KR20000016150A - 데카플루오로펜탄 조성물 - Google Patents

데카플루오로펜탄 조성물 Download PDF

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KR20000016150A
KR20000016150A KR1019980709718A KR19980709718A KR20000016150A KR 20000016150 A KR20000016150 A KR 20000016150A KR 1019980709718 A KR1019980709718 A KR 1019980709718A KR 19980709718 A KR19980709718 A KR 19980709718A KR 20000016150 A KR20000016150 A KR 20000016150A
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decafluoropentane
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애비드 내자랄리 머첸트
바바라 하빌랜드 마이너
슈브 아카베랄리 모이야디
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미리암 디. 메코너헤이
이.아이,듀우판드네모아앤드캄파니
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Abstract

본 발명의 유효량의 1,1,1,2,3,4,4,5,5,5-데카플루오로펜탄 및 시클로헥산, 또는 1,1,1,2,3,4,4,5,5,5-데카플루오로펜탄, 시클로헥산 및 아세톤을 포함하는 공비 조성물 또는 유사 공비 조성물은 세정제, 대체 건조제, 와이핑(wiping) 용매, 냉매, 에어로졸 추진제, 열매(熱媒), 기체상 유전체, 소화(消火)제, 폴리올레핀 및 폴리우레탄의 발포제, 동력 사이클 작동 유체로서 유용하다.

Description

데카플루오로펜탄 조성물
플루오르화 탄화수소는 많은 용도를 지니는데, 그 중 하나는 예를 들어, 전기 회로판을 세정하는 세정제 또는 용매로서의 용도이다. 전기 소자들은 융제(flux)로 판의 전체 회로부분을 코팅한 후 융제 코팅된 판을 예비가열기 위의 용융된 납땝에 통과시킴으로써 회로판에 땜납된다. 융제는 전도성 금속을 세정하고 땜납 용융을 증진시키나, 세정제로 제거되어야 할 잔사를 회로판에 남긴다. 플루오르화 탄화수소는 또한 증기 탈지 작업 및 와이핑 용매 용도에서 세정제로 유용하다.
바람직하게는, 세정제는 세정될 기판에 손상을 입히지 않고 융제 및 융제 잔사가 제거될 수 있도록 하기 위하여 낮은 비점, 비휘발성, 낮은 독성 및 높은 용매력을 지녀야만한다. 또한, 바람직하게는 플루오르화 탄화수소를 포함하는 세정제는 이들이 비등 또는 증발시 분별되지 않도록 공비혼합물 또는 유사 공비혼합물이어야 한다. 세정제가 공비혼합물 또는 유사 공비혼합물이 아닌 경우, 세정제 중 보다 휘발성이 높은 성분은 증발되어서, 세정제는 가연성이되거나 또는 그리 바람직하지 못한 용매 특성, 예를 들어, 낮은 로진 융제 용매력 및 세정될 전기 소자에 대한 낮은 불활성도를 갖게될 수 있다. 또한, 공비 특성은 세정제가 일반적으로 최종 세정을 위해 재증류되어 재사용되기 때문에 증기 탈지 작업에서 바람직하다.
또한, 플루오르화 탄화수소는 냉매로 사용될 수 있다. 냉각 용도에서, 냉매는 종종 축의 실링, 호수 연결부, 땜납 연결부위 및 깨진 틈에서의 누출로 인해 손실된다. 또한, 냉매는 냉각 장치에서 유지되는 동안 대기로 방출될 수 있다. 따라서, 단일 플루오르화 탄화수소, 또는 1종 이상의 플루오르화 탄화수소를 포함하는 공비 조성물 또는 유사 공비 조성물을 냉매로 사용하는 것이 바람직하다. 1종 이상의 플루오르화 탄화수소를 포함하는 일부 비공비 조성물도 또한 냉매로 사용될 수 있으나, 이들은 냉매 충전물의 일부가 누출되거나 또는 대기로 방출되는 경우에 조성이 변화되거나 또는 분별되는 단점을 지닌다. 비공비 조성물이 가연성 성분을 함유하는 경우, 블렌드는 상기와 같은 조성의 변화에 의해 가연성이 될 수 있다. 냉각 장치는 분별로 인한 조성 및 증기압의 변화로 인하여 역효과를 나타낼 수 있다.
