KR20000010659A - Intergrated and switchable line termination - Google Patents

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Abstract

PURPOSE: An integrated and switchable line termination is provided to achieve effective digital expression signalling. CONSTITUTION: The line receiver circuit includes an integrated input amplifier circuit and a line receiver circuit. The integrated input amplifier circuit(1) has a noninverting input terminal(11) and an inverting input terminal(12) for connection with a transmission line(31,32). The line receiver circuit includes line impedance termination means(2) for terminating the characteristic impedance of the transmission line(31,32). The input amplifier circuit(1) and the line impedance termination means(2) are integrated on a common semiconductor substrate.

Description

회선수신회로Circuit receiving circuit

현재, 디지털 논리회로 및 회로들 간의 디지털 시그널링을 위한 다양한 개념들이 공지되어 있다.Currently, various concepts are known for digital logic and digital signaling between circuits.

초기의 개념은 DTL(Diode-Transistor Logic), TTL(Transistor-Transistor Logic) 및 ECL(Emitter Coupled Logic)인데, 이러한 개념들은 디지털 논리회로에서 뿐만 아니라 회로 또는 회로들 또는 회로기판들 사이의 디지털 시그널링을 위해 사용되었다.Early concepts are Diode-Transistor Logic (DTL), Transistor-Transistor Logic (TTL), and Emitter Coupled Logic (ECL), which not only support digital signaling between circuits or circuits or circuit boards, Was used for.

높은 데이터율로 디지털 데이터를 전송하기 위해 설계된 개념들은 한 쌍의 시그널링 와이어를 사용하는, 디지털 데이터의 차동송신 및 수신을 바람직하게 이용한다. DPECL(Differential Positive Emitter Coupled Logic), LVDS(Low Voltage Differential Signalling) 및 GLVDS(Grounded Low Voltage Differential Signalling)은 차동 시그널링을 사용하는 시그널링 개념의 예들이다. 송신기와 수신기를 접속시키는 접지선 양단의 차동개념 스퓨리어스 전압강하로 인해 낮아지는 한 쌍의 시그널링 와이어 양단의 차동 전압을 유지할 수 있는 차동 시그널링은 데어터 전송의 품질에 불리하게 작용한다. 낮은 차동 시그널링 전압은 적당한 범위 내에서 저임피던스 전송회선을 통해 전송된 전력을 차례로 유지한다.Concepts designed for transmitting digital data at high data rates preferably utilize differential transmission and reception of digital data, using a pair of signaling wires. Differential Positive Emitter Coupled Logic (DPECL), Low Voltage Differential Signaling (LVDS), and Grounded Low Voltage Differential Signaling (GLVDS) are examples of signaling concepts that use differential signaling. Differential concept across the ground wires connecting the transmitter and receiver Differential signaling that can maintain the differential voltage across a pair of signaling wires, which is lowered due to the spurious voltage drop, adversely affects the quality of the data transmission. The low differential signaling voltage in turn maintains the power transmitted over the low impedance transmission line within a reasonable range.

집적 및 오퍼레이팅 속도 비율의 빠른 증가에 따라서 디지털 회로의 복잡성도 그에 따라 증가하므로, 각 회로부품들 간의 신호채널의 수, 집적회로들의 핀 수는 그에 걸맞게 증가한다. 부품들을 수용하고 부품들 및/또는 주변을 사이의 배선을 위한 인쇄회로기판 표면상의 공간은 매우 중요하다.With the rapid increase in the ratio of integration and operating speeds, the complexity of digital circuits increases accordingly, so the number of signal channels between each circuit component and the number of pins of integrated circuits increase accordingly. Space on the printed circuit board surface for accommodating parts and for wiring between the parts and / or surroundings is very important.

또한, 다른 다양한 이유로 복잡한 시스템은 종종 다른 부분을 위해 다른 시그널링 기법을 쓴다. 현재 이용할 수 있는 모든 차동 시그널링 개념을 고려해 볼 때, 시그널링 전압은 0볼트 다소 미만에서 4볼트를 초과하여 존재한다. 결과적으로, 하나의 특정 차동 시그널링 개념에 따른 회로의 출력과 다른 시그널링 개념에 따른 또 다른 회로의 입력을 접속하는 것을 불가능하다. 따라서, 복잡한 회로 설계는 특정 시그널링 개념에 충실하든지 아니면 다른 신호레벨들 간의 변환을 위한 수단을 포함해야 한다. 첫 번째 대안은 장래의 발전에 대한 유연성, 융통성이 없고반면에 후자의 대안은 시스템의 주요 기능에 관계 없는 부가적인 공간 및 전력이 필요하다는 것이 단점이다.In addition, complex systems often use different signaling techniques for different parts for a variety of different reasons. Given all of the differential signaling concepts currently available, signaling voltages are present at more than 4 volts, somewhat below zero volts. As a result, it is impossible to connect the output of a circuit according to one particular differential signaling concept and the input of another circuit according to another signaling concept. Thus, complex circuit designs must adhere to certain signaling concepts or include means for converting between different signal levels. The first alternative is a lack of flexibility and flexibility for future developments, while the latter alternative requires additional space and power independent of the system's main functions.

본 발명은 전송회선을 통해 디지털 전기신호형태로 전송된 정보를 수신하기 위해 전송회선에 전기적으로 접속될 수 있는 회선수신회로(line receiver circuit)에 관한 것이다.The present invention relates to a line receiver circuit which can be electrically connected to a transmission line for receiving information transmitted in the form of a digital electrical signal via the transmission line.

도 1은 본 발명에 따른 회선 수신기 회로의 실시예를 전체적으로 나타낸 블록도;1 is a block diagram generally showing an embodiment of a circuit receiver circuit according to the present invention;

도 2는 회선 종단 임피던스 수단의 제1실시예를 나타낸 도면;2 shows a first embodiment of the line termination impedance means;

도 3은 본 발명의 회선 종단 임피던스 수단의 제2실시예를 나타낸 도면;Figure 3 shows a second embodiment of the line termination impedance means of the present invention;

도 4는 본 발명의 회선 종단 임피던스 수단의 제3실시예를 나타낸 도면;4 shows a third embodiment of the line termination impedance means of the present invention;

도 5는 본 발명의 회선 종단 임피던스 수단의 제4실시예를 나타낸 도면;Fig. 5 shows a fourth embodiment of the line termination impedance means of the present invention;

도 6a는 전송 게이트를 표현하기 위해 사용된 기호를 나타낸 도면;6A shows a symbol used to represent a transfer gate;

도 6b는 본 발명에 따른 전송 게이트의 실시예를 간략하게 나타낸 도면.6b is a simplified illustration of an embodiment of a transmission gate in accordance with the present invention;

본 발명은 상기에 언급된 문제점들을 해결하는 것을 목적으로 한다. 또한, 가능한 단순하고 공간 및 비용면에서 효율적인 디지털 고속 시그널링을 이루는 것이 본 발명의 목적이다. 이들 목적은 청구항 1에서 정해진 바와 같이 해결되었다. 본 발명 실시예는 종속항으로 규정된다.The present invention aims to solve the problems mentioned above. It is also an object of the present invention to make digital high speed signaling as simple and space and cost effective as possible. These objects have been solved as defined in claim 1. Embodiments of the invention are defined in the dependent claims.

이들 목적을 이루기 위해서, 본 발명은 전송회선과 접속하기 위한 비반전 입력단자 및 반전 입력단자를 갖는 집적된 입력증폭회로; 및 상기 전송회선의 특성 임피던스를 종단시키는 회선 종단 임피던스 수단을 포함하는 회선수신회로를 포함한다. 여기서, 입력증폭회로 및 상기 회선 종단 임피던스 수단은 공통 반도체기판에 집적된다.To achieve these objects, the present invention provides an integrated input amplifier circuit having a non-inverting input terminal and an inverting input terminal for connecting with a transmission line; And a line receiving circuit including line termination impedance means for terminating the characteristic impedance of the transmission line. Here, the input amplifier circuit and the line termination impedance means are integrated on a common semiconductor substrate.

