KR20000027528A

KR20000027528A - Bubble remover

Info

Publication number: KR20000027528A
Application number: KR1019980045473A
Authority: KR
Inventors: 허호영
Original assignee: 김영환; 현대전자산업 주식회사
Priority date: 1998-10-28
Filing date: 1998-10-28
Publication date: 2000-05-15

Abstract

PURPOSE: A bubble remover is provided to reduce defect of photoresist coating, thereby enhancing productivity. CONSTITUTION: A bubble remover comprises a tank(10) containing photoresist, an inlet line(22) and first valve(22a) for inducing the photoresist, a vacuum line(23) and second valve(23a), a gas inlet line(24) and third valve(24a), a photoresist outlet line(25) and forth valve(25a), a sensor(26) and a controller(27). The vacuum line and the second valve are mounted on the top of the tank and sustain the inside of the tank into vacuum state. The gas inlet line and the third valve are mounted on the top of the tank and inlet gas flows into the tank in order to make the inside of the tank into atmosphere state. The photoresist outlet line and the forth valve are mounted on the bottom of the tank and discharge the photoresist without bubbles. The sensor senses the inlet volume of the photoresist. The controller controls the opening and closing the respective valve.

Description

Bubble remover

본 발명은 반도체 제조 장치에 관한 것으로, 특히, 포토리소그라피 공정에서 포토레지스트와 혼합되어져 있는 기포들을 제거하기 위한 기포 제거 장치에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a semiconductor manufacturing apparatus, and more particularly, to a bubble removing apparatus for removing bubbles mixed with a photoresist in a photolithography process.

일반적으로, 웨이퍼 상에 임의의 패턴을 형성하기 위한 방법으로는 포토리소그라피(Photolithography) 공정이 이용되고 있다. 이 방법은 식각 대상물 상에 포토 레지스트(PhotoResist : 이하, P/R이라 칭함)를 도포한 후, 래티클(Raticle)이라는 마스크를 사용하여 도포된 P/R의 소정 부분을 노광하고, 이어서, 노광된 부분이나 또는 노광되지 않은 부분을 현상 용액으로 제거하여 패턴 형성용 마스크를 형성한 후, 이러한 마스크로 식각 대상물을 식각하여 소정의 패턴을 형성하는 방법이다.In general, a photolithography process is used as a method for forming an arbitrary pattern on a wafer. This method applies a photoresist (hereinafter referred to as P / R) on an etched object, then exposes a predetermined portion of the applied P / R using a mask called a raticle, and then exposes it. After removing the exposed portion or the unexposed portion with a developing solution to form a mask for pattern formation, the etching target is etched with such a mask to form a predetermined pattern.

한편, 웨이퍼 상에 P/R을 코팅함에 있어서는, 상기한 P/R이 웨이퍼 상에 완전하게 코팅되도록 해야 한다. 그런데, P/R 내에는 크고 작은 크기의 기포들이 혼합되어져 있기 때문에 코팅 불량이 발생하게 되고, 이에 따라, 패턴 형성이 제대로 이루어지지 못하게 된다.On the other hand, in coating the P / R on the wafer, it is necessary to ensure that the aforementioned P / R is completely coated on the wafer. However, coating defects occur because bubbles of large and small sizes are mixed in the P / R, and thus, pattern formation is not properly performed.

따라서, 종래에는 P/R의 이동 경로에 필터를 설치하고, 이러한 필터를 이용하여 P/R과 혼합되어져 있는 기포를 제거시키고 있다.Therefore, conventionally, a filter is provided in the movement path of P / R, and the bubble mixed with P / R is removed using such a filter.

