KR20000025764A - 반도체소자 검사용 엘이디 조명장치 - Google Patents

Abstract

본 발명은 엘이디(LED)와 하프 미러(Half Mirror)를 사용하여 반도체 μ-BGA 다이의 외곽사이즈 및 위치와 크랙(Crack)을 용이하게 측정할 수 있도록 한 반도체소자 검사용 엘이디 조명장치에 관한 것이다.

본 발명은 상방에 배치되어 발광하는 다수의 엘이디(1) 및 상기 다수의 엘이디(1) 하방에 배치된 반투명유리(2)로 된 조명수단과, 상기 조명수단에 의해 발생된 광을 통과시켜 밑부분에 위치된 반도체소자(7)를 조명함과 함께 조명된 반도체소자(7)를 렌즈(4)쪽으로 반사시켜주는 하프-미러(3)와, 상기 하프-미러(3)에 의해 반사된 반도체소자(7)의 형상의 초점을 맞추어 주는 렌즈(4)와, 상기 렌즈(4)에 의해 초점이 맞추어진 반도체소자(7)의 형상을 촬영하여 디스플레이시키는 카메라(5)로 이루어진 것이다.

Description

반도체소자 검사용 엘이디 조명장치

본 발명은 반도체소자 검사용 엘이디 조명장치에 관한 것으로, 특히 엘이디(LED)와 하프-미러(Half-Mirror)를 사용하여 반도체 μ-BGA(Ball Grid Array)다이의 외곽사이즈 및 위치와 크랙(Crack)을 용이하게 측정할 수 있도록 한 것이다.

최근, 자동화 기술의 발전과 더불어 전자 산업계에서는 자동 삽입기 또는 자동 장착기 등의 기계를 사용하여 인쇄 회로 기판에 반도체소자를 비롯한 각종 부품을 자동으로 장착하고, 생산성을 향상시키고 있다.

인쇄 회로 기판에 자동으로 소정의 부품을 장착하기 위해서는 각각의 부품에 부착되어 있는 볼을 정확히 위치시켜야 된다.

특히, 반도체 μ-BGA가 점차 고집적화됨에 따라 반도체 μ-BGA의 크기가 보다 세밀화되어 인쇄 회로 기판에 자동으로 장착할 경우에 반도체 μ-BGA가 잘못 부착되고, 이로 인하여 조립 완료된 인쇄 회로 기판의 불량 발생률이 매우 높게 된다.

따라서, 반도체 μ-BGA를 생산할 경우에 먼저 반도체 μ-BGA의 크기,위치등이 정확한가를 확인해야 한다.

이를 위하여 종래에는 작업자가 반도체 μ-BGA의 크기,위치 등을 눈으로 보면서 직접확인해야 했다.

그러므로 작업자가 반도체 μ-BGA의 위치,크기를 잘못 확인하는 경우가 많고, 이로 인하여 조립된 인쇄 회로 기판의 불량률이 매우 높았으며, 작업자가 쉽게 피로함은 물론 이로 인하여 제품의 생산성이 저하되고, 생산 원가가 상승하게 되는 등의 여러 가지 문제점이 있었다.

본 발명은 이와같은 종래의 문제점을 해결하기 위하여 안출한 것으로, 본 발명의 목적은, 다수의 엘이디와 하프 미러를 사용하여 반도체 μ-BGA다이의 외곽사이즈 및 위치와 크랙을 용이하게 측정할 수 있도록 한 반도체소자 검사용 엘이디 조명장치를 제공하는데 그 목적이 있다.