본 발명에 따라서, 집적된 회선 수신기는 전송회선을 통해 수신된 신호를 재생할 뿐만 아니라 집적된 회선수신회로의 칩에 종단 임피던스 수단을 포함하므로서 전송회선의 적당한 종단도 또한 제공한다. 물론, 집적 종단 임피던스 수단을 포함하는 집적 회선수신회로는 수신된 정보를 처리하기 위한 기타 회로로서 동일 칩상에 집적될 수 있다.According to the present invention, the integrated line receiver not only reproduces the signal received through the transmission line but also provides suitable termination of the transmission line by including terminating impedance means in the chip of the integrated line receiving circuit. Of course, an integrated line receiving circuit including integrated termination impedance means may be integrated on the same chip as other circuitry for processing received information.

본 발명에 따른 회선수신회로는 전송회선에 대해 적당한 종단을 제공할 필요 없이, 전송회선을 전송회선을 통해 데이터를 수신하는 집적회로의 입력핀에 직접 접속시킨다. 그러므로, 인쇄회로기판에 여분의 공간이 없으면 전송회선을 종단시키는 부품을 필요로 한다. 이렇게 하여 대량의 신호채널과 입력핀을 공간과 비용면에서 효율적인 방법으로 접속하는 것이 가능하다. 본 발명은 종단 임피던스가 많은 전력을 소비하지 않고 그러므로 많은 공간을 차지하지 않고 회선수신회로의 반도체기판에 집적될 수 있도록, 예를 들어, 0.2볼트 범위의 낮은 시그널링 전압차를 사용하는 현재의 디지털 차동 시그널링 개념을 이용한다. 전체 회로 설계의 안정성을 향상시키기 위해서, 회선 종단 임피던스 수단과 입력증폭기를 동일 칩에 집적하면 본드 와이어의 유도부품과 증폭기 입력단자의 커패시턴스의 직렬접속에 의해 발생할 수 있는 스퓨리어스 공진이 매우 효율적으로 감소될 수 있다는 부가적인 장점이 있다.The circuit receiving circuit according to the present invention connects a transmission line directly to an input pin of an integrated circuit which receives data via the transmission line, without having to provide a proper termination for the transmission line. Therefore, if there is no extra space in the printed circuit board, there is a need for a component that terminates the transmission line. In this way, a large number of signal channels and input pins can be connected in a space- and cost-effective manner. The present invention uses current digital differentials with low signaling voltage differences in the 0.2 volt range, for example, so that the termination impedance does not consume much power and therefore can be integrated into the semiconductor substrate of the circuit receiving circuit without taking up much space. Use the signaling concept. In order to improve the stability of the overall circuit design, integrating the line termination impedance means and the input amplifier on the same chip will reduce the spurious resonance caused by the series connection of the capacitance of the inductive component of the bond wire and the amplifier input terminal very efficiently. There is an additional advantage that it can.

다양한 다른 디지털 시그널링 기법을 이용하는 혼합 시스템에서 다른 시그널링 레벨간을 이동하기 위한 수단의 필요성을 피하기 위해서, 본 발명의 실시예에 따라서, 입력증폭회로의 입력단자 양단에 접속된 종단수단은 플로팅 상태를 유지할 수 있다. 즉, 바람직한 작동을 위해 소정의 공통 모드 전압을 필요로 하지는 않지만, 상당히 큰 공통 모드 전압 범위, 예를 들어, 접지 레벨 약간 밑에서 회선수신회로의 전원 전압의 레벨 다소 위까지 작동할 수 있다. 만약 입력증폭회로가 상당히 넓은 공통 모드 전압 레벨 범위를 가지고 있다면, 전송 선로 상의 공통 모드 전압이 송신기에 의해 결정될 때까지 입력증폭회로 및 전송 임피던스 수단의 공통 모드 작동 전압 범위에 있는 한 회선수신회로는 어떤 송신기에 접속될 수 있고 바람직하게 작동할 것이다.In order to avoid the need for means to move between different signaling levels in a mixed system using a variety of different digital signaling techniques, in accordance with an embodiment of the present invention, the termination means connected across the input terminals of the input amplification circuit remain floating. Can be. In other words, it does not require a certain common mode voltage for desirable operation, but can operate to a rather large level above the level of the power supply voltage of the circuitry circuit in a fairly large common mode voltage range, for example, slightly below ground level. If the input amplification circuit has a fairly wide common mode voltage level range, the line receiving circuit may be any one in the common mode operating voltage range of the input amplification circuit and the transmission impedance means until the common mode voltage on the transmission line is determined by the transmitter. It may be connected to the transmitter and will work preferably.

또한, 전송회선의 다른 특성 임피던스를 처리하기 위해서, 본 발명에 따른 회선수신회로는 다수의 임피던스 회로와 저임피던스 상태 또는 고임피던스 블로킹 상태가 되도록 제어 가능한 적어도 하나의 전송 게이트 회로를 포함하는데, 상기 다수의 임피던스 회로 및 상기 적어도 하나의 전송 게이트 회로는, 상기 회선 종단 임피던스 수단의 임피던스 값은 상기 적어도 하나의 전송 게이트 회로를 제어하므로서 제어될 수 있도록 상호 접속된다.In addition, in order to process other characteristic impedance of the transmission line, the line receiving circuit according to the present invention includes a plurality of impedance circuits and at least one transmission gate circuit controllable to be in a low impedance or high impedance blocking state. An impedance circuit and the at least one transfer gate circuit are interconnected such that an impedance value of the line termination impedance means can be controlled by controlling the at least one transfer gate circuit.

본 발명의 회선수신회로의 특별한 실시예에는 임피던스 및 전송 게이트 회로로 구성되는 다수의 직렬회로 각각의 입력증폭회로에 대한 입력단자 양단의 병렬 접속을 포함하는 회선 종단 임피던스 수단이 포함된다.A particular embodiment of the line receiving circuit of the present invention includes line termination impedance means including parallel connection across input terminals to an input amplifier circuit of each of a plurality of series circuits composed of impedance and transmission gate circuits.

이들 전송 게이트 각각의 전송상태 또는 블로킹 상태를 적절히 선택하면, 필요에 따라서 전체 종단 임피던스의 적당한 값을 선택하는 것이 가능하다. 또한, 만약 전송회선의 종단이 필요없다면, 예를 들어, 만약 전송회선이 개별적으로 종단된 데이터 버스로서 작동한다면, 모든 전송 게이트들을 높은 임피던스 블로킹 상태로 스위칭하므로서, 본 발명에 따른 회선수신회로가 전송회선의 로드로 작용하는 것을 막을 수 있다. 전송 게이트 및 회선 종단수단은 회선수신회로가 상기의 견지에서 플로팅 상태가 되도록 바람직하게 설계된다.If the transfer state or blocking state of each of these transfer gates is appropriately selected, it is possible to select an appropriate value of the total termination impedance as necessary. In addition, if termination of the transmission line is not required, for example, if the transmission line operates as a separately terminated data bus, the circuit receiving circuit according to the present invention transmits all switching gates to a high impedance blocking state. This can prevent the circuit from acting as a load. The transmission gate and the circuit terminating means are preferably designed so that the circuit receiving circuit is in a floating state in view of the above.

본 발명의 특별 실시예에 따라서, 직렬회로가 전송 게이트를 통해 서로 접속된 두 개의 임피던스 수단을 포함하도록 전송 게이트 및 임피던스 수단으로 구성되는 하나 또는 그 이상의 상기 직렬회로 각각이 제공될 수 있다. 전송 게이트의 모든 단자들은 부가적인 전송 게이트를 통해 적당한 레벨 및 적당한 소스 임피던스의 전압원에 접속될 수 있다. 만약 전송회선을 구동하기 위해 사용된 송신기의 종류가 수신기 단에서 이러한 종류의 공통 모드 종단일 것이라 생각하면, 또는 이러한 종류의 종단을 요구하는 전송회선이 사용되면, 직렬접속의 전송 게이트를 블로킹 상태로 유지하고 부가적인 전송 게이트들은 저임피던스 전송상태로 유지하므로서, 입력 전송회선의 각 단자의 개별적인 공통 모드 종단을 성취하는 것이 가능하다.According to a particular embodiment of the present invention, each of one or more of the series circuits composed of the transmission gate and the impedance means may be provided such that the series circuit includes two impedance means connected to each other through the transmission gate. All terminals of the transfer gate can be connected to a voltage source of a suitable level and of a suitable source impedance through an additional transfer gate. If the type of transmitter used to drive the transmission line is assumed to be this type of common mode termination at the receiver end, or if a transmission line requiring this type of termination is used, then the transmission gates of the serial connection may be blocked. It is possible to achieve a separate common mode termination of each terminal of the input transmission line by maintaining and keeping the additional transmission gates in a low impedance transmission state.

