KR20000011723A - Electronic circuit unit - Google Patents

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KR20000011723A
KR20000011723A KR1019990028604A KR19990028604A KR20000011723A KR 20000011723 A KR20000011723 A KR 20000011723A KR 1019990028604 A KR1019990028604 A KR 1019990028604A KR 19990028604 A KR19990028604 A KR 19990028604A KR 20000011723 A KR20000011723 A KR 20000011723A
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electronic circuit
circuit unit
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capacitor
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KR1019990028604A
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Korean (ko)
Inventor
이시가와겐이치로
이노우에요시다카
Original Assignee
가타오카 마사타카
알프스 덴키 가부시키가이샤
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    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01QANTENNAS, i.e. RADIO AERIALS
    • H01Q9/00Electrically-short antennas having dimensions not more than twice the operating wavelength and consisting of conductive active radiating elements
    • H01Q9/04Resonant antennas
    • H01Q9/0407Substantially flat resonant element parallel to ground plane, e.g. patch antenna
    • H01Q9/0414Substantially flat resonant element parallel to ground plane, e.g. patch antenna in a stacked or folded configuration

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Abstract

PURPOSE: An electronic circuit unit is provided to be formed by using a multi-layer substrate, and to be used by installing in the mother substrate improving the launching frequency characteristics. CONSTITUTION: The electronic circuit unit comprises: a collector of a launching transistor(1) grounded by a direct current retardation condenser(2) in a high frequency; return condensers(3, 4) contacted between a base and an emitter, and between the emitter and a ground; the emitter contacted by a direct current circuit with an emitter bias resistant(5) and a parallel resonance circuit(6); a variable reactance circuit(7) contacted between the base and the ground; the variable reactance circuit(7) contacted in a parallel against the return condenser(3, 4) contacted in a series, and to operate as an inductance element in equivalent in the launching frequency.

Description

전자회로 유닛{ELECTRONIC CIRCUIT UNIT}Electronic circuit unit {ELECTRONIC CIRCUIT UNIT}

본 발명은 다층기판을 이용하여 구성되고, 마더기판에 설치되어 사용되는 발진기 등의 전자회로 유닛에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an electronic circuit unit, such as an oscillator, which is constructed using a multilayer board and is installed and used on a mother board.

종래의 전자회로 유닛을 발진기의 예로 설명한다. 종래의 발진기의 회로를 도 6에 나타낸다. 이 발진회로는 콜렉타접지형의 발진회로로서, 전원전압(E)이 인가된 발진트랜지스터(51)의 콜렉터는 직류저지 콘덴서(52)에 의하여 고주파적으로 접지되고, 베이스와 에미터와의 사이, 및 에미터와 그라운드와의 사이에는 각각 귀환 콘덴서(53, 54)가 접속된다. 그리고 베이스와 그라운드와의 사이에 가변 리엑턴스회로(55)가 접속된다. 가변 리엑턴스회로(55)는 직렬로 접속된 귀환 콘덴서 (53, 54)에 대하여 병렬로 접속되고, 발진주파수에 있어서는 등가적으로 인덕턴스소자로서 작동한다.A conventional electronic circuit unit will be described as an example of an oscillator. The circuit of the conventional oscillator is shown in FIG. This oscillation circuit is a collector-ground oscillation circuit, in which the collector of the oscillation transistor 51 to which the power supply voltage E is applied is grounded at high frequency by a DC blocking capacitor 52, and is connected between the base and the emitter. , And the feedback capacitors 53 and 54 are connected between the emitter and the ground, respectively. The variable reactance circuit 55 is connected between the base and the ground. The variable reactance circuit 55 is connected in parallel to the feedback capacitors 53 and 54 connected in series, and acts as an inductance element equivalently at the oscillation frequency.

가변 리엑턴스회로(55)는 크랩콘덴서(56), 제 1 마이크로 스트립라인(57),주파수 보정용 콘덴서(58), 바랙터 다이오드(59)로 이루어지고, 크랩콘덴서(56)와 제 1 마이크로 스트립라인(57)이 직렬로 접속되며, 또 주파수 보정용 콘덴서(58)와 바랙터 다이오드(59)가 직렬로 접속된다. 그리고 직렬로 접속된 주파수 보정용 콘덴서(58)및 바랙터 다이오드(59)가 제 1 마이크로 스트립라인(57)에 병렬로 접속된다. 그리고 크랩콘덴서(56)의 한쪽 끝이 발진트랜지스터(51)의 베이스에 접속되고, 제 1 마이크로 스트립라인(57)의 한쪽 끝과 바랙터 다이오드(59)의 애노드가 함께 접지된다.The variable reactance circuit 55 is composed of a crab capacitor 56, a first micro strip line 57, a frequency correction capacitor 58, and a varactor diode 59, and the crab capacitor 56 and the first micro strip. The line 57 is connected in series, and the frequency correcting capacitor 58 and the varactor diode 59 are connected in series. Then, the frequency correcting capacitor 58 and the varactor diode 59 connected in series are connected in parallel to the first micro stripline 57. One end of the crab capacitor 56 is connected to the base of the oscillation transistor 51, and one end of the first micro stripline 57 and the anode of the varactor diode 59 are grounded together.

그리고 발진주파수를 바꾸기 위한 제어전압(V)이, 초크 인덕터로서 사용되는 제 2 마이크로 스트립라인(60)을 거쳐 바랙터 다이오드(59)의 캐소드에 인가된다.The control voltage V for changing the oscillation frequency is applied to the cathode of the varactor diode 59 via the second micro stripline 60 used as the choke inductor.

