KR20000026458A - Slurry providing device of semiconductor chemical mechanical polishing apparatus - Google Patents

Slurry providing device of semiconductor chemical mechanical polishing apparatus Download PDF

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KR20000026458A
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고세종
류준규
윤영환
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윤종용
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Abstract

PURPOSE: A device for providing a slurry is provided to prevent the slurry element from being conglomerate by using the ultrasonic and to prevent the surface of the wafer from being scratched by decomposing the conglomerated slurry element. CONSTITUTION: A device comprises a slurry(1), a mixed slurry(2), a slurry for supply(3), a drum(10, 110), a slurry absorbing tube(11, 111), a upper reflection plate(12), a lower reflection plate(13), an ultrasonic generator(14), a middle pump(20), a filter(30, 80), a mixture tank(40), a slurry supply tube(41), a DI supply tube(42), a circulation tube for a mixed slurry(43), a valve(44, 61, 64, 66), an absorbing tube for a mixed slurry (45), a mixture pump(50), a supply tank(60), a supply tube for a mixed slurry(62), a circulation tube for slurry supply(63), a supply pump(70), and a supply tube(81). A certain amount of slurry is kept in the drum(10, 110). The ultrasonic generator(14) is installed at the drum to prevent the conglomeration of the slurry element.

Description

반도체 씨엠피설비의 슬러리공급장치Slurry Feeder of Semiconductor CMP Facility

본 발명은 반도체 씨엠피설비의 슬러리공급장치에 관한 것으로서, 보다 상세하게는, 드럼에 초음파발생기를 설치하여 슬러리의 입자뭉침을 방지하게 하는 반도체 씨엠피(C.M.P.: Chemical Mechanical Polishing)설비의 슬러리공급장치에 관한 것이다.The present invention relates to a slurry supply apparatus of a semiconductor CMP apparatus, and more particularly, to a slurry supply apparatus of a semiconductor mechanical mechanical polishing (CMP) facility in which a ultrasonic generator is installed in a drum to prevent particle aggregation of the slurry. It is about.

근래의 반도체기술은 고집적화, 고밀도화가 요구됨에 따라서 보다 미세한 패턴형성기술이 사용되고 있으며, 배선의 다층화구조를 요구하는 영역도 넓어지고 있다.In recent years, as semiconductor technology requires high integration and high density, finer pattern formation techniques are being used, and the area requiring a multilayered structure of wiring is expanding.

즉, 반도체소자의 표면구조가 더욱 복잡해지고, 층간막들의 단차도도 더욱 심해지는 경향으로 발전되고 있는 것이다.In other words, the surface structure of the semiconductor device is becoming more complicated, and the level of interlayer films is also developed to become more severe.

그러나, 한편으로 이러한 상기 층간막들의 심한 단차는 반도체소자 제조공정에서 공정불량을 발생시키는 원인이 되어왔다.On the other hand, however, such a severe step of the interlayer films has been a cause of process defects in the semiconductor device manufacturing process.

특히, 웨이퍼에 포토레지스트의 패턴을 형성시키는 사진공정은, 웨이퍼 상에 포토레지스트를 도포한 후, 상기 포토레지스트막에 회로가 형성된 마스크를 정렬시켜 빛을 이용한 노광공정을 수행함으로써 이루어지기 때문에 종래처럼 선폭이 크고 저층구조를 갖는 소자의 제조시에는 별 문제가 없었지만, 미세패턴과 다층구조에 의해 단차가 증가하면서 상기 단차의 존재로 인하여 노광 포커스를 맞추기가 어려워서 정확한 패턴 형성을 하기가 힘들었었다.In particular, the photolithography process of forming a pattern of photoresist on a wafer is performed by applying a photoresist on a wafer and then performing an exposure process using light by aligning a mask on which the circuit is formed on the photoresist film. When manufacturing a device having a large line width and a low layer structure, there was no problem, but it was difficult to form an accurate pattern due to the difficulty of focusing exposure due to the presence of the step due to the increase of the step due to the fine pattern and the multilayer structure.