이와는 다른 본 발명의 또 다른 실시예에서, 이러한 직렬회로는 직렬로 접속된 다수의 임피던스 수단을 포함하는데, 각각의 임피던스 수단에는 전송 게이트가 병렬로 접속된다. 이들 전송 게이트들 각각의 전송상태 또는 블로킹 상태를 적당히 선택하므로서, 직렬회로의 전체 임피던스는 필요에 따라서 조절될 수 있다.In yet another embodiment of the present invention, such a series circuit comprises a plurality of impedance means connected in series, each transmission means being connected in parallel. By appropriately selecting the transfer state or blocking state of each of these transfer gates, the overall impedance of the series circuit can be adjusted as needed.

각 전송 게이트의 전송상태는 각 전송 게이트를 위한 수신제어단자에 의해 제어될 수 있다. 만약 다수 신호 채널을 위한 다수의 유사한 회선수신회로가 공통 반도체 칩에 집적되면, 상응하는 전송 게이트 회로의 상응하는 제어단자가 함께 접속될 수 있다. 회선수신회로의 제어단자는 전용 입력 구성 핀에 접속되거나 또는 각 회선수신회로 전송 게이트의 전송상태의 불필요한 또는 부정적인 결합을 차단하는 논리회로에 의해 구동될 수 있다.The transmission state of each transmission gate may be controlled by a reception control terminal for each transmission gate. If multiple similar line receiving circuits for multiple signal channels are integrated in a common semiconductor chip, the corresponding control terminals of the corresponding transfer gate circuits can be connected together. The control terminal of the circuit receiving circuit may be connected to a dedicated input configuration pin or driven by a logic circuit that blocks unnecessary or negative coupling of the transmission state of each circuit receiving circuit transmission gate.

다음에서, 본 발명의 실시예가 첨부한 도면을 참조하여 매우 자세히 설명될 것이다.In the following, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 1은 본 발명에 따른 회선 수신기 실시예의 전체 블록도이다. 이 도면에서, (1)은 비반전 입력단자(11)와 반전 입력단자(12)를 갖는 차동 입력증폭회로이다. 입력단자들(11, 12) 사이의 전압차는 선형 또는 비선형 형태의 증폭기(1)에 의해 증폭되고 증폭 신호는 증폭기의 출력단자(13)에서 나타난다. 참조번호(2)는 증폭기(1)의 입력단자(11, 12) 양단에 접속된 회선 종단 임피던스 수단을 나타낸다. 컨덕터(31, 32)는 데이터 전송기(나타내지 않음)에 의해 구동되는 전송회선을 구성하며 증폭기(1)의 입력단자(11, 12)에 접속된다. 입력증폭기(1) 및 회선 종단 임피던스 수단(2) 둘레의 점선으로된 박스는 입력증폭회로(1) 뿐만 아니라 회선 종단 임피던스 수단(2) 모두가 공통 반도체기판에 집적된다는 것, 즉, 입력증폭기(1) 및 회선 종단 임피던스 수단(2)이 같은 집적 회로의 구성 부품이라는 것을 가리킨다. 물론, 도 1의 점선 박스 내에 있는 소자 외에, 기타 소자들은 집적 회로, 예를 들어 집적 회로에 접속된 전송회선의 각각을 통해 수신된 정보를 처리하기 위한 기타 회로 및 부가적인 신호 채널을 위한 부가적인 입력증폭기 및 회선 종단수단에 제공될 수 있다.1 is an overall block diagram of a line receiver embodiment in accordance with the present invention. In this figure, reference numeral 1 denotes a differential input amplifier circuit having a non-inverting input terminal 11 and an inverting input terminal 12. The voltage difference between the input terminals 11 and 12 is amplified by the amplifier 1 in linear or nonlinear form and the amplified signal is shown at the output terminal 13 of the amplifier. Reference numeral 2 denotes line termination impedance means connected to both ends of the input terminals 11 and 12 of the amplifier 1. The conductors 31 and 32 constitute a transmission line driven by a data transmitter (not shown) and are connected to the input terminals 11 and 12 of the amplifier 1. The dotted box around the input amplifier 1 and the line termination impedance means 2 means that both the input amplifier circuit 1 as well as the line termination impedance means 2 are integrated on a common semiconductor substrate, i.e., the input amplifier ( 1) and the line termination impedance means 2 are components of the same integrated circuit. Of course, in addition to the elements in the dashed box of FIG. 1, other elements may be used for additional signal channels and other circuitry for processing information received over each of the transmission lines connected to the integrated circuit, for example, the integrated circuit. It can be provided for input amplifiers and line termination means.

도 1의 (VDD) 및 (VSS)는 입력증폭회로(1)를 위한 전력공급단자를 나타낸다. 도 1의 회선 종단 임피던스 수단(2)이 (VDD) 및 (VSS) 양단의 전원 전압을 수신하는 동안, 회선 종단 임피던스 수단(2)과 (VDD) 및 (VSS)와의 접속은 회선 종단 임피던스 수단(2)의 특별한 실시예는 아니다.(VDD) and (VSS) in Fig. 1 represent power supply terminals for the input amplifier circuit 1. While the line termination impedance means 2 of FIG. 1 receives power supply voltages across (VDD) and (VSS), the connection between the line termination impedance means 2 and (VDD) and (VSS) is connected to the line termination impedance means ( It is not a special embodiment of 2).

대부분의 기본적인 형태에서 회선 종단 임피던스 수단(2)은 전송회선(31, 32)의 특성 임피던스에 따라서 선택된 저항의 레지스터이다.In most basic forms the line termination impedance means 2 is a resistor of a resistor selected according to the characteristic impedance of the transmission lines 31 and 32.

또 다른 기본적인 실시예에 따라서, 회선 종단 임피던스 수단(2)은 전송회선의 컨덕터(31, 32) 각각을 위해 하나의 종단 임피던스를 사용하는 각 신호 컨덕터를 위한 공통 모드 단자를 포함한다. 이러한 경우 각 임피던스는 송신기가 전송하리라 기대되는 전송의 종류에 따라서 (VDD) 또는 (VSS)에 접속되거나 단자(VT)에 접속된다. 만약 종단 임피던스의 각각이 단자(VT)에 접속된다면, 이러한 단자에 대한 외부 전압의 작용은 사용된 송신기의 종류에 따라 결정될 수 있는 임의의 전위로 전송회선의 컨덕터(31, 32)의 공통 모드 전송을 가능케 한다.According to another basic embodiment, the line termination impedance means 2 comprises a common mode terminal for each signal conductor using one termination impedance for each of the conductors 31 and 32 of the transmission line. In this case each impedance is connected to (VDD) or (VSS) or to terminal (VT), depending on the type of transmission the transmitter is expected to transmit. If each of the termination impedances is connected to terminals VT, the action of the external voltage on these terminals is the common mode transmission of the conductors 31 and 32 of the transmission line at any potential which can be determined according to the type of transmitter used. Makes it possible.