자세하게, 도 1에 도시된 바와 같이, 메인 탱크(1)에 담겨져 있는 P/R은 펌프(2)에 의해 상기 메인 탱크(1)로부터 이동 라인을 따라 이동되며, 이러한 P/R은 펌프(2)를 거쳐 노즐(4)을 통해 식각 대상물 상에 코팅된다. 그런데, P/R의 이동 라인 내에는 상기 P/R의 이동에 의해 기포가 유입되거나, 또는, 이동 라인 자체에서 기포가 발생하게 되기 때문에, 이러한 상태로 P/R이 그대로 이동하여 노즐을 통해 식각 대상물 상에 그대로 코팅되는 경우에는 P/R의 코팅 불량이 발생하게 된다.In detail, as shown in FIG. 1, the P / R contained in the main tank 1 is moved along the moving line from the main tank 1 by the pump 2, and this P / R is transferred to the pump 2. Coated on the object to be etched through the nozzle (4). However, since bubbles are introduced into the P / R by the movement of the P / R, or bubbles are generated in the movement line itself, the P / R moves as it is and is etched through the nozzle. When the coating on the object as it is, the poor coating of P / R occurs.

따라서, P/R과 혼합되어져 있는 기포들을 제거하기 위하여, 펌프(2)와 노즐(4) 사이에 필터를 구비시키고, 이러한 필터(3)에 의해 기포가 제거되도록 한 후, 노즐(4)을 통해 P/R이 코팅되도록 한다. 이때, 다량의 기포와 혼합되어진 P/R은 장치의 외부로 드레인(Drain)되거나, 또는 재사용된다.Therefore, in order to remove the air bubbles mixed with the P / R, a filter is provided between the pump 2 and the nozzle 4, and after the air bubbles are removed by the filter 3, the nozzle 4 is removed. Allow P / R to be coated. At this time, the P / R mixed with a large amount of bubbles is drained to the outside of the apparatus or reused.

그러나, 상기와 같은 종래 기술에서는 필터에 의해 대부분의 기포는 제거되지만, 매우 작은 크기의 기포들은 필터에 의해 걸러지지 않고 그대로 통과하게 되며, 특히, 점도가 높은 P/R 내에서는 더 큰 크기의 기포들이 필터에 의해 걸러지지 않고 P/R 내에 그대로 존재하게 됨으로써, 결과적으로는, P/R의 코팅 불량이 발생하게 되는 문제점이 있었다.However, in the prior art as described above, most of the bubbles are removed by the filter, but very small bubbles are passed through as they are not filtered by the filter, and in particular, larger bubbles in the high viscosity P / R. As these are not filtered out by the filter and remain in the P / R as a result, there is a problem that a coating defect of the P / R occurs as a result.

또한, 종래에는 필터를 펌프의 다음단에 설치하고 있는데, 이 경우, 펌프에 의한 압력에 의해 P/R의 이동 라인을 따라 이동된 기포들이 더 작은 크기의 기포들로 됨으로써, 필터를 그대로 통과하게 되는 문제점이 있었다.In addition, conventionally, the filter is installed at the next stage of the pump. In this case, bubbles moved along the movement line of the P / R by the pressure of the pump become smaller bubbles, thereby allowing the filter to pass through as it is. There was a problem.

게다가, 필터를 거친 P/R들은 노즐을 통해 식각 대상물 상에 코팅되어지는데, 이때, 일정량의 P/R이 노즐을 통해 분사되야 함에도 불구하고, 필터의 상태에 따라 그 분사량, 예컨데, 분사 속도가 달라지게 됨으로써, P/R 코팅이 제대로 이루어지지 못하는 문제점이 있었다.In addition, the P / Rs that have passed through the filter are coated onto the object to be etched through the nozzles, although the amount of injection, e. By being different, there was a problem that the P / R coating is not made properly.

따라서, 상기와 같은 문제점을 해결하기 위하여 안출된 본 발명은, P/R과 혼합되어진 기포들을 완전하게 제거할 수 있는 기포 제거 장치를 제공하는데, 그 목적이 있다.Accordingly, an object of the present invention is to provide a bubble removing apparatus capable of completely removing bubbles mixed with P / R.

도 1은 종래 기술에 따른 포토레지스트 코팅 장치를 도시한 도면.1 shows a photoresist coating apparatus according to the prior art.

도 2는 본 발명의 실시예에 따른 포토레지스트 코팅 장치를 설명하기 위한 도면.2 is a view for explaining a photoresist coating apparatus according to an embodiment of the present invention.

