KR20000021278U - Upper Electrode of Dry Etching Chamber - Google Patents
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Abstract
목적: 드라이 에칭 공정을 행하는 프로세싱 챔버 내에 구비된 상부 전극의 마모에 따른 교체 작업을 손쉽게 할 수 있는 드라이 에칭 챔버의 상부 전극을 제공한다.OBJECT: To provide an upper electrode of a dry etching chamber that can easily replace the operation according to the wear of the upper electrode provided in the processing chamber for performing a dry etching process.
구성: 드라이 에칭을 위한 챔버 설비의 상부 전극에 있어서, 다수의 가스 분사홀이 형성된 내측 상부 전극과, 상기 내측 상부 전극이 중앙홀로 삽입되는 링 형상의 몸체로 이루어진 외측 상부 전극으로 구성되어, 상기 내측 상부 전극만을 별도로 교체할 수 있게 한다. 상기의 구성에서, 상기 내측 상부 전극과 외측 상부 전극은 그 표면을 애노다이징 코팅 처리하여 구성하되, 상기 내측 상부 전극과 외측 상부 전극 간의 접촉부는 도전 가능한 비코팅부로 형성한다.Configuration: An upper electrode of a chamber installation for dry etching, comprising: an inner upper electrode formed with a plurality of gas injection holes, and an outer upper electrode formed of a ring-shaped body into which the inner upper electrode is inserted into the center hole; Only the upper electrode can be replaced separately. In the above configuration, the inner upper electrode and the outer upper electrode are configured by anodizing the surface thereof, wherein the contact portion between the inner upper electrode and the outer upper electrode is formed of an uncoated conductive portion.
효과: 설비의 보수 작업 및 부품 교체시에 내측 상부 전극 만을 해체하면 되므로, 폴리머의 축적 및 마모 등으로 인한 부품 교체시에 하나의 몸체로 된 상부 전극 전체를 교체하던 종래에 비해, 작업자의 노고가 경감되며, 작업 시간을 단축하여 설비 가동시간을 향상시켜 생산성을 증대시킬 수 있고, 아울러 설비의 유지 보수에 필요한 부품 공급 및 인력 투입에 소요되는 비용을 절감할 수 있다.Effect: Since only the inner upper electrode needs to be dismantled during maintenance work and parts replacement, the labor of the operator is more complicated than in the past, when the entire upper electrode of one body was replaced when replacing parts due to polymer accumulation and wear. It can reduce the work time, improve the uptime of the equipment, increase productivity, and reduce the cost of supplying parts and manpower required for the maintenance of the equipment.
Description
본 고안은 드라이 에칭장치에 관련된 것으로, 특히 드라이 에칭 공정에 사용되는 챔버의 내부에 구비되며 공정을 위한 반응 가스를 공급하는 동시에 고주파 파워소스를 인가하는 캐소드 역할을 하는 드라이 에칭 챔버의 상부 전극에 관한 것이다.The present invention relates to a dry etching apparatus, and more particularly, to an upper electrode of a dry etching chamber which is provided inside a chamber used in a dry etching process and serves as a cathode for supplying a reactive gas for the process and applying a high frequency power source. will be.
반도체 웨이퍼의 패턴형성에 있어서는 소자의 고집적화, 미세화에 수반해서 고정밀도의 에칭을 행하기 위하여 공정 조건과 소망의 에치율에 적합한 에칭 방법을 채택하게 된다.In pattern formation of a semiconductor wafer, an etching method suitable for the process conditions and the desired etch rate is adopted to perform high precision etching with high integration and miniaturization of the device.
반도체 공정에서 산화막, 메탈막, 폴리막 등의 박막 에칭에 많이 사용되는 드라이 에칭 장치는 챔버 내에 설치된 한 쌍의 평행 평판형 전극에서 방사된 고주파 파워에 의하여 챔버 내로 분사된 반응가스를 이온화시켜 여기에서 발생된 플라즈마를 이용하여 에칭을 행할 수 있도록 구성된다.Dry etching apparatuses, which are frequently used for etching thin films such as oxide films, metal films, and poly films in a semiconductor process, ionize a reaction gas injected into a chamber by high frequency power radiated from a pair of parallel plate electrodes installed in the chamber. It is comprised so that etching may be performed using the generated plasma.
