KR20000027553A - Programming method in flash memory cell - Google Patents

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안병진
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Abstract

PURPOSE: A programming method in a flash memory cell is provided to minimize a programming time by previously performing a programming identifying operation before performing a programming operation and then performing the programming operation. CONSTITUTION: A programming identifying operation is performed to a memory cell according to a programming command, and is identified as to whether a programming is normally performed(201,202). It is judged whether all cells of a byte(word) is normally programmed when the a programming is normally performed(203). A programming operation is performed when the programming is abnormally performed(205). A column is disable and the programming operation is repeatedly performed when the programming is normally performed(204). It is identified whether a current address is a last address when programming is normally performed(206). The current address is increased and it is identified whether the programming is normally performed when the current address is not the last address(207).

Description

플래쉬 메모리셀의 프로그램 방법Programming method of flash memory cell

본 발명은 플래쉬 메모리셀의 프로그램 방법에 관한 것으로, 특히 플래쉬 메모리셀의 프로그램 모드시 부유게이트(플로팅게이트)에 전자를 주입시키는 프로그램 동작을 수행하기 전에 프로그램 확인 동작을 먼저 수행한 후 프로그램 동작을 수행하도록 함으로써, 프로그램 시간을 단축시키고 이미 프로그램 되어 있는 셀이 오버 프로그램 되는 것을 방지할 수 있는 플래쉬 메모리셀의 프로그램 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a program method of a flash memory cell, and in particular, before performing a program operation for injecting electrons into a floating gate (floating gate) in the program mode of the flash memory cell, the program check operation is performed first and then the program operation is performed. The present invention relates to a method of programming a flash memory cell that can shorten a program time and prevent an overprogrammed cell from being over programmed.

일반적으로, 비휘발성 메모리셀의 대표적 제품인 플래쉬 메모리셀에서 프로그램이라 함은 부유게이트 내로 전자를 주입(Program)시키는 것을 말한다. 사용자 입장에서 각 메모리셀에 데이터를 쓰는 동작을 말한다. 그리고, 사용자는 소자 내부에서 어떤 동작들에 의해 그 정보가 기록되는지에 관해서는 상관하지 않게 된다. 이로 인해 플래쉬 메모리셀의 프로그램과 소거 동작에 있어서는 엔버디드 알고리즘(Embedded algorithm)이 필요하게 된다.Generally, a program in a flash memory cell, which is a representative product of a nonvolatile memory cell, refers to a program of injecting electrons into a floating gate. This refers to an operation of writing data to each memory cell from the user's point of view. Then, the user does not care about what actions are recorded in the device. As a result, an embedded algorithm is required for program and erase operations of the flash memory cell.

도 1은 종래의 플래쉬 메모리셀 프로그램 방법을 설명하기 위해 도시한 흐름도이다.1 is a flowchart illustrating a conventional flash memory cell program method.

먼저, 단계(101)에서 프로그램 명령에 따라 단계(102)로 진행하여 메모리셀에 대해 프로그램을 수행한 후 단계(103)로 진행하게 된다. 상기 단계(103)에서는 프로그램 확인 동작을 수행하여 메모리셀이 정상적으로 프로그램 되었는지를 확인하게 된다. 확인 결과 정상이 아니면 상기 단계(102)로 복귀하여 정상적으로 프로그램 될 때까지 칩 내부의 루프 카운터에 설정된 루핑 횟수에 따라 상기 과정을 반복 수행하게 된다.First, in step 101, the process proceeds to step 102 in accordance with a program command to perform a program on the memory cell, and then proceeds to step 103. In step 103, a program check operation is performed to check whether the memory cell is normally programmed. If the check result is not normal, the process returns to step 102 and the process is repeated according to the number of loops set in the loop counter inside the chip until it is normally programmed.

