KR20000025763A - 반도체소자 3차원 측정장치 - Google Patents

Abstract

본 발명은 반도체 소자의 리드(Lead)측정시 엘이디(LED)를 사용하여 조명하여줌과 동시에 다수의 거울 및 측정수단을 사용하여 반도체소자의 스탠드 오프(Stand Off)와 COP를 용이하게 측정할 수 있도록 한 것이다.

본 발명은 상면에 4개의 거울(1)이 일정각도로 경사지게 배치되며, 이의 밑부분 양측에는 다수의 엘이디(3)가 일정하게 배치되고, 상기 엘이디(3)의 전면과 거울(1)밑부분에 거울(1)을 지지하도록 투명유리(4)(5)가 설치된 조명수단(10)과,상기 조명수단(10)에 의해 조명된 반도체소자(2)의 형상을 45。로 반사시키는 반사거울(20)과, 상기 반사거울(20)을 통하여 반사된 반도체소자(2)의 형상을 촬영하여 반도체소자(2) 리드의 스탠드오프와 COP를 측정하는 촬영수단(30)으로 이루어진다.

Description

반도체소자 3차원측정장치

본 발명은 반도체소자 3차원측정장치에 관한 것으로, 특히 반도체 소자의 리드(Lead)측정시 엘이디(LED)를 사용하여 조명함과 동시에 다수의 경사 거울을 사용하여 반도체소자의 스탠드 오프(Stand Off)와 COPLANARITY(동일 평면상의, 공면(共面):이하 COP라 함)를 용이하게 측정할 수 있도록 한 것이다.

최근, 자동화 기술의 발전과 더불어 전자 산업계에서는 자동 삽입기 또는 자동 장착기 등의 기계를 사용하여 인쇄 회로 기판에 반도체소자를 비롯한 각종 부품을 자동으로 장착하고, 생산성을 향상시키고 있다.

인쇄 회로 기판에 자동으로 소정의 부품을 장착하기 위해서는 각각의 부품에 부착되어 있는 핀을 정확히 절곡시켜야 된다.

특히, 반도체소자는 점차 고집적화되고, 고집적화에 따라 핀의 크기가 보다 세밀화됨은 물론 핀들의 간격이 매우 좁으므로 인쇄 회로 기판에 자동으로 장착할 경우에 반도체소자의 핀이 잘못 부착되고, 이로 인하여 조립 완료된 인쇄 회로 기판의 불량 발생률이 매우 높게 된다.

따라서, 반도체소자를 생산할 경우에 먼저 반도체소자의 외주연부에 구비되어 있는 다수의 핀이 정확하게 절곡되어 있는 지를 확인하고 있다.

이를 위하여 종래에는 반도체소자의 제조 공정중 포밍(forming) 공정에서 작업자가 일일이 반도체소자를 손으로 잡고, 핀의 절곡상태를 눈으로 보면서 직접 확인하였다.

그러므로 작업자가 반도체소자의 핀의 절곡 상태를 잘못 확인하는 경우가 많고, 이로 인하여 조립된 인쇄 회로 기판의 불량률이 매우 높았으며, 작업자가 쉽게 피로함은 물론 이로 인하여 제품의 생산성이 저하되고, 생산 원가가 상승하게 되는 등의 여러 가지 문제점이 있었다.

특히, 종래에는 반도체 소자 리드를 3차원적으로 촬영하지 못하여 스탠드 오프와 공면을 정확히 측정하기 어려운 문제점이 있었다.

본 발명은 이와같은 종래의 제반 문제점을 해결하기 위하여 안출한 것으로, 본 발명의 목적은, 엘이디를 이용하여 조명함과 동시에 다수의 거울을 사용함으로써 반도체 소자의 리드를 3차원적으로 측정할 수 있도록 한 반도체소자 3차원측정장치를 제공하는데 있다.

도 1은 본 발명에 따른 반도체소자 3차원측정장치의 전체적인 구성도

도 2는 본 발명에 따른 거울의 평면도

도 3은 본 발명의 반도체 소자 리드의 측정을 설명하기 위한 도면

〈도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명〉

1:거울 2:반도체소자

3:엘이디 4,5:투명유리

10:조명수단 20:반사거울

30:촬영수단

이와같은 목적을 달성하기 위한 본 발명은 상면에 4개의 거울이 일정각도로 경사지게 배치되며, 이의 밑부분 양측에는 다수의 엘이디가 일정하게 배치되고, 상기 엘이디의 전면과 거울밑부분에 거울을 지지하도록 투명유리가 설치된 조명수단과, 상기 조명수단에 의해 조명된 반도체소자의 형상을 45。로 반사시키는 반사거울과, 상기 반사거울을 통하여 반사된 반도체소자의 형상을 촬영하여 리드의 스탠드오프와 COP를 측정하는 촬영수단을 포함하여 구성함을 특징으로 한다.