드라이 에칭장치에서 사용되는 통상적인 챔버 구조의 일예를 보인 도 1을 참조하면, 드라이 에칭 챔버는 챔버(10) 내부에 고주파 파워소스(RF)를 인가하기 위한 상부 전극(30)과 하부 전극(25)을 구비하여 이 두 전극(30,25) 간의 고전계 방출로 챔버(10) 내부 공간으로 분사된 반응가스로부터 가스 플라즈마를 형성하도록 된 구조이다. 최근의 드라이 에칭 챔버 중에는 가스 플라즈마의 분포를 자계의 형성에 의하여 콘트롤하는 일렉트로 마그네트(27)를 구비하는 것도 있다.Referring to FIG. 1, which shows an example of a conventional chamber structure used in a dry etching apparatus, a dry etching chamber includes an upper electrode 30 and a lower electrode 25 for applying a high frequency power source RF into the chamber 10. ) To form a gas plasma from the reaction gas injected into the internal space of the chamber 10 by the high field emission between the two electrodes 30 and 25. Some recent dry etching chambers include an electromagnet 27 which controls the distribution of gas plasma by the formation of a magnetic field.
상기 챔버(20)는 내벽과 외벽으로 이루어진 어퍼 챔버(21a)와, 로워 챔버(21b)가 장입 볼트(B1)에 의해 상호 결합되어서 챔버벽(21)을 이루고 있고, 챔버(20)에는 화합물 혼합가스를 유입하는 가스 유입구(22)와 배큠조성 및 반응가스의 배출을 위한 가스 배출구(23)를 갖추어 플라즈마 형성을 위한 식각 가스의 공급 및 배출을 행하도록 되어 있으며, 플라즈마에 의한 에칭이 행해지는 웨이퍼(WF)는 원통 평판형의 하부 전극(25) 상에서 포커스링(26)에 둘러싸여 그 위치가 포커싱되는 구조를 취하고 있다.The chamber 20 is composed of an upper chamber 21a formed of an inner wall and an outer wall, and a lower chamber 21b coupled to each other by a charging bolt B1 to form a chamber wall 21. A gas inlet 22 for introducing gas and a gas outlet 23 for exhaust gas formation and reaction gas discharge are provided to supply and discharge the etching gas for plasma formation, and the wafer is etched by the plasma. The WF has a structure in which the position is focused by being surrounded by the focus ring 26 on the lower electrode 25 of the cylindrical flat plate type.
이러한 구성에 의하여 하부 전극(25) 위에 놓인 웨이퍼(WF)의 박막은 챔버(20) 내의 가스 플라즈마에 의한 드라이 에칭에 의해서 박막 상부의 포토레지스트막의 패턴에 따라 제거된다.By this configuration, the thin film of the wafer WF placed on the lower electrode 25 is removed in accordance with the pattern of the photoresist film on the thin film by dry etching by gas plasma in the chamber 20.
도 2 는 종래의 상부 전극(30)의 구조를 상세히 사시도로서, 상술한 바와 같이 플라즈마 조성을 위한 고주파 파워를 방사하는 캐소드의 역할을 하는 상부 전극(30)은 알루미늄제의 몸체로 형성되며, 그 몸체의 내주변에 상하 천공 형성된 다수의 가스 분사홀(36)들이 일정간격으로 형성되어 가스 주입구(22)를 통해 공급된 식각 가스를 챔버 내부로 공급하는 역할을 겸하도록 되어 있다. 이러한 두 가지 역할을 하는 상부 전극(30)은 챔버(20)와의 장착을 위해, 몸체의 외주부에 볼트 체결공(34)을 형성하여 챔버벽(21)에 체결할 수 있도록 하고 있다. 이때, 상부 전극(30)과 챔버벽(21) 사이에는 오링을 개재하여 기밀을 유지할 수 있도록 한다.FIG. 2 is a detailed perspective view of the structure of the conventional upper electrode 30. As described above, the upper electrode 30 serving as a cathode for radiating high frequency power for plasma composition is formed of a body made of aluminum, and the body thereof. The plurality of gas injection holes 36 formed in the inner periphery of the upper and lower perforations are formed at regular intervals to serve to supply the etching gas supplied through the gas injection port 22 into the chamber. The upper electrode 30, which plays two roles, forms a bolt fastening hole 34 on the outer circumference of the body so as to be attached to the chamber wall 21 for mounting with the chamber 20. At this time, the airtightness may be maintained between the upper electrode 30 and the chamber wall 21 through the O-ring.