또한, 플루오르화 탄화수소의 공비 또는 유사 공비 조성물은 독립 기포 폴리우레탄, 페놀계 및 열가소성 발포체의 제조에서 발포제로 유용하다. 단열용 발포체는 중합체를 발포시키기 위해서뿐만 아니라, 더욱 중요하게는 단열치의 중요한 특성인 발포제의 낮은 증기 열 전도성을 이용하기 위하여 발포제를 요구하게 된다.
에어로졸 산물은 에어로졸계에서 추진 증기압 감쇄제로서 단일 성분 플루오르화 탄화수소, 및 플루오르화 탄화수소의 공비 조성물 또는 유사 공비 조성물 모두를 사용한다. 실질적으로 일정한 조성 및 증기압을 갖는 공비 조성물 또는 유사 공비 조성물은 에어로졸에서 용매 및 추진제로서 유용하다.
플루오르화 탄화수소를 포함하는 공비 또는 유사 공비 조성물은 또한 열매, 기체상 유전체, 소화제, 열 펌프와 같은 동력 사이클 작동 유체, 중합 반응용 불활성 매질, 금속 표면으로부터 입자를 제거하기 위한 액체, 및 금속 상에 윤활제를 미세한 필름으로 배치시키기 위하여 사용될 수 있는 캐리어 액체로서 유용하다.
또한, 플루오르화 탄화수소를 포함하는 공비 또는 유사 공비 조성물은 금속과 같은 세정될 표면으로부터 버프 연마제를 제거하기 위한 버프 연마제 세제로서, 보석 또는 금속으로부터 물을 제거하기 위한 건조제로서, 염소계 현상제를 사용하는 통상의 회로 제조법에서 레지스트-현상제로서, 그리고 예를 들어, 1,1,1-트리클로로에탄 또는 트리클로로에틸렌과 같은 염화탄화수소와 함께 사용하는 경우 포토리지스트용 탈거제로서 유용하다.
발명의 요약
본 발명은 공비 조성물 또는 유사 공비 조성물을 형성하는, 유효량의 1,1,1,2,3,4,4,5,5,5-데카플루오로펜탄 및 시클로헥산, 또는 1,1,1,2,3,4,4,5,5,5-데카플루오로펜탄, 시클로헥산 및 아세톤의 혼합물을 포함하는 공비 조성물 또는 유사 공비 조성물의 발명에 관한 것이다.
본 발명은 플루오르화 탄화수소 조성물 또는 혼합물, 더 구체적으로 공비 조성물 또는 유사 공비 조성물을 형성하는, 유효량의 1,1,1,2,3,4,4,5,5,5-데카플루오로펜탄 및 시클로헥산, 또는 1,1,1,2,3,4,4,5,5,5-데카플루오로펜탄, 시클로헥산 및 아세톤을 포함하는 공비 조성물 또는 유사 공비 조성물에 관한 것이다. 이러한 조성물은 세정제, 와이핑(wiping) 용매, 폴리올레핀 및 폴리우레탄의 발포제, 냉매, 에어로졸 추진제, 열매(熱媒), 기체상 유전체, 소화(消火)제, 동력 사이클 작동 유체, 중합용 매질, 입자 제거액, 캐리어 액체, 버프 연마제 세제, 와이핑 용매 용도 및 대체 건조제로서 유용하다.
본 발명의 조성물은 공비 또는 유사 공비 조성물을 형성하는, 유효량의 1,1,1,2,3,4,4,5,5,5-데카플루오로펜탄(HFC-43-10mee, CF3CHFCHFCF2CF3, 비점=54.6℃) 및 시클로헥산(-CH2CH2CH2CH2CH2CH2-, 비점=80.7℃) 및 아세톤(CH3COCH3, 비점=56.2℃)을 포함하는, 일정하게 비등하는 공비 또는 유사 공비 조성물, 또는 혼합물에 관한 것이다.
공비 또는 유사 공비 조성물을 형성하기 위한, 1,1,1,2,3,4,4,5,5,5-데카플루오로펜탄 및 시클로헥산, 또는 1,1,1,2,3,4,4,5,5,5-데카플루오로펜탄, 시클로헥산 및 아세톤의 유효량은 특정 압력 또는 온도에서 성분의 중량%로 정의하는 경우 하기와 같다.