도 2는 회선 임피던스 종단수단(2)의 제1실시예를 나타낸다. 이러한 실시예에 따라서, 회선 임피던스 종단수단(2)은 제1임피던스(R11), 전송 게이트(T1), 및 제2임피던스(R12)의 직렬접속을 포함하는데, 이러한 직렬접속은 입력증폭회로(1)의 입력단자(11, 12) 양단에 접속된다. 이러한 실시예에서, (31) 및 (32)는 (R11), (T1) 및 (R12)의 상기 직렬접속에 의해 종단되는, 대칭적인 전송회선(예를 들어, 트위스티드 페어 또는 그와 유사한 형태의 전송 전로)의 컨덕터를 가리킨다. 전송회선의 대칭성을 고려하여, 임피던스(R11, R12)는 같은 임피던스 값을 갖는 것이 바람직하다.2 shows a first embodiment of the line impedance terminating means 2. According to this embodiment, the line impedance terminating means 2 comprises a series connection of a first impedance R11, a transmission gate T1, and a second impedance R12, which series connection comprises an input amplifier circuit 1. Are connected to both ends of the input terminals 11 and 12. In this embodiment, 31 and 32 are symmetrical transmission lines (e.g., twisted pair or similar forms) terminated by the series connection of (R11), (T1) and (R12). Refer to the conductor of the transmission). In consideration of the symmetry of the transmission line, the impedances R11 and R12 preferably have the same impedance value.

(C1)은 전송 게이트 (T1)의 제어단자를 가리킨다. 제어단자(C1)에 적당한 제어 전압을 공급하므로서, 전송 게이트(T1)는 저임피던스 전송상태를 취하고, 즉 실질적으로 단락 회로와 같은 임피던스(R11, R12)를 접속하거나, 고임피던스 블로킹 상태를 취하고, 즉, (R11)과 (R12)의 접속을 끊는다.C1 indicates the control terminal of the transfer gate T1. By supplying a suitable control voltage to the control terminal C1, the transfer gate T1 takes a low impedance transfer state, i.e., connects the impedances R11, R12 substantially like a short circuit, or takes a high impedance blocking state, i.e. Disconnect the connection between (R11) and (R12).

따라서, 전송 게이트(T1)를 수단으로 하여, 본 발명의 제1실시예는 직렬로 접속된 (R11) 및 (R12)로 구성된 내부 단자의 스위치 온/오프를 허용한다. 이렇게 하여, 이러한 실시예에 따른 본 발명의 회선수신회로는 전용 전송회선으로 작동하도록 또는 데이터 버스 전송회선으로 작동하도록 구성될 수 있다. 첫 번째 경우의 전송 게이트는 저임피던스 전송상태를 취하도록 제어되고, 한편 후자의 경우에 전송 게이트는 고임피던스 블로킹 상태를 취하도록 제어된다.Thus, by means of the transfer gate T1, the first embodiment of the present invention allows switching on / off of the internal terminals composed of (R11) and (R12) connected in series. In this way, the circuit receiving circuit of the present invention according to this embodiment can be configured to operate as a dedicated transmission line or as a data bus transmission line. The transfer gate in the first case is controlled to take a low impedance transfer state, while in the latter case the transfer gate is controlled to take a high impedance blocking state.

도 2에서는 나타내지 않았지만, 도 2에서 나타낸 바와 같이 제1임피던스, 전송 게이트 및 제2임피던스로 구성되는 다수의 직렬회로 각각을 제공하므로서, 증폭기(1)의 입력단자(11, 12) 양단에 병렬로 접속되는 모든 직렬회로가, 입력증폭기(1)의 입력단자(11, 12) 양단에 종단 임피던스를 형성하여 전송회선(31, 32)의 다른 임피던스 특성을 매치시키는 것이 가능하다. 이러한 경우, 각 직렬회로의 전송 게이트(T1)는 임피던스(R11, R12)의 특정한 직렬접속을 선택하여 병렬로 접속되도록 하여 이러한 병렬 접속의 최종 임피던스는 필요에 따라서 조정 가능하다.Although not shown in FIG. 2, as shown in FIG. 2, a plurality of series circuits each consisting of a first impedance, a transmission gate, and a second impedance are provided, so as to be parallel to both ends of the input terminals 11 and 12 of the amplifier 1. It is possible for all connected series circuits to form terminal impedances across the input terminals 11 and 12 of the input amplifier 1 to match different impedance characteristics of the transmission lines 31 and 32. In this case, the transmission gate T1 of each series circuit selects specific series connections of impedances R11 and R12 so that they are connected in parallel so that the final impedance of such parallel connections can be adjusted as necessary.

도 3은 본 발명에 따른 회선 종단 임피던스 수단의 제2실시예를 나타낸 것이다. 도 2에 나타낸 실시예와 유사한 제2실시예는 제1임피던스(R11), 전송 게이트(T1) 및 제2임피던스(R12)의 직렬접속을 포함하는데, 이러한 직력 회로는 입력증폭기(1)의 입력단자(11, 12) 양단에 접속된다. 참조 번호(31, 32)는 증폭기(1)의 입력단자(11, 12)에 접속된 전송회선의 컨덕터를 가리킨다. 도 2에 나타낸 소자들 외에, 제2실시예는 한 쌍의 제1전송 게이트(T11, T12), 한 쌍의 제2전송 게이트(T13, T14) 및 한 쌍의 제3전송 게이트(T15, T16)를 포함한다. (C11)은 전송 게이트(T11, T12)의 전송상태를 제어하기 위한 제어단자이다. (C12)는 전송 게이트(T13, T14)의 상태를 제어하기 위한 제어단자이고, (C13)는 전송 게이트(T15, T16)의 전송상태를 제어하는 제어단자이다. 같은 쌍에 속하는 전송 게이트는 항상, 상응하는 제어단자로 공급된 신호에 의해 결정되는 같은 전송상태를 취한다.3 shows a second embodiment of the line termination impedance means according to the present invention. A second embodiment similar to the embodiment shown in FIG. 2 includes a series connection of a first impedance R11, a transmission gate T1 and a second impedance R12, which series circuitry comprises an input of an input amplifier 1. It is connected to both ends of the terminals 11 and 12. Reference numerals 31 and 32 denote the conductors of the transmission lines connected to the input terminals 11 and 12 of the amplifier 1. In addition to the elements shown in FIG. 2, the second embodiment includes a pair of first transfer gates T11 and T12, a pair of second transfer gates T13 and T14, and a pair of third transfer gates T15 and T16. ). C11 is a control terminal for controlling the transfer state of the transfer gates T11 and T12. C12 is a control terminal for controlling the states of the transfer gates T13 and T14, and C13 is a control terminal for controlling the transfer states of the transfer gates T15 and T16. Transmission gates belonging to the same pair always take the same transmission state as determined by the signal supplied to the corresponding control terminal.

제1전송 게이트 쌍의 첫 번째 전송 게이트(T11)는 전송 게이트(T1)에 접속된 임피던스(R12)의 단자와 음 전원 단자(VSS) 사이에 접속된다. 제1전송 게이트 쌍의 두 번째 전송 게이트(T12)와 전송 게이트(T1)에 접속된 단자(R11)와 단자(VSS) 사이에 접속된다. 제2전송 게이트 쌍의 전송 게이트(T13)는 전송 게이트(T1)에 접속된 임피던스(R12)의 단자와 양의 전원(VDD) 사이에 접속된다. 제2전송 게이트 쌍의 두 번째 전송 게이트(T14)는 전송 게이트(T1)와 접속된 임피던스(R11)의 단자와 전원 단자(VDD) 사이에 접속된다. 제3전송 게이트 쌍의 첫 번째 전송 게이트(T15)는 전송 게이트(T1)에 접속된 임피던스(R11)의 단자와 외부 전압 전위를 공급하기 위한 단자(VT) 사이에 접속된다. 제3전송 게이트 쌍의 두 번째 전송 게이트(T16)는 전송 게이트(T1)에 접속된 임피던스(R12)의 단자와 단자(VT) 사이에 접속된다.The first transfer gate T11 of the first transfer gate pair is connected between the terminal of the impedance R12 connected to the transfer gate T1 and the negative power supply terminal VSS. The second transfer gate T12 of the first transfer gate pair is connected between the terminal R11 and the terminal VSS connected to the transfer gate T1. The transfer gate T13 of the second transfer gate pair is connected between the terminal of the impedance R12 connected to the transfer gate T1 and the positive power supply VDD. The second transfer gate T14 of the second transfer gate pair is connected between the terminal of the impedance R11 connected to the transfer gate T1 and the power supply terminal VDD. The first transfer gate T15 of the third transfer gate pair is connected between the terminal of the impedance R11 connected to the transfer gate T1 and the terminal VT for supplying an external voltage potential. The second transfer gate T16 of the third transfer gate pair is connected between the terminal VT and the terminal of impedance R12 connected to the transfer gate T1.