따라서, 이러한 종래의 문제점을 해결하기 위하여 단차를 제거하기 위한 웨이퍼의 평탄화 기술로서, 에스오지(S.O.G.)막 증착, 에치백(Etch Back), 리플로우(Reflow) 및 웨이퍼 전면에 걸친 평탄화작업, 즉 광역평탄화(Global Planarization)를 위한 씨엠피기술이 개발되었던 것이다.Accordingly, in order to solve such a conventional problem, as a planarization technique of a wafer for removing a step, an SOG film deposition, an etch back, a reflow, and a planarization operation over the entire surface of the wafer, namely, CMP technology for global planarization was developed.

이러한 씨엠피(C.M.P.: Chemical Mechanical Polishing)기술이란 글자 그대로 화학적/물리적인 반응을 통하여 웨이퍼 표면을 평탄화하는 기술이다.The C.M.P .: Chemical Mechanical Polishing (C.M.P.) technology is a technology for flattening the wafer surface through a chemical / physical reaction.

이에 대해 좀더 상세히 설명하자면, 씨엠피 기술이란, 웨이퍼의 패턴이 형성되어 있는 박막표면을 연마패드 표면에 접촉하도록 하고, 슬러리를 공급하여 웨이퍼의 박막표면을 화학적으로 반응시키는 동시에 상기 연마패드를 회전운동시켜서 물리적으로 웨이퍼 박막표면의 요철부분을 연마하여 평탄화하는 기술인 것이다.In more detail, CMP technology refers to a thin film surface on which a wafer pattern is formed on the polishing pad surface, and supplies a slurry to chemically react the thin film surface of the wafer while rotating the polishing pad. It is a technique to planarize by physically polishing the uneven portion of the wafer thin film surface.

상기 슬러리의 구성요소는, 대개 산화제, 연마입자, 탈이온수 및 산성 또는 알칼리성 캐미컬 등으로 구성된다.The components of the slurry are usually composed of oxidants, abrasive particles, deionized water, acidic or alkaline chemicals, and the like.

이러한 슬러리를 반도체 씨엠피설비로 공급하는 통상적인 반도체 씨엠피설비의 슬러리 공급장치을 도1에 도시하였다.A slurry supply apparatus of a conventional semiconductor CMP facility for supplying such a slurry to a semiconductor CMP facility is shown in FIG. 1.

도1에 도시된 바와 같이, 종래의 반도체 씨엠피설비의 슬러리공급장치는, 소정량의 슬러리(1)가 수용되는 드럼(110) 및 상기 드럼(110)에 수용된 상기 슬러리(1)를 씨엠피공정이 이루어지는 장소로 공급하는 슬러리공급라인을 구비하여 이루어지는 구성이다.As shown in FIG. 1, the slurry supply apparatus of the conventional semiconductor CMP facility includes a drum 110 in which a predetermined amount of slurry 1 is accommodated and the slurry 1 accommodated in the drum 110. It is a structure provided with the slurry supply line which supplies to the place where a process is performed.

여기서, 상기 슬러리공급라인은, 혼합탱크(40) 및 공급탱크(60)를 구비하여 이루어지는 구성으로서, 상기 혼합탱크(40)는, 상기 드럼(110)에 연결된 슬러리흡입관(111) 및 중간펌프(20)가 설치된 슬러리공급관(41)을 통해 상기 드럼(110)으로부터 상기 슬러리(1)를 공급받고, 초순수공급관(42)을 통해 초순수(탈이온수, D.I.W.: DeIonaized Water)를 공급받으며, 상기 슬러리(1)와 초순수가 혼합된 혼합슬러리(2)가 더욱 균일하게 혼합되도록 상기 혼합슬러리(2)를 저면에 형성된 혼합슬러리흡입관(45)으로 흡입하여 혼합펌프(50)에 의해 밸브(44)의 개폐에 따라 혼합슬러리순환관(43)을 통해 순환시킨다.Here, the slurry supply line is configured to include a mixing tank 40 and the supply tank 60, the mixing tank 40, the slurry suction pipe 111 and the intermediate pump (connected to the drum 110) 20 is supplied with the slurry 1 from the drum 110 through the slurry supply pipe 41 installed, ultrapure water (deionized water, DIW: DeIonaized Water) is supplied through the ultrapure water supply pipe 42, and the slurry ( 1) and the mixing slurry 2 mixed with ultrapure water is sucked into the mixing slurry suction pipe 45 formed on the bottom so that the mixing slurry 2 mixed more uniformly, and the opening and closing of the valve 44 by the mixing pump 50. According to the circulating through the mixed slurry circulation pipe (43).