실질적으로 일정하게 비등하는, HFC-43-10mee 및 시클로헥산의 공비 또는 유사 공비 조성물은 HFC-43-10mee 약 58 내지 99 중량% 및 시클로헥산 약 1 내지 42 중량%를 포함한다. 이러한 조성물은 약 51℃, 실질적으로 대기압에서 비등한다. 바람직한 조성물은 HFC-43-10mee 약 80 내지 99 중량% 및 시클로헥산 1 내지 20 중량%를 포함한다. 더욱 바람직한 조성물은 HFC-43-10mee 약 87 중량% 및 시클로헥산 약 13 중량%를 포함하는, 약 51℃에서 실질적으로 대기압에서 비등하는 공비혼합물이다.
실질적으로 일정하게 비등하는, HFC-43-10mee, 시클로헥산 및 아세톤의 공비 또는 유사 공비 조성물은 HFC-43-10mee 약 1 내지 98 중량%, 시클로헥산 약 1 내지 65 중량% 및 아세톤 약 1 내지 98 중량%를 포함한다. 이러한 조성물은 약 56℃, 실질적으로 대기압에서 비등한다. 바람직한 조성물은 HFC-43-10mee 약 40 내지 98 중량%, 시클로헥산 1 내지 40 중량% 및 아세톤 약 1 내지 40 중량%를 포함한다. 더욱 바람직한 조성물은 HFC-43-10mee 약 49 중량%, 시클로헥산 약 26 중량% 및 아세톤 약 25 중량%를 포함하는, 약 56℃에서 실질적으로 대기압에서 비등하는 공비혼합물이다. 최적의 세정을 위한 가장 바람직한 조성물은 HFC-43-10mee 약 85 중량%, 시클로헥산 약 5 중량% 및 아세톤 약 10 중량%를 포함한다.
본 발명의 목적에 있어서, "유효량"은 본 발명의 조성물의 각 성분의 양으로 정의되고, 혼합되는 경우에 공비 또는 유사 공비 조성물을 형성한다. 이 정의에는 공비 또는 유사 공비 조성물이 상이한 비점을 지니나 상이한 압력에서 계속적으로 존재하는 한, 조성물에 가해지는 압력에 따라 변화될 수 있는 각 성분의 양이 포함된다.
따라서, 유효량에는 본 명세서에 기재된 압력이 아닌 압력에서 공비 또는 유사 공비 조성물을 형성하는 본 발명의 조성물의 각 성분의 중량%로서 표현될 수 있는 양이 포함된다.
"공비 또는 유사 공비" 조성물이란 일정하게 비등하는 또는 실질적으로 일정하게 비등하는, 단일 물질처럼 거동하는 2종 이상의 물질의 액체 혼합물을 의미한다. 공비 또는 유사 공비 조성물을 특정짓는 한가지 방법은 액체와 그로부터 부분 증발 또는 증류에 의해 생성되는 증기가 실질적으로 동일한 조성을 갖는 것, 즉 실질적으로 조성의 변화가 없는 증류물/환류물의 혼합물인 것이다. 공비 또는 유사 공비 혼합물인 일정한 비등 또는 실질적으로 일정한 비등 조성물은 동일한 성분의 비공비 혼합물의 것과 비교하여 최대 또는 최소 비점을 보인다.
당업계에서는 조성물의 50 중량%가 증발 또는 비등에 의해 제거된 후에, 원 조성물과 원 조성물의 50 중량%가 제거된 후 남은 조성물 간의 증기압의 차가 절대 단위로 측정되는 경우 10% 미만인 경우에 조성물은 유사 공비 혼합물로 인지되어 있다. 절대 단위란 예를 들어, 프사이, 대기압, 바아, 토르, 다인/㎝2, mmHg, 물 기둥의 인치 및 당업계에 공지된 다른 등가적 용어를 의미한다. 공비혼합물이 존재하는 경우, 원 조성물과 원 조성물의 50 중량%가 제거된 후 남은 조성물 간의 증기압 차이는 없었다.