그러나, 상기 단계(103)에서 확인 결과 프로그램 상태가 정상이면 단계(104)로 진행하여 최종 어드레스인지를 확인하게 된다. 상기 확인 결과 최종 어드레스가 아니면 단계(105)로 진행하여 어드레스를 증가시킨 후 상기 프로그램 단계(102)로 복귀하여 상기 과정을 반복 수행하고, 최종 어드레스이면 단계(106)로 진행하여 프로그램 동작을 종료하게 된다.However, if the program state is normal in step 103, the process proceeds to step 104 to confirm whether or not the final address. If the check result is not the final address, the process proceeds to step 105, the address is increased, the program returns to step 102, the process is repeated, and if the last address, the process proceeds to step 106 to end the program operation. do.

상술한 바와 같은 종래의 프로그램 방법은 프로그램 동작을 수행한 후 프로그램 확인 동작을 수행하게 된다. 이러한 경우에는 프로그램에 있어서는 이전 셀의 상태에 관계없이 모든 셀에 대해 프로그램 동작을 수행하게 된다. 이로 인해, 이미 프로그램되어 있는 셀의 경우 두번 이상의 오버(Over) 프로그램을 수행하게 되며, 노아(NOR)형 플래쉬 메모리셀에서는 드레인에 스트레스가 많이 걸리게 되는 문제점이 있다. 이러한 오버 프로그램은 소거(Erase embedded) 동작에서 소거 동작의 초기 상태를 만들어주는 프리프로그램(Preprogram) 모드에서 발생할 가능성이 높다. 이로 인해, 프로그램 셀의 문턱전압(Vt) 분포를 넓혀주어야 하는 문제점이 있고, 소거 셀의 문턱전압(Vt) 분포를 나쁘게 만들어 소거동작을 효과적으로 수행할 수 없는 단점이 있다.The conventional program method as described above performs a program check operation after performing a program operation. In this case, the program performs a program operation on all cells regardless of the state of the previous cell. As a result, in the case of a cell that is already programmed, two or more over programs are executed, and in the NOR flash memory cell, drain is stressed a lot. Such overprogramming is likely to occur in the preprogram mode, which creates the initial state of the erase operation in erase embedded operation. As a result, there is a problem in that the threshold voltage Vt distribution of the program cell needs to be widened, and the threshold voltage Vt distribution of the erase cell is made bad so that the erase operation cannot be effectively performed.

따라서, 본 발명은 플래쉬 메모리셀의 프로그램 모드시 부유게이트에 전자를 주입시키는 프로그램 동작을 수행하기 전에 프로그램 확인 동작을 먼저 수행한 후 프로그램 동작을 수행하도록 함으로써, 상기한 단점을 해소할 수 있는 플래쉬 메모리셀의 프로그램 방법을 제공하는 데 그 목적이 있다.Therefore, in the present invention, the flash memory can solve the above-mentioned disadvantages by performing the program check operation first and then the program operation before the program operation of injecting electrons into the floating gate in the program mode of the flash memory cell. The purpose is to provide a cell programming method.

상술한 목적을 달성하기 위한 본 발명은 프로그램 명령에 따라 메모리셀이 정상적으로 프로그램 되었는지를 확인하는 단계와, 상기 프로그램 확인 결과 프로그램 상태가 정상이 아니면 메모리셀에 대한 프로그램 동작을 수행한 후 상기 프로그램 확인 단계로 복귀하여 상기 과정을 반복 수행하는 단계와, 상기 프로그램 확인 결과 프로그램 상태가 정상이면 바이트(워드)의 모든 셀이 정상적으로 프로그램 되었는지를 확인하는 단계와, 상기 확인 결과 상기 바이트(워드)의 모든 셀이 정상이 아니면 칼럼을 디스에이블 한 후 상기 프로그램 동작을 수행하는 단계로 복귀하여 상기 과정을 반복 수행하는 단계와, 상기 확인 결과 상기 바이트(워드)의 모든 셀이 정상이면 최종 어드레스인지를 확인하는 단계와, 상기 확인 결과 최종 어드레스가 아니면 어드레스를 증가시킨 후 상기 프로그램 확인 단계로 복귀하여 상기 과정을 반복 수행하고 최종 어드레스이면 프로그램 동작을 종료하는 단계를 포함하여 이루어진 것을 특징으로 한다.The present invention for achieving the above object is a step of checking whether the memory cell is normally programmed according to a program command, and if the program check result is not normal, after performing a program operation for the memory cell the program check step Returning to and repeating the process; if the program check result is normal, checking whether all cells of the byte (word) are normally programmed, and if all the cells of the byte (word) If it is not normal, after disabling the column, returning to the step of performing the program operation and repeating the process; if the check result shows that all cells of the byte (word) are normal, checking whether the final address is present; If the result is not the final address, After increasing the switch characterized by comprising, including the step of performing repeatedly the process returns to the program verify step, if the last address to close operation.