도 7은 상기의 발진회로가 다층기판(61)으로 구성된 발진기의 요부단면도를 나타낸다. 다층기판(61)의 상면에는 발진트랜지스터(51), 직류저지 콘덴서(52), 귀환 콘덴서(53, 54), 주파수보정용 콘덴서(55c) 등의 회로부품이 올려 놓여진다(도 7에서는 주파수보정 콘덴서(58)만을 나타낸다). 또 제 1 마이크로 스트립라인(57) 제 2 마이크로 스트립라인(60)은 내층의 도체층(6la)으로 형성되어 발진기의 소형화가 도모된다. 그 때문에 예를 들어, 제 1 마이크로 스트립라인 (57)과 주파수 보정용 콘덴서(58)와의 접속을 위하여 제1 도통구멍(이하, 도통구멍을 관통구멍이라 함)(62)이 형성된다. 마찬가지로 제 2 마이크로 스트립라인(60)과 주파수보정용 콘덴서(58)와의 접속을 위하여 제 2 관통구멍(63)이 형성된다. 도 5의 접속점(A, B)은 제 1 관통구멍(62), 제 2 관통구멍(63)이 형성되는 위치를 나타내고 있다.Fig. 7 shows a cross-sectional view of main parts of an oscillator in which the oscillator circuit is composed of a multi-layer substrate 61. Circuit components such as the oscillation transistor 51, the DC blocking capacitor 52, the feedback capacitors 53 and 54, and the frequency correction capacitor 55c are placed on the upper surface of the multilayer substrate 61 (FIG. 7 frequency correction capacitor). (58) only). In addition, the first micro stripline 57 and the second micro strip line 60 are formed of the inner conductor layer 6la, thereby miniaturizing the oscillator. Therefore, for example, a first through hole (hereinafter referred to as a through hole) 62 is formed for the connection between the first micro strip line 57 and the frequency correction capacitor 58. Similarly, a second through hole 63 is formed for the connection between the second micro strip line 60 and the frequency correction capacitor 58. Connection points A and B in FIG. 5 indicate positions at which the first through hole 62 and the second through hole 63 are formed.

제 1 및 제 2 관통구멍(62, 63)내에는 도금 등의 수단에 의하여 도체벽(62a, 63a)이 형성된다. 또 그 내부에는 수지(64, 64)가 충전되고, 그 양쪽 끝에 각각 전극(65, 66)및 전극(67, 68)이 형성된다. 따라서 제 1 관통구멍(62)에서는 전극(65 및 66)과 도체벽(62a)이 상호 접속되고, 제 2 관통구멍(63)에서는 전극(67및 68)과 도체벽(63a)이 서로 접속된다. 이들 관통구멍(62, 63)은, 흔히 칩온 관통구멍(chip-on through hole)이라 하며, 고밀도설치를 위하여 사용된다.In the first and second through holes 62 and 63, conductor walls 62a and 63a are formed by means of plating or the like. Moreover, resin 64 and 64 are filled in the inside, and the electrodes 65 and 66 and the electrodes 67 and 68 are formed in the both ends, respectively. Accordingly, the electrodes 65 and 66 and the conductor wall 62a are interconnected in the first through hole 62, and the electrodes 67 and 68 and the conductor wall 63a are connected to each other in the second through hole 63. . These through holes 62 and 63 are often referred to as chip-on through holes and are used for high density installation.

그리고 다층기판(61)의 상면측 전극(65, 67)상에 주파수보정용 콘덴서(58)의 전극부(58a, 58b)가 올려 놓여지고, 전극부(58a)와 전극(65), 전극부(58b)와 전극 (67)이 각각 땜납(69, 69)에 의하여 서로 접속된다. 또한 다층기판(61)의 하면측의 전극(66, 68)은 다른 회로에는 접속되지 않는다. 그리고 제 1 마이크로 스트립라인(57)과 도체벽(62a)이 접속되고, 제 2 마이크로 스트립라인(60)과 도체벽(63a)이 접속된다. 이에 의하여 주파수보정용 콘덴서(58)와 제 1 마이크로 스트립라인 (57) 및 제 2 마이크로 스트립라인(60)이 접속된다.Then, the electrode portions 58a, 58b of the frequency correction capacitor 58 are placed on the upper electrodes 65, 67 of the multilayer substrate 61, and the electrode portions 58a, the electrodes 65, and the electrode portions ( 58b) and electrode 67 are connected to each other by solders 69 and 69, respectively. The electrodes 66 and 68 on the lower surface side of the multilayer substrate 61 are not connected to other circuits. The first micro stripline 57 and the conductor wall 62a are connected, and the second micro strip line 60 and the conductor wall 63a are connected. Thereby, the frequency correction capacitor 58, the first micro stripline 57 and the second micro strip line 60 are connected.

한편, 다층기판(61)의 하면에는, 제 1 마이크로 스트립라인(57) 및 제 2 마이크로 스트립라인(60)에 대향한 바깥층의 도체층(61b)이 설치되어 있고, 이 도체층(61b)은 접지된다. 이 결과, 제 1 마이크로 스트립라인(57)과 제 2 마이크로 스트립라인(60)이 소정의 임피던스를 가지도록 되어 있다.On the other hand, the lower surface of the multilayer substrate 61 is provided with a conductor layer 61b of an outer layer facing the first microstripline 57 and the second microstripline 60, and the conductor layer 61b is provided. Grounded. As a result, the first micro stripline 57 and the second micro strip line 60 have a predetermined impedance.

그리고 바랙터 다이오드(59)에 인가되는 소정의 제어전압(V)에 의하여 소정의 발진주파수가 되도록 제 1 마이크로 스트립라인(57)의 임피던스가 조정된다. 이 조정은 트리밍이라 불리우며, 예를 들어, 제 1 마이크로 스트립라인(57)에 절삭깊이를 가하는 것 등에 의하여 행하여진다.The impedance of the first micro strip line 57 is adjusted to have a predetermined oscillation frequency by a predetermined control voltage V applied to the varactor diode 59. This adjustment is called trimming and is performed by, for example, applying a cutting depth to the first micro stripline 57.