본 발명의 목적에 있어서, 공비 또는 일정한 비등이란 본질적으로 공비혼합물이거나 또는 본질적으로 일정하게 비등하는 것을 의미하는 것이다. 다르게 말하면, 이러한 용어의 의미 내에는 상기된 진정한 공비혼합물뿐만 아니라, 다른 온도 및 압력에서 진정한 공비혼합물인, 동일한 성분을 다른 비율로 포함하는 다른 조성물, 및 동일한 공비혼합물계의 일부이고 유사 공비혼합물의 특성을 갖는 등가 조성물이 포함된다. 당업계에 공지되어 있듯이, 공비 혼합물과 동일한 성분을 함유하는 조성물의 범위가 존재하며, 이는 냉각 및 다른 용도에 대한 본질적으로 등가의 특성뿐만 아니라, 일정한 비등 특성 또는 비등시에 분리되거나 또는 분별되지 않는 경향에 있어서 진정한 공비혼합물 조성물과 본질적으로 등가의 특성을 보일 것이다.
선택 조건에 따라 다양하게 나타날 수 있는 일정한 비등 혼합물을 하기의 영역에 의해 특성화 할 수 있다.
(a) 용어 "공비혼합물"이 동시에 한정적이고 제한적이기 때문에, 조성물은 A, B, C (및 D...)의 공비혼합물로서 정의될 수 있고, 유일 조성의 일정한 비등 조성물이 되기 위한 조성물의 A, B, C (및 D...)의 유효량을 요구한다.
(b) 당업계에 공지되어 있듯이, 상이한 압력에서 소정의 공비혼합물의 조성은 적어도 어느 정도 변화될 것이고, 또한 압력의 변화는 적어도 어느 정도 비점 온도를 변화시킬 것이다. 따라서, A, B, C (및 D...)의 공비 혼합물은 유일한 유형의 관계를 나타내나 온도 및(또는) 압력에 따라 좌우되는 가변 조성이다. 따라서, 조성 범위는 고정된 조성물보다는 종종 공비혼합물로 정의되어 사용된다.
(c) 조성물은 A, B, C (및 D...)의 특정 중량% 관계 또는 몰% 관계로서 정의될 수 있으며, 상기 특정값은 오직 한가지 특정 관계만을 나타내며 실제적으로 A, B, C (및 D...)에 의해 나타내지는 일련의 관계가 압력의 영향에 의해 변화되는 소정의 공비 혼합물에 대해 실질적으로 존재한다고 알려져 있다.
(d) A, B, C (및 D...)의 공비혼합물은 소정의 압력에서의 비점에 의해 특성화되는 공비혼합물로서 조성물을 정의하고, 본 발명의 영역을 불분명하게 한정하지 않고 분석 장치만큼 정확성이 있는 것에 의해 제한되는 특정 수의 조성물에 의해 특성을 밝힘으로써 특성화될 수 있다.
하기 2원 및 4원 조성물은 혼합물이 하기 범위 내에서 실질적으로 대기압에서 실질적으로 일정한 비점을 보이는 점에 있어서 공비혼합물 또는 유사 공비혼합물로 밝혀져있다. 실질적으로 일정한 비등으로 인해, 혼합물은 증발될 때 어느 정도까지 분별되지 않는 경향이 있다. 증발 후에, 증기상 조성물과 초기 액상 조성물 간에 작은 차이만이 존재한다. 이러한 차이는 증기상 및 액상 조성물이 실질적으로 동일하다는 것이다. 따라서, 하기 범위 내에서의 임의의 조성물은 진정한 2원 및 4원 공비혼합물 또는 유사 공비혼합물의 특성을 보인다.
1. HFC-43-10mee 약 58 내지 99 중량% 및 시클로헥산 약 1 내지 42 중량%; 바람직하게는 HFC-43-10mee 약 80 내지 99 중량% 및 시클로헥산 약 1 내지 20 중량%, 및
2. HFC-43-10mee 약 1 내지 98 중량%, 시클로헥산 약 1 내지 65 중량% 및 아세톤 1 내지 98 중량%; 바람직하게는 HFC-43-10mee 약 40 내지 98 중량%, 시클로헥산 약 1 내지 40 중량% 및 아세톤 1 내지 40 중량%.
하기 2원 및 4원 조성물은 실질적으로 대기압에서 진정한 2원 및 4원 공비혼합물 또는 유사 공비혼합물로서 제조된다.
