KR20000011975A - pattern amendment appratus and method - Google Patents
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Abstract
Description
본 발명은 기판 위에 형성된 패턴의 결함부의 성상에 따라서, 일정 형상의 패턴의 제거, 부가 또는 제거와 부가와의 양방을 같은 수정기회에 행하는 수정장치 또는 수정방법에 관한 것으로, 그 중에서도 액정 디스플레이(Liquid Crystal Display:LCD) 등의 플라즈마 디스플레이(Plasma Display Panel:PDP) 등의 플랫 디스플레이의 기판 및 프린트 기판에 형성된 패턴의 수정장치 및 수정방법에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a correction apparatus or a correction method for performing removal, addition or removal of a pattern of a certain shape, and both of the addition at the same modification opportunity, depending on the properties of the defect portion of the pattern formed on the substrate. The present invention relates to a device for correcting a pattern formed on a substrate and a printed board of a flat display such as a plasma display panel (PDP) such as a crystal display (LCD).
(종래의 기술)(Conventional technology)
LCD 기판 위에 형성되는 패턴의 고 정밀화가 추진됨에 따라 패턴 중의 신호용 드레인 배선이나 게이트선에 단락부나 패턴의 굵어짐과 같은 일정 형상의 패턴의 제거가 필요한 결함이 발생하는 빈도가 증대하고 있다. 한편, 에칭 조건의 과잉이나 이물의 혼입으로 인해, 패턴의 단선이나 빠짐과 같은 일정 형상의 패턴의 부가가 필요한 결함도 발생한다. 이들 양방의 결함 발생의 경향은, 기판이 대형화되어 고 정밀화되고, 전극선의 선 폭이 미세화됨에 따라서 현저해지는 경향이 있다.As the precision of the pattern formed on the LCD substrate is promoted, the frequency of occurrence of defects requiring the removal of a pattern having a certain shape such as short circuit or thickening of the pattern is increased in the signal drain wiring and the gate line in the pattern. On the other hand, due to the excessive etching conditions or the mixing of foreign matters, defects that require the addition of a pattern of a certain shape such as disconnection or omission of the pattern also occur. The tendency of defect generation in both of these tends to become remarkable as the substrate becomes larger and more precise, and the line width of the electrode line becomes smaller.
먼저, 일정 형상의 패턴의 제거가 필요한 결함이 발생한 경우에 대하여 설명한다. 상기의 결함이 발생한 경우는 이의 수정을 위해서 도 9에 도시되는 바와 같은 장치가 사용되며, 그 결함부가 삭제되어 있었다.First, the case where the defect which requires removal of the pattern of fixed shape generate | occur | produces is demonstrated. In the case where the above defect occurs, the apparatus as shown in Fig. 9 is used for correcting the defect, and the defect portion has been deleted.
즉, 전기광학 Q스위치(EOQ 스위치)를 구비한 YAG(Yttrium Aluminium Garnet) 레이저광 출사장치(101)로부터 출사된 자이언트 펄스의 레이저광은 먼저 레이저 광학계(121)에 배치된 출력 컨트롤 기구(102)에 의해 그 파워가 컨트롤되며, 슬릿 기구(104)에 의해 결함부 형상에 맞춘 빔 단면 형상이 된다. 그 후, 결상 렌즈(106)및 대물 렌즈(108)을 통하여, 패턴의 결함부를 포함하는 기판인 워크(109)상에 펄스로서 조사된다.That is, the laser beam of the giant pulse emitted from the Yttrium Aluminum Garnet (YAG) laser light output device 101 having the electro-optic Q switch (EOQ switch) is first output control mechanism 102 disposed on the laser optical system 121. The power is controlled by the slit mechanism 104, and the slit mechanism 104 is in the form of a beam cross-sectional shape adapted to the shape of the defect portion. Then, it is irradiated as a pulse on the workpiece | work 109 which is a board | substrate containing the defect part of a pattern through the imaging lens 106 and the objective lens 108. FIG.
한편, 워크(109)는 XY 스테이지(110)상에 탑재되고, 목적하는 위치로 이동시킬 수 있다. 이 때, 투과 조명광(111) 또는 낙사 조명광(112)을 사용하여, CCD 카메라(113)로 패턴 결함부나 레이저광 조사영역을 관찰할 수 있다. 또, 상기슬릿광(114)에 의해서도, 패턴 결함부 부근의 레이저광의 단면형상, 즉, 레이저광 조사형상을 확인할 수 있다.On the other hand, the workpiece 109 is mounted on the XY stage 110 and can be moved to a desired position. At this time, the pattern defect part and the laser beam irradiation area can be observed with the CCD camera 113 using the transmission illumination light 111 or the fall illumination light 112. Moreover, also with the said slit light 114, the cross-sectional shape of the laser beam near a pattern defect part, ie, a laser beam irradiation shape, can be confirmed.
다음에 일정 형상의 패턴의 부가, 또는 형성이 필요한 결함(단선 등의 결함)이 발생한 경우에 대하여 설명한다.Next, the case where the addition of the pattern of a certain shape or the defect (defects, such as a disconnection) which requires formation arises is demonstrated.
이들 단선 등의 결함의 수정은, 일본 공개특허공보 제(평)8-292442호 등에 개시되어 있는 바와 같이, 결함부에 페이스트를 이행시키고, 소성함으로써 수행한다. 페이스트를 소성하는 방법으로서는 기판 전체를 전기로 등에 넣어서 소성하는 방법과, YAG(Yttrium Aluminium Garnet) 레이저, YLF(LiYF4) 레이저, 반도체 레이저, CO2레이저 등에 의해 페이스트 부분만을 부분적으로 소성하는 방법이 있다.Correction of defects such as disconnection and the like is performed by transferring paste to the defect portion and firing, as disclosed in JP-A-8-292442 and the like. As a method of firing the paste, a method of baking the entire substrate in an electric furnace or the like, and partially baking only the paste portion by a YAG (Yttrium Aluminum Garnet) laser, a YLF (LiYF 4 ) laser, a semiconductor laser, a CO 2 laser, or the like have.