이러한 챔버(20) 및 상부 전극(30)의 구조는 TEL(TOKYO ELECTRONIC LTD)의 UNITY 85DD 설비에도 적용되고 있다.The structure of the chamber 20 and the upper electrode 30 is also applied to the UNITY 85DD facility of TEL (TOKYO ELECTRONIC LTD).
일반적으로, 모든 드라이 에칭 설비는 식각 가스 등에 의한 폴리머의 생성 및 축적에 의하여 챔버 내부 각 부위의 수명이 단축되는 바, 종래에도 이를 방지하기 위한 각고의 노력이 있었으며, 이러한 예는 미합중국 특허 제 4,451,349 호, 제 4,352,725 호 및 국내 특허 공고 제 96-13,143 호 등을 통해서도 살펴볼 수 있다.In general, all dry etching facilities shorten the lifespan of each part inside the chamber due to the generation and accumulation of polymers by etching gas and the like, and efforts have been made to prevent them in the prior art, and examples thereof are described in US Patent No. 4,451,349. , 4,352,725 and domestic patent publications 96-13,143.
그러나, 상술한 폴리머 축적 방지를 위한 많은 노력에도 불구하고, 아직까지는 챔버 내부의 폴리머 축적을 막지 못하고 있어, 일정시간 에칭 작업을 한 뒤에는 공정 진행을 중단하고, 챔버의 전극(25,30)들을 분해하여 폴리머를 제거해 주어야 한다.However, despite many efforts to prevent the above-described polymer accumulation, the polymer accumulation in the chamber has not yet been prevented. Therefore, after the etching operation is performed for some time, the process is stopped and the electrodes 25 and 30 of the chamber are disassembled. To remove the polymer.
특히, 상부 전극(30)은 에칭시에 발생된 폴리머가 축적되는 오염에 노출되어, 가스 분사홀(36)들의 내경이 폴리머의 침적에 의해 좁아지게 되므로, 챔버(20) 내부로 분사되는 가스 주입량에 현저한 영향을 주게 되며, 이로 인해 웨이퍼의 균일 에칭에 지장을 초래하게 된다.In particular, since the upper electrode 30 is exposed to contamination in which the polymer generated at the time of etching accumulates, the inner diameter of the gas injection holes 36 is narrowed due to the deposition of the polymer, so that the amount of gas injected into the chamber 20 is increased. Has a significant effect on the wafer, which causes a problem in the uniform etching of the wafer.
따라서, 정기적인 보수작업을 통하여 상부 전극(30)의 폴리머를 제거해 주게 되는데, 이러한 보수 과정에서 마모된 가스 분사홀(36)들의 내경이 규정치를 벗어나는 경우 균일 에칭에 막대한 지장이 초래되므로, 이때에는 상부 전극(30)을 새것으로 교체해 주어야 한다.Therefore, the polymer of the upper electrode 30 is removed through regular maintenance work. If the inner diameter of the worn gas injection holes 36 is out of the prescribed value during the repair process, a great obstacle is caused in uniform etching. The upper electrode 30 should be replaced with a new one.
그러나, 이러한 교체작업에는 많은 작업 공수와 시간소요가 요구되고, 더욱이 상부 전극(30)은 고가의 비용으로 제조 및 공급되는 것이어서 이의 교환에 소요되는 비용의 부담이 대단히 크다.However, such a replacement work requires a lot of labor and time, and moreover, since the upper electrode 30 is manufactured and supplied at an expensive cost, the burden of the cost of the replacement thereof is very large.