이상과 같이 구성된 발진기는, 송수신기 등을 구성하는 마더기판(도시생략)상에 올려 놓여져 송수신기의 국부발진기 또는 반송파발진기로서 사용된다. 그 때, 다층기판(61)의 하면, 즉 도체층(61b)쪽이 마더기판의 상면에 대향하도록 올려놓여진다. 한편, 마더기판의 상면에는 접지도체(도시생략)가 설치되어 있고, 그 때문에 발진기가 마더기판상에 올려 놓여진 상태에서는 다층기판(61)에 형성된 제 1 관통구멍(62), 제 2 관통구멍(63)에 형성된 전극(66, 68)과 마더기판상의 접지도체가 대향한다.The oscillator configured as described above is placed on a mother substrate (not shown) constituting a transceiver or the like and used as a local oscillator or a carrier oscillator of the transceiver. At that time, the lower surface of the multilayer substrate 61, that is, the conductor layer 61b, is placed so as to face the upper surface of the mother substrate. On the other hand, a grounding conductor (not shown) is provided on the upper surface of the mother substrate. Therefore, in the state where the oscillator is placed on the mother substrate, the first through hole 62 and the second through hole formed in the multilayer board 61 ( Electrodes 66, 68 formed on the substrate 63 and the ground conductor on the mother substrate face each other.

이 결과, 전극(66)과 마더기판의 접지도체와의 사이, 및 전극(68)과 마더기판의 접지도체와의 사이에는 부유용량(70, 71)(도 6참조)이 형성된다. 이들 부유용량(70, 71)은 도 5에 있어서의 접속점(A)과 그라운드와의 사이, 및 접속점(B)과 그라운드와의 사이에 각각 부가된 상태로 된다. 따라서 부유용량(70)은 제 1 마이크로 스트립라인(57)에 병렬로 접속되고, 부유용량(71)은 바랙터 다이오드(59)에 병렬접속되게 된다.As a result, stray capacitances 70 and 71 (see Fig. 6) are formed between the electrode 66 and the ground conductor of the mother substrate and between the electrode 68 and the ground conductor of the mother substrate. These stray capacitances 70 and 71 are added to the state between the connection point A and the ground in FIG. 5, and between the connection point B and the ground, respectively. Therefore, the stray capacitance 70 is connected in parallel to the first micro stripline 57, and the stray capacitance 71 is connected in parallel to the varactor diode 59.

이 결과, 리액턴스회로(55) 전체의 인덕턴스치가 커져, 도 8의 선(X)으로 나타내는 바와 같이, 예를 들어 l700 MHz 체의 발진기에서는 마더기판에 대한 설치전후에 있어서의 발진주파수의 변화(ΔF)가 대략 마이너스 9 MHz 가 된다(주파수는 설치후에 낮아짐). 이 때문에 동일한 발진주파수로 하기 위해서는 제어전압(V)을 높게 할 필요가 있으나, 제어전압(V)의 최고치가 제한되어 있는 경우에는 동일한 주파수에 설정할 수 없다는 문제가 발생한다. 또 이 발진기를 송수신기 등으로 사용한 경우에는, 소정의 국부발진 주파수나 반송파 주파수를 얻을 수 없다는 문제가 발생한다.As a result, the inductance value of the entire reactance circuit 55 increases, and as shown by the line X in FIG. 8, for example, in the l700 MHz oscillator, the change of the oscillation frequency before and after the installation to the mother substrate (ΔF) ) Is approximately minus 9 MHz (frequency is lowered after installation). For this reason, in order to achieve the same oscillation frequency, it is necessary to increase the control voltage V. However, when the maximum value of the control voltage V is limited, there is a problem that the same frequency cannot be set. Moreover, when this oscillator is used as a transceiver, a problem arises in that a predetermined local oscillation frequency or carrier frequency cannot be obtained.

그래서 본 발명은, 마더기판상에 대한 설치전에 있어서의 발진주파수 등의 특성에 대하여, 마더기판에 대한 설치후에 있어서의 발진주파수 등의 특성변화를 적게 하는 것을 목적으로 한다.Therefore, an object of the present invention is to reduce the variation of characteristics such as oscillation frequency after installation on a mother substrate with respect to characteristics such as oscillation frequency before installation on a mother substrate.

도 1은 본 발명의 전자회로 유닛의 회로도,1 is a circuit diagram of an electronic circuit unit of the present invention;

도 2는 본 발명의 전자회로 유닛의 하면도,2 is a bottom view of the electronic circuit unit of the present invention;

도 3은 본 발명의 전자회로 유닛의 요부단면도,3 is a cross-sectional view of main parts of an electronic circuit unit of the present invention;

도 4는 본 발명의 전자회로 유닛에 있어서의 관통구멍의 설명도,4 is an explanatory diagram of a through hole in the electronic circuit unit of the present invention;

도 5는 본 발명의 전자회로 유닛을 마더기판에 설치한 상태의 설명도,5 is an explanatory diagram of a state in which the electronic circuit unit of the present invention is installed on a mother board;

도 6은 종래의 전자회로 유닛의 회로도,6 is a circuit diagram of a conventional electronic circuit unit,

도 7은 종래의 전자회로 유닛의 요부단면도,7 is a cross-sectional view of main parts of a conventional electronic circuit unit;

도 8은 본 발명의 전자회로 유닛 및 종래의 전자회로 유닛의 발진주파수의 변화를 설명하는 특성도이다.Fig. 8 is a characteristic diagram illustrating a change in oscillation frequency of the electronic circuit unit of the present invention and the conventional electronic circuit unit.

※도면의 주요부분에 대한 부호의 설명※ Explanation of symbols for main parts of drawing

1 : 발진트랜지스터 2 : 직류저지 콘덴서1: oscillation transistor 2: DC blocking capacitor

3, 4 : 귀환 콘덴서 5 : 에미터 바이어스저항3, 4: feedback capacitor 5: emitter bias resistor

6 : 병렬공진회로 6a : 제 3 마이크로 스트립라인6: parallel resonant circuit 6a: third micro stripline

6b : 공진 콘덴서 7 : 가변 리액턴스회로6b: resonance capacitor 7: variable reactance circuit

8 : 클럽 콘덴서 9 : 제 1 마이크로 스트립라인8: club condenser 9: first micro stripline

10 : 주파수 보정용 콘덴서 10a, 10b : 전극부10: frequency correction capacitor 10a, 10b: electrode portion