EOQ 스위치가 부착된 YAG 레이저로부터 출사되는 자이언트 펄스의 레이저광의 원 샷 또는 수 샷에 의한 대면적(예를 들면 직경 100μm)을 삭제하는 수정은 패턴이 1μm 이하의 박막인 경우에는 효과가 있다. 그러나, 패턴의 막 두께가 수μm를 넘는 경우에는 삭제해야 할 패턴이 완전하게 제거되지 않는 동안에, 상기의 자이언트 펄스 레이저광의 조사로 인해 전극재료의 변질 등이 발생하고, 전극재료를 완전하게 수정하는 것이 곤란한 경우가 있었다. 이 경우, 패턴의 결함부는 완전히 수정되지 않으며, 동작 불량의 원인 등으로 되었다.The correction of eliminating the large area (for example, 100 µm in diameter) by one shot or several shots of the laser light of the giant pulse emitted from the YAG laser with the EOQ switch is effective when the pattern is a thin film having a thickness of 1 µm or less. However, when the film thickness of the pattern exceeds a few μm, while the pattern to be erased is not completely removed, the electrode material may be deteriorated due to the irradiation of the giant pulsed laser light, thereby completely correcting the electrode material. It was sometimes difficult. In this case, the defective part of the pattern is not completely corrected, which causes a malfunction.
한편, 일정 형상의 패턴을 부가하는 수정인 경우, 전기로를 사용하여 기판 전체를 소성하는 방법을 채택하면, 기판이 대형화됨에 따라 전기로 등의 설비도 대형화시키지 않을 수 없게 되고, 그 결과, 가격 상승 등을 피할 수 없다. 또한, 가격뿐만 아니라, 기판 전체를 소성함으로써, 대형화된 기판이 열로 인해 변형되는 등의 문제가 발생한다.On the other hand, in the case of the modification to add a pattern of a certain shape, if a method of firing the entire substrate using an electric furnace is adopted, as the substrate is enlarged, it is inevitable to increase the size of facilities such as an electric furnace. It is inevitable. Further, not only the price but also the entire substrate is fired, such that a large-sized substrate is deformed due to heat.
레이저광 등의 조사를 이용하여 소성하는 경우에, 수정장치에 레이저광 출사장치를 탑재함으로써, 콤팩트한 장치를 구성할 수 있다. 그러나, 레이저광 조사영역내에서의, 패턴부와 패턴이 형성되어 있지 않는 기판부와의 비율에 따라서는, 소성이 적절하게 행해지지 않는 경우가 발생한다.When baking using irradiation of a laser beam etc., a compact apparatus can be comprised by mounting a laser beam exit value to a crystal | crystallization apparatus. However, depending on the ratio between the pattern portion and the substrate portion on which the pattern is not formed in the laser light irradiation region, there is a case where baking is not performed properly.
그래서, 본 발명의 제1 목적은 광범위한 두께와 형상을 갖는 일정 형상의 삭제, 두께 감소 등이 필요한 패턴 결함부를 간편하게 수정할 수 있는 패턴 수정장치 및 수정방법을 제공하는 것에 있으며, 다른 목적은 일정 형상의 패턴의 부가가 필요한 결함부의 수정에 있어서 레이저광 조사 영역내에 있어서의 패턴부의 비율의 대소에 관계없이, 항상 적정한 레이저광 조사에 의한 소성을 수행할 수 있는 패턴의 수정장치 및 수정방법에 있다.Accordingly, a first object of the present invention is to provide a pattern correction apparatus and a correction method which can easily correct a pattern defect portion requiring a deletion of a certain shape having a wide thickness and a shape, a thickness reduction, etc. There is a pattern correcting apparatus and a method for correcting a pattern that can be fired by appropriate laser light irradiation at all times regardless of the magnitude of the proportion of the pattern portion in the laser light irradiation area in the correction of the defect portion requiring the addition of the pattern.
또한, 상기와는 다른 목적은 일정 형상의 삭제와 부가가 필요한 개소가 혼재하고 있는 경우, 또는 그러한 혼재가 없는 경우로서, 결함의 성질상, 삭제한 후에 부가하는 편이 바람직한 경우, 또는 크게 부가한 후에 삭제하는 편이 바람직한 경우에는 일정 형상의 삭제를 수행한 후, 일정 형상의 필요한 부가를 행하거나, 또는 일정 형상의 부가를 크게 행한후 소정의 형상으로 삭제하여 트리밍하는 수정을 할 수 있는 패턴의 수정장치 및 수정방법에 있다.In addition, the object different from the above is when there is a point where deletion and addition of a certain shape are mixed, or when there is no such mixing, and in view of the nature of the defect, it is preferable to add after deletion, or after the addition is large. When it is preferable to delete the pattern, the pattern correcting apparatus can be modified to delete the predetermined shape after performing the deletion of the predetermined shape, or to add the predetermined shape to a larger shape and then delete the trimmed shape by deleting the predetermined shape. And correction methods.
(과제를 해결하기 위한 수단)(Means to solve the task)
본 발명의 제1 국면에 있어서의 패턴 수정장치에 있어서는 기판 위에 형성된 패턴을 레이저광에 의해서 수정하는 것으로, 기판을 지지하는 평면내에서 이동 가능한 테이블과, 레이저광을 출사하는 레이저광 출사장치와, 레이저광을 패턴 수정영역보다도 작은 직경의 빔으로 하여, 기판 위에 집광하는 광학계와, 그 빔이 패턴 수정 영역의 전 영역을 주사하도록 테이블의 움직임을 제어하는 테이블 제어수단을 구비하는 패턴 수정장치의 구성으로 한다.In the pattern correcting apparatus according to the first aspect of the present invention, by modifying a pattern formed on a substrate with a laser beam, a table movable in a plane supporting the substrate, a laser beam output device for emitting a laser beam, The structure of the pattern correction apparatus which has the optical system which condenses a laser beam into a beam of diameter smaller than a pattern correction area | region, and has a table control means which controls the movement of a table so that the beam may scan the whole area | region of a pattern correction area | region. It is done.
상기와 같은 구성으로 함으로써, 레이저광이 패턴 수정영역의 일부에 집광되고, 에너지 밀도가 높은 레이저 빔이 수정영역의 전 영역을 차례로 주사해가기 때문에, 막 두께가 두꺼운 개소에서도 수정이 완전히 이루어지며, 미려한 커트면이 얻어진다.With the above configuration, since the laser light is focused on a part of the pattern correction region, and the laser beam with high energy density sequentially scans the entire region of the correction region, correction is completely performed even at the point where the film thickness is thick. A beautiful cut surface is obtained.