상부 전극(30)의 몸체 부분 중, 마모로 인해 실제의 에칭 공정에 지장을 주는 부분은 가스 분사홀(36)이 형성된 부분이고, 챔버벽(21)과 체결되는 상부 전극(30)의 외곽부는 폴리머 등의 축적이 없는 상태이므로, 실제로 교환이 요구되는 부분은 상부 전극(30)의 내측 부위 즉, 가스 관통공이 있는 부분인 것이다.The part of the body portion of the upper electrode 30, which interferes with the actual etching process due to abrasion, is a portion in which the gas injection holes 36 are formed, and the outer portion of the upper electrode 30 which is engaged with the chamber wall 21 is formed. Since there is no accumulation of a polymer or the like, the portion that is actually required to be replaced is an inner portion of the upper electrode 30, that is, a portion having a gas through hole.
그럼에도 불구하고, 종래에는 상부 전극(30) 전체를 교체해 주어야 함에 따라 경제적 측면과 작업성의 측면에서 상당한 낭비가 초래되는 것이었다.Nevertheless, the prior art had to replace the entire upper electrode 30 was a significant waste in terms of economics and workability.
전술한 문제점을 적극 해결하고자 안출된 본 고안은 상부 전극을 가스 관통구가 형성되어 있는 내측 상부 전극과 챔버 벽과의 체결공이 형성된 외측 상부 전극으로 분리 구성하여, 폴리머의 축적 등으로 상부 전극이 손상을 입었을 경우에 상부 전극 중 내측 상부 전극 만을 분리하여 교체할 수 있도록 함으로써, 교체 비용을 최소화함과 아울러 교체시의 작업성 향상 및 작업 공수의 단축으로 설비의 가동시간을 향상시킬 수 있도록 함을 목적으로 한다.The present invention devised to actively solve the above-mentioned problem is configured to separate the upper electrode into an inner upper electrode in which a gas through hole is formed and an outer upper electrode in which a fastening hole is formed between the chamber wall, and the upper electrode is damaged due to accumulation of polymer. In order to improve the uptime of the equipment by minimizing the replacement cost and improving workability and shortening the labor time, it is possible to separate and replace only the inner upper electrode among the upper electrodes in case of wear. It is done.
상기의 목적을 달성하기 위하여 본 고안은 드라이 에칭을 위한 챔버 설비의 상부 전극에 있어서, 다수의 가스 분사홀이 형성된 내측 상부 전극과, 상기 내측 상부 전극이 중앙홀로 삽입되는 링 형상의 몸체로 이루어진 외측 상부 전극으로 구성되어, 상기 내측 상부 전극만을 별도로 교체할 수 있게 한다.In order to achieve the above object, the present invention, in the upper electrode of the chamber equipment for dry etching, the outer side consisting of an inner upper electrode formed with a plurality of gas injection holes, and a ring-shaped body in which the inner upper electrode is inserted into the center hole It consists of an upper electrode, so that only the inner upper electrode can be replaced separately.
상기의 구성에서, 상기 내측 상부 전극과 외측 상부 전극은 그 표면을 애노다이징 코팅 처리하여 구성하되, 상기 내측 상부 전극과 외측 상부 전극 간의 접촉부는 도전 가능한 비코팅부로 형성한다.In the above configuration, the inner upper electrode and the outer upper electrode are configured by anodizing the surface thereof, wherein the contact portion between the inner upper electrode and the outer upper electrode is formed of an uncoated conductive portion.
또한, 상기 내측 상부 전극과 외측 상부 전극의 사이에 오링을 개재하여 기밀을 유지하게 한다.In addition, airtightness is maintained between the inner upper electrode and the outer upper electrode through an O-ring.
이와 같이 구성되는 본 고안의 드라이 에칭 챔버의 상부 전극은 두 개의 몸체로 분리되어 탈착 가능하게 구성되는 것이어서, 교체 작업 및 보수 작업시에 내측 상부 전극만을 해체 결합하면 되므로, 작업성이 향상되어 설비 가동시간을 연장할 수 있도록 하는 한편, 설비의 유지보수에 소요되는 비용도 절감할 수 있도록 하는 이점을 제공한다.The upper electrode of the dry etching chamber of the present invention configured as described above is configured to be detachable by being separated into two bodies, so that only the inner upper electrode needs to be disassembled and combined during replacement and maintenance work, thereby improving workability and operating facilities. It offers the advantage of extending the time and reducing the cost of maintenance of the plant.