또한, 상기 공급탱크(60)는, 상기 혼합슬러리순환관(43)에 연결된 혼합슬러리공급관(62)을 통해 밸브(61)의 개폐에 따라 상기 혼합탱크(40)로부터 상기 슬러리를 공급받고, 공급펌프(70)에 의해 밸브(64)의 개폐에 따라 저면에 형성된 공급슬러리흡입관(65)으로 상기 혼합탱크(40)로부터 공급된 공급슬러리(3)를 흡입하여 공급슬러리순환관(63)을 통해 순환시켜서 상기 공급슬러리(3)의 정체를 방지한다. 또한, 상기 공급슬러리순환관(63)과 연결된 공급관(81)을 통해 밸브(66)의 개폐에 따라 씨엠피공정이 이루어지는 장소로 상기 공급슬러리(3)를 공급하게 된다.In addition, the supply tank 60 is supplied with the slurry from the mixing tank 40 in accordance with the opening and closing of the valve 61 through the mixing slurry supply pipe 62 connected to the mixing slurry circulation pipe 43, The supply slurry suction pipe 65 formed on the bottom surface of the pump 64 through the opening and closing of the valve 64 sucks the supply slurry 3 supplied from the mixing tank 40 and passes through the supply slurry circulation pipe 63. It circulates to prevent the supply slurry 3 from stagnation. In addition, the supply slurry 3 is supplied to the place where the CMP process is performed as the valve 66 is opened and closed through the supply tube 81 connected to the supply slurry circulation tube 63.

이러한, 상기 슬러리공급라인에는 상기 슬러리(1)를 여과하는 필터(30)(80)가 설치된다.The slurry supply line is provided with a filter 30, 80 for filtering the slurry (1).

따라서, 상기 드럼(110)에 저장된 상기 슬러리(1)는 상기 혼합탱크(40)로 이송되어 상기 혼합슬러리순환관(43)을 따라 순환되면서 초순수와 혼합되고, 상기 혼합탱크(40)에서 혼합된 혼합슬러리(2)는 다시 상기 공급탱크(60)로 이송되어 일정한 장소에 정체되어 공급슬러리(3)가 변질되는 것을 방지하도록 공급슬러리순환관(63)을 따라 연속적으로 순환되며, 이러한 공급슬러리(3)의 일부가 상기 공급관(81)을 통해 씨엠피공정이 이루어지는 씨엠피설비로 공급되는 것이다.Therefore, the slurry 1 stored in the drum 110 is transferred to the mixing tank 40 and circulated along the mixing slurry circulation pipe 43, mixed with ultrapure water, and mixed in the mixing tank 40. The mixed slurry 2 is continuously circulated along the feed slurry circulation pipe 63 so as to be transferred to the supply tank 60 and stagnated at a predetermined place to prevent the supply slurry 3 from being deteriorated. A part of 3) is supplied to the CMP facility through which the CMP process is performed through the supply pipe 81.