도 3은 본 발명의 실시예에 따른 기포 제거 장치를 개략적으로 도시한 도면.Figure 3 schematically shows a bubble removing apparatus according to an embodiment of the present invention.

도 4는 본 발명의 다른 실시예에 따른 포토레지스트 코팅 장치를 도시한 도면.Figure 4 shows a photoresist coating apparatus according to another embodiment of the present invention.

(도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명)(Explanation of symbols for the main parts of the drawing)

10 : 메인 탱크 20 : 필터10: main tank 20: filter

21 : 탱크 22 : 포토레지스트 유입라인21 tank 22 photoresist inlet line

22a : 제1밸브 23 : 진공라인22a: first valve 23: vacuum line

23a : 제2밸브 24 : 질소 가스 유입라인23a: second valve 24: nitrogen gas inlet line

24a : 제3밸브 25 : 포토레지스트 유출라인24a: third valve 25: photoresist outflow line

25a : 제4밸브 26 : 감지센서25a: fourth valve 26: detection sensor

27 : 콘트롤러 30 : 기포 제거 장치27: controller 30: bubble removing device

40 : 펌프 50 : 노즐40: pump 50: nozzle

상기와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명의 기포 제거 장치는, P/R이 담겨지는 탱크; 상기 탱크의 일측면에 설치되어 P/R을 유입시키게 되는 P/R 유입라인 및 제1밸브; 상기 탱크의 상측면에 설치되며, 탱크 내부를 진공 상태로 만들어 상기 P/R 유입라인을 통해 탱크 내부에 P/R이 유입되도록 하고, 상기 P/R과 함께 탱크에 유입되어진 기포가 제거되도록 상기 탱크 내부의 진공 상태를 유지시키기 위하여 구비되는 진공라인 및 제2밸브; 상기 탱크의 상측면에 설치되며, 상기 탱크 내부를 대기 상태로 만들어 기포가 제거된 P/R이 상기 탱크의 외부로 유출되도록, 상기 탱크 내부에 소정의 가스를 유입시키기 위하여 구비되는 가스 유입라인 및 제3밸브; 상기 탱크의 하측면에 설치되어 기포가 제거된 P/R이 외부로 유출되도록 하기 위하여 구비되는 P/R 유출라인 및 제4밸브; 상기 탱크의 타측면에 설치되어 상기 탱크 내에 유입된 P/R의 유입량을 감지하고, 이를 출력하는 감지센서; 및 상기 감지센서로부터 출력된 신호를 입력받아 각 밸브들의 개·폐를 제어하는 콘트롤러를 포함하여 이루어진 것을 특징으로 한다.Bubble removal device of the present invention for achieving the above object, the tank is contained P / R; A P / R inlet line and a first valve installed at one side of the tank to introduce P / R; Is installed on the upper side of the tank, to make the inside of the tank in a vacuum state to allow the P / R flow into the tank through the P / R inlet line, and to remove the air bubbles introduced into the tank with the P / R A vacuum line and a second valve provided to maintain a vacuum state in the tank; A gas inlet line installed at an upper side of the tank and provided to introduce a predetermined gas into the tank so that the inside of the tank is in a standby state so that the P / R from which bubbles are removed flows out of the tank; Third valve; A P / R outlet line and a fourth valve installed at a lower side of the tank and provided to allow P / R from which bubbles are removed to flow out; A detection sensor installed on the other side of the tank to detect an inflow amount of P / R introduced into the tank and output the same; And a controller configured to control the opening and closing of each valve by receiving a signal output from the detection sensor.

본 발명에 따르면, 기포 제거 장치에 의해 P/R과 혼합되어 있는 기포를 완전히 제거시킬 수 있기 때문에, P/R 코팅 공정을 안정적으로 수행할 수 있다.According to the present invention, since the bubble mixed with P / R can be completely removed by the bubble removing device, the P / R coating process can be performed stably.