도 1 은 일반적인 드라이 에칭 챔버의 단면도1 is a cross-sectional view of a typical dry etching chamber.
도 2 는 도 1에 도시된 상부 전극의 사시도2 is a perspective view of the upper electrode shown in FIG.
도 3 은 본 고안에 따른 상부 전극의 분해 사시도3 is an exploded perspective view of the upper electrode according to the present invention
도 4 는 본 고안에 따른 상부 전극의 장착 상태구조를 보인 단면도4 is a cross-sectional view showing a mounting state structure of the upper electrode according to the present invention
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 *Explanation of symbols on the main parts of the drawings
20 - 챔버 21 - 챔버 벽20-chamber 21-chamber wall
22 - 가스 주입구 23 - 가스 배출구22-gas inlet 23-gas outlet
25 - 하부 전극 26 - 포커스링25-lower electrode 26-focus ring
27 - 일렉트로 마그네트 28 - 오링27-Electromagnet 28-O-Ring
130 - 상부 전극 130a - 내측 상부 전극130-upper electrode 130a-inner upper electrode
130b - 외측 상부 전극 134 - 체결공130b-Top outer electrode 134-Fastener
136 - 가스 분사홀 138 - 오링136-Gas Injection Hole 138-O-Ring
WF - 웨이퍼WF-Wafer
이하, 도면을 참조하여 본 고안을 바람직한 실시 예로서 더욱 상세히 설명한다.Hereinafter, with reference to the drawings will be described in detail the present invention as a preferred embodiment.
도 3 은 본 고안에 따른 상부 전극의 분해상태를 보인 사시도로서, 본 고안의 실시 예에 따른 상부 전극(130)은 다수의 가스 분사홀(136)이 형성된 내측 상부 전극(130a)과, 상기 내측 상부 전극(130a)이 삽입되는 중앙홀을 가진 링형상의 몸체로 형성되며 챔버 벽(21)과의 체결을 위한 체결공(134)이 상하로 관통 형성된 외측 상부 전극(130b)으로 분리 구성된다.3 is a perspective view showing an exploded state of the upper electrode according to the present invention, the upper electrode 130 according to an embodiment of the present invention is the inner upper electrode 130a having a plurality of gas injection holes 136 and the inner The upper electrode 130a is formed as a ring-shaped body having a central hole into which the fastening hole 134 for fastening with the chamber wall 21 is separated and formed as an outer upper electrode 130b penetrating up and down.
도 4는 본 고안에 따른 상부 전극(130)의 장착 상태를 보인 단면도로서, 내측 상부 전극(130a)은 외측 상부 전극(130b)의 상부에 얹혀져 상호 결합되고, 외측 상부 전극(130b)은 체결공(134)들을 관통하여 챔버 벽(21)에 체결되는 다수의 볼트(B2)에 의해 고정된다.4 is a cross-sectional view showing a mounting state of the upper electrode 130 according to the present invention, the inner upper electrode 130a is mounted on the upper portion of the outer upper electrode 130b and coupled to each other, and the outer upper electrode 130b is a fastening hole. It is secured by a plurality of bolts B2 which are fastened to the chamber walls 21 through 134.
이때, 내측 상부 전극(130a)과 외측 상부 전극(130b)사이에는 오링(O-Ring, 138)이 개재되어 기밀을 유지하게 되며, 상기 내측 상부 전극(130a)과 외측 상부 전극(130b)의 형 합성이 양호하면 상기 오링(138)은 생략될 수도 있다.At this time, an O-ring (138) is interposed between the inner upper electrode 130a and the outer upper electrode 130b to maintain airtightness, and the inner upper electrode 130a and the outer upper electrode 130b are formed. O-ring 138 may be omitted if composition is good.