11 : 버랙터 다이오드 12 : 제 2 마이크로 스트립라인11: varactor diode 12: second micro stripline

21 : 증폭용 트랜지스터 22 : 결합 콘덴서21 amplification transistor 22 coupling capacitor

23 : 제 4 마이크로 스트립라인 24 : 공진 콘덴서23 fourth microstripline 24 resonant capacitor

25, 26, 27 : 버스 바이어스저항 28, 29 : 부유용량25, 26, 27: bus bias resistor 28, 29: stray capacitance

31 : 다층기판31: multilayer board

31a, 31b, 31c, 31d, 31e, 31f : 도체층31a, 31b, 31c, 31d, 31e, 31f: conductor layer

32 : 제 1 관통구멍 32a : 도체벽32: first through hole 32a: conductor wall

32b : 전극 33 : 제 2 관통구멍32b: electrode 33: second through hole

33a : 도체벽 33b : 전극33a: conductor wall 33b: electrode

34 : 제 3 관통구멍 35 : 제 4 관통구멍34: third through hole 35: fourth through hole

36 : 수지 37 : 땜납36: Resin 37: Solder

38 : 수지 41 : 마더기판38: Resin 41: Mother Board

41a : 접지도체 42 : 회로부품41a: grounding conductor 42: circuit components

상기 과제를 해결하기 위하여 본 발명의 전자회로 유닛은 다층기판과, 상기다층기판의 상면에 설치된 회로부품과, 상기 다층기판의 내층에 형성된 마이크로 스트립라인과, 상기 다층기판에 뚫어 설치되어 상기 회로부품과 상기 마이크로 스트립라인을 접속하는 관통구멍을 가지며, 상기 관통구멍내에는 도체벽을 형성하여 상기 마이크로 스트립라인을 상기 도체벽에 접속하고, 상기 관통구멍내에 수지를 충전하고, 충전된 상기 수지의 한쪽 끝면에만 전극을 형성하고, 상기 전극상에 상기 회로부품을 설치하였다.In order to solve the above problems, an electronic circuit unit of the present invention includes a multilayer board, a circuit component provided on an upper surface of the multilayer board, a microstrip line formed on an inner layer of the multilayer board, and installed through the multilayer board. And a through hole for connecting the micro strip line, a conductor wall is formed in the through hole, the micro strip line is connected to the conductor wall, a resin is filled in the through hole, and one side of the filled resin is provided. An electrode was formed only at the end surface, and the circuit component was installed on the electrode.

또 본 발명의 전자회로 유닛은 발진기로서 구성되고, 상기 발진기는 발진주파수를 설정하는 공진소자를 가지며, 상기 마이크로 스트립라인은 적어도 제 1 마이크로 스트립라인을 가지고, 상기 제 1 마이크로 스트립라인을 상기 공진소자로 하였다.In addition, the electronic circuit unit of the present invention is configured as an oscillator, the oscillator has a resonant element for setting the oscillation frequency, the microstripline has at least a first microstripline, the first microstripline to the resonator element It was set as.

또 본 발명의 전자회로 유닛은 상기 회로부품으로서 상기 발진주파수를 바꾸는 바랙터 다이오드를 가지고, 상기 바랙터 다이오드에 제어전압을 공급하는 인덕터를 가지며, 상기 마이크로 스트립라인은 또한 제 2 마이크로 스트립라인을 가지고, 상기 제 2 마이크로 스트립라인을 상기 인덕터로 하였다.The electronic circuit unit of the present invention also has a varactor diode for changing the oscillation frequency as the circuit component, an inductor for supplying a control voltage to the varactor diode, and the micro stripline also has a second micro stripline. The second micro strip line was used as the inductor.

이하, 도면에 따라서 본 발명의 전자회로 유닛을 설명한다. 여기서 전자회로 유닛을 발진기의 예로 설명한다. 도 1은 본 발명을 적용하는 발진기의 회로도이고, 도 2는 본 발명의 전자회로 유닛의 하면도이고, 도 3은 본 발명의 전자회로 유닛의 요부단면도이고, 도 4는 본 발명의 전자회로 유닛에 있어서의 관통구멍의 설명도이고, 도 5는 본 발명의 전자회로 유닛을 송수신기 등의 마더기판에 설치한 상태의 설명도이다.EMBODIMENT OF THE INVENTION Hereinafter, the electronic circuit unit of this invention is demonstrated according to drawing. Here, the electronic circuit unit will be described as an example of the oscillator. 1 is a circuit diagram of an oscillator to which the present invention is applied, FIG. 2 is a bottom view of the electronic circuit unit of the present invention, FIG. 3 is a sectional view of the main portion of the electronic circuit unit of the present invention, and FIG. 4 is an electronic circuit unit of the present invention. It is explanatory drawing of the through-hole in FIG. 5: is explanatory drawing of the state which installed the electronic circuit unit of this invention in the mother board, such as a transceiver.

먼저, 도 1에 있어서 발진트랜지스터(1)의 콜렉터는 직류저지 콘덴서(2)로 고주파적으로 접지되고, 베이스와 에미터와의 사이, 및 에미터와 그라운드와의 사이에는 각각 귀환 콘덴서(3, 4)가 접속된다. 또 에미터는 에미터 바이어스저항(5)과 병렬공진회로(6)와의 직렬 회로에 의하여 그라운드에 접속되어 있다. 그리고 베이스와 그라운드와의 사이에 가변리액턴회로(7)가 접속된다. 가변리액턴스회로 (7)는 직렬로 접속된 귀환 콘덴서(3, 4)에 대하여 병렬로 접속되고, 발진주파수에 있어서는 등가적으로 인덕턴스소자로서 작동한다.First, in FIG. 1, the collector of the oscillation transistor 1 is grounded at high frequency by the DC blocking capacitor 2, and the feedback capacitor 3, between the base and the emitter, and between the emitter and the ground, respectively. 4) is connected. The emitter is connected to the ground by a series circuit of the emitter bias resistor 5 and the parallel resonant circuit 6. The variable reactance circuit 7 is connected between the base and the ground. The variable reactance circuit 7 is connected in parallel to the feedback capacitors 3 and 4 connected in series, and acts as an inductance element equivalently at the oscillation frequency.