이하, 첨부된 도면에 의거하여 본 발명의 바람직한 실시예를 보다 상세하게 설명하도록 한다.Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 2는 본 발명의 실시예에 따른 P/R 코팅 장치에서의 P/R의 흐름을 설명하기 위한 도면으로서, 도시된 바와 같이, 메인 탱크(10)로부터 유출된 P/R은 이동 라인을 따라 이동되어 필터(20)를 통과하게 되고, 필터(20)를 통과한 P/R은 기포 제거 장치(30)로 유입된다. 이어서, 펌프(40)에 의해 기포 제거 장치(30)로부터 유출되어진 P/R은 펌프를 통과한 후, 노즐(50)에 의해 식각 대상물 상에 코팅된다.2 is a view for explaining the flow of P / R in the P / R coating apparatus according to an embodiment of the present invention, as shown, P / R outflow from the main tank 10 is along the moving line It is moved to pass through the filter 20, P / R passing through the filter 20 flows into the bubble removing device (30). Subsequently, the P / R flowing out of the bubble removing device 30 by the pump 40 passes through the pump and is then coated on the etching object by the nozzle 50.

상기에서, 기포 제거 장치(30)는 P/R과 혼합되어져 있는 기포들이 필터(20)에 의해 1차적으로 제거됨에도 불구하고, 상기한 필터(20)를 그대로 통과하게 되는 작은 크기의 기포들, 또는, 점도가 높은 P/R에 혼합되어진 기포들을 완전히 제거하기 위하여 구비된 것으로, 이러한 기포 제거 장치의 구성을 도 2를 참조하여 설명하면 다음과 같다.In the above, the bubble removing device 30 is a small size of bubbles to pass through the filter 20 as it is, even though the bubbles mixed with the P / R is primarily removed by the filter 20, Or, it is provided to completely remove the bubbles mixed in the high viscosity P / R, the configuration of such a bubble removing device will be described with reference to FIG.

도 2는 본 발명의 실시예에 따른 기포 제거 장치를 도시한 도면으로서, 도시된 바와 같이, 본 발명의 기포 제거 장치는 P/R이 담겨지는 탱크(21)와, 상기 탱크(21)의 일측면에 설치되어 상기 탱크(21)에 P/R을 유입시키게 되는 P/R 유입라인(22) 및 제1밸브(22a)와, 상기 탱크(21)의 상측에 설치되며, 진공 시스템(도시되지 않음)과 연결되어 탱크(21) 내부가 진공 상태로 되도록 만드는 진공라인(23) 및 제2밸브(23a)와, 상기 진공라인(23)에 인접된 탱크(21)의 상측에 설치되며, 상기 탱크(21) 내부에 소정의 가스를 유입시키는 가스 유입라인(24) 및 제3밸브(24a)와, 상기 탱크(21)의 하측에 설치되어 상기 탱크(21) 내의 P/R을 외부로 유출시키는 P/R 유출라인(25) 및 제4밸브(25a)와, 상기 탱크(21)의 타측면에 설치되어 상기 탱크(21) 내에 유입된 P/R량을 감지하고, 이를 출력하는 감지센서(26), 및 상기 감지센서(26)로부터 출력된 신호를 입력받아 각 밸브들(22a,23a,24a,25a)의 개·폐를 제어하는 콘트롤러(27)로 구성된다.2 is a view showing a bubble removing apparatus according to an embodiment of the present invention, as shown, the bubble removing apparatus of the present invention is a tank 21, P / R is contained, and one of the tank 21 P / R inlet line 22 and the first valve 22a, which is installed at the side and introduces P / R into the tank 21, and is installed above the tank 21, and is a vacuum system (not shown). And a vacuum line 23 and a second valve 23a for connecting the inside of the tank 21 to a vacuum state, and an upper side of the tank 21 adjacent to the vacuum line 23. A gas inlet line 24 and a third valve 24a for introducing a predetermined gas into the tank 21 and a lower side of the tank 21 are installed to leak P / R in the tank 21 to the outside. P / R outlet line 25 and the fourth valve (25a) to be installed, and the other side of the tank 21 is installed to detect the amount of P / R introduced into the tank 21, and detects the output Consists of a stand 26, and a controller 27 for receiving the signal output from the sensor 26, controls the waste, of the respective valve (22a, 23a, 24a, 25a).