또한, 내측 상부 전극(130a)과 외측 상부 전극(130b)에는 도시안된 나사 체결공을 형성해 주어 상호(130a,130b) 체결할 수 있도록 구성함으로써, 상호간의 결합력을 더욱 견고하게 할 수도 있다.In addition, the inner upper electrode 130a and the outer upper electrode 130b may be provided with screw fastening holes (not shown) to be configured to be fastened to each other (130a, 130b), thereby making it possible to further strengthen the mutual coupling force.
이러한 구성에 있어서, 상기 내측 상부 전극(130a)과 외측 상부 전극(130b)은 표면을 애노다이징(Anodizing) 코팅 처리하되, 상호 밀착되는 접촉부(A,A')는 비코팅부로 형성하여 전류가 흐르게 함으로써 상부 전극(130)의 모든 부분에서 고주파 파워소스의 고전계가 고르게 방사될 수 있게 한다.In this configuration, the inner upper electrode (130a) and the outer upper electrode (130b) is anodizing (Anodizing) coating the surface, but the contact portion (A, A ') in close contact with each other is formed by the uncoated portion, the current This allows the high field of the high frequency power source to be evenly radiated at all parts of the upper electrode 130.
이러한 비코팅부의 형성은 소망의 비코팅할 부분에 마스크를 덮은 후 몸체 전체에 애노다이징을 실시하면 된다.The formation of such an uncoated portion may be performed by anodizing the entire body after covering the mask to a desired uncoated portion.
이와 같이 구성되는 본 고안의 작용 효과를 설명하면 다음과 같다.Referring to the operation and effect of the subject innovation is configured as follows.
챔버(20)의 가스 주입구(22)를 통해 식각 가스를 주입하는 동시에 플라즈마 발생을 위한 고전압을 인가하여 식각 공정을 진행시키면, 상기 주입된 식각 가스는 내측 상부 전극(130a)의 가스 분사홀(136)들을 통해 챔버 내부로 분사되면서 상하부 전극(130,25) 간에 공급되는 고주파 파워에 의한 이온화현상으로 가스 래디컬을 발생하게 되며, 이 가스 래티컬이 웨이퍼(WF)의 노출된 박막과 반응함으로써 소망의 에칭 공정이 행해지게 되는 것이다.When the etching process is performed by injecting the etching gas through the gas injection port 22 of the chamber 20 and applying a high voltage for plasma generation, the injected etching gas is a gas injection hole 136 of the inner upper electrode 130a. The gas radicals are generated by ionization by high frequency power supplied between the upper and lower electrodes 130 and 25 as they are injected into the chamber through the chambers, and the gas radicals react with the exposed thin film of the wafer WF. An etching process is performed.
이러한 에칭 과정에서 부산물로 발생하는 챔버(20) 내의 폴리머는 챔버 내벽과 내측 상부 전극(130a)의 가스 분사홀(136) 등에 침적되어지는 바, 이 폴리머를 제거하기 위한 정기적인 보수작업이 필요하게 된다.The polymer in the chamber 20 generated as a by-product during the etching process is deposited on the gas injection hole 136 of the chamber inner wall and the inner upper electrode 130a, and thus requires regular maintenance to remove the polymer. do.
이러한 정기적인 보수작업이 행해지는 과정에 의하여 가스 분사홀(136)들이 조금씩 마모되는 등, 장기간 사용된 상부 전극(130)에는 가스 분사홀(136)의 규격 변동이 초래되어 상부 전극(130)의 교체가 요구된다.As the gas injection holes 136 are gradually worn out by the process of performing such regular maintenance, the standard electrode of the gas injection holes 136 is changed to the upper electrode 130 which has been used for a long time. Replacement is required.
이때, 본 고안은 챔버 벽(21)에 볼트 체결된 외측 상부 전극(130b)을 그대로 둔 채로 내측 상부 전극(130a)만을 교환해 주면 된다.In this case, the present invention only needs to replace the inner upper electrode 130a while leaving the outer upper electrode 130b bolted to the chamber wall 21 as it is.