제2실시예는 회선 임피던스 종단수단이 다른 다양한 형태의 전송회선을 종단시키도록 형성되는 것을 허용한다. 제어단자(C1, C11, C12 및 C13)로 공급되는 제어 신호에 따라서, 대칭 전송회선을 종단시키기 위해, 및/또는 양 전원 전위(VDD) 또는 음 전원 전위(VSS) 또는 임의의 종단 전압이 공급되는 단자(VT)에 전송회선의 컨덕터(31, 32) 각각의 공통 모드 종단을 제공하기 위해서 제2실시예의 회선 종단 임피던스 수단을 포함하는 회선수신회로를 구성하는 것이 가능하다. 또한 이러한 실시예는 전송회선의 종단이 전혀 일어나지 않는다는 것을 인정한다.The second embodiment allows the line impedance terminating means to be formed to terminate other various types of transmission lines. Depending on the control signal supplied to the control terminals C1, C11, C12 and C13, to terminate the symmetrical transmission line and / or to supply the positive power supply potential VDD or the negative power supply potential VSS or any termination voltage. In order to provide a common mode termination of each of the conductors 31 and 32 of the transmission line to the terminal VT, it is possible to construct a line receiving circuit including the line termination impedance means of the second embodiment. This embodiment also recognizes that no termination of the transmission line occurs.

대칭적인 전송회선을 종단시키기 위해, 전송 게이트(T1)는 저임피던스 전송상태에 있도록 제어되는 한편 도 3에 나타낸 다른 모든 전송 게이트들은 고임피던스 블로킹 상태가 되도록 제어된다. 양의 전원 전압(VDD)에 관하여 컨덕터(31, 32)의 공통 모드 종단을 위해서, 전송 게이트(T13, T14)는 저임피던스 전송상태를 취하도록 제어되는 반면에 도 3에 나타낸 기타 모든 전송 게이트들은 고임피던스 블로킹 상태를 취하도록 제어된다.To terminate the symmetrical transmission line, the transmission gate T1 is controlled to be in a low impedance transmission state while all other transmission gates shown in FIG. 3 are controlled to be in a high impedance blocking state. For common mode termination of the conductors 31 and 32 with respect to the positive supply voltage VDD, the transfer gates T13 and T14 are controlled to take a low impedance transfer state while all other transfer gates shown in FIG. It is controlled to take the impedance blocking state.

만약 음전원 전압(VSS)에 관하여 컨덕터(31, 32)의 공통 모드 종단이 필요하다면, 전송 게이트(T11, T12)는 저임피던스 상태를 취하도록 제어되는 반면에 도 3에 도시된 다른 모든 전송 게이트들은 고임피던스 블로킹 상태를 취하도록 제어된다. 만약 (VDD) 또는 (VSS)와는 다른 전위에 관하여 컨덕터(31, 32)의 공통 모드 종단이 필요하다면, 적당한 전압 레벨을 제공하는 전압원은 단자(VT) 및 예를 들어 (VSS) 사이에 접속되고, (T15) 및 (T16)을 제외한 모든 전송 게이트들은 고임피던스 블로킹 상태를 취하도록 제어되는 반면에 (T15) 및 (T16)은 저임피던스 상태를 취하도록 제어된다.If common mode termination of the conductors 31 and 32 is required with respect to the negative power supply voltage VSS, the transfer gates T11 and T12 are controlled to take a low impedance state while all other transfer gates shown in FIG. It is controlled to take a high impedance blocking state. If a common mode termination of the conductors 31, 32 is required with respect to a potential other than (VDD) or (VSS), a voltage source providing a suitable voltage level is connected between the terminal VT and for example (VSS) All transmission gates except for (T15) and (T16) are controlled to take a high impedance blocking state, while (T15) and (T16) are controlled to take a low impedance state.

만약 컨덕터(31, 32)의 대칭 종단과 동시에, 컨덕터(31, 32)의 공통 모드 종단이 요구된다면, 즉, 만약 전송회선의 Y-형 종단이 요구된다면, 전송 게이트(T1)는 저임피턴스 전송상태에 있도록 제어되고 동시에, (VDD)에 대해 공통 모드 종단이 요구되는 경우, 전송 게이트(T13, T14)는 저임피던스 상태에 있도록 제어될 수 있다. 마찬가지로, (VT)에 관하여 Y-형 종단이 요구되면, 전송 게이트(T1, T15 및 T16)는 저임피던스 전송상태를 취하도록 제어되는 한편 기타 모든 전송 게이트들은 블로킹 상태에 있게 된다. 각 종류의 Y-종단을 위해, 도 3에서 나타낸 바와 같이, 부가 임피던스(RS1, RS2, RS3)는 공통 모드 종단을 위한 신호원 임피던스로 작용할 수 있다. 물론, 전송회선(31, 32)의 Y-형 종단은 블로킹 상태인 전송 게이트(T1)에 의해 이루어질 수 있다. 그러나, 이러한 경우 전송 게이트(T11∼T16)의 전류 구동 능력이 더 높아야만 하고, 따라서, 이들 전송 게이트의 크기는, Y-형 종단을 위해 전송 게이트(T1)가 저임피던스 상태를 취하도록 제어되는 경우보다 더 커야 한다.If at the same time as the symmetrical termination of the conductors 31 and 32, the common mode termination of the conductors 31 and 32 is required, i.e. if the Y-type termination of the transmission line is required, the transmission gate T1 has a low impedance. When controlled to be in a transfer state and at the same time a common mode termination is required for (VDD), the transfer gates T13 and T14 can be controlled to be in a low impedance state. Likewise, if a Y-type termination is required with respect to (VT), the transfer gates Tl, T15 and T16 are controlled to take a low impedance transfer state while all other transfer gates are in blocking state. For each kind of Y-termination, as shown in FIG. 3, the additional impedances RS1, RS2, RS3 can act as signal source impedances for common mode termination. Of course, the Y-type termination of the transmission lines 31 and 32 may be made by the transmission gate T1 in a blocking state. However, in this case, the current driving capability of the transfer gates T11 to T16 must be higher, and therefore, the size of these transfer gates is controlled when the transfer gate T1 is taken to have a low impedance state for the Y-type termination. Should be greater than

도 4는 본 발명에 따른 회선 종단 임피던스 수단의 제3실시예를 나타낸 도면이다. 이 실시예는 임피던스들(R11, R12) 사이에 단일 전송 게이트(T1)가 접속되는 대신, 두 전송 게이트(T21, T22)의 직렬접속이 임피던스들(R21, R22) 사이에 접속된다는 점에서 도 3에 나타낸 실시예와는 다르다. 또한, 한 쌍의 전송 게이트(T11, T12) 대신에 단일 전송 게이트(T25)가 제공된다. 한 쌍의 전송 게이트(T13, T14) 대신에는 단일 전송 게이트(T23)가 제공되고, 한 쌍의 전송 게이트(T15, T16) 대신에는 단일 전송 게이트(T24)가 제공된다. 도면에서도 나타낸 바와 같이, 전송 게이트들(T23∼25)의 각각은 (T22)의 전송 단자에 접속된 (T21)의 전송 단자에 접속된 그것의 전송 단자들 중 하나이다. 제3실시예의 작동 및 제어는 제2실시예에 관하여 설명되어진 것과 유사하다.Fig. 4 shows a third embodiment of the line termination impedance means according to the present invention. This embodiment also shows that instead of connecting a single transfer gate T1 between the impedances R11 and R12, a series connection of two transfer gates T21 and T22 is connected between the impedances R21 and R22. It differs from the Example shown in 3. In addition, a single transfer gate T25 is provided instead of the pair of transfer gates T11 and T12. A single transfer gate T23 is provided instead of the pair of transfer gates T13 and T14, and a single transfer gate T24 is provided instead of the pair of transfer gates T15 and T16. As also shown in the figure, each of the transmission gates T23 to 25 is one of its transmission terminals connected to the transmission terminal of T21 connected to the transmission terminal of T22. Operation and control of the third embodiment are similar to those described with respect to the second embodiment.