여기서, 감지센서(26)는 탱크(21)내에 유입되는 P/R량을 감지하고, 이를 콘트롤러(27)에 입력시켜, 상기 콘트롤러(27)에 의해 각 밸브들(22a, 23a, 24a, 25a)의 개·폐가 제어되도록 하기 위한 것으로서, 탱크에 유입된 P/R량이 탱크의 1/3 이하인 경우에는 로우(Low) 신호를 출력하고, 2/3 정도인 경우에는 풀(Full) 신호를 출력한다.Here, the sensor 26 detects the amount of P / R flowing into the tank 21, inputs it to the controller 27, the respective valves 22a, 23a, 24a, 25a by the controller 27 In order to control the opening / closing of), a low signal is output when the amount of P / R flowed into the tank is less than 1/3 of the tank, and a full signal is output when it is about 2/3. do.

또한, 탱크(21) 내에 유입되는 가스는 P/R과 반응성이 약한 비반응성 가스, 예컨데, 질소 가스를 사용하는 것이 바람직하다.In addition, the gas flowing into the tank 21 is preferably a non-reactive gas, such as nitrogen gas, which has a weak reactivity with P / R.

상기와 같은 구성을 갖는 본 발명의 기포 제거 장치의 동작을 살펴보면, 우선, 탱크(21) 내에 유입되어진 P/R량이 탱크의 1/3 이하인 경우, 감지센서(26)에서는 로우 신호가 출력되고, 로우 신호를 입력받은 콘트롤러(27)에 의해 제1 및 제2밸브(22a, 23a)는 개방되고, 제3 및 제4밸브(24a, 25a)는 폐쇄된다.Looking at the operation of the bubble removing device of the present invention having the above configuration, first, when the P / R amount introduced into the tank 21 is 1/3 or less of the tank, a low signal is output from the sensor 26, The first and second valves 22a and 23a are opened by the controller 27 receiving the low signal, and the third and fourth valves 24a and 25a are closed.

이에 따라, 제2밸브(23a)가 개방되는 것에 의해 탱크(21) 내부는 진공 상태가 되고, 아울러, 제1밸브(22a)가 개방되어짐과 동시에 탱크 내부가 진동 상태가 되는 것에 의해 P/R이 P/R 유입라인을 따라 탱크(21)에 유입된다. 이때, 탱크(21)로는 P/R은 물론 P/R 유입라인(22)에 유입되거나, 또는 P/R 유입라인(22) 내에서 발생되어진 기포들도 함께 유입된다.As a result, the inside of the tank 21 becomes a vacuum state by opening the second valve 23a, and the P / R by opening the first valve 22a and causing the inside of the tank to vibrate. It flows into the tank 21 along this P / R inflow line. At this time, the tank 21 is introduced into the P / R inflow line 22 as well as P / R, or bubbles generated in the P / R inflow line 22 is also introduced.

이러한 상태로 탱크(21) 내에 계속해서 P/R이 유입되다가, 감지센서(26)에 의해 감지된 P/R의 유입량이 탱크(21)의 2/3 정도가 되면, 감지센서(26)에서는 풀 신호가 출력되고, 풀 신호를 입력받은 콘트롤러(27)의 제어신호에 의해 제1밸브(22a)는 폐쇄된다.In this state, P / R continues to flow into the tank 21, and when the inflow amount of P / R detected by the sensor 26 is about 2/3 of the tank 21, the sensor 26 The pull signal is output, and the first valve 22a is closed by the control signal of the controller 27 receiving the pull signal.