상기 레이저광은 연속파의 레이저광이며, 상기의 패턴 수정영역의 전 영역을 주사하는 테이블의 움직임은, 연속적인 것으로 하는 경우가 많다.The laser beam is a continuous wave laser beam, and the movement of the table scanning the entire region of the pattern correction region is often continuous.
상기와 같은 레이저광을 사용함으로써, 수정시에 레이저광의 열이 가득차고, 보다 열가공적으로 되며, 기판의 움직임을 연속적으로 한 효과와 맞추어서, 순조롭고 커트감이 좋은 커트면이 얻어진다.By using the laser beam as described above, the cut surface is smooth and has a good feeling of cut, in accordance with the effect of the heat of the laser beam being filled, the heat processing at the time of correction, and the movement of the substrate continuously.
또한, 상기의 레이저광은 500Hz 이상의 주파수의 펄스 형상 레이저광이 연속된 것이며, 상기의 패턴 수정영역의 전 영역을 주사하는 테이블의 움직임은, 연속적인 것으로 할 수도 있다.In addition, the laser beam is a series of pulsed laser beams having a frequency of 500 Hz or more, and the movement of the table for scanning the entire region of the pattern correction region may be continuous.
상기와 같은 높은 주파수의 펄스 형상 레이저광이라면, 실질적으로 연속파의 레이저광으로 변하는 경우는 없고, 열가공적 요소가 높으며, 양호한 커트감을 확보할 수 있다. 테이블의 움직임을 연속적으로 함으로써, 순조로운 커트면이 얻어지는 것은 위에서 언급한 바와 같다.The pulse frequency laser beam of such a high frequency does not change into a laser beam of a continuous wave substantially, and a thermal processing element is high and a favorable feeling of cut can be ensured. It is as mentioned above that a smooth cut surface is obtained by continuously moving the table.
상기한 레이저광의 수정영역보다도 작은 빔 직경은, 패턴상에서 30μm 이하로 하는 국면이 많다.In many cases, the beam diameter smaller than the correction region of the laser beam is set to 30 µm or less on the pattern.
패턴상에서 빔 직경을 30μm 이하로 좁힘으로써, 레이저광 조사영역의 레이저광의 에너지 밀도를 높일 수 있고, 두꺼운 막 두께의 패턴에서도 기판을 이동시키면서 확실히 수정할 수 있게 된다.By narrowing the beam diameter to 30 μm or less on the pattern, the energy density of the laser light in the laser light irradiation area can be increased, and it is possible to reliably correct the substrate while moving the substrate even in a pattern having a thick film thickness.
또한, 커트감이 좋은 수정결과를 얻는 경우에는, 레이저광 출사장치는 YAG 또는 YLF(LiYF4) 레이저광 출사장치로 하고, 상기의 레이저광은, 그 YAG 또는 YLF 레이저광 출사장치로부터 출사되는 제2 고조파 레이저광이며, 그 파장이 500 내지 600nm인 것을 사용하는 것으로 한다.In addition, in the case of obtaining a correction result with a good feeling of cut, the laser light output value is a YAG or YLF (LiYF 4 ) laser light output device, and the laser light is made from the YAG or YLF laser light output device. 2 Harmonic laser light, whose wavelength is 500-600 nm shall be used.
상기의 레이저광을 사용함으로써, 기판을 이동시키면서 양호한 커트감이 얻어진다. 또, 상기의 레이저광은, 연속파의 레이저광으로서 사용할 수도 있고, 500Hz 이상의 주파수의 펄스 형상 레이저광으로서 사용할 수도 있다.By using said laser beam, favorable cut feeling is acquired, moving a board | substrate. Moreover, the said laser beam can also be used as a laser beam of a continuous wave, and can also be used as pulse-shaped laser beam of the frequency of 500 Hz or more.
또한, 상기의 패턴 수정장치는 패턴 관찰용의 CCD 카메라와, 그 CCD 카메라로부터 얻어진 화상을 처리하는 화상처리기구와, 그 화상에 근거하여 수정해야 할 주사영역을 결정하는 수단을 구비하는 경우가 많다 ． 상기의 기구를 구비함으로써, 간편하게 경사 주사나 대면적의 주사영역을 설정할 수 있기 때문에, 경사 가공 등을 요하는 복잡한 형상의 결함부에서도, 작업 능률을 저하시키지 않고서, 수정할 수 있게 된다.In addition, the pattern correction apparatus described above often includes a CCD camera for pattern observation, an image processing mechanism for processing an image obtained from the CCD camera, and means for determining a scanning area to be corrected based on the image. ． By providing the above mechanism, it is possible to easily set the inclined scanning and the scanning area of a large area, so that even a defective portion of a complicated shape requiring inclined processing or the like can be corrected without lowering the work efficiency.
상기 CCD 카메라를 포함하는 패턴 관찰용의 광학계의 광학축은, 레이저광을 집광하는 광학계의 광학축과 동축으로 하는 경우가 많다.The optical axis of the optical system for pattern observation containing the said CCD camera is often made coaxial with the optical axis of the optical system which condenses a laser beam.
동축으로 함으로써, 패턴의 수정 개소를 인식한 후, 수정용 레이저광의 광학계를 이동시킬 필요가 없어진다. 이 결과, 수정 개소와 레이저광의 광학계와의 위치맞춤을 할 필요가 없어지고, 수정 위치의 정밀도 향상과 능률 향상이 얻어진다.By making it coaxial, it becomes unnecessary to move the optical system of a laser beam for correction after recognizing the correction point of a pattern. As a result, there is no need to align the correction point with the optical system of the laser beam, thereby improving accuracy and efficiency of the correction position.
상기의 장치는 본 발명의 기본이 되는 다음에 설명하는 수정방법을 실시하기 위해서 사용된다. 그것은, 기판 위에 형성된 패턴을 레이저광에 의해서 수정하는 패턴 수정방법으로서, 패턴의 수정영역보다도 작은 빔 직경으로 한 레이저광을, 그 패턴의 수정영역에 조사하고, 그 빔이 패턴 수정영역의 전 영역을 주사하도록, 기판을 탑재한 테이블을 제어하여 이동하는 방법이다.The above apparatus is used to implement the following modification method which is the basis of the present invention. It is a pattern correction method for correcting a pattern formed on a substrate by laser light, wherein a laser beam having a beam diameter smaller than the pattern correction area is irradiated to the correction area of the pattern, and the beam is the entire area of the pattern correction area. It is a method of controlling and moving the table which mounted the board | substrate so that it may scan.