1. HFC-43-10mee 약 87 중량% 및 시클로헥산 약 13 중량%, 및
2. HFC-43-10mee 약 49 중량%, 시클로헥산 약 26 중량% 및 아세톤 25 중량%.
상기된 공비혼합물은 오존 분해능이 0이다.
본 발명의 공비 또는 유사 공비 조성물은 그들의 공비 특성으로 인해 증기 디플럭싱(defluxing) 및 탈지 작업으로부터 용매를 쉽게 회수하여 재사용하는 것을 가능하게한다. 예를 들어, 본 발명의 공비 혼합물은 미국 특허 제3881949호에 기재된 세정 방법에서 또는 버프 연마제 세제로 사용될 수 있다.
또한, 상기 혼합물은 염소계 현상제가 사용되는 경우에 레지스트-현상제, 및 적절한 플루오르화탄소를 지닌 레지스트 제거제, 그리고 와이핑 용매 용도로 사용된다.
본 발명의 다른 측면은 본 발명의 냉매 조성물을 응축시킨 후, 물체의 공간에서 증발시켜서 냉각시키는 것을 포함하는 냉각 방법이다. 유사하게, 본 발명의 다른 측면은 가열될 물체의 공간에 냉매를 응축시킨 후 냉매를 증발시키는 것을 포함하는 가열 방법이다.
본 발명의 또 다른 측면에는 추진제가 본 발명의 공비 혼합물인, 활성제 및 추진제를 포함하는 에어로졸 조성물, 및 상기 성분들을 혼합하는 조성물의 생성 방법이 포함된다.
본 발명의 공비 또는 유사 공비 혼합물은 목적하는 성분양을 혼합하는 것을 포함하는 임의의 통상의 방법에 의해 제조될 수 있다. 바람직한 방법은 목적하는 성분양을 칭량한 후 이들을 적절한 용기에서 혼합하는 것이다.
추가의 상술없이, 당업계의 숙련가는 상기 기재를 사용하여 본 발명을 완전하게 사용할 수 있다고 믿어진다. 따라서, 하기 바람직한 특정 실시양태는 단지 예시적인 것이며, 어떠한 방법으로도 본 명세서의 나머지 부분을 한정하지 않는 것으로 해석되어야 한다.
하기 실시예에서, 다른 언급이 없는 한 모든 온도는 섭씨로, 모든 부 및 %는 중량으로 표현된다.
실시예 1
증기 압력에 대한 증기 누출의 영향
용기에 초기 조성물을 충전하고, 조성물의 초기 증기압을 측정하였다. 조성물은 온도를 일정하게 유지하면서 초기 조성물의 50 중량%가 제거될 때까지 용기로부터 누출되도록 하였고, 이때 용기에 남아 있는 조성물의 증기압을 측정하였다. 결과를 하기에 요약하였다.
HFC-43-10mee/시클로헥산 (51℃) 0 중량% 50 중량% 델타 P%
87/13 14.64 14.64 0.0
95/5 14.31 14.00 2.2
99/1 13.33 13.07 2.0
70/30 14.31 13.93 2.7
60/40 14.11 13.54 4.0
58/42 14.07 13.37 5.0
HFC-43-10mee/시클로헥산/아세톤 (56℃)
49/26/25 14.68 14.68 0.0
60/20/20 14.74 14.68 0.4
85/5/10 14.84 13.97 5.9
82/8/10 15.22 14.54 4.5
90/9/1 17.19 17.00 1.1
90/5/5 15.78 14.98 5.1
98/1/1 15.69 15.29 2.5
80/19/1 17.16 16.94 1.3
70/29/1 16.89 16.34 3.3
60/39/1 16.62 15.71 5.5
1/1/98 14.69 14.62 0.5
1/20/79 15.77 15.66 0.7
1/50/49 15.62 15.32 1.9
1/65/34 15.14 13.82 8.7
40/50/10 14.72 13.41 8.9
60/30/10 15.27 14.88 2.6
실시예 2
적절한 용기에 HFC-43-10mee 85 중량%, 시클로헥산 5 중량% 및 아세톤 10 중량%를 충전하였다. 혼합물을 실온에서 증발시키고, 표 2에 기재된 바와 같이 증발하는 동안 용기에서의 조성을 측정하였다. 결과는 증발한 후 HFC-43-10mee의 농도가 약 85 중량% 남아 있음을 보여준다. 이 혼합물은 가연성이 매우 낮거나 또는 가연성이 없는 것으로 간주된다.