도 1은 종래의 플래쉬 메모리셀 프로그램 방법을 설명하기 위해 도시한 흐름도.1 is a flowchart illustrating a conventional flash memory cell program method.

도 2는 본 발명에 따른 플래쉬 메모리셀의 프로그램 방법을 설명하기 위해 도시한 흐름도.2 is a flowchart illustrating a program method of a flash memory cell according to the present invention;

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명을 상세히 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 2는 본 발명에 따른 플래쉬 메모리셀의 프로그램 방법을 설명하기 위해 도시한 흐름도이다.2 is a flowchart illustrating a program method of a flash memory cell according to the present invention.

먼저, 단계(201)에서 프로그램 명령에 따라 단계(202)로 진행하여 메모리셀에 대해 프로그램 확인 동작을 수행하여 메모리셀이 정상적으로 프로그램 되었는지를 확인하게 된다. 상기 확인 결과 정상이 아니면 단계(205)로 진행하여 프로그램 동작을 수행한 후 상기 단계(202)로 복귀하여 메모리셀이 정상적으로 프로그램 될 때까지 칩 내부의 루프 카운터에 설정된 루핑 횟수에 따라 상기 과정을 반복 수행하게 된다.First, in step 201, the process proceeds to step 202 in accordance with a program command to perform a program check operation on the memory cell to check whether the memory cell is normally programmed. If the check result is not normal, the process proceeds to step 205 to perform a program operation, and then returns to step 202 to repeat the process according to the number of loops set in the loop counter inside the chip until the memory cell is normally programmed. Will be performed.

그러나, 상기 단계(202)에서 확인 결과 프로그램 상태가 정상이면 단계(203)로 진행하여 바이트(워드)의 모든 셀이 정상적으로 프로그램 되었는지를 확인하게 된다. 상기 확인 결과 정상이 아니면 단계(204)로 진행하여 칼럼(Column)을 디스에이블(Disable)한 후 상기 프로그램 동작을 수행하는 단계(205)로 복귀하여 상기 과정을 반복 수행하게 된다. 상기 단계(203)에서 확인 결과 정상이면 단계(206)로 진행하여 최종 어드레스인지를 확인하게 된다. 상기 확인 결과 최종 어드레스가 아니면 단계(207)로 진행하여 어드레스를 증가시킨 후 상기 프로그램 확인 단계(202)로 복귀하여 상기 과정을 반복 수행하고, 최종 어드레스이면 단계(208)로 진행하여 프로그램 동작을 종료하게 된다.However, if the result of the check in step 202 is normal, the process proceeds to step 203 to check whether all cells of the byte (word) are normally programmed. If the result of the check is not normal, the process proceeds to step 204, where the column is disabled, and then the process returns to step 205 where the program operation is performed. If the result of the check in step 203 is normal, the process proceeds to step 206 to confirm whether or not the final address. If the check result is not the final address, the process proceeds to step 207 to increase the address, and then returns to the program check step 202 to repeat the process. If the last address, the process proceeds to step 208 to end the program operation. Done.