가변리액턴스회로(7)는 크랩콘덴서(8), 제 1 마이크로 스트립라인(9), 주파수보정용 콘덴서(10), 바랙터 다이오드(11)로 이루어지고, 크랩콘덴서(8)와 제 1 마이크로 스트립라인(9)이 직렬로 접속되고, 또 주파수보정용 콘덴서(10)와 바랙터 다이오드(11)가 직렬로 접속되어 있다. 그리고 직렬로 접속된 주파수보정용 콘덴서(10) 및 바랙터 다이오드(11)가 제 1 마이크로 스트립라인(9)에 병렬로 접속된다. 그리고 크랩콘덴서(8)의 한쪽 끝이 발진트랜지스터(1)의 베이스에 접속되고, 제 1 마이크로 스트립라인(9)의 한쪽 끝과 바랙터 다이오드(11)의 애노드가 함께 접지된다.The variable reactance circuit 7 includes a crab capacitor 8, a first micro strip line 9, a frequency correction capacitor 10, and a varactor diode 11, and a crab capacitor 8 and a first micro strip line. (9) is connected in series, and the frequency correction capacitor 10 and the varactor diode 11 are connected in series. Then, the frequency correction capacitor 10 and the varactor diode 11 connected in series are connected in parallel to the first micro stripline 9. One end of the crab capacitor 8 is connected to the base of the oscillation transistor 1, and one end of the first micro stripline 9 and the anode of the varactor diode 11 are grounded together.

발진주파수를 바꾸기 위한 제어전압(V)은, 초크인덕터로서 사용되는 제 2 마이크로 스트립라인(12)을 거쳐 바랙터 다이오드(11)의 캐소드에 인가된다.The control voltage V for changing the oscillation frequency is applied to the cathode of the varactor diode 11 via the second micro stripline 12 used as the choke inductor.

또한 발진트랜지스터(l)의 에미터와 그라운드와의 사이에 접속되는 병렬공진 회로(6)는 에미터 바이어스저항(5)에 있어서의 발진파워의 손실을 줄이는 것이고, 제 3 마이크로 스트립라인(6a)과 공진콘덴서(6b)로 구성되고, 그 공진주파수는 발진주파수와 일치하도록 설정된다.Further, the parallel resonant circuit 6 connected between the emitter of the oscillation transistor 1 and the ground reduces the loss of oscillation power in the emitter bias resistor 5, and the third micro strip line 6a. And a resonant capacitor 6b, the resonant frequency of which is set to match the oscillation frequency.

발진트랜지스터(l)로부터의 발진신호는 증폭용 트랜지스터(21)로 증폭된다. 그 때문에 발진신호는 발진트랜지스터(l)의 에미터로부터 결합콘덴서(22)를 거쳐 증폭용 트랜지스터(21)의 베이스에 입력된다. 그리고 증폭된 발진신호는 증폭용 트랜지스터(21)의 콜렉터로부터 출력된다. 증폭용 트랜지스터(21)의 콜렉터에는 제 4 마이크로 스트립라인(23)을 거쳐 전원전압(E)이 공급된다. 또 증폭용 트랜지스터(21)의 콜렉터와 그라운드와의 사이에 접속된 공진콘덴서(24)와 제 4 마이크로 스트립라인(23)과는 병렬공진회로를 구성하고, 그 공진주파수를 발진주파수에 일치시킴으로써 고조파를 제거하고 있다.The oscillation signal from the oscillation transistor 1 is amplified by the amplifying transistor 21. Therefore, the oscillation signal is input from the emitter of the oscillation transistor 1 to the base of the amplifying transistor 21 via the coupling capacitor 22. The amplified oscillation signal is output from the collector of the amplifying transistor 21. The power supply voltage E is supplied to the collector of the amplifying transistor 21 via the fourth micro strip line 23. In addition, the resonant capacitor 24 and the fourth microstripline 23 connected between the collector and the ground of the amplifying transistor 21 form a parallel resonance circuit, and the resonance frequency coincides with the oscillation frequency, thereby harmonics. Is removing.

또한 증폭용 트랜지스터(21)의 에미터와 발진트랜지스터(l)의 콜렉터가 서로 접속되고, 증폭용 트랜지스터(21)와 발진트랜지스터(1)에는 거의 같은 콜렉터전류가 공통으로 흐른다. 또 각 트랜지스터(1, 21)의 베이스에는 바이어스저항(25, 26, 27)에 의하여 바이어스전압이 주어지고, 각 트랜지스터(1, 21)의 콜렉터 에미터사이에는 거의 같은 전압이 인가된다.In addition, the emitter of the amplifying transistor 21 and the collector of the oscillation transistor 1 are connected to each other, and almost the same collector current flows in common in the amplifying transistor 21 and the oscillation transistor 1. The bias voltages are applied to the bases of the transistors 1 and 21 by the bias resistors 25, 26 and 27, and almost the same voltage is applied between the collector emitters of the transistors 1 and 21.

상기 발진회로는 다층기판(31)(도 2, 도 3참조)으로 구성된다. 그때, 다층기판(31)의 상면에는 발진트랜지스터(1), 귀환콘덴서(3), 베이스 바이어스저항(25)등의 회로부품이 올려 놓여진다(도 3에서는 설명의 형편상, 주파수보정용 콘덴서만을 나타냄). 또 제 1 내지 제 4 마이크로 스트립라인(9, 12, 6a, 23)은 다층기판(31)의 내층에 형성된다. 그 때문에 예를 들어 크랩콘덴서(8)와 주파수보정 콘덴서 (10)와 제 1 마이크로 스트립라인(9)과의 상호의 접속점(a)에 제 1 도통구멍(이하, 도통구멍을 관통구멍이라 함)(32)이 설치되고, 주파수보정 콘덴서(10)와 바랙터 다이오드(11)와 제 2 마이크로 스트립라인(12)과의 상호의 접속점(b)에 제 2 관통구멍(33)이 설치되고, 증폭용 트랜지스터(21)의 콜렉터와 제 4 마이크로 스트립라인 (23)과 공진콘덴서(24)와의 상호의 접속점(c)에 제 3 관통구멍(34)이 설치되고, 에미터 바이어스저항(5)과 제 3 마이크로 스트립라인(6a)과 콘덴서(6b)와의 상호의 접속점(d)에 제 4 관통구멍(35)이 설치된다.The oscillation circuit is composed of a multilayer substrate 31 (see Figs. 2 and 3). At this time, circuit components such as the oscillation transistor 1, the feedback capacitor 3, and the base bias resistor 25 are placed on the upper surface of the multilayer substrate 31 (in Fig. 3, only the frequency correction capacitor is shown in the description). ). In addition, the first to fourth micro strip lines 9, 12, 6a, and 23 are formed on the inner layer of the multilayer substrate 31. Therefore, for example, the first through hole (hereinafter referred to as the through hole is referred to as a through hole) at the connection point a between the crab capacitor 8, the frequency correcting capacitor 10, and the first micro strip line 9, respectively. (32) is provided, and the second through hole (33) is provided at the connection point (b) of the frequency correcting capacitor (10), the varactor diode (11), and the second micro stripline (12). A third through hole 34 is provided at the junction c between the collector of the transistor 21 and the fourth microstripline 23 and the resonant capacitor 24, and the emitter bias resistor 5 and A fourth through hole 35 is provided at the connection point d between the three microstrip lines 6a and the condenser 6b.