HFC-43-10mee 시클로헥산 아세톤
배치 84.94 5.06 10.00
10% 제거 86.32 0.003 13.68
30% 제거 87.23 0.21 12.56
50% 제거 87.33 0.77 11.90
70% 제거 86.58 2.42 11.00
90% 제거 85.57 4.13 10.30
실시예 3
적절한 용기에 HFC-43-10mee 82 중량%, 시클로헥산 8 중량% 및 아세톤 10 중량%를 충전하였다. 혼합물을 실온에서 증발시키고, 표 3에 기재된 바와 같이 증발하는 동안 용기에서의 조성을 측정하였다. 결과는 혼합물의 70% 이하가 증발될 때 HFC-43-10mee의 농도가 84 중량% 이상 남아 있음을 보여준다. 이 혼합물은 가연성이 매우 낮거나 또는 가연성이 없는 것으로 간주된다.
HFC-43-10mee 시클로헥산 아세톤
배치 81.93 8.04 10.03
10% 제거 85.90 0.002 14.10
30% 제거 86.54 0.53 12.93
50% 제거 85.64 2.39 11.97
70% 제거 84.38 4.35 11.27
90% 제거 82.69 6.92 10.39
실시예 4
적절한 용기에 HFC-43-10mee 82 중량%, 시클로헥산 5 중량% 및 아세톤 13 중량%를 충전하였다. 혼합물을 실온에서 증발시키고, 표 4에 기재된 바와 같이 증발하는 동안 용기에서의 조성을 측정하였다. 결과는 혼합물의 70% 이하가 증발될 때 HFC-43-10mee의 농도가 약 84 중량% 남아 있음을 보여준다. 이 혼합물은 가연성이 매우 낮거나 또는 가연성이 없는 것으로 간주된다.
HFC-43-10mee 시클로헥산 아세톤
배치 81.97 5.04 12.99
10% 제거 85.37 -- 14.63
30% 제거 85.35 0.11 14.54
50% 제거 85.00 0.83 14.17
70% 제거 84.11 2.07 13.82
90% 제거 82.70 4.01 13.29
실시예 5
혼합물이 양호한 용매력을 지님을 의미하는 하기 카우리-부탄올(KB)값을 측정하였다.
HFC-43-10mee/시클로헥산/아세톤
85/5/10 12.8
82/8/10 13.2
82/5/13 13.1
실시예 6
오일 제거
하드컷(hardcut) 541 오일을 미리 칭량된 유리 슬라이드 및 금속 쿠폰에 가하였다. 오염된 슬라이드 및 쿠폰을 칭량한 후, HFC-43-10mee 85 중량%, 시클로헥산 5 중량% 및 아세톤 10 중량%의 혼합물을 사용하여 기계적으로 손으로 기판을 와이핑하거나, 또는 30초 동안 분무한 후 건조시킴으로써 세정하였다. 이어서, 기판을 다시 칭량하고 육안 및 자외선 하의 2가지 방법으로 관찰하였다. 결과는 표 6에 나타나 있다.
초기 기판중량(g) 오일을 가한 기판의 중량 세정 후중량 세정 방법 및 잔사 관찰
유리 슬라이드 5.8046 5.8141 5.8053 손으로 와이핑육안: 약간의 필름자외선: 약간의 필름
5.8046 분무 및 건조육안: 잔사가 없음자외선: 잔사가 없음
금속 쿠폰 4.0816 4.1846 4.0827 손으로 와이핑육안: 약간의 필름자외선: 약간의 필름
4.0821 분무 및 건조육안: 잔사가 없음자외선: 잔사가 없음
결과는 본 발명의 조성물을 사용하여 기계적으로 와이핑함으로써 오일 오염원을 상당히 제거하였고, 대부분의 경우에 분무 및 건조에 의해 완전히 제거됨을 보였다.
