -3 V 이다.
이와 같이, 드레인의 자체 인덕턴스(L1 및 L2)가 접속되는 고유 소자를 갖는 트랜지스터 전력의 함수로서, 당업자라면 소정의 주어진 값(VOURP)을 VDD의 함수로서 쉽게 얻을 수 있다.
반도체 장치에 포함된 이러한 DC 전압 변환기 회로는 셀 또는 배터리에 의해 전원을 공급받는 휴대형 기기에서 유리하게 사용된다.
반도체 장치에 포함된 이러한 DC 전압 변환기 회로는, 예컨대 셀 또는 배터리에 의해 전원을 공급받는 이동 전화기와 같은 휴대형 기기에서 유리하게 사용된다.
반도체 장치에 포함된 이러한 DC 전압 변환기 회로는, 예컨대 셀 또는 배터리에 의해 전원을 공급받는 무선 전화기와 같은 휴대형 기기에서 유리하게 사용된다.
반도체 장치에 포함된 이러한 DC 전압 변환기 회로는 예컨대, 셀 또는 배터리에 의해 전원을 공급받는 예컨대 원격 통신 데이터 전달기능을 갖는 개인용 컴퓨터 기능을 수행하기 위한 프로세서를 구비한 계산기와 같은 휴대형 기기에서 유리하게 사용된다.

Claims (10)

  1. 제 1 DC 바이어스 전압을 갖는 집적 회로를 포함하는 반도체 장치로서, 상기 집적 회로는, DC 전압 변환기를 실현하기 위하여, 상기 제 1 DC 바이어스 전압에 기초하여 AC 신호를 생성하기 위한 발진기 기능을 갖는 회로 소자와, 상기 정류된 AC 신호에 기초하여 상기 제 1 바이어스 전압의 부호와 반대 부호의 제 2 DC 바이어스 전압을 생성하기 위한 정류기 기능을 갖는 회로 소자를 구비하고, 상기 두 회로 소자는 상호 의존적인 발진기 기능과 정류기 기능을 갖는, 반도체 장치.
  2. 제 1항에 있어서, 상기 집적 회로는, 발진기 기능을 수행하기 위하여, 공통 소스가 접지에 연결되는 차동 방법으로 배열되고, AC 신호를 생성하는 두 개의 전계효과 트랜지스터 증폭기 스테이지를 포함하고, 정류기 기능을 수행하기 위하여, 병렬로 배열되고 각각 반대 위상의 AC 신호의 교체를 정류시키는 두 개의 반파 정류기 스테이지를 포함하는, 반도체 장치.
  3. 제 2항에 있어서, 상기 증폭기 스테이지는, 대응하는 트랜지스터의 게이트-소스 커패시턴스에 동조되는 자체 인덕턴스를 경유하여 상기 제 1 DC 바이어스 전압이 드레인에 공급되는 전계효과 트랜지스터를 각각 포함하고, 각 트랜지스터는, 상기 제 1 바이어스 전압에 의해 수행되는 AC 신호를 생성하기 위한 다른 트랜지스터의 입력에 연결된 출력을 더 구비하는, 반도체 장치.
  4. 제 3항에 있어서, 상기 반파 정류기 스테이지는, 상기 증폭기 트랜지스터 중 하나의 입력과 접지 사이에 배열되고, 차례로 각 반 주기 즉 상기 증폭기 스테이지에 의해 생성된 AC 신호의 교체를 정류시키기 위해 트랜지스터의 고유 다이오드에 접속된, 다이오드를 각각 포함하는, 반도체 장치.
  5. 제 1항 내지 제 4항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 집적 회로는, 단일 기판 상에 단일체로 집적될 수 있는 마이크로파 형태의 회로 소자(MMIC)를 한 개 이상 포함하는, 반도체 장치.
  6. 제 5항에 있어서, 상기 기판은 III-V족의 반-절연 재질이고, 및/또는 상기 회로 소자는 이러한 기판 상에 실현된 III-V족 재질의 적층으로 집적되는, 반도체 장치.
  7. 휴대형 기기로서, 셀 또는 배터리에 의해 전원을 공급받고, 제 1항 내지 제 6항 중 어느 한 항에 따른 적어도 하나 이상의 반도체 장치를 병합하는 휴대형 기기.
  8. 이동 전화기와 같은 휴대형 기기로서, 셀 또는 배터리에 의해 전원을 공급받고, 제 1항 내지 제 6항 중 어느 한 항에 따른 적어도 하나 이상의 반도체 장치를 병합하는 휴대형 기기.
  9. 무선 전화기와 같은 휴대형 기기로서, 셀 또는 배터리에 의해 전원을 공급받고, 제 1항 내지 제 6항 중 어느 한 항에 따른 적어도 하나 이상의 반도체 장치를 병합하는 휴대형 기기.
  10. 원격 통신 데이터 전달 기능을 구비한 개인용 컴퓨터 기능을 실행하기 위한 프로세서를 구비한 계산기와 같은 휴대형 기기로서, 셀 또는 배터리에 의해 전원을 공급받고, 제 1항 내지 제 6항 중 어느 한 항에 따른 적어도 하나 이상의 반도체 장치를 병합하는 휴대형 기기.
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Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
AU2008201400B2 (en) * 2007-03-28 2013-08-15 Hecker Electronica De Potencia Y Procesos S.A. Alternating electric current generating process
ATE543255T1 (de) * 2007-06-05 2012-02-15 Saab Ab Gate-treiberschaltung für einen monolithisch integrierten mikrowellenstromwandler
US20100007407A1 (en) * 2008-07-08 2010-01-14 Sony Ericsson Mobile Communications Ab Circuit for generating a negative voltage supply signal, and associated power supply device and portable electronic apparatus
US8634218B2 (en) * 2009-10-06 2014-01-21 Power Integrations, Inc. Monolithic AC/DC converter for generating DC supply voltage

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5158615A (en) * 1974-11-19 1976-05-22 West Electric Co Chokuryu chokuryuhenkankairo
US4519023A (en) * 1983-05-20 1985-05-21 Motorola, Inc. Self-oscillating inverter including a DC to DC converter and method for control thereof
DE3434272A1 (de) * 1984-09-19 1986-03-20 Deutsche Thomson-Brandt Gmbh, 7730 Villingen-Schwenningen Spannungsvervielfacherschaltung
US4897774A (en) * 1985-10-01 1990-01-30 Maxim Integrated Products Integrated dual charge pump power supply and RS-232 transmitter/receiver
JPH03190414A (ja) * 1989-12-20 1991-08-20 Nec Corp Ｍｍｉｃ化電圧制御発振器
US5237209A (en) * 1992-03-02 1993-08-17 Analog Devices, Inc. Bipolar voltage doubler circuit
US5306954A (en) * 1992-06-04 1994-04-26 Sipex Corporation Charge pump with symmetrical +V and -V outputs

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