이와 같이 본 고안은 체결공(134)의 볼트(B2)를 모두 풀어준 다음 상부 전극(130) 전체를 해체하던 종래에 비해서, 볼트 작업이 불필요하고 저중량 부분 단품인 내측 상부 전극(130a)만을 취급함으로 인해 그 교체 작업이 손쉽게 되는 것이며 이에 소요되는 시간도 현저히 단축될 수 있는 것이다. 이러한 이점은 가스분사홀(136)에 축적된 폴리머를 제거하기 위한 보수 작업에서도 마찬가지이다.As such, the present invention handles only the inner upper electrode 130a, which is not required for bolt work and is a low-weight partial unit, as compared with the conventional release of all the upper electrodes 130 after releasing all the bolts B2 of the fastening hole 134. This makes the replacement work easier and the time required for this can be significantly reduced. This advantage is the same in the maintenance work for removing the polymer accumulated in the gas injection hole 136.
이와 같이 본 고안은 설비 보수 및 전극 부품의 교체에 소요되는 작업시간을 단축할 수 있도록 하므로, 설비 가동시간을 향상시켜 반도체 제품의 생산성을 증대시킬 수 있도록 하는 것이다.As such, the present invention can shorten the working time required for repairing a facility and replacing electrode parts, thereby improving productivity of semiconductor products by improving facility uptime.
또한, 본 고안은 높은 코스트로 제작 및 공급되던 종래의 상부 전극에 비하여 대폭 저렴한 비용으로 제작 가능한 내측 상부 전극(130a)만을 교환해 줄 수 있도록 하는 것이므로, 설비의 유지보수 비용을 대폭 절감할 수 있도록 한다.In addition, the present invention is to replace only the inner upper electrode 130a that can be manufactured at a significantly lower cost than the conventional upper electrode manufactured and supplied at a high cost, so that the maintenance cost of the equipment can be significantly reduced. do.
이상에서 설명한 바와 같이 본 고안의 드라이 에칭장치의 상부 전극은 설비의 보수 작업 및 부품 교체시에 내측 상부 전극 만을 해체하면 되는 것이므로, 폴리머의 축적 및 마모 등으로 인한 부품 교체시에 하나의 몸체로 형성된 상부 전극 전체를 교체하던 종래에 비해, 작업자의 노고가 경감되며, 작업 시간을 단축하여 설비 가동시간을 향상시킬 수 있도록 함으로써 생산성을 증대시킬 수 있도록 하고, 아울러 설비의 유지 보수에 필요한 부품 공급 및 인력 투입에 소요되는 비용을 절감할 수 있도록 하는 효과가 있다.As described above, since the upper electrode of the dry etching apparatus of the present invention only needs to dismantle the inner upper electrode during the maintenance work and the replacement of parts, it is formed as a single body when replacing parts due to polymer accumulation and wear. Compared to the conventional replacement of the entire upper electrode, the labor of the operator is reduced, and the working time can be shortened to improve the uptime of the equipment, thereby increasing productivity and supplying parts and manpower required for the maintenance of the equipment. There is an effect to reduce the cost of the input.
한편, 본 고안은 특정의 바람직한 실시 예에 국한하지 않고 청구범위에 기재된 기술적 권리 내에서는 당 업계의 통상적인 지식에 의하여 다양한 응용이 가능함은 물론이다.On the other hand, the present invention is not limited to the specific preferred embodiment, it is a matter of course that a variety of applications are possible by the common knowledge in the art within the technical rights described in the claims.
Claims (3)
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR2019990008968U KR20000021278U (en) | 1999-05-25 | 1999-05-25 | Upper Electrode of Dry Etching Chamber |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR2019990008968U KR20000021278U (en) | 1999-05-25 | 1999-05-25 | Upper Electrode of Dry Etching Chamber |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20000021278U true KR20000021278U (en) | 2000-12-26 |
Family
ID=54763263
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR2019990008968U KR20000021278U (en) | 1999-05-25 | 1999-05-25 | Upper Electrode of Dry Etching Chamber |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR20000021278U (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101475393B1 (en) * | 2013-11-26 | 2014-12-22 | 하나머티리얼즈(주) | Handling zig of cathode electric plate |
-
1999
- 1999-05-25 KR KR2019990008968U patent/KR20000021278U/en not_active Application Discontinuation
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101475393B1 (en) * | 2013-11-26 | 2014-12-22 | 하나머티리얼즈(주) | Handling zig of cathode electric plate |
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