그런데, 제1, 제3 및 제4밸브들(22a, 24a, 25a)은 폐쇄되어진 반면에, 제2밸브(23a)는 계속적으로 개방되어져 있기 때문에, 탱크(21) 내부는 진공 상태가 계속해서 유지되고, 이러한 진공 상태가 소정 시간 동안 유지되는 것에 기인하여, P/R과 함께 혼합되어 있는 기포들은 진공 라인(23)을 통해 빠져나감으로써, 완전히 제거된다.However, since the first, third and fourth valves 22a, 24a, and 25a are closed, while the second valve 23a is continuously opened, the tank 21 continues to be in a vacuum state. Due to being held and this vacuum being maintained for a certain time, the bubbles mixed with the P / R are completely removed by exiting through the vacuum line 23.

이어서, 진공 상태가 소정 시간 동안 유지된 후, 콘트롤러(27)의 제어신호에 의해 제2밸브(23a)는 폐쇄되고, 동시에 제3밸브(24a)가 개방된다. 이에 따라, P/R이 유입되어 있는 탱크(21) 내부에는 질소 가스 유입라인(24)을 통해 고순도의 질소 가스가 유입되고, 이 결과, 탱크(21) 내부는 대기 상태가 된다.Subsequently, after the vacuum state is maintained for a predetermined time, the second valve 23a is closed by the control signal of the controller 27, and at the same time, the third valve 24a is opened. Accordingly, high purity nitrogen gas is introduced into the tank 21 into which the P / R is introduced through the nitrogen gas inflow line 24, and as a result, the tank 21 is in a standby state.

다음으로, 질소 가스의 유입에 의해 탱크(21) 내부가 대기 상태가 되면, 콘트롤러(27)의 제어신호에 따라 제3밸브(24a)는 폐쇄되고, 제4밸브(25a)는 개방된다. 이 결과, 탱크(21) 내부가 대기 상태로 된 기인하여 탱크(21)에 유입되어져 있는 P/R은 P/R 유출라인(25)을 통해 기포 제거 장치의 외부로 유출된다.Next, when the inside of the tank 21 becomes a standby state by the inflow of nitrogen gas, according to the control signal of the controller 27, the 3rd valve 24a is closed and the 4th valve 25a is opened. As a result, the P / R flowing into the tank 21 due to the inside of the tank 21 being in a standby state flows out of the bubble removing device through the P / R outlet line 25.

상기에서, P/R과 함께 탱크(21)에 유입되어진 기포들은 진공에 의해 완전히 제거되기 때문에, 탱크(21)로부터 유출되는 P/R에는 기포가 존재하지 않게 된다. 따라서, 식각 대상물 상에 코팅되는 P/R은 상기 식각 대상물 상에 안정적으로 코팅된다.In the above, since the bubbles introduced into the tank 21 together with the P / R are completely removed by the vacuum, no bubbles exist in the P / R flowing out of the tank 21. Therefore, P / R coated on the etching target is stably coated on the etching target.

또한, 기포 제거 장치를 필터의 다음단에 설치하고, 상기 기포 제거 장치로부터 유출되어진 P/R이 노즐을 통해 식각 대상물 상에 코팅되도록 하기 때문에, 필터의 상태에 따라 P/R의 분사 속도가 변하는 것을 원천적으로 방지할 수 있다.In addition, since the bubble removing device is installed at the next stage of the filter and the P / R flowing out from the bubble removing device is coated on the etching target through the nozzle, the spraying speed of the P / R varies depending on the filter condition. Can be prevented at the source.

한편, 상기와 같은 구성 및 동작을 하는 기포 제거 장치가 구비된 P/R 코팅 장치를 구성함에 있어서는, 탱크내에 질소 가스 유입라인을 통해 유입되는 질소 가스의 압력을 정밀하게 제어함으로써, 도 4에 도시된 바와 같이, 기포 제거 장치(30)로부터 P/R을 유출시키기 위하여 구비되는 펌프를 삭제시킬 수도 있다.On the other hand, in the construction of the P / R coating apparatus with a bubble removing device having the configuration and operation as described above, by precisely controlling the pressure of the nitrogen gas flowing through the nitrogen gas inlet line in the tank, shown in Figure 4 As described above, the pump provided to drain the P / R from the bubble removing device 30 may be deleted.