이들 제 1 내지 제 4 관통구멍(32, 33, 34, 35)은, 도 2에 나타내는 바와 같이 다층기판(31)의 하면까지 관통하고 있다.These first through fourth through holes 32, 33, 34, 35 penetrate to the lower surface of the multilayer substrate 31 as shown in FIG.

또한 다층기판(31)의 하면에는, 마더기판(도 5참조)에 접속하기 위한 접지용 도체(31a), 발진신호 출력용 도체(3lb), 전원전압(E)용 도체(31c), 제어전압(V)용도체(31d), 접지용 도체(3lf) 등이 설치되어 있다.Further, the lower surface of the multilayer board 31 includes a grounding conductor 31a for connecting to the mother substrate (see Fig. 5), a conductor for output of oscillation signal 3lb, a conductor 31c for power supply voltage E, and a control voltage ( V) A conductor 31d and a grounding conductor 3lf are provided.

도 3은 제 1 관통구멍(32)과 제 2 관통구멍(33)을 나타내는 요부단면도이며, 도시 생략하였으나, 제 3 관통구멍(34), 제 4 관통구멍(35)도 거의 같은 구성으로 되어 있다.3 is a sectional view showing main parts of the first through hole 32 and the second through hole 33. Although not shown, the third through hole 34 and the fourth through hole 35 have substantially the same configuration. .

도 3에 있어서 제 1 관통구멍(32) 및 제 2 관통구멍(33)내에는, 도금 등의 수단에 의하여 도체벽(32a, 33a)이 형성된다. 또 그 내부에는 수지(36, 36)가 충전되고, 그것들의 한쪽 끝면(회로부품이 탑재되는 상면쪽)에만 각각 전극(32b, 33b)이 형성된다. 따라서 제 1 관통구멍(32)에 있어서의 도체벽(32a)과 전극(32b)이 서로 접속되고, 또 제 2 관통구멍(33)에 있어서의 도체벽(33a)과 전극(33b)이 서로 접속된다. 이들 관통구멍(32, 33)은 수지(36, 36)로 충전되고 또 전극 (32b, 33b)에 의하여 구멍이 막히기 때문에 흔히 칩온 관통구멍이라 하고, 고밀도설치를 위하여 사용된다. 그리고 다층기판(31)의 상면측의 전극(32b, 33b) 상에 주파수보정용 콘덴서(10)의 전극부(10a, 10b)가 각각 올려 놓여지고, 전극부(10a)와 전극(32b), 전극음부(10b)와 전극(33b)이 땜납(37, 37)에 의하여 서로 접속된다.In FIG. 3, in the first through hole 32 and the second through hole 33, conductor walls 32a and 33a are formed by means of plating or the like. Moreover, resins 36 and 36 are filled therein, and electrodes 32b and 33b are formed only on one end surface thereof (upper surface on which circuit components are mounted). Accordingly, the conductor wall 32a and the electrode 32b in the first through hole 32 are connected to each other, and the conductor wall 33a and the electrode 33b in the second through hole 33 are connected to each other. do. These through holes 32 and 33 are often referred to as chip-on through holes because they are filled with resins 36 and 36 and are blocked by the electrodes 32b and 33b, and are used for high density installation. Then, the electrode portions 10a and 10b of the frequency correction capacitor 10 are placed on the electrodes 32b and 33b on the upper side of the multilayer substrate 31, respectively, and the electrode portions 10a, 32b, and electrodes are placed thereon. The negative portion 10b and the electrode 33b are connected to each other by the solders 37 and 37.

또한 도시 생략하였으나, 전극(32b) 상에는 크랩콘덴서(8)도 올려 놓여져 땜납접속되어 있다.Although not shown, the crab capacitor 8 is also placed on the electrode 32b to be soldered.

또한 바랙터 다이오드(11)의 캐소드가 전극(33b) 상에 올려 놓여져 땜납(37)으로 접속된다. 바랙터 다이오드(11)의 애노드는 접지도체(31g)에 땜납(37)에 의하여 접속된다.In addition, the cathode of the varactor diode 11 is placed on the electrode 33b and connected to the solder 37. The anode of the varactor diode 11 is connected to the ground conductor 31g by solder 37.

또 제 1 마이크로 스트립라인(9), 제 2 마이크로 스트립라인(12)은, 다층기판(31)의 내층의 도체층(31e)에 의하여 형성되고, 각각 도체벽(32a, 33a)과 접속된다. 따라서 주파수보정용 콘덴서(10)와 제 1 마이크로 스트립라인(9) 및 제 2 마이크로 스트립라인(12)이 접속된다.The first microstripline 9 and the second microstripline 12 are formed by the conductor layer 31e of the inner layer of the multilayer substrate 31, and are connected to the conductor walls 32a and 33a, respectively. Therefore, the frequency correction capacitor 10 and the first micro stripline 9 and the second micro stripline 12 are connected.