그러나, 상기 드럼에 수용된 상기 슬러리의 연마입자는, 독립된 단위입자(Primary Particle)의 형태로 존재하기 보다는 화학적 또는 물리적인 작용으로 쉽게 뭉쳐져서 이차입자(Secondary Particle), 이차입자의 집합체(Aggregates), 3차원적인 망상의 집합체(3-Demensional Network) 등의 형태로 존재하기 때문에 이러한 입자들이 드럼의 하단에 침적되어 전체 슬러리를 변질시키거나 슬러리공급라인을 통해 씨엠피설비로 공급되어 웨이퍼의 가공시 웨이퍼 표면의 긁힘현상을 유발하는 등 많은 문제점이 있었다.However, the abrasive particles of the slurry contained in the drum are easily aggregated by a chemical or physical action rather than exist in the form of primary particles, so that secondary particles, aggregates of secondary particles, Since they exist in the form of a three-dimensional network (3-Demensional Network), these particles are deposited on the bottom of the drum to deteriorate the entire slurry or supplied to the CMP facility through the slurry supply line to process the wafer. There are many problems such as causing scratches on the surface.

본 발명은 상기와 같은 종래의 문제점을 해결하기 위한 것으로, 그 목적은 초음파를 이용하여 슬러리 연마입자의 뭉침현상을 방지하고, 뭉쳐진 입자들을 분해하여 슬러리의 변질 및 뭉친 연마입자들로 인한 웨이퍼의 표면의 긁힘현상을 방지할 수 있게 하는 반도체 씨엠피설비의 슬러리공급장치를 제공함에 있다.The present invention is to solve the conventional problems as described above, the purpose is to prevent the agglomeration of the slurry abrasive particles using ultrasonic waves, and to decompose the aggregated particles to the surface of the wafer due to the deterioration of the slurry and aggregated abrasive particles It is to provide a slurry supply device of the semiconductor CMP facility that can prevent the phenomenon of scratching.

도1은 종래의 반도체 씨엠피설비의 슬러리 공급장치를 나타낸 개략도이다.1 is a schematic view showing a slurry supply apparatus of a conventional semiconductor CMP facility.

도2는 본 발명의 바람직한 일 실시예에 따른 반도체 씨엠피설비의 슬러리공급장치를 나타낸 개략도이다.Figure 2 is a schematic diagram showing a slurry supply apparatus of a semiconductor CMP facility according to an embodiment of the present invention.

※ 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명※ Explanation of codes for main parts of drawing

1: 슬러리(Slurry) 2: 혼합슬러리1: Slurry 2: Mixed Slurry

3: 공급슬러리 10, 110: 드럼(Drum)3: feed slurry 10, 110: drum

11, 111: 슬러리흡입관 12: 상측 반사판11, 111: slurry suction pipe 12: upper reflector

13: 하측 반사판 14: 초음파발생기13: lower reflector 14: ultrasonic generator

20: 중간펌프 30, 80: 필터20: intermediate pump 30, 80: filter

40: 혼합탱크 41: 슬러리공급관40: mixing tank 41: slurry supply pipe

42: 초순수공급관 43: 혼합슬러리순환관42: ultrapure water supply pipe 43: mixed slurry circulation pipe

44, 61, 64, 66: 밸브 45: 혼합슬러리흡입관44, 61, 64, 66: valve 45: mixed slurry suction pipe

50: 혼합펌프 60: 공급탱크50: mixed pump 60: supply tank

62: 혼합슬러리공급관 63: 공급슬러리순환관62: mixed slurry supply pipe 63: supply slurry circulation pipe

65: 공급슬러리흡입관 70: 공급펌프65: supply slurry suction pipe 70: supply pump

81: 공급관81: supply pipe

상기의 목적을 달성하기 위하여 본 발명의 반도체 씨엠피설비의 슬러리공급장치는, 소정량의 슬러리가 수용되는 드럼;과, 상기 슬러리의 입자가 서로 뭉치는 현상을 방지하기 위해 상기 드럼에 설치되고, 상기 드럼 내부에 수용된 상기 슬러리에 초음파를 인가하는 초음파발생기; 및 상기 드럼에 수용된 상기 슬러리를 씨엠피공정이 이루어지는 장소로 공급하는 슬러리공급라인;을 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 한다.In order to achieve the above object, the slurry supply apparatus of the semiconductor CMP apparatus of the present invention includes: a drum containing a predetermined amount of slurry; and installed in the drum to prevent agglomeration of particles of the slurry from each other. An ultrasonic generator for applying ultrasonic waves to the slurry contained in the drum; And a slurry supply line for supplying the slurry accommodated in the drum to a place where the CMP process is performed.