전술한 바와 같이, 본 발명의 기포 제거 장치는 일예로 P/R에 혼합되어져 있는 기포를 제거하는 것에 대해서만 설명하였지만, 다른 반도체 제조 공정, 예컨데, 현상 공정, 세정 공정 및 SOG막의 증착 공정시에 각 공정에서 요구되는 케미컬에 대해서도 상기한 기포 제거 장치의 이용이 가능하다.As described above, the bubble removing apparatus of the present invention has been described only for removing bubbles mixed in P / R as an example. However, in the case of other semiconductor manufacturing processes, for example, the developing process, the cleaning process, and the SOG film deposition process, The above-mentioned bubble removal apparatus can also be used also about the chemical required by a process.

이상에서와 같이, 본 발명은 P/R의 이동 경로에 진공을 이용하는 기포 제거 장치를 구비시킴으로써 기포가 혼합되어 있지 않는 P/R을 식각 대상물 상에 코팅시킬 수 있으며, 이에 따라, P/R의 코팅 불량을 감소시킬 수 있는 것에 기인하여 반도체 소자의 제조 수율을 향상시킬 수 있다.As described above, according to the present invention, by providing a bubble removing device using a vacuum in the movement path of the P / R, it is possible to coat the P / R that is not mixed with the bubble on the etching target, thereby, Due to being able to reduce coating defects, it is possible to improve the manufacturing yield of semiconductor devices.

또한, 종래와는 달리 P/R과 혼합되어 있는 기포만을 제거하기 때문에, P/R의 재사용율을 높일 수 있다.In addition, unlike the conventional method, since only bubbles mixed with P / R are removed, the reuse rate of P / R can be increased.

한편, 여기에서는 본 발명의 특정 실시예에 대하여 설명하고 도시하였지만, 당업자에 의하여 이에 대한 수정과 변형을 할 수 있다. 따라서, 이하, 특허청구의 범위는 본 발명의 진정한 사상과 범위에 속하는 한 모든 수정과 변형을 포함하는 것으로 이해할 수 있다.Meanwhile, although specific embodiments of the present invention have been described and illustrated, modifications and variations can be made by those skilled in the art. Accordingly, the following claims are to be understood as including all modifications and variations as long as they fall within the true spirit and scope of the present invention.

Claims

A tank in which the photoresist is contained;

A photoresist inlet line and a first valve installed at one side of the tank to introduce the photoresist;

It is installed on the upper side of the tank, the inside of the tank so that the inside of the tank to make a vacuum inside the tank through the photoresist inlet line, the photoresist is introduced into the tank, and the air bubbles introduced into the tank with the photoresist is removed. A vacuum line and a second valve provided to maintain a vacuum state;

A gas inlet line installed on an upper side of the tank and provided to introduce a predetermined gas into the tank so that the inside of the tank is made into an air state and the photoresist from which bubbles are removed flows out of the tank; 3 valve;

A photoresist outlet line and a fourth valve installed at a lower side of the tank to provide a photoresist from which bubbles are removed to the outside;

A detection sensor installed on the other side of the tank to detect an inflow amount of the photoresist introduced into the tank and output the same; And

And a controller configured to control the opening and closing of each valve by receiving a signal output from the detection sensor.

The bubble removing device of claim 1, wherein the gas flowing into the tank is a non-reactive gas having low reactivity with a photoresist.

The bubble removing device according to claim 1 or 2, wherein the gas flowing into the tank is nitrogen gas.

The method of claim 1, wherein the controller is configured to open the first and second valves and close the third and fourth valves when the inflow of the photoresist is 1/3 or less of the tank according to a signal input from the sensing sensor. At the same time, the inside of the tank is brought into a vacuum state and the photoresist and bubbles are introduced into the tank in the vacuum state. The valve is closed to maintain the vacuum inside the tank into which a certain amount of photoresist is introduced for a predetermined time, and after the bubble mixed with the photoresist is removed by maintaining the vacuum for a predetermined time, the second valve is closed. At the same time, the third valve is opened to allow a predetermined gas to flow into the tank so that the inside of the tank is in a standby state. And closing the third valve and opening the fourth valve to allow the photoresist to flow out of the tank.