제1, 제2 및 제3실시예에 관하여, 임피던스(R11, R12, R21 및 R22) 및 임피던스(RS1, RS2, 및 RS3) 모두는 반도체 칩상에서 개별 부품으로 존재할 필요는 없으나 그들의 각 저임피던스 전송상태에서 그것들이 원하는 전송 임피던스를 가지도록 각각의 전송 게이트를 설계하여 실행될 수 있다. 전송 게이트를 설계하기 위해 전계 효과 트랜지스터를 사용할 때, 원하는 전송 임피던스는 예를 들어 채널 배열을 적당히 설계하므로서 얻어질 수 있다.With regard to the first, second and third embodiments, the impedances R11, R12, R21 and R22 and the impedances RS1, RS2 and RS3 need not all exist as separate components on the semiconductor chip but their respective low impedance transmission states. Can be implemented by designing each transmission gate so that they have the desired transmission impedance. When using field effect transistors to design the transfer gate, the desired transfer impedance can be obtained, for example, by properly designing the channel arrangement.

회선 종단 임피던스 수단(2)에 의한 전송회선(31, 32)의 종단이 필요하지 않다면, 도 2, 3 또는 4에 도시된 모든 전송 게이트들은 고임피던스 블로킹 상태로 스위치된다. 전송회선(31, 32)상의 용량성 부하를 더 낮추기 위해서, 부가적인 전송 게이트(도면에는 나타내지 않음)가 증폭기 입력단자(11)와 제1임피던스(R21 또는 R22) 사이 및 또한 제2임피던스(R12 또는 R22)와 증폭기 입력단자(12) 사이에 제공될 수 있다. 이러한 부가적인 전송 게이트들은, 만약 종단이 필요하지 않다면, 이들 부가적인 전송 게이트들(나타내지 않음)은 고임피던스 블로킹 상태를 취하고 그렇지 않으면 저임피던스 전송상태를 취하도록 제어될 수 있다.If the termination of the transmission lines 31, 32 by the line termination impedance means 2 is not necessary, all the transmission gates shown in Figs. 2, 3 or 4 are switched to the high impedance blocking state. In order to further lower the capacitive load on the transmission lines 31, 32, an additional transmission gate (not shown) is provided between the amplifier input terminal 11 and the first impedance R21 or R22 and also the second impedance R12. Or between R22) and the amplifier input terminal 12. These additional transfer gates can be controlled to take a high impedance blocking state if no termination is needed, otherwise take a low impedance transfer state.

도 5는 본 발명에 따른 회선 종단 임피던스 수단의 제4실시예를 보여 준다. 이러한 실시예에 따라서, 세 임피던스(R31, R32 및 R33)의 직렬접속이 제공된다. 이들 임피던스의 각각은 각각 병렬로 접속된 전송 게이트(T31, T32 및 T33)를 가지고 있다. 도면을 간략하게 나타내기 위해서 (T31∼T33)의 제어단자는 도 5에 나타내지 않았다. 이 실시예에서는 직렬로 접속된 다수의 임피던스(R31∼R33)들 중에서 선택된 임피던스를 단락시켜 전송회선의 컨덕터(31, 32) 사이에서 회선 종단 임피던스를 조절할 수 있다. 만약 필요하다면 전체 회선 종단 임피던스 수단(2)의 단선을 고려하기 위해서, 이전의 실시예와 마찬가지로 증폭기 입력단자(11) 및 상기 직렬접속 사이 그리고 증폭기 입력단자(12)와 상기 직렬접속 사이에 부가적인 전송 게이트들(나타내지 않음)이 제공될 수 있다.Figure 5 shows a fourth embodiment of the line termination impedance means according to the invention. According to this embodiment, a series connection of three impedances R31, R32 and R33 is provided. Each of these impedances has transmission gates T31, T32 and T33 connected in parallel, respectively. For simplicity, the control terminals (T31 to T33) are not shown in FIG. In this embodiment, the line termination impedance can be adjusted between the conductors 31 and 32 of the transmission line by shorting the selected impedance among a plurality of impedances R31 to R33 connected in series. If necessary, in order to take into account the disconnection of the total line termination impedance means 2, additionally between the amplifier input terminal 11 and the series connection and between the amplifier input terminal 12 and the series connection as in the previous embodiment Transmission gates (not shown) may be provided.

Y-형 종단을 위해서, 도 5에 나타낸 회선 임피던스 종단수단의 변형예에는 도 3에서 나타낸 회선 종단 임피던스 회로(2) 또는 도 4에 나타낸 회선 종단 임피던스 회로로 대체되는 종단 전송 게이트(T32)가 포함된다.For the Y-type termination, a variation of the line impedance termination means shown in FIG. 5 includes a termination transmission gate T32 which is replaced by a line termination impedance circuit 2 shown in FIG. 3 or a line termination impedance circuit shown in FIG. do.

도 2, 3, 4 및 5를 참조하여 설명된 다수의 회로 예를 증폭기(1)의 입력단자(11, 12) 양단에 병렬로 접속하므로서, 입력증폭기(1)의 입력단자(11, 12) 양단에 종단 임피던스 및 원하는 종단 전압을 각각 형성하여 사용된 전송회선(31, 32)의 차동 특성 임피던스를 매치시키는 것이 가능하다. 상기 병렬 접속의 회로에서 이용가능한 전송 게이트의 전송상태를 적당히 선택하므로서, 대칭 종단 임피던스의 값 및/또는 각각의 공통 모드 종단 임피던스의 값은 적당한 수의 임피던스를 효과적으로 병렬로 연결하므로서 필요에 따라서 조절될 수 있다. 만약 앞서 설명된 실시예 중 어느 하나에 따라서 다수의 회로가 병렬로 접속된다면, 회선(31, 32) 양단이 종단될 필요가 없다면 고임피던스 블로킹 상태의 이들 부가적인 전송 게이트들을 스위칭하므로서 전송회선(31, 32)상의 용량성 부하를 줄이기 위해서 병렬 접속의 모든 단에서 이러한 병렬 접속에 직렬로 부가적인 전송 게이트들을 제공하는 것이 바람직하다.The input terminals 11 and 12 of the input amplifier 1 are connected by connecting a plurality of circuit examples described with reference to FIGS. 2, 3, 4 and 5 in parallel across the input terminals 11 and 12 of the amplifier 1. It is possible to match the differential characteristic impedance of the transmission lines 31 and 32 used by forming the termination impedance and the desired termination voltage respectively at both ends. By appropriately selecting the transfer states of the transfer gates available in the circuit of the parallel connection, the value of the symmetric termination impedance and / or the value of each common mode termination impedance can be adjusted as needed by effectively connecting the appropriate number of impedances in parallel. Can be. If a number of circuits are connected in parallel in accordance with any of the embodiments described above, the transmission line 31 may be switched by switching these additional transmission gates in high impedance blocking state if both ends of the lines 31 and 32 need not be terminated. It is desirable to provide additional transmission gates in series with this parallel connection at all stages of the parallel connection in order to reduce the capacitive load on the circuit 32.

각 회선 임피던스 종단수단(2)의 제어단자(C1 및 C11, C12, C13)는 본 발명의 회선수신회로를 포함하는 집적 회로의 입력 구성 핀으로 구현된다. 특히, 각 전송 게이트 쌍의 전송 게이트들의 전송상태의 부적절한 결합을 배제시키기 위해서 논리회로 입력단자의 논리 상태에 따라서 제어단자(C1, C11, C12, C13)를 구동하기 위한 논리회로가 제공될 수 있다. 이렇게 하여, 회선 종단 임피던스 수단(2)을 셋업하기 위해 필요한 구성 핀의 수가 감소되고 불완전한 상태로 인한 집적 회로의 파손을 막을 수 있다. 이러한 논리회로가 제공된다면, 이 논리회로는 도면에서는 나타내지 않은 상기 부가적인 전송 게이트들을 제어할 수 있다.The control terminals C1, C11, C12, and C13 of each line impedance terminating means 2 are implemented as input component pins of an integrated circuit including the line receiving circuit of the present invention. In particular, a logic circuit for driving the control terminals C1, C11, C12, and C13 in accordance with the logic state of the logic circuit input terminal may be provided in order to exclude inappropriate coupling of the transfer states of the transfer gates of each transfer gate pair. . In this way, the number of component pins required for setting up the circuit-terminated impedance means 2 can be reduced and damage to the integrated circuit due to an incomplete state can be prevented. If such a logic circuit is provided, it can control the additional transmission gates not shown in the figure.