한편, 다층기판(31)의 하면에는 제 1 마이크로 스트립라인(9) 및 제 2 마이크로 스트립라인(12)에 대향한 바깥층의 도체층(31f)이 설치되어 있고, 이 도체층 (31f)은 접지된다. 이 결과, 제 1 마이크로 스트립라인(9)과 제 2 마이크로 스트립라인(12)이 소정의 특성 임피던스를 가지도록 되어 있다.On the other hand, the lower surface of the multilayer substrate 31 is provided with a conductor layer 31f of an outer layer facing the first microstripline 9 and the second microstripline 12, and the conductor layer 31f is grounded. do. As a result, the first micro stripline 9 and the second micro stripline 12 have a predetermined characteristic impedance.

또 제 1 관통구멍(32) 및 제 2 관통구멍(23)내에 충전된 수지(36, 36)의 다른쪽 끝면(다층기판 31 의 하면쪽)에는 이들 관통구멍(32, 33)을 막기 위한 전극은 형성되어 있지 않다. 따라서 각 관통구멍(32, 33)의 도체벽(32a, 33a)은 도 4에 나타내는 바와 같이, 고리형상이 되어 다층기판(31)의 하면측으로 노출하게 된다.In addition, an electrode for blocking these through holes 32 and 33 is formed on the other end surface (lower surface side of the multilayer substrate 31) of the resins 36 and 36 filled in the first through holes 32 and the second through holes 23. Is not formed. As a result, the conductor walls 32a and 33a of the through holes 32 and 33 become annular, as shown in FIG. 4, and are exposed to the lower surface side of the multilayer substrate 31.

그리고 바랙터 다이오드(11)에 인가되는 소정의 제어전압(V)에 의하여 소정의 발진주파수가 되도록 제 1 마이크로 스트립라인(9)의 임피던스가 조정된다. 이 조정은 트리밍이라 하며, 예를 들어 제 1 마이크로 스트립라인(9)에 절삭깊이를 가하는 것 등에 의하여 행하여진다.The impedance of the first micro strip line 9 is adjusted to have a predetermined oscillation frequency by a predetermined control voltage V applied to the varactor diode 11. This adjustment is called trimming and is performed by, for example, applying a cutting depth to the first micro stripline 9.

그 후, 다층기판(31)의 하면전체가 수지(38)에 의하여 코팅되어 발진기가 완성된다.Thereafter, the entire lower surface of the multilayer substrate 31 is coated with the resin 38 to complete the oscillator.

이상과 같이 구성된 본 발명의 발진기는, 예를 들어 휴대 전화기 등의 송수신기의 국부 발진기 또는 반송파 발진기로서 사용된다. 그 때, 도 5에 나타내는 바와 같이, 본 발명의 전자회로 유닛을 구성하는 다층기판(31)이 송수신기를 구성하는 마더기판(41)상에 다른 회로부품(42)과 더불어 탑재된다.The oscillator of the present invention configured as described above is used, for example, as a local oscillator or a carrier oscillator of a transceiver such as a cellular phone. At that time, as shown in Fig. 5, the multilayer board 31 constituting the electronic circuit unit of the present invention is mounted together with other circuit components 42 on the mother board 41 constituting the transceiver.

그리고, 다층기판(31)이 탑재된 상태에서는 다층기판(31)의 하면이 마더기판(41)의 상면과 대향한다. 그 결과, 마더기판(41)의 상면에 접지도체(41a)가 설치되어 있는 경우, 제 1 관통구멍(32)의 도체벽(32), 제 2 관통구멍(33)의 도체벽(33a)이 접지도체(41a)에 대향하나, 이 대향하는 면적은 도체벽(32a, 33a)이 고리형상으로 되어 있기 때문에, 종래의 대향면적과 비교하여 적어진다. 따라서, 도체벽(32a)과 접지도체(41a)와의 대향에 의하여 형성되는 부유용량(28)(도 1참조)은 도 6에 나타내는 종래의 부유용량(70)보다 적어지고, 마찬가지로 도체벽(33a)과 접지도체(41a)와의 대향에 의하여 형성되는 부유용량(29)(도 1참조)도 도 6에 나타내는 종래의 부유용량(71)보다 적어진다.In the state where the multilayer substrate 31 is mounted, the lower surface of the multilayer substrate 31 faces the upper surface of the mother substrate 41. As a result, when the ground conductor 41a is provided on the upper surface of the mother substrate 41, the conductor wall 32 of the first through hole 32 and the conductor wall 33a of the second through hole 33 Although it opposes the grounding conductor 41a, since this opposing area | region becomes ring-shaped, the facing area becomes small compared with the conventional opposing area. Therefore, the floating capacitance 28 (refer to FIG. 1) formed by opposing the conductor wall 32a and the ground conductor 41a becomes smaller than the conventional floating capacitance 70 shown in FIG. 6, and similarly, the conductor wall 33a ) And the floating capacitance 29 (refer to FIG. 1) formed by opposing the ground conductor 41a are also smaller than the conventional floating capacitance 71 shown in FIG.

그 때문에 본 발명의 전자회로 유닛을 마더기판(41)에 설치한 경우의 발진주파수의 변화(ΔF)는 적어지고, 도 8의 선(Y)으로 나타내는 바와 같이, 거의(마이너스 3 MHz)가 된다. 이 변화는 종래의 변화(마이너스 9 MHz)의 3분의 1이다.Therefore, the change ΔF of the oscillation frequency in the case where the electronic circuit unit of the present invention is provided on the mother substrate 41 is small, and becomes almost (minus 3 MHz) as indicated by the line Y in FIG. . This change is one third of the conventional change (minus 9 MHz).

또한 제 1 및 제 2 관통구멍(32, 33)과 같이, 제 3 관통구멍(34), 제 4 관통구멍(35)내에 형성한 도체벽(도시생략)만을 다층기판(31)의 하면측으로 노출시켜 두면 제 4 마이크로 스트립라인(23)과 공진콘덴서(24)와의 공진 주파수 및 제 3 마이크로 스트립라인(6a)과 공진콘덴서(6b)와의 공진 주파수의 변화가 적어진다.Also, like the first and second through holes 32 and 33, only the conductor walls (not shown) formed in the third through holes 34 and the fourth through holes 35 are exposed to the lower surface side of the multilayer substrate 31. In this case, changes in the resonant frequency of the fourth micro stripline 23 and the resonant capacitor 24 and the resonant frequency of the third micro strip line 6a and the resonant capacitor 6b are reduced.