상기의 방법에 의해, 두꺼운 막 두께이면서, 또한 대면적의 수정영역에서도 확실히 미려하게 커트할 수 있게 된다.By the above-described method, it is possible to surely and beautifully cut a large film thickness and a large-area correction region.
또한, 상기의 패턴 수정방법은 막 두께가 1μm 이상인 패턴에 적용하는 것이 좋다.In addition, it is good to apply the said pattern correction method to the pattern whose film thickness is 1 micrometer or more.
종래의 1 펄스 또는 수 펄스의 레이저 샷에 의한 방법으로서는, 완전히 수정할 수 없었던 수정해야 할 영역을, 상기의 수정방법으로 확실히 수정할 수 있게 되며, 상기 수정 방법의 유효성을 나타낼 수 있다.According to the conventional laser shot of one pulse or several pulses, the region to be corrected which could not be completely corrected can be reliably corrected by the above correction method, and the validity of the correction method can be shown.
본 발명의 다른 국면에 있어서의 패턴 수정 장치는 기판 위에 형성된 패턴을 관찰용 광학수단에 의해서 관찰하고, 수정 개소를 인식하며, 그 수정 개소에 페이스트를 도포하여 수정하는 패턴 수정장치로서, 레이저광 출사장치와, 그 레이저광을 기판 위에 집광하는 레이저 광학계와, 상기의 관찰용 광학수단에 의해서 얻어진 화상으로부터, 레이저광이 조사되어 있는 영역내의, 패턴부 및 페이스트부를 합친 면적과, 패턴이 형성되어 있지 않는 기판부의 면적과의 비율을 구하는 화상처리기구와, 그 비율로부터, 페이스트 부근에 레이저광을 조사함으로써 소성하는 조건을 결정하는 수단을 구비한다.A pattern correction apparatus according to another aspect of the present invention is a pattern correction apparatus for observing a pattern formed on a substrate by means of observation optical means, recognizing a correction point, and applying a paste to the correction point to correct the laser light output. The device, the laser optical system for condensing the laser light on the substrate, the area where the pattern portion and the paste portion are combined in the area irradiated with the laser light from the image obtained by the optical means for observation, and the pattern is not formed. And an image processing mechanism for obtaining a ratio with an area of a substrate portion which is not used, and means for determining a firing condition by irradiating a laser beam near the paste from the ratio.
상기와 같은 수단을 구비함으로써, 레이저광 조사에 의해서 소성되는 페이스트의 온도는, 레이저광 조사영역내의 패턴부와 페이스트부를 합친 면적과 기판부의 면적과의 비율에 관계 없이 일정하게 되고, 적정한 소성이 언제라도 가능하게 된다. 또한, 기판을 전기로 등의 속에 넣어서 소성하지 않기 때문에, 기판이 대형화되더라도 변형되는 경우는 없다.By providing the above means, the temperature of the paste fired by laser light irradiation becomes constant irrespective of the ratio between the area where the pattern portion and paste portion are combined in the laser light irradiation area and the area of the substrate portion, and when appropriate firing is achieved. Even if it is possible. In addition, since the substrate is not baked in an electric furnace or the like, it does not deform even when the substrate is enlarged.
또, 레이저광 조사조건 중, 레이저 광조사 에너지는, 레이저광 출사장치와 레이저광 전파중에 통과하는 출력 컨트롤 기구에 의해서 제어할 수 있다.In addition, the laser light irradiation energy can be controlled by the output control mechanism which passes during the laser beam emission apparatus and the laser beam propagation among the laser beam irradiation conditions.
상기의 패턴의 수정장치는, 레이저광을 조사하여 소성중의 조사영역의 온도를 측정하는 온도 측정 기구와, 그 온도 측정 결과에 근거하여, 레이저광의 조사 조건을 결정하는 수단을 구비하는 경우가 많다.The apparatus for correcting a pattern is often provided with a temperature measuring mechanism for irradiating a laser beam to measure the temperature of the irradiation area during firing, and a means for determining the irradiation condition of the laser beam based on the temperature measurement result.
상기와 같은 기구를 추가로 구비함으로써, 페이스트를 더욱 안정하게 소성할 수 있게 된다.By further providing such a mechanism, the paste can be baked more stably.
상기의 패턴의 수정장치에 있어서의 레이저광 출사장치와 레이저 광학계는, 기판 위에 형성된 패턴의 잉여부를 삭제하기 위해서도 사용되는 경우가 많다.The laser beam output device and the laser optical system in the pattern correcting device described above are often used to remove excess portions of the pattern formed on the substrate.
상기와 같은 기능도 레이저광 출사장치와 그 광학계에 구비시킴으로써, 각종 형태의 결함을 적정하게 수정할 수 있게 된다.The above functions are also provided in the laser beam output device and the optical system, whereby defects of various forms can be corrected appropriately.
상기의 장치는 다음에 설명하는 본 발명의 패턴 수정방법을 실시하는 경우에 사용된다. 그 본 발명의 패턴 수정방법에 있어서는 기판 위에 형성된 패턴을 관찰용 광학수단에 의해서 관찰하고, 수정 개소를 인식하여, 그 수정 개소에 페이스트를 도포하며, 그 페이스트에 레이저광을 조사하고 소성하여 수정하는 패턴의 수정방법으로서, 그 관찰용 광학수단에 의해서 얻어진 화상으로부터, 레이저광이 조사되어 있는 영역내의, 패턴부 및 페이스트부를 합친 면적과, 패턴이 형성되어 있지 않는 기판부의 면적과의 비율을 구하는 과정을 포함하고, 패턴재의 레이저광에 대한 흡수율이 기판재의 흡수율보다도 큰 경우에는, 그 비율이 작은 범위에서 레이저광의 조사 에너지를 높이며, 비율이 커짐에 따라서, 레이저광의 조사 에너지를 낮춘다.The above apparatus is used when implementing the pattern correction method of the present invention described below. In the pattern correction method of this invention, the pattern formed on a board | substrate is observed by optical means for observation, and a correction | amendment part is recognized, a paste is apply | coated to the correction | amendment point, a laser beam is irradiated to this paste, and it bakes and corrects A method of correcting a pattern, wherein the ratio of the area between the pattern portion and the paste portion in the region irradiated with the laser light and the area of the substrate portion on which the pattern is not formed is determined from the image obtained by the optical means for observation. In the case where the absorption rate of the pattern material with respect to the laser beam is larger than the absorption rate of the substrate material, the irradiation energy of the laser light is increased in a range whose ratio is small, and as the ratio increases, the irradiation energy of the laser light is lowered.