논리회로는 종단 값을 근거로 한 이진 정보 및 종단 형태를 근거로 한 이진 정보를 수신할 수 있다. 종단이 없거나, 즉, 무한대에 가까운 매우 큰 임피던스 값을 포함하거나, 플로팅 병렬(대칭) 종단, (VSS), (VT) 또는 (VDD)에 대한 공통 모드 종단, 및 (VSS), (VT) 또는 (VDD)에 대한 Y-종단이 종단의 형태에 포함된다.The logic circuit can receive binary information based on the termination value and binary information based on the termination type. No termination, i.e. contains very large impedance values close to infinity, or floating-mode (symmetric) termination, common mode termination for (VSS), (VT) or (VDD), and (VSS), (VT) or Y-termination for (VDD) is included in the form of termination.

종단 임피던스 값과 종단 형태의 정보를 입력하기 위한 외부 제어단자를 통해 상기 논리회로를 제어하는 것에 대한 대안으로서, 본 발명에 따라서 회선수신회로를 포함하는 집적 회로를 설계하거나 제조할 때 전송상태 각각에 대해 전송상태를 프로그램하는 것이 가능하다.As an alternative to controlling the logic circuit via an external control terminal for inputting termination impedance values and termination type information, the present invention relates to each transmission state when designing or manufacturing an integrated circuit including a circuit receiving circuit. It is possible to program the transmission status.

또한, 프로세싱 변화 및/또는 온도 변화 및/또는 전원 변화를 보상하기 위해서, 종단 임피던스를 원하는 값으로 능동적으로 조절할 수 있도록 제어 회로가 제공될 수 있다. 이러한 목적을 위해, 능동 제어 회로는 외부 기준 레지스터(external reference resistor)를 포함할 수 있다.In addition, a control circuit can be provided to actively adjust the termination impedance to a desired value in order to compensate for processing variations and / or temperature variations and / or power supply variations. For this purpose, the active control circuit can include an external reference resistor.

도 6a는 본 발명의 전송 게이트를 나타내기 위해 사용한 기호를 나타낸다. 전송 게이트는 두 개의 전송 단자(a, b) 외에 제어단자(c)를 포함한다. 제어단자(c)에 공급되는 신호에 따라서, 단자(a, b)에 대하여 전송 게이트는 저임피던스 전송상태 또는 고임피던스 블로킹 상태를 취한다. 도 6b는 도 6a의 전송 게이트에 대한 실시예이다. 이 실시예에 따라서, 전송 게이트는 NMOS 트랜지스터(TR1) 뿐만 아니라 PMOS 트랜지스터(TR2)와 전송 게이트의 단자들(a, b) 간에 접속되는 NMOS 트랜지스터(TR1)와 PMOS 트랜지스터(TR2)의 채널을 포함한다. (INV)는 PMOS 트랜지스터(TR2)의 게이트와 접속된 출력의 인버터이다. 단자(c)에서 제어 전압은 NMOS 트랜지스터(TR1)와 인버터(INV)의 입력에 공급된다.6A shows a symbol used to represent the transfer gate of the present invention. The transmission gate includes a control terminal c in addition to the two transmission terminals a and b. In accordance with the signal supplied to the control terminal c, the transfer gate takes a low impedance transfer state or a high impedance blocking state with respect to the terminals a and b. FIG. 6B is an embodiment of the transfer gate of FIG. 6A. According to this embodiment, the transfer gate includes not only the NMOS transistor TR1 but also the channels of the NMOS transistor TR1 and the PMOS transistor TR2 connected between the PMOS transistor TR2 and the terminals a and b of the transfer gate. do. INV is an inverter of the output connected to the gate of the PMOS transistor TR2. The control voltage at terminal c is supplied to the inputs of the NMOS transistor TR1 and the inverter INV.

만약 제어단자(c)에 공급된 전압이 낮다면, 또는 (VSS)에 가깝다면, 단자(a)의 전위 또는 단자(b)의 전위가 단자(c)의 전위에서 (TR1)의 임계 전압을 뺀 것 보다 더 낮아지지 않는 한 NMOS 트랜지스터(TR1)는 비전도 상태로 존재한다. 또한, PMOS 트랜지스터(TR2)의 게이트가 인버터(INV)의 작동으로 인해 높은 전위(또는 VDD에 가까이)에 있게 되면, 이 트랜지스터(TR2) 또한 단자(a)의 전위 또는 단자(b)의 전위가 (TR2)의 게이트 전위에 (TR2)의 임계 전압을 더한 것 이상으로 증가하지 않는 이상 비전도 상태로 존재한다. 따라서, 만약 단자(c)가 로(low) 상태로 유지되어진다면, 단자(a, b)의 전위가 단지 언급된 범위로 남아 있는 한 도 6b에 나타낸 회로는 단자들 사이에서 비전도의 고임피던스 상태를 유지할 것이다.If the voltage supplied to the control terminal (c) is low, or close to (VSS), the potential of the terminal (a) or the potential of the terminal (b) is the threshold voltage of (TR1) at the potential of the terminal (c) NMOS transistor TR1 remains in a non-conductive state unless it is lower than minus. In addition, when the gate of the PMOS transistor TR2 is at a high potential (or close to VDD) due to the operation of the inverter INV, the transistor TR2 also has a potential of the terminal a or the potential of the terminal b. It exists in a non-conductive state unless it increases more than the gate potential of (TR2) plus the threshold voltage of (TR2). Thus, if terminal c is kept low, the circuit shown in Fig. 6b is a high impedance of nonconductivity between the terminals as long as the potential of terminals a, b remains only in the stated range. Will maintain state.

만약 단자(c)에서 전위가 (VDD)까지 상승하거나 (VDD)에 근접한다면, NMOS 트랜지스터(TR1)의 게이트는 높은 전위를 수용하는 반면에 인버터 (INV)로 인해 PMOS의 트랜지스터(TR2)의 게이트는 낮은 전압을 수용한다. 그러므로, NMOS 트랜지스터(TR1)는 단자(a, b)의 단자가 낮은 전위, (TR1)의 임계 전압에 의해 제어단자(c)에서 전위보다 더 낮은 전위를 갖는 동안 전도된다. PMOS 트랜지스터(TR2)는 단자(a, b)에서 보다 높은 전위가 (VSS)이거나 또는 그에 근접하는 PMOS 트랜지스터(TR2)의 게이트 전압보다 높은 (TR2)의 임계 전압에 의한 것일 때 전도 상태를 취한다. 따라서, 만약 높은 전위가 단자(c)에 적용된다면, 플로팅 오퍼레이션에 적합한 도 6b의 회로는 단자(a, b)에서의 전위에 관계없이 단자(a 및 b) 사이에서 저임피던스 전송상태를 취한다.If the potential at terminal c rises to or approaches VDD, the gate of NMOS transistor TR1 accepts a high potential while the gate of transistor TR2 of PMOS due to inverter INV. Accepts low voltage. Therefore, the NMOS transistor TR1 is conducted while the terminals of the terminals a and b have a lower potential than the potential at the control terminal c by the low potential, the threshold voltage of the TR1. The PMOS transistor TR2 assumes a conducting state when the higher potential at the terminals a, b is at or near the threshold voltage of (TR2) higher than the gate voltage of the PMOS transistor TR2. . Thus, if a high potential is applied to terminal c, the circuit of Fig. 6b suitable for floating operation assumes a low impedance transfer state between terminals a and b regardless of the potential at terminals a and b.