또한, 바람직하기로는, 상기 초음파발생기는 상기 슬러리와 접하는 상기 드럼의 저면에 설치되고, 상기 초음파발생기에서 발생하는 초음파가 반사되어 상기 슬러리가 공진되도록 서로 대향하여 설치되는 복수개의 반사판을 포함하여 이루어지는 것이 가능하다.In addition, preferably, the ultrasonic generator includes a plurality of reflecting plates which are installed on the bottom surface of the drum in contact with the slurry, and are provided to face each other so that ultrasonic waves generated by the ultrasonic generator are reflected to resonate the slurry. It is possible.

이하, 본 발명의 구체적인 일 실시예를 첨부된 도면을 참조하여 상세히 설명한다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도2를 참조하여 설명하면, 본 발명의 반도체 씨엠피설비의 슬러리공급장치는, 소정량의 슬러리(1)가 수용되는 드럼(10)과, 상기 슬러리(1)의 입자가 서로 뭉치는 현상을 방지하기 위해 상기 드럼(10)에 설치되고, 상기 드럼(10) 내부에 수용된 상기 슬러리(1)에 초음파를 인가하는 초음파발생기(14) 및 상기 드럼(10)에 수용된 상기 슬러리(1)를 씨엠피공정이 이루어지는 장소로 공급하는 슬러리공급라인을 구비하여 이루어진다.Referring to Figure 2, the slurry supply apparatus of the semiconductor CMP apparatus of the present invention, the drum 10 in which a predetermined amount of the slurry (1) is accommodated, and the phenomenon that the particles of the slurry (1) agglomeration with each other To prevent the ultrasonic generator 14 is installed on the drum 10, the ultrasonic generator 14 for applying ultrasonic waves to the slurry (1) accommodated in the drum 10 and the slurry (1) accommodated in the drum (10) It is provided with a slurry supply line for supplying to the place to be processed.

여기서, 상기 초음파발생기(14)는 상기 슬러리(1)와 접하는 상기 드럼(10)의 저면에 설치되고, 상기 초음파발생기(14)에서 발생하는 초음파가 반사되어 상기 슬러리(1)가 공진되도록 상기 슬러리(1) 수중에 서로 대향하여 설치되는 상측 반사판(12) 및 하측 반사판(13)을 구비한다.Here, the ultrasonic generator 14 is installed on the bottom surface of the drum 10 in contact with the slurry (1), the ultrasonic wave generated by the ultrasonic generator 14 is reflected so that the slurry (1) to resonate (1) An upper reflecting plate 12 and a lower reflecting plate 13 are provided which face each other in water.

또한, 상기 슬러리공급라인은, 혼합탱크(40) 및 공급탱크(60)를 구비하여 이루어지는 구성으로서, 상기 혼합탱크(40)는, 상기 드럼(10)에 연결된 슬러리흡입관(11) 및 중간펌프(20)가 설치된 슬러리공급관(41)을 통해 상기 드럼(10)으로부터 상기 슬러리(1)를 공급받고, 초순수공급관(42)을 통해 초순수(탈이온수, D.I.W.: DeIonaized Water)를 공급받으며, 상기 슬러리(1)와 초순수가 혼합된 혼합슬러리(2)가 더욱 균일하게 혼합되도록 상기 혼합슬러리(2)를 저면에 형성된 혼합슬러리흡입관(45)으로 흡입하여 혼합펌프(50)에 의해 밸브(44)의 개폐에 따라 혼합슬러리순환관(43)을 통해 순환시킨다.In addition, the slurry supply line is composed of a mixing tank 40 and the supply tank 60, the mixing tank 40, the slurry suction pipe 11 and the intermediate pump (connected to the drum 10) ( 20 is provided with the slurry 1 from the drum 10 through the slurry supply pipe 41 installed, ultrapure water (deionized water, DIW: DeIonaized Water) through the ultra pure water supply pipe 42, the slurry ( 1) and the mixing slurry 2 mixed with ultrapure water is sucked into the mixing slurry suction pipe 45 formed on the bottom so that the mixing slurry 2 mixed more uniformly, and the opening and closing of the valve 44 by the mixing pump 50. According to the circulating through the mixed slurry circulation pipe (43).