또한 이상까지의 설명에서는 전자회로 유닛의 예로서 발진기로 설명하였으나, 발진기에 한정하지 않고, 마이크로 스트립라인 등을 사용하는 다른 전자회로 유닛에도 적용하여 우수한 효과를 얻을 수 있다.In the above description, the oscillator has been described as an example of the electronic circuit unit. However, the present invention is not limited to the oscillator and can be applied to other electronic circuit units using microstrip lines or the like to obtain excellent effects.

이상과 같이 본 발명의 전자회로 유닛은 다층기판의 상면에 설치된 회로부품과 다층기판의 내층에 형성된 마이크로 스트립라인을 관통구멍으로 접속하고, 관통구멍내에 수지를 충전하여 충전된 상기 수지의 한쪽 끝면에만 전극을 형성하고, 전극상에 회로부품을 설치하였기 때문에 다층기판을 마더기판상에 올려 놓은 경우에, 관통구멍의 도체벽이 마더기판의 접지도체에 대향하더라도 도체벽과 접지도체에 의하여 형성되는 부유용량이 적기 때문에 전자회로의 특성변화가 적다.As described above, the electronic circuit unit of the present invention connects a circuit component provided on the upper surface of the multilayer board with a microstrip line formed in the inner layer of the multilayer board through a through hole, and fills the resin in the through hole only on one end surface of the resin. In the case where the multilayer board is placed on the mother board because the electrode is formed and the circuit components are provided on the electrode, the float formed by the conductor wall and the ground conductor even if the conductor wall of the through hole faces the ground conductor of the mother board. Due to the small capacity, there is little change in the characteristics of the electronic circuit.

또 본 발명의 전자회로 유닛은 발진기로서 구성하고, 발진기는 발진주파수를 설정하는 공진소자를 가지며, 마이크로 스트립라인은 적어도 제 1 마이크로 스트립라인을 가지고 제 1 마이크로 스트립라인을 공진소자로 하였기 때문에, 발진기를 마더기판에 설치한 경우에 공진소자에 부가되는 부유용량이 작다. 따라서 발진기를 마더기판에 설치하더라도 발진주파수의 변화가 적다.In addition, since the electronic circuit unit of the present invention is configured as an oscillator, the oscillator has a resonant element for setting the oscillation frequency, and the microstripline has at least a first microstrip line and the first microstripline is a resonator element. Is installed on the mother substrate, the stray capacitance added to the resonant element is small. Therefore, even if the oscillator is installed on the mother board, the change of oscillation frequency is small.

또 본 발명의 전자회로 유닛은 회로부품으로서 발진주파수를 바꾸는 바랙터 다이오드를 가지며, 바랙터 다이오드에 제어전압을 공급하는 인덕터를 가지며, 마이크로 스트립라인은 또한 제 2 마이크로스트립라인을 가지고 제 2 마이크로 스트립라인을 인덕터로 하였기 때문에 발진기를 마더기판에 설치한 경우에 바랙터에 부가되는 부유용량이 적어진다. 따라서 바랙터 다이오드에 의한 주파수의 변화범위가 좁아지는 일이 없다.In addition, the electronic circuit unit of the present invention has a varactor diode that changes oscillation frequency as a circuit component, has an inductor for supplying a control voltage to the varactor diode, and the micro strip line also has a second micro strip line and a second micro strip. Since the line is used as an inductor, the stray capacitance added to the varactor is reduced when the oscillator is installed on the mother board. Therefore, the frequency change range by varactor diodes does not become narrow.

Claims (3)

다층기판과, 상기 다층기판의 상면에 설치된 회로부품과, 상기 다층기판의 내층에 형성된 마이크로 스트립라인과, 상기 다층기판에 뚫어 설치되고, 상기 회로부품과 상기 마이크로 스트립라인을 접속하는 관통구멍을 가지며, 상기 관통구멍내에는 도체벽을 형성하여 상기 마이크로 스트립라인을 상기 도체벽에 접속하고, 상기 관통구멍내에 수지를 충전하여, 충전된 상기 수지의 한쪽 끝면에만 전극을 형성하고 상기 전극상에 상기 회로부품을 설치한 것을 특징으로 하는 전자회로 유닛.A multilayer board, a circuit component provided on an upper surface of the multilayer board, a micro strip line formed on an inner layer of the multilayer board, and a through hole formed in the multilayer board to connect the circuit component and the micro strip line. A conductor wall is formed in the through hole to connect the microstripline to the conductor wall, and a resin is filled in the through hole to form an electrode only on one end surface of the filled resin; An electronic circuit unit comprising a component. 제 1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 전자회로 유닛은 발진기로서 구성되고, 상기 발진기는 발진주파수를 설정하는 공진소자를 가지며, 상기 마이크로 스트립라인은 적어도 제 1 마이크로 스트립라인을 가지고 상기 제 1 마이크로 스트립라인을 상기 공진소자로 한 것을 특징으로 하는 전자회로 유닛.The electronic circuit unit is configured as an oscillator, the oscillator having a resonant element for setting an oscillation frequency, the micro stripline having at least a first micro stripline, and the first micro stripline as the resonant element. An electronic circuit unit. 제 2항에 있어서,The method of claim 2, 상기 회로부품은 상기 발진주파수를 바꾸는 바랙터 다이오드를 가지며, 상기바랙터 다이오드에 제어전압을 공급하는 인덕터를 가지고, 상기 마이크로 스트립라인은 또한 제 2 마이크로 스트립라인을 가지며, 상기 제 2 마이크로 스트립라인을 상기 인덕터로 한 것을 특징으로 하는 전자회로 유닛.The circuit component has a varactor diode that changes the oscillation frequency, has an inductor for supplying a control voltage to the varactor diode, the micro stripline also has a second micro stripline, the second micro stripline And the inductor.
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