도 1은 본 발명에 따른 반도체소자 검사용 엘이디 조명장치의 전체구성도

〈도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명〉

1:엘이디 2:반투명유리

3:하프-미러 4:렌즈

5:카메라

이와같은 목적을 달성하기 위한 본 발명은, 상방에 배치되어 발광하는 다수의 엘이디 및 상기 다수의 엘이디 하방에 배치된 반투명유리로 이루어진 조명수단과,상기 조명수단에 의해 발생된 광을 통과시켜 밑부분에 위치된 반도체소자를 조명하게 함과 함께 조명된 반도체소자를 렌즈쪽으로 반사시켜주는 하프-미러와,상기 하프-미러에 의해 반사된 반도체소자의 형상의 초점을 맞추는 렌즈와,상기 렌즈에 의해 초점이 맞추어진 반도체소자의 형상을 촬영하여 디스플레이시키는 카메라를 포함하여 구성함을 특징으로 한다.

이하, 본 발명의 실시예를 첨부된 도면을 참고로 하여 상세히 설명하면 다음과 같다.

도 1은 본 발명의 전체적인 구성도로, 상방에 다수의 엘이디(1)가 배열된 조명수단이 구비되고, 상기 엘이디(1)의 밑부분에는 엘이디(1)의 광이 통과하는 반투명유리(2)가 위치된다.

그리고 상기 반투명유리(2)의 밑부분에는 하프-미러(3)가 배치되고, 상기 하프-미러(3)의 일측에 렌즈(4)를 통하여 카메라(5)가 설치되어 구성된 것으로, 도면중 미설명 부호 7은 상기 하프-미러(3)의 밑부분 개구부(6)에 위치되는 반도체소자이다.

이와같이 구성된 본 발명의 작용을 설명하면 다음과 같다.

먼저, 본 발명의 장치는 다수의 엘이디(1)로 이루어진 조명수단을 상부에 구비하고 있어 이러한 엘이디(1)에 전원을 인가하면 다수의 엘이디(1)가 점등됨으로써 엘이디(1)의 광이 반투명유리(2)를 통하여 하부로 전달된다.

이때, 상기 엘이디(1)의 밑부분에는 하프-미러(3)가 설치되어 있어 엘이디(1)의 광이 하프-미러(3)와 개구부(6)를 통하여 하부에 위치된 반도체소자(7)(여기서는 반도체 μ-BGA)로 조명된다.

여기서, 엘이디(1)의 광은 하프-미러(3)를 관통하여 반도체소자(7)로 조명될 뿐이고, 하프-미러(3)에 의해 반사되지는 않는다.

또한, 엘이디(1)의 광에 의해 조명된 반도체 소자(7)의 형상이 하프-미러(3)를 통하여 45。반사되어 렌즈(4)쪽으로 비춰지며 이 렌즈(4)에 의해 초점이 조절된 상태에서 카메라(5)에 의해 촬영되어 모니터 등을 통하여 디스플레이됨으로써 반도체소자(7)다이의 외곽사이즈 및 위치와 크랙을 용이하게 측정할 수 있게 되는 것이다.

이상에서 설명한 바와같은 본 발명은 다수의 엘이디를 사용하여 조명함과 함께 하프-미러를 사용하여 반도체 μ-BGA를 촬영함으로써 반도체 μ-BGA다이의 외곽사이즈 및 위치와 크랙을 용이하고 정확하게 측정할 수 있는 효과가 있다.

또한, 조명수단으로 엘이디를 사용함으로써 전력사용량을 감소시킬 수 있으며, 기기의 수명을 연장시킬 수 있는 효과도 있다.

Claims (1)

1. 상방에 배치되어 발광하는 다수의 엘이디 및 상기 다수의 엘이디 하방에 배치된 반투명유리로 된 조명수단과,

   상기 조명수단에 의해 발생된 광을 통과시켜 밑부분에 위치된 반도체소자를 조명함과 함께 조명된 반도체소자를 렌즈쪽으로 반사시켜주는 하프-미러와,

   상기 하프-미러에 의해 반사된 반도체소자의 형상의 초점을 맞추는 렌즈와,

   상기 렌즈에 의해 초점이 맞추어진 반도체소자의 형상을 촬영하여 디스플레이시키는 카메라를 포함하여 구성된 것을 특징으로 하는 반도체소자 검사용 엘이디 조명장치.