또한, 상기 공급탱크(60)는, 상기 혼합슬러리순환관(43)에 연결된 혼합슬러리공급관(62)을 통해 밸브(61)의 개폐에 따라 상기 혼합탱크(40)로부터 상기 슬러리를 공급받고, 공급펌프(70)에 의해 밸브(64)의 개폐에 따라 저면에 형성된 공급슬러리흡입관(65)으로 상기 혼합탱크(40)로부터 공급된 공급슬러리(3)를 흡입하여 공급슬러리순환관(63)을 통해 순환시켜서 상기 공급슬러리(3)의 정체를 방지한다. 또한, 상기 공급슬러리순환관(63)과 연결된 공급관(81)을 통해 밸브(66)의 개폐에 따라 씨엠피공정이 이루어지는 장소로 상기 공급슬러리(3)를 공급하게 된다.In addition, the supply tank 60 is supplied with the slurry from the mixing tank 40 in accordance with the opening and closing of the valve 61 through the mixing slurry supply pipe 62 connected to the mixing slurry circulation pipe 43, The supply slurry suction pipe 65 formed on the bottom surface of the pump 64 through the opening and closing of the valve 64 sucks the supply slurry 3 supplied from the mixing tank 40 and passes through the supply slurry circulation pipe 63. It circulates to prevent the supply slurry 3 from stagnation. In addition, the supply slurry 3 is supplied to the place where the CMP process is performed as the valve 66 is opened and closed through the supply tube 81 connected to the supply slurry circulation tube 63.

이러한, 상기 슬러리공급라인에는 상기 슬러리(1)를 여과하는 필터(30)(80)가 설치된다.The slurry supply line is provided with a filter 30, 80 for filtering the slurry (1).

따라서, 상기 드럼(10)에 저장된 상기 슬러리(1)는 상기 혼합탱크(40)로 이송되어 상기 혼합슬러리순환관(43)을 따라 순환되면서 초순수와 혼합되고, 상기 혼합탱크(40)에서 혼합된 혼합슬러리(2)는 다시 상기 공급탱크(60)로 이송되어 일정한 장소에 정체되어 공급슬러리(3)가 변질되는 것을 방지하도록 공급슬러리순환관(63)을 따라 연속적으로 순환되며, 이러한 공급슬러리(3)의 일부가 상기 공급관(81)을 통해 씨엠피공정이 이루어지는 씨엠피설비로 공급되는 것이다.Therefore, the slurry 1 stored in the drum 10 is transferred to the mixing tank 40 and circulated along the mixing slurry circulation pipe 43, mixed with ultrapure water, and mixed in the mixing tank 40. The mixed slurry 2 is continuously circulated along the feed slurry circulation pipe 63 so as to be transferred to the supply tank 60 and stagnated at a predetermined place to prevent the supply slurry 3 from being deteriorated. A part of 3) is supplied to the CMP facility through which the CMP process is performed through the supply pipe 81.