실시예 7
지문 제거
사람의 지문을 미리 칭량된 유리 슬라이드, 금속 쿠폰 및 기포 필름에 가하였다. 오염된 기판을 칭량한 후, HFC-43-10mee 85 중량%, 시클로헥산 5 중량% 및 아세톤 10 중량%의 혼합물을 사용하여 기계적으로 손으로 기판을 와이핑하거나, 또는 30초 동안 분무하고 공기 건조 시키거나, 또는 5분 동안 침투시키고 공기 건조시키는 3가지 세정 방법 중 하나 이상으로 세정하였다. 이어서, 기판을 다시 칭량하고 육안으로 관찰하였다. 결과는 표 7에 나타나 있다.
초기 기판중량(g) 기판/지문의 중량 세정 후중량 세정 방법 및 잔사 관찰
유리 슬라이드 5.8248 5.8251 5.8249 손으로: 약간의 잔사
5.8248 분무: 약간의 잔사
5.8248 침투: 약산의 잔사
금속 쿠폰 4.0809 4.0811 4.0809 손으로: 잔사가 없음
기포 필름 0.3128 0.3129 0.3128 손으로: 잔사가 없음
결과는 본 발명의 조성물이 특히, 금속 및 기포 필름에서 지문 오염을 제거할 수 있음을 보였다.
실시예 8
입자 제거
활석을 미리 칭량된 유리 슬라이드, 금속 쿠폰 및 기포 필름에 가하였다. 오염된 기판을 칭량한 후, HFC-43-10mee 85 중량%, 시클로헥산 5 중량% 및 아세톤 10 중량%의 혼합물을 사용하여 기계적으로 손으로 기판을 와이핑하여 세정하였다. 이어서, 기판을 다시 칭량하고 육안으로 관찰하였다. 결과는 표 8에 나타나 있다.
초기 기판중량(g) 기판/입자의 중량 세정 후중량 세정 방법 및 잔사 관찰
유리 슬라이드 6.0740 6.0777 6.0740 손으로: 잔사 없음
금속 쿠폰 4.1476 4.1495 4.1476 손으로: 잔사 없음
기포 필름 0.3140 0.3144 0.3140 손으로: 잔사 없음
결과는 본 발명의 조성물이 오직 기계적 와이핑을 이용해 상이한 기판으로부터 입자를 완전히 제거함을 보였다.
실시예 9
테입 잔사 제거
도관 및 차폐 테입을 미리 칭량된 유리 슬라이드에 부착시킨 후 제거하여 잔사를 남겼다. 슬라이드를 칭량한 후, HFC-43-10mee 85 중량%, 시클로헥산 5 중량% 및 아세톤 10 중량%의 혼합물을 사용하여 기계적으로 손으로 기판을 와이핑하거나, 또는 30초 동안 분무하고 공기 건조 시키거나, 또는 5분 동안 침투시키고 공기 건조시키는 3가지 상이한 세정 방법 중 하나 이상으로 세정하였다. 이어서, 슬라이드를 다시 칭량하고 육안으로 관찰하였다. 결과는 표 9에 나타나 있다.
초기 기판중량(g) 기판/테입 잔사의 중량 세정 후중량 세정 방법 및 잔사 관찰
도관용 5.5783 5.5791 5.5786 손으로: 약간의 잔사
5.5786 분무: 약간의 잔사
5.5786 침투: 약간의 잔사
차폐용 5.7029 5.7037 5.7036 손으로: 약간의 잔사
5.7036 분무: 약간의 잔사
5.7036 침투: 약산의 잔사
결과는 테입 잔사가 본 발명의 조성물을 사용하여 부분적으로 제거될 수 있음을 보여주었다.
추가의 화합물
다른 성분들, 예를 들어 비점이 0 내지 100℃인 지방족 탄화수소, 비점이 0 내지 100℃인 히드로플루오로카본알칸, 비점이 0 내지 100℃인 히드로플루오로프로판, 비점이 0 내지 100℃인 탄화수소 에스테르, 비점이 0 내지 100℃인 히드로클로로플루오로카본, 비점이 0 내지 100℃인 히드로플루오로카본, 비점이 0 내지 100℃인 히드로클로로카본, 클로로카본 및 과플루오르화 화합물을, 일정하게 비등하는 특성을 비롯한 실질적으로 조성물의 특성의 변화없이, 상기된 공비 또는 유사 공비 조성물에 가할 수 있다. 통상적으로 총 조성물의 약 10 중량%를 초과하지 않는 이러한 성분들의 예는 하기와 같다.