상기의 방법에 의해, 레이저광 조사에 의해서 소성되는 페이스트의 온도는, 레이저광 조사영역내의 패턴부와 페이스트부를 합친 면적과 기판부의 면적과의 비율에 관계 없이 일정하게 되며, 언제다 적정한 소성이 가능하게 된다.By the above method, the temperature of the paste fired by laser light irradiation is constant regardless of the ratio between the area where the pattern portion and paste portion are combined in the laser light irradiation area and the area of the substrate portion, and appropriate firing can be performed at any time. Done.
상기의 패턴의 수정방법은, 레이저광을 조사하여 소성중의 레이저광 조사영역내의 온도를 측정하는 과정을 포함하며, 그 온도 측정 결과에 근거하여, 레이저광의 조사 에너지를 증감하는 것으로 하는 경우가 많다.The pattern correction method includes irradiating laser light to measure the temperature in the laser light irradiation area during firing, and the irradiation energy of the laser light is often increased or decreased based on the temperature measurement result.
레이저광 조사중의 온도 정보에 근거하여 레이저광 조사조건을 또한 제어함으로써, 더욱 안정된 페이스트의 소성이 가능하게 된다.By further controlling the laser light irradiation conditions based on the temperature information during the laser light irradiation, the firing of the paste more stable becomes possible.
또한, 상기한 본 발명의 모든 수정장치 및 수정방법에 있어서, 수정은 일정 형상의 삭제만을 행하는 경우, 또는 일정 형상의 부가만을 행하는 경우, 또는 일정 형상의 삭제를 행한 후 일정 형상의 필요한 부가를 행하거나, 또는 일정 형상의 부가를 크게 행한 후 소정의 형상을 삭제하는 경우를 포함한다.In addition, in all the correction apparatuses and correction methods of the present invention described above, the correction is performed when only a certain shape is deleted, or when only a certain shape is added, or after a certain shape is deleted, a necessary addition of a certain shape is performed. Or a case where a predetermined shape is deleted after largely adding a predetermined shape.
도 1은 본 발명의 패턴 수정장치를 예시하는 구성도이다.1 is a block diagram illustrating a pattern correction apparatus of the present invention.
도 2a 본 발명의 패턴 수정영역을 설정하는 방법을 도시하는 도면으로서, 배선중에 발생한 단락부를 도시하는 도면.Fig. 2A is a diagram showing a method of setting a pattern correction region of the present invention, showing a short circuit portion generated during wiring.
도 2b 본 발명의 패턴 수정영영을 설정하는 방법을 도시하는 도면으로서, 단락부를 제거하는 레이저광의 주사방법을 도시하는 도면.Fig. 2B is a diagram showing a method for setting pattern correction projections of the present invention, showing a scanning method of laser light for removing short circuits.
도 3은 본 발명의 장치의 전체 구성예를 도시하는 도면이다.3 is a diagram illustrating an overall configuration example of the apparatus of the present invention.
도 4는 전극선을 형성하는 크롬과 기판재인 유리의 레이저광 흡수율에 미치는 파장의 영향을 도시하는 도면이다.It is a figure which shows the influence of the wavelength on the laser beam absorption factor of chromium which forms an electrode line, and glass which is a board | substrate material.
도 5는 적정한 소성을 수행하기 위한 크롬과 유리의 면적비율과 레이저광 출력의 관계를 도시하는 도면이다.Fig. 5 is a diagram showing the relationship between the area ratio of chromium and glass and the laser light output for performing proper firing.
도 6은 본 발명의 패턴의 수정장치의 전체도이다.6 is an overall view of a device for correcting a pattern of the present invention.
도 7은 본 발명의 레이저 광학계와 그 레이저 광학계와 동축에 설치된 관찰용 광학계의 구성을 도시하는 도면이다.It is a figure which shows the structure of the laser optical system of this invention, and the observation optical system coaxially installed with the laser optical system.
도 8은 레이저광의 조사영역의 확대도이다.8 is an enlarged view of an irradiation area of a laser beam.
도 9는 종래의 패턴 수정장치를 도시하는 도면이다.9 is a view showing a conventional pattern correction apparatus.
*도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명** Description of the symbols for the main parts of the drawings *
1: 레이저광 출사장치 2: 출력 컨트롤 기구1: laser light output device 2: output control mechanism
3: 빔 스플리터 4: 슬릿 기구3: beam splitter 4: slit mechanism
5: 빔 스플리터 6: 결상 렌즈5: beam splitter 6: imaging lens
7: 빔 스플리터 8: 대물렌즈7: beam splitter 8: objective lens
9: 워크 10: XY 테이블9: work 10: XY table
11: 투과 조명광 12: 낙사 조명광11: transmission illumination light 12: fall illumination light
13: CCD 카메라 14: 슬릿광13: CCD camera 14: slit light
15: 척(chuck)대 16: 레이저광15: chuck stand 16: laser light
18: 온도 측정 기구 21: 레이저 광학계18: temperature measuring instrument 21: laser optical system
22: Z축 테이블 26: 페이스트 도포기구22: Z axis table 26: paste applicator
31: 제어장치 32: 제어용 컴퓨터31: control device 32: control computer
33: 호스트 컴퓨터 40: 페이스트부33: host computer 40: paste portion
41: 레이저광 조사영역 42: 유리부41: laser light irradiation area 42: glass part
43: 패턴부 51, 52: 전극선43: pattern portion 51, 52: electrode wire
53: 단락부 p, q, r: 수정해야 할 주사영역을 지정하는 3점53: paragraph p, q, r: 3 points specifying the scanning area to be corrected
(실시형태 1)(Embodiment 1)
도 1은 본 발명의 패턴 수정장치를 예시하는 구성도이다. YAG 또는 YLF 등의 연속 레이저 출사장치(1, 500Hz 이상의 펄스 레이저를 포함한다)로부터 출사된 레이저광(16)은, 출력 컨트롤 기구(2)에서 출력이 제어되고, 빔 스플리터(5, 7)를 통과하여, 대물렌즈(8)에 의해 미소한 빔 직경, 예를 들면, 10μm의 빔 직경으로 집광되어 워크(9)상에 조사된다.1 is a block diagram illustrating a pattern correction apparatus of the present invention. The laser beam 16 emitted from a continuous laser output device (including pulse lasers of 1,500 Hz or more) such as YAG or YLF has an output controlled by the output control mechanism 2 to control the beam splitters 5 and 7. By passing through, the objective lens 8 collects a small beam diameter, for example, a beam diameter of 10 m, and irradiates it onto the work 9.