여기서, 상기 드럼(10)에 수용된 슬러리(1)가 변질되는 것을 막고, 연마입자의 뭉침을 방지하기 위하여 상기 초음파발생기(14)가 상기 드럼(10)에 수용된 슬러리(1)에 초음파를 인가하게 된다.Here, in order to prevent the slurry 1 contained in the drum 10 from being deteriorated and to prevent agglomeration of abrasive particles, the ultrasonic generator 14 applies ultrasonic waves to the slurry 1 contained in the drum 10. do.

즉, 상기 초음파발생기(14)에서 상기 슬러리(1)에 초음파를 안가하여 상기 슬러리(1)에 포함된 연마입자를 진동시키게 되고, 이때 이차입자, 이차입자의 집합체, 3차원적인 망상의 집합체 형태로 뭉쳐진 연마입자들이 흩어지게 되는 것이다.That is, the ultrasonic generator 14 vibrates the abrasive particles contained in the slurry 1 by applying ultrasonic waves to the slurry 1, wherein secondary particles, aggregates of secondary particles, and aggregates of three-dimensional networks are formed. The abrasive particles that are gathered together are scattered.

이러한 초음파진동효과를 극대화하기 위하여 최초 상기 슬러리(1)를 통과한 초음파가 상기 상측 반사판(12)에 의해 반사되어 되돌아 오면 다시 하측 반사판(13)에 의해 상측 반사판(12) 방향으로 반사됨으로써 진동이 증폭되는 공진현상을 유발시킬 수 있도록 하였다.In order to maximize the ultrasonic vibration effect, when the ultrasonic wave that has first passed through the slurry 1 is reflected by the upper reflector 12 and is returned, the ultrasonic wave is reflected by the lower reflector 13 toward the upper reflector 12 so that vibration is generated. The resonance phenomenon can be amplified.

이외에도 다양한 형태의 초음파발생기가 설치될 수 있고, 이러한 초음파발생기는 해당분야에 종사하는 업자에 있어서 이미 상용화되어 공지된 기술인 바 본 발명의 요지를 벗어나지 않는 범위에서 이의 수정 및 변경이 용이한 것이다.In addition, various types of ultrasonic generators can be installed, and such ultrasonic generators are already known and commercially known in the arts for those skilled in the art, and are easily modified and changed within the scope of the present invention.

그러므로, 이차입자, 이차입자의 집합체, 3차원적인 망상의 집합체 등의 형태로 존재하던 상기 드럼(10)에 수용된 상기 슬러리(1)의 연마입자를 초음파에 의해 진동시켜서 독립된 단위입자의 형태로 분산시킴으로써 연마입자의 부유성이 향상되어 침적으로 인한 슬러리의 변질을 방지하고, 단위입자형태의 연마입자만을 씨엠피설비로 공급되게 하여 양질의 웨이퍼를 생산할 수 있는 것이다.Therefore, the abrasive particles of the slurry 1 contained in the drum 10 existing in the form of secondary particles, aggregates of secondary particles, aggregates of three-dimensional network, etc. are vibrated by ultrasonic waves and dispersed in the form of independent unit particles. In this way, the floating property of the abrasive particles is improved to prevent deterioration of the slurry due to deposition, and only the abrasive particles in the form of unit particles can be supplied to the CMP facility to produce a good wafer.

이상에서와 같이 본 발명에 따른 반도체 씨엠피설비의 슬러리 공급장치에 의하면, 초음파를 이용하여 슬러리 연마입자의 뭉침현상을 방지하고, 뭉쳐진 입자들을 분해하여 슬러리의 변질 및 뭉친 연마입자들로 인한 웨이퍼의 표면의 긁힘현상을 방지할 수 있게 하는 효과를 갖는 것이다.As described above, according to the slurry supply apparatus of the semiconductor CMP apparatus according to the present invention, the ultrasonic wave is used to prevent the agglomeration of the slurry abrasive particles, and the aggregated particles are decomposed to deteriorate the slurry and cause the agglomeration of the wafer due to the aggregated abrasive particles. It has an effect of preventing the scratching of the surface.