윤활제, 부식 방지제, 안정화제, 계면활성제, 염료 및 다른 적절한 물질과 같은 첨가제를 다양한 목적으로 본 발명의 신규한 조성물에 가할 수 있되, 단 이들은 목적하는 용도에 있어서 조성물에 역효과를 주지 않는 것이다. 안정화제의 예에는 니트로메탄 및 니트로에탄이 포함된다.

Claims (20)

  1. 실질적으로 대기압에서 공비 조성물 또는 유사 공비 조성물을 형성하는, 유효량의 1,1,1,2,3,4,4,5,5,5-데카플루오로펜탄 및 시클로헥산, 또는 1,1,1,2,3,4,4,5,5,5-데카플루오로펜탄, 시클로헥산 및 아세톤을 포함하는 조성물.
  2. 제1항에 있어서, 1,1,1,2,3,4,4,5,5,5-데카플루오로펜탄 58 내지 99 중량% 및 시클로헥산 1 내지 42 중량%를 포함하거나; 1,1,1,2,3,4,4,5,5,5-데카플루오로펜탄 1 내지 98 중량%, 시클로헥산 1 내지 65 중량% 및 아세톤 1 내지 98 중량%를 포함하는 조성물.
  3. 제1항에 있어서, 1,1,1,2,3,4,4,5,5,5-데카플루오로펜탄 80 내지 99 중량% 및 시클로헥산 1 내지 20 중량%를 포함하거나; 1,1,1,2,3,4,4,5,5,5-데카플루오로펜탄 40 내지 98 중량%, 시클로헥산 1 내지 40 중량% 및 아세톤 1 내지 40 중량%를 포함하는 조성물.
  4. 제1항에 있어서, 1,1,1,2,3,4,4,5,5,5-데카플루오로펜탄 87 중량% 및 시클로헥산 13 중량%를 포함하거나; 1,1,1,2,3,4,4,5,5,5-데카플루오로펜탄 49 중량%, 시클로헥산 26 중량% 및 아세톤 25 중량%를 포함하는 조성물.
  5. 제1항에 있어서, 1,1,1,2,3,4,4,5,5,5-데카플루오로펜탄 85 중량%, 시클로헥산 5 중량% 및 아세톤 10 중량%를 포함하는 조성물.
  6. 제1항의 조성물로 고체 표면을 처리하는 것을 포함하는, 고체 표면의 세정 방법.
  7. 제2항의 조성물로 고체 표면을 처리하는 것을 포함하는, 고체 표면의 세정 방법.
  8. 제3항의 조성물로 고체 표면을 처리하는 것을 포함하는, 고체 표면의 세정 방법.
  9. 제4항의 조성물로 고체 표면을 처리하는 것을 포함하는, 고체 표면의 세정 방법.
  10. 제5항의 조성물로 고체 표면을 처리하는 것을 포함하는, 고체 표면의 세정 방법.
  11. 제1항의 조성물을 발포제로 사용하는 것을 포함하는, 열경화성 또는 열가소성 발포체의 제조 방법.
  12. 제2항의 조성물을 발포제로 사용하는 것을 포함하는, 열경화성 또는 열가소성 발포체의 제조 방법.
  13. 제3항의 조성물을 발포제로 사용하는 것을 포함하는, 열경화성 또는 열가소성 발포체의 제조 방법.
  14. 제4항의 조성물을 발포제로 사용하는 것을 포함하는, 열경화성 또는 열가소성 발포체의 제조 방법.
  15. 제5항의 조성물을 발포제로 사용하는 것을 포함하는, 열경화성 또는 열가소성 발포체의 제조 방법.
  16. 제1항의 조성물을 에어로졸 추진제로 사용하는 것을 포함하는, 액체의 분무화 방법.
  17. 제2항의 조성물을 에어로졸 추진제로 사용하는 것을 포함하는, 액체의 분무화 방법.
  18. 제3항의 조성물을 에어로졸 추진제로 사용하는 것을 포함하는, 액체의 분무화 방법.
  19. 제4항의 조성물을 에어로졸 추진제로 사용하는 것을 포함하는, 액체의 분무화 방법.
  20. 제5항의 조성물을 에어로졸 추진제로 사용하는 것을 포함하는, 액체의 분무화 방법.
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