한편, 퍼스널 컴퓨터(도시하지 않음)측으로부터 설정된 주사영역에 근거하여, XY 테이블(10)은 동기조작되기 때문에, 주사영역의 두께나 형상 등에 관계 없이 광범위한 결함에 대하여 수정이 가능해진다.On the other hand, based on the scanning area set from the personal computer (not shown) side, the XY table 10 is synchronously operated, so that a wide range of defects can be corrected regardless of the thickness or shape of the scanning area.
또한, CCD 카메라(13)를 구비하므로, 수정 중의 상태를 정확히 모니터할 수 있다.In addition, since the CCD camera 13 is provided, the state during correction can be accurately monitored.
단락부 등의 삭제에 의해서 수정해야 할 조사영역의 설정시에는, 도 2a에 도시되는 바와 같이, 경사 가공에도 대응할 수 있도록, 3점(p, q, r)을 CCD 카메라로부터 얻어진 퍼스널 컴퓨터 화면상의 화상에 입력한다. 이 입력에 의해서, 예를 들면, pq 방향과 pr 방향이 형성하는 평행사변형이 주사영역으로서 등록된다. 또한 최초에 설정한 2점이 p, q인 경우, 도 2b에 도시되는 바와 같이 방향(pq)에 따라서 주(主)주사가 행해지며, 방향 pr이 부(副)주사 방향으로서 주사하도록 결정할 수 있다. 따라서, 간편한 간편한 설정이 가능하고, 작업능률을 향상시킬 수 있게 된다.In setting the irradiation area to be corrected by deleting the short circuit part, as shown in Fig. 2A, three points (p, q, r) are displayed on the personal computer screen obtained from the CCD camera so as to cope with the inclined processing. Input to the image. By this input, for example, a parallelogram formed by the pq direction and the pr direction is registered as the scanning area. In addition, when two points set initially are p and q, main scanning is performed according to the direction pq as shown in FIG. 2B, and it can be determined that the direction pr scans as a sub scanning direction. . Therefore, simple and simple setting is possible, and work efficiency can be improved.
예를 들면, 도 2a의 전극선(51, 52)을 단락하는 단락부(53)에 대하여, 도 2b에 도시되는 바와 같이, 레이저 빔 직경이 주사되고, 순차 수정되어가며, 전극선(5 1과 52)는 분리된다. 이러한 수정은 수정해야 할 패턴 개소의 막 두께가 두껍더라도 또 넓더라도, 주사영역을 간편하게 설정하여 능률 좋게 수행할 수 있다.For example, as shown in FIG. 2B, the laser beam diameter is scanned and corrected sequentially, with respect to the short circuit part 53 which short-circuits the electrode lines 51 and 52 of FIG. 2A, and the electrode lines 5 1 and 52 are shown. ) Are separated. Such correction can be efficiently performed by easily setting the scanning area even if the film thickness of the pattern portion to be corrected is thick or wide.
수정조건의 파라미터로서는, 레이저광의 파워, 주사되는 빔간의 중복 범위(주사밀도), XY 테이블의 스피드 등이 있고, 이들의 설정은 퍼스널 컴퓨터측에서 임의로 설정할 수 있다. 따라서, 대단히 간편하고도 확실한 패턴수정이 가능하다.Parameters of the correction condition include the power of the laser beam, the overlapping range (scan density) between the beams to be scanned, the speed of the XY table, and the like, and these settings can be arbitrarily set on the personal computer side. Thus, very simple and reliable pattern correction is possible.
도 3은 상기의 본 발명의 장치의 전체 구성예를 도시하는 도면이다. 상기한바와 같이, 호스트 컴퓨터(33)로서 퍼스널 컴퓨터를 사용할 수 있고, 상기의 주사영역이나 주사조건의 설정도 용이하게 행할 수 있다. 도 3에 있어서, 워크(9)를 척대(15)에 고정하고, 그 척대(15)는 XY 테이블(10)상에 탑재되며, 제어용 컴퓨터(32) 및 제어장치(31)에 의해서 XY 면내가 제어되어 이동한다.It is a figure which shows the example of the whole structure of the apparatus of the present invention mentioned above. As described above, a personal computer can be used as the host computer 33, and the above-mentioned scanning area and scanning conditions can be easily set. In FIG. 3, the workpiece | work 9 is fixed to the chuck | zipper 15, the chuck | zipper 15 is mounted on the XY table 10, and XY in-plane is controlled by the control computer 32 and the control apparatus 31. FIG. It moves under control.
본 발명에서 말하는 「테이블 제어수단」은, 상기의 제어장치(31), 제어용 컴퓨터(32) 및 호스트 컴퓨터(33)에 부착된다.The "table control means" as used in the present invention is attached to the control device 31, the control computer 32, and the host computer 33.
레이저광의 광학계(21)는 Z축 테이블(22)을 제어함으로써 초점을 맞추는 것이 가능하다.The optical system 21 of the laser beam can be focused by controlling the Z-axis table 22.
(실시형태 2)(Embodiment 2)
다음에 단선 등의 일정 형상의 패턴의 부가가 필요한 결함의 수정에 대하여 설명한다.Next, the correction of the defect which requires the addition of a pattern of a certain shape such as disconnection will be described.
레이저광의 조사영역내에서의 패턴부와 일정 형상의 부가부를 형성하는 페이스트부를 합친 면적과 나머지의 면적과의 비율이 변화하면, 적정한 레이저광 조사에 의한 소성을 할 수 없게 된다. 이것은 동일한 레이저광 조사 에너지가 투입되더라도, 패턴재와 기판재의 레이저광에 대한 흡수율이 다르기 때문에, 온도 상승이 변동하기 때문이다.If the ratio between the area where the pattern portion and the paste portion forming the constant portion are formed in the irradiation area of the laser light is changed, the firing by appropriate laser light irradiation cannot be performed. This is because the temperature rise fluctuates even if the same laser light irradiation energy is input, because the absorption rate of the pattern material and the substrate material with respect to the laser light is different.