상술한 바와 같이 본 발명은 플래쉬 메모리셀에 대해 프로그램 동작을 수행하기 전에 프로그램 시키고자 하는 메모리셀에 대해 프로그램된 셀 또는 소거된 셀인지를 확인하게 된다. 이때, 확인된 정보에 의해 프로그램된 셀인 경우에는 셀로 공급되는 전압을 차단하여 더 이상 프로그램되지 않게 한다. 또한, 바이트(워드)의 모든 셀이 프로그램되어 있는 경우(즉, 모든 셀의 전달 경로가 닫힌 경우)에는 프로그램 동작을 종료하게 된다.As described above, according to the present invention, before the program operation is performed on the flash memory cell, the present invention determines whether the cell is programmed or erased with respect to the memory cell to be programmed. At this time, in the case of a cell programmed by the confirmed information, the voltage supplied to the cell is cut off so that it is no longer programmed. In addition, when all cells of the byte (word) are programmed (that is, when the transfer paths of all the cells are closed), the program operation is terminated.

상술한 바와 같이 본 발명에 의하면 플래쉬 메모리셀의 프로그램 모드시 부유게이트에 전자를 주입시키는 프로그램 동작을 수행하기 전에 프로그램 확인 동작을 먼저 수행한 후 프로그램 동작을 수행하도록 함으로써, 전체 프로그램 시간을 단축시킬 수 있고, 이미 프로그램되어 있는 셀이 오버 프로그램되는 것을 방지할 수 있어 생산성 및 수율 향상에 탁월한 효과가 있다.As described above, according to the present invention, before performing a program operation for injecting electrons into the floating gate in the program mode of the flash memory cell, the program check operation is performed first and then the program operation is performed, thereby reducing the overall program time. In addition, the cells that are already programmed can be prevented from being over-programmed, which has an excellent effect on improving productivity and yield.

Claims (1)

프로그램 명령에 따라 메모리셀이 정상적으로 프로그램되었는지를 확인하는 단계와,Checking whether the memory cell is normally programmed according to a program command; 상기 프로그램 확인 결과 프로그램 상태가 정상이 아니면 메모리셀에 대한 프로그램 동작을 수행한 후 상기 프로그램 확인 단계로 복귀하여 상기 과정을 반복 수행하는 단계와,If the program check result is not normal, performing a program operation on a memory cell, and then returning to the program check step and repeating the process; 상기 프로그램 확인 결과 프로그램 상태가 정상이면 바이트(워드)의 모든 셀이 정상적으로 프로그램되었는지를 확인하는 단계와,Checking whether all the cells of the byte (word) are normally programmed when the program state is normal as a result of the program check; 상기 바이트(워드)의 모든 셀에 대한 확인 결과 정상이 아니면 칼럼을 디스에이블 한 후 상기 프로그램 동작을 수행하는 단계로 복귀하여 상기 과정을 반복 수행하는 단계와,If it is determined that all cells of the byte (word) are not normal, returning to the step of performing the program operation after disabling the column and repeating the process; 상기 바이트(워드)의 모든 셀에 대한 확인 결과 정상이면 최종 어드레스인지를 확인하는 단계와,Checking whether all the cells of the byte (word) are the last address if normal; 상기 어드레스의 확인 결과 최종 어드레스가 아니면 어드레스를 증가시킨 후 상기 프로그램 확인 단계로 복귀하여 상기 과정을 반복 수행하는 단계와,Repeating the process by returning to the program confirming step after increasing the address if the address is not the final address as a result of the checking of the address; 상기 어드레스의 확인 결과 최종 어드레스이면 프로그램 동작을 종료하는 단계를 포함하여 이루어진 것을 특징으로 하는 플래쉬 메모리셀의 프로그램 방법.And terminating a program operation if the address is a final address as a result of the checking of the address.
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Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR960025794A (en) * 1994-12-30 1996-07-20 김주용 Flash memory erase method
KR970076859A (en) * 1996-05-15 1997-12-12 니시무로 다이조 Nonvolatile Semiconductor Memory and Writing Method Thereof
KR19990075961A (en) * 1998-03-26 1999-10-15 김영환 How to erase the flash memory device

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR960025794A (en) * 1994-12-30 1996-07-20 김주용 Flash memory erase method
KR970076859A (en) * 1996-05-15 1997-12-12 니시무로 다이조 Nonvolatile Semiconductor Memory and Writing Method Thereof
KR19990075961A (en) * 1998-03-26 1999-10-15 김영환 How to erase the flash memory device

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