이하, 본 발명의 실시예를 첨부된 도면을 참고로 하여 상세히 설명하면 다음과 같다.

도 1은 본 발명의 전체적인 구성도이고, 도 2는 거울의 평면도이며,도3은 반도체 소자의 측면도이다.

본 발명은 크게 조명수단(10)과 45。반사거울(20)과 촬영수단(30)으로 구성된다.

상기 조명수단(10)은, 상부에 4개의 거울(1)이 사방에서 일정각도로 경사지게 설치되며, 이들 거울(1)을 지지함과 함께 광이 통하도록 투명유리(4)가 배치되어 있으며, 이들 거울(1)사이에 측정하고자 하는 반도체소자(2)가 위치된다.

상기 거울(1)의 하방 양측에는 다수의 엘이디(3)가 일정한 간격으로 배치되어 전원인가시 동시에 점등되어 조명을 할 수 있도록 이루어져 있으며, 상기 엘이디(3)의 전방에는 투명유리(5)가 배치되어 엘이디(3)의 광이 투명유리(4)를 통하여 상기 거울(1)에서 반사되어 반도체 소자(2)를 조명하도록 이루어져 있다.

또한, 상기 조명수단(10)의 하방에는 45。경사지게 반사거울(20)이 설치되어상기 반도체 소자(2)의 형상이 촬영수단(30)쪽으로 반사됨과 동시에 거울(1)을 통하여 반사된 엘이디(3)의 광이 반사거울(20)에 의해 촬영수단(30)쪽으로 조명되도록 이루어져 있다.

이와같이 구성된 본 발명의 작용을 설명하면 다음과 같다.

먼저, 4개의 거울(1)사이에 측정하고자 하는 반도체소자(2)를 위치시킨다.

이 상태에서 엘이디(3)에 전원을 인가하면, 엘이디(3)가 점등되어 광을 발하게 되는데 이 광이 투명유리(4)(5)를 통하여 거울(1)과 반도체소자(2)에 조명된다.

따라서, 거울(1)에 의하여 반사된 엘이디(3)의 광이 반도체소자(2)를 세밀하게 조명하게 되며, 이와같이 조명된 반도체소자(2)의 형상은 45。반사거울(20)을 통하여 촬영수단(30)으로 반사된다.

여기서, 상기 거울(1)은 도 2와 같이 4개의 거울(1)이 사방에서 일정각도로 경사지게 배치되어 있어 반도체소자(2)의 리드를 3차원적으로 세밀하게 볼 수 있도록 해 준다.

그러면 촬영수단(30)에서는 반도체소자(2)를 촬영하여 모니터 등에 디스플레이하게 되므로 작업자가 모니터의 화면을 통하여 반도체 소자(2)의 리드를 측정할 수 있게 된다.

이때, 반도체소자(2)는 도 3에 도시된 바와같이, 반도체 몸체의 밑부분과 리드의 끝단사이의 간격인 스탠드 오프(X)를 용이하게 측정할 수 있으며, 리드끼리의 상하 간격인 COP(Y)를 용이하게 측정할 수 있다.

이는 상술한 바와같이 엘이디(1)에 의해 조명됨과 동시에 4개의 거울(1)에 의해 반도체소자(2)의 형상이 3차원적으로 촬영되기 때문에 이러한 스탠드 오프(X)나 COP(Y)를 용이하게 측정가능한 것이다.

이상에서 설명한 바와같은 본 발명은 엘이디를 이용한 조명수단과 상기 조명수단에 의해 발생된 광을 반사시키는 다수의 거울 및 반사거울 등에 의해 반도체소자의 리드의 형상을 촬영수단에서 3차원적으로 세밀하게 촬영할 수 있어 반도체소자 리드의 스탠드 오프나 COP를 용이하게 측정할 수 있는 효과가 있다.

Claims (1)

1. 상면에 4개의 거울이 일정각도로 경사져 대향배치되며, 이의 밑부분 양측에는 다수의 엘이디가 나란히 배치되고, 상기 엘이디의 전면과 거울밑부분에 거울을 지지하도록 투명유리가 설치된 조명수단과,

   상기 조명수단의 하방에 위치되어 조명수단에 의해 조명된 반도체소자의 형상을 45。로 반사시키는 반사거울과,

   상기 반사거울을 통하여 반사된 반도체소자의 형상을 촬영하여 반도체소자 리드의 스탠드오프와 COP를 측정하는 촬영수단을 포함하여 구성한 것을 특징으로 하는 반도체소자 3차원측정장치.