도 4는 패턴재인 전극선을 형성하는 크롬과, 기판재인 유리의 레이저광 흡수율에 미치는 레이저광의 파장의 영향을 도시하는 도면이다. 상기 도면에 의하면, 파장이 800nm의 레이저광에 대해서는, 크롬은 흡수율이 높고, 유리는 흡수율이 낮다. 따라서, 레이저광의 조사영역내에서의 크롬의 면적율의 대소를 고려하지 않고서, 레이저광을 일정한 조사조건으로 조사하면 , 크롬의 비율이 작은 경우는, 레이저광 조사영역의 온도는 충분히 올라가지 않고, 소성은 불충분하게 된다. 한편, 크롬의 비율이 큰 경우에는, 열의 흡수가 많기 때문에 지나치게 고온이 되어, 기판에 변형이 발생한다.It is a figure which shows the influence of the wavelength of the laser beam on the chromium which forms the electrode line which is a pattern material, and the laser beam absorption of the glass which is a board | substrate material. According to the drawing, for laser light having a wavelength of 800 nm, chromium has a high absorption rate and glass has a low absorption rate. Therefore, if the laser light is irradiated under constant irradiation conditions without considering the magnitude of the area ratio of chromium in the laser light irradiation area, when the chromium ratio is small, the temperature of the laser light irradiation area does not sufficiently rise, and the firing It becomes insufficient. On the other hand, when the ratio of chromium is large, since there is much heat absorption, it becomes too high and deformation | transformation arises in a board | substrate.
도 5는 파장 800nm의 레이저광 조사에 의해 적정한 소성을 하기 위한 크롬부와 유리부와의 면적 비율과, 레이저광 출력과의 관계를 도시하는 도면이다. 상기한 바와 같이, 크롬은 파장 800nm의 레이저광의 흡수율이 높기 때문에, 크롬의 비율이 큰 경우에는 레이저광 출력을 작게 할 필요가 있다.It is a figure which shows the relationship between the area ratio of a chromium part and a glass part, and laser beam output for proper baking by laser beam irradiation of wavelength 800nm. As described above, since chromium has a high absorption rate of laser light having a wavelength of 800 nm, when the ratio of chromium is large, it is necessary to reduce the laser light output.
패턴재의 레이저광 흡수율과 면적비율에 따라서, 상기와 같이 레이저광 조사조건을 조정함으로써, 적정한 소성을 할 수 있게 된다. 또한, 기판이 대형화되더라도, 기판에 대한 변형이 발생하는 경우는 없다.By adjusting laser beam irradiation conditions as mentioned above according to the laser beam absorption rate and area ratio of a pattern material, appropriate baking can be attained. In addition, even if the substrate is enlarged, deformation with respect to the substrate does not occur.
도 6은 상기의 지견에 근거하여 구성한 본 발명의 실시예인 패턴의 수정장치를 도시하는 도면이다. 장치는 크게 분류하면, 레이저 광학계(21) 및 그 레이저 광학계에 동축으로 설치된 보수 개소를 관찰하는 관찰용 광학계와, 패턴부 및 페이스트부를 합친 면적과 그것들이 없는 유리부의 면적의 비율을 계산하기 위한 화상처리기구(31)와, 장치 전체를 제어하는 제어용 컴류터(32)로 이루어진다. 그외에, 기판인 워크(9)를 탑재하는 XY 테이블(10)과 XY 테이블상에서 워크(9)를 보유하는 척대(15)와 레이저 광학계를 상하로 구동하는 Z축 테이블(22) 및 관찰용의 모니터(33) 등이 설치되어 있다.Fig. 6 is a diagram showing a device for correcting a pattern which is an embodiment of the present invention constructed based on the above findings. When the apparatus is broadly classified, the observation optical system for observing the laser optical system 21 and the repair points provided coaxially with the laser optical system, and an image for calculating the ratio of the area of the glass portion without the pattern portion and the paste portion and the glass portion without them It consists of a processing mechanism 31 and the control comuter 32 which controls the whole apparatus. In addition, the XY table 10 on which the work 9 serving as the substrate is mounted, the chuck 15 holding the work 9 on the XY table, the Z axis table 22 for driving the laser optical system up and down, and for observation A monitor 33 or the like is provided.
도 7은 레이저 광학계(21) 및 그 레이저 광학계와 동축에 부착된 관찰용 광학계의 구성을 도시하는 도면이다. 레이저 광학계(21)는 레이저광 출사장치(1), 슬릿기구(12), 결상렌즈(14), 대물렌즈(8) 등으로 구성되고, 관찰용 광학계는 CCD 카메라(13)와 온도 측정 기구(18) 등을 구비한다.FIG. 7: is a figure which shows the structure of the laser optical system 21 and the observation optical system coaxially attached to the laser optical system. The laser optical system 21 is composed of a laser light output device 1, a slit mechanism 12, an imaging lens 14, an objective lens 8, and the like. The optical system for observation includes a CCD camera 13 and a temperature measuring mechanism ( 18) and the like.
이들 수단을 구비함으로써, 레이저광 조사중의 조사영역의 온도를 알 수 있고, 그 온도에 근거하여 더욱 정밀하게 제어할 수 있게 된다. 그 결과, 패턴재의 조성 등이 통상의 것으로부터 벗어나고, 레이저광에 대한 흡수율에 변동이 있었다고해도, 안정하게 소성을 수행할 수 있다. 그와 같은 변동이 없는 경우에는, 더욱 정밀하고 안정된 소성이 가능해진다.By providing these means, the temperature of the irradiation area | region during laser beam irradiation can be known, and it becomes possible to control more precisely based on the temperature. As a result, even if the composition of a pattern material etc. deviates from a normal thing, even if there exists a fluctuation | variation in the absorption rate with respect to a laser beam, baking can be performed stably. In the absence of such variation, more precise and stable firing is possible.
다음에, 본 장치의 조작방법에 관해서 설명한다.Next, the operation method of this apparatus is demonstrated.