이상에서 본 발명은 기재된 구체예에 대해서만 상세히 설명되었지만 본 발명의 기술사상 범위 내에서 다양한 변형 및 수정이 가능함은 당업자에게 있어서 명백한 것이며, 이러한 변형 및 수정이 첨부된 특허청구범위에 속함은 당연한 것이다.Although the present invention has been described in detail only with respect to the described embodiments, it will be apparent to those skilled in the art that various modifications and variations are possible within the technical scope of the present invention, and such modifications and modifications are within the scope of the appended claims.

Claims (4)

소정량의 슬러리가 수용되는 드럼;A drum containing a predetermined amount of slurry; 상기 슬러리의 입자가 서로 뭉치는 현상을 방지하기 위해 상기 드럼에 설치되고, 상기 드럼 내부에 수용된 상기 슬러리에 초음파를 인가하는 초음파발생기; 및An ultrasonic generator installed in the drum to prevent agglomeration of particles of the slurry and applying ultrasonic waves to the slurry contained in the drum; And 상기 드럼에 수용된 상기 슬러리를 씨엠피공정이 이루어지는 장소로 공급하는 슬러리공급라인;A slurry supply line for supplying the slurry contained in the drum to a place where a CMP process is performed; 을 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 씨엠피설비의 슬러리공급장치Slurry supply apparatus of a semiconductor CMP facility, characterized in that comprises a 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 초음파발생기는 상기 슬러리와 접하는 상기 드럼의 저면에 설치되고, 상기 초음파발생기에서 발생하는 초음파가 반사되어 상기 슬러리가 공진되도록 서로 대향하여 설치되는 복수개의 반사판을 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 상기 반도체 씨엠피설비의 슬러리공급장치.The ultrasonic generator is installed on the bottom surface of the drum in contact with the slurry, the semiconductor CEM comprises a plurality of reflecting plates installed to face each other so that the ultrasonic wave generated from the ultrasonic generator is reflected and the slurry is resonant Slurry feeder of equipment. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 슬러리공급라인은,The slurry supply line, 중간펌프가 설치된 슬러리공급관을 통해 상기 드럼으로부터 상기 슬러리를 공급받고, 초순수공급관을 통해 초순수를 공급받아 혼합펌프에 의해 밸브의 개폐에 따라 순환시켜서 상기 슬러리와 상기 초순수를 혼합시키는 혼합탱크; 및A mixing tank receiving the slurry from the drum through a slurry supply pipe in which an intermediate pump is installed, receiving ultrapure water through an ultrapure water supply pipe, and circulating the valve by opening and closing the valve by a mixing pump to mix the slurry and the ultrapure water; And 상기 혼합펌프가 설치된 혼합슬러리공급관을 통해 상기 혼합탱크로부터 상기 슬러리를 공급받고, 공급펌프에 의해 밸브의 개폐에 따라 상기 슬러리를 순환시켜서 상기 슬러리의 정체를 방지하며, 이를 씨엠피공정이 이루어지는 장소로 공급하는 공급탱크;The slurry is supplied from the mixing tank through the mixing slurry supply pipe in which the mixing pump is installed, and the slurry is circulated according to opening and closing of the valve by the supply pump to prevent stagnation of the slurry, which is a place where the CMP process is performed. Supply tank for supplying; 를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 상기 반도체 씨엠피설비의 슬러리공급장치.Slurry supply apparatus of the semiconductor CMP facility, characterized in that comprises a. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 슬러리공급라인에 상기 슬러리를 여과하는 필터를 설치하는 것을 특징으로 하는 상기 반도체 씨엠피설비의 슬러리공급장치.Slurry supply apparatus of the semiconductor CMP facility, characterized in that to install a filter for filtering the slurry in the slurry supply line.
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KR100412337B1 (en) * 2001-10-26 2003-12-31 (주)에이에스티 Slurry settle preventing apparatus for CMP equipment
KR100412336B1 (en) * 2001-10-26 2003-12-31 (주)에이에스티 Slurry supplying apparatus for CMP equipment

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