우선, XY 테이블(10)에 탑재된 기판중의 페이스트가 도포된 부분(40)을 CCD 카메라(13)로 관찰하면, 도 8과 같은 상이 얻어진다. 레이저광 조사영역(41)의 크기를 슬릿 기구(12)에 의해 결정하고, 조사영역(41)내의 패턴부(43) 및 페이스트부(40)를 합친 면적과, 유리부(42)의 면적과의 비율을 화상처리기구(31)에 의해서 구하여, 레이저광의 조사 에너지와 조사시간을 결정한다. 레이저광의 조사는, 레이저광 출사장치(1) 본체와 출력 컨트롤 기구(2)에 의해서 조정할 수 있다.First, when the part 40 to which the paste in the board | substrate mounted on the XY table 10 was apply | coated is observed with the CCD camera 13, the image like FIG. 8 will be obtained. The size of the laser light irradiation region 41 is determined by the slit mechanism 12, and the area where the pattern portion 43 and the paste portion 40 in the irradiation region 41 are combined, the area of the glass portion 42, The ratio of is determined by the image processing mechanism 31 to determine the irradiation energy of the laser light and the irradiation time. Irradiation of a laser beam can be adjusted with the laser beam output device 1 main body and the output control mechanism 2.
또한, 안정된 소성이 필요한 경우에는, 소성시에 레이저광 조사영역(41)내의 온도를 온도 측정 기구(18)에 의해 측정하고, 레이저광 출사장치(1)와 출력 컨트롤 기구(2)에 피드백을 적용함으로써, 소성 상태를 일정하게 유지할 수 있다.When stable firing is required, the temperature in the laser light irradiation area 41 is measured by the temperature measuring mechanism 18 at the time of firing, and feedback is fed to the laser beam output device 1 and the output control mechanism 2. By applying, the baking state can be kept constant.
이러한 장치를 사용함으로써, 패턴부의 비율의 대소에 관계 없이, 레이저광조사에 의해 페이스트를 소성할 수 있고, 기판에 변형을 남기지 않고서 간편하게 고정밀도의 수정을 할 수 있게 된다. 온도 측정 기구(18)를 이용함에 따라, 공업상, 일상적으로 발생하는 변동에도 유연하게 대응할 수 있고, 또한, 그와 같은 변동이 없는 경우에는, 보다 안정된 정밀도가 높은 소성이 가능해진다.By using such an apparatus, the paste can be baked by laser light irradiation irrespective of the magnitude of the ratio of the pattern portion, and high precision correction can be easily performed without leaving a deformation on the substrate. By using the temperature measuring mechanism 18, it is possible to flexibly cope with industrial and everyday fluctuations, and in the absence of such fluctuations, more stable and accurate firing becomes possible.
또, 상기에 개시된 실시의 형태는, 어디까지나 예시이며, 본 발명의 범위는 상기의 실시의 형태에 제한되지 않는다. 본 발명의 범위는 특허청구의 범위에 의해서 제시되고, 또한 특허청구의 범위와 균등한 의미 및 범위내에서의 모든 변경을 포함하는 것이 의도되어 있다.In addition, embodiment disclosed above is an illustration to the last, and the scope of the present invention is not limited to said embodiment. The scope of the invention is set forth by the claims, and is intended to include the meanings equivalent to those of the claims and all modifications within the scope.
일정 형상의 패턴의 삭제, 두께 감소 등이 필요한 결함부의 수정에 있어서, 본 발명의 패턴 수정 장치 및 수정방법의 적용에 의해 빔 직경을 좁힌 레이저광을 수정영역에 조사하고, 기판을 이동시키면서 수정영역 전체를 수정하므로, 수정 영역이 두껍고, 대면적이더라도, 미려하게 수정하는 것이 가능해졌다. 또한, CCD 카메라로부터 얻어진 퍼스널 컴퓨터 화면상의 화상에 대하여 수정영역을 간편하게 설정할 수 있기 때문에, 작업능률이 향상된다.In the correction of a defect portion requiring deletion of a certain shape pattern, reduction in thickness, or the like, a laser beam having a narrow beam diameter is irradiated to the correction region by applying the pattern correction apparatus and the correction method of the present invention, and the correction region is moved while moving the substrate. By modifying the whole, it is possible to make beautiful modifications even if the correction area is thick and large. In addition, since the correction area can be easily set for the image on the personal computer screen obtained from the CCD camera, the work efficiency is improved.
또한, 일정 형상의 패턴의 부가, 형성이 필요한 결함부의 수정에 있어서, 본 발명에 관계되는 장치 및 방법을 적용함으로써, 패턴부의 비율의 대소에 관계 없이, 안정된 페이스트의 소성이 가능하게 되며, 간편하게 고정밀도의 패턴의 수정이 가능해진다. 또한, 소성시의 온도를 측정하고, 레이저광 조사에 피드백을 적용함으로써, 한층 더 안정된 고 정밀도의 소성이 가능하게 된다.In addition, by applying the apparatus and the method according to the present invention in the addition of a pattern of a certain shape and the correction of the defective part which need to be formed, it becomes possible to bake a stable paste regardless of the magnitude | size of the pattern part, and it is easy and highly precise The pattern of FIG. Can be corrected. Moreover, by measuring the temperature at the time of baking and applying a feedback to laser beam irradiation, more stable high precision baking is attained.
또한, 삭제와 부가가 필요한 개소가 혼재되어 있는 경우, 또는 그러한 혼재가 없는 경우로서, 결함의 성질상 삭제한 후에 부가하는 편이 바람직한 경우, 또는 크게 부가한 후에 삭제하는 편이 바람직한 경우에는 삭제와 부가형식을 뒤바꾸어 수행하고, 각 삭제와 형성의 공정에 있어서, 위에서 언급한 바와 같은 효과를 각각 얻을 수 있다.In addition, when there is a mixture of places requiring deletion and addition, or when there is no such mixing, when it is preferable to add after deletion due to the nature of the defect, or when it is preferable to delete after adding large, deletion and addition form Is reversed, and in the process of elimination and formation, the effects as mentioned above can be obtained respectively.
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Cited By (3)
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| KR100691813B1 (en) * | 2004-04-21 | 2007-03-12 | 주식회사 나래나노텍 | Particle Detector System And Method Of Thin Film Forming Process |
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Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100669944B1 (en) * | 2004-04-21 | 2007-01-18 | 주식회사 나래나노텍 | Thin film forming system having particle remover and detector |
| KR100691813B1 (en) * | 2004-04-21 | 2007-03-12 | 주식회사 나래나노텍 | Particle Detector System And Method Of Thin Film Forming Process |
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