Claims (11)

회선수신회로에 있어서,In the line receiving circuit, - 전송회선(31, 32)과 접속되는 비반전 입력단자(11) 및 반전 입력단자(12)를 갖는 집적 입력증폭회로(1); 및An integrated input amplifier circuit (1) having a non-inverting input terminal (11) and an inverting input terminal (12) connected to the transmission lines (31, 32); And - 상기 전송회선(31, 32)의 특성 임피던스 종단을 위한 회선 종단 임피던스 수단(2)을 포함하는데,A line termination impedance means (2) for terminating the characteristic impedance of the transmission lines (31, 32), - 상기 입력증폭회로(1) 및 상기 회선 종단 임피던스 수단(2)은 공통 반도체기판상에 집적되는 것이 특징인 회선수신회로.The input amplifier circuit (1) and the line termination impedance means (2) are integrated on a common semiconductor substrate. 제1항에 있어서, 상기 회선 종단 임피던스 수단(2)은2. The line termination impedance means (2) according to claim 1, - 다수의 임피던스 회로(R); 및Multiple impedance circuits R; And - 한 쌍의 전송 단자(a, b)를 갖고 상기 전송 단자(a, b) 사이에서 저임피던스 상태 또는 고임피던스 블로킹 상태를 취하도록 제어 가능한 적어도 하나의 전송 게이트 회로(T)를 포함하는데,At least one transfer gate circuit T having a pair of transfer terminals a, b and controllable to assume a low impedance or high impedance blocking state between the transfer terminals a, b, - 상기 다수의 임피던스 회로(R) 및 상기 적어도 하나의 전송 게이트 회로(T)는 상기 회선 종단 임피던스의 임피던스 값이 상기 적어도 하나의 전송 게이트 회로를 제어하도록 상호 접속되는 것이 특징인 회선수신회로.The plurality of impedance circuits (R) and the at least one transfer gate circuit (T) are interconnected such that an impedance value of the line termination impedance controls the at least one transfer gate circuit. 제1항에 있어서, 상기 회선 종단 임피던스 수단(2)은2. The line termination impedance means (2) according to claim 1, - 임피던스 회로(R11, R12)와 제1전송 게이트 회로(T1)의 직렬접속을 포함하는데,A series connection of the impedance circuits R11, R12 and the first transmission gate circuit T1, - 상기 직력 접속은 상기 입력 회로(1)의 상기 입력단자(11, 12) 양단에 접속되는 것이 특징인 회선수신회로.The serial connection is connected to both ends of the input terminals (11, 12) of the input circuit (1). 제3항에 있어서, 상기 직렬접속은The method of claim 3, wherein the serial connection - 상기 입력증폭회로의 입력단자들 중 하나(11)와 접속된 것의 단자들 중 하나를 갖고 상기 제1전송 게이트 회로(T1; T2; T3)의 한 단자에 접속된 것의 기타 단자를 갖는 제1임피던스(R11; R21; R31); 및A first having one of the terminals of the one connected to one of the input terminals of the input amplification circuit and having the other terminal of the one connected to one terminal of the first transfer gate circuit T1; T2; Impedances R11; R21; R31; And - 상기 입력증폭회로(1)의 기타 입력단자와 접속된 것의 단자들 중 하나를 갖고 상기 제1전송 게이트 회로(T1; T2; T3)의 기타 단자에 접속된 그것의 기타 단자를 갖는 제2임피던스(R12; R22; R32)를 포함하는 것이 특징인 회선수신회로.A second impedance having one of the terminals connected to the other input terminal of the input amplification circuit 1 and having its other terminal connected to the other terminal of the first transfer gate circuit T1; T2; T3; And a circuit receiving circuit comprising: (R12; R22; R32). 제4항에 있어서, 상기 회선 종단 임피던스 수단(2)은5. The line termination impedance means (2) according to claim 4, - 상기 제1전송 게이트 회로(T1)의 상기 한 단자와 회선수신회로의 전원 단자들 중 하나(VDD; VSS) 사이에 접속된 제2전송 게이트 회로(T12; T14); 및A second transmission gate circuit (T12; T14) connected between said one terminal of said first transmission gate circuit (T1) and one of the power terminals of the line receiving circuit (VDD; VSS); And - 상기 제1전송 게이트 회로(T1)의 상기 기타 단자와 회선수신회로의 전원 단자들 중 하나(VDD; VSS) 사이에 접속된 제3전송 게이트 회로(T13; T11)를 포함하는 것이 특징인 회선수신회로.A third transmission gate circuit (T13; T11) connected between said other terminal of said first transmission gate circuit (T1) and one of the power supply terminals of a circuit reception circuit (VDD; VSS); Receiving circuit. 제4항에 있어서, 상기 회선 종단 임피던스 수단은5. The circuit of claim 4, wherein the line termination impedance means - 상기 제1전송 게이트 회로(T1)의 상기 한 단자와 외부 종단 전압을 공급하기 위한 단자(VT) 상에 접속된 제4전송 게이트 회로(T15); 및A fourth transfer gate circuit (T15) connected on said one terminal of said first transfer gate circuit (T1) and on a terminal (VT) for supplying an external termination voltage; And - 상기 제1전송 게이트 회로(T1)의 상기 기타 단자와 회부 종단 전압을 공급하기 위한 단자(VT) 사이에 접속된 제5전송 게이트 회로(T16)을 포함하는 것이 특징인 회선수신회로.A fifth transmission gate circuit (T16) connected between said other terminal of said first transmission gate circuit (T1) and a terminal (VT) for supplying an external termination voltage. 제2항에 있어서, 상기 회선 종단 임피던스 수단(2)은3. The line termination impedance means (2) according to claim 2, - 제3임피던스(R21), 제6전송 게이트(T21), 제7전송 게이트(T22) 및 제4임피던스(R22)의 직렬접속; 및Series connection of the third impedance R21, the sixth transmission gate T21, the seventh transmission gate T22 and the fourth impedance R22; And - 제8전송 게이트(T23, T25)를 포함하는데, 그것의 전송 단자들 중 하나는 상기 제6전송 게이트(T21) 및 상기 제7전송 게이트(T22)과 접속되고, 그것의 전송 단자들 중 다른 것은 회선수신회로의 전원 단자(VSS, VDD) 중 하나에 접속되는 것이 특징인 회선수신회로.An eighth transmission gate (T23, T25), one of its transmission terminals being connected to the sixth transmission gate (T21) and the seventh transmission gate (T22), the other of its transmission terminals The circuit receiving circuit is characterized in that it is connected to one of the power supply terminals VSS and VDD of the circuit receiving circuit. 제7항에 있어서, 상기 회선 종단 임피던스 수단(2)은8. The line termination impedance means (2) according to claim 7, - 제9전송 게이트(T24)를 포함하는데, 그것의 전송 게이트들 중 하나는 상기 제6전송 게이트(T21) 및 상기 제7전송 게이트(T22)와 접속되고, 그것의 전송 게이트들 중 다른 것은 외부 종단 전압을 공급하기 위한 단자(VT)에 접속되는 것이 특징인 회선수신회로.A ninth transfer gate T24, one of which is connected to the sixth and seventh transfer gates T22, the other of which is external A line receiving circuit characterized by being connected to a terminal (VT) for supplying a termination voltage. 제2항에 있어서, 상기 회선 임피던스 종단수단(2)은3. The line impedance terminator (2) of claim 2, wherein - 직렬접속된 다수의 임피던스(R31, R32, R33)를 포함하는데,Multiple impedances (R31, R32, R33) connected in series, - 상기 임피던스들(R31, R32, R33) 중 적어도 하나는 병렬로 접속된 전송 게이트(T31, T32, T33)를 포함하는 것이 특징인 회선수신회로.At least one of said impedances (R31, R32, R33) comprises transmission gates (T31, T32, T33) connected in parallel. 제2항 내지 제9항 중 어느 한 항에 있어서,The method according to any one of claims 2 to 9, - 각각의 전송 게이트 회로(T1)는 병렬 접속의 N-채널 MOSFET(TR1) 및 P-채널 MOSFET(TR2)를 포함하는데,Each transfer gate circuit T1 comprises an N-channel MOSFET TR1 and a P-channel MOSFET TR2 in parallel connection, - 상기 N-채널 MOSFET(TR1)의 게이트는 전송 제어 신호(C1)를 수신하도록 접속되고 상기 P-채널 MOSFET(TR2)의 게이트는 상기 반전된 전송 제어 신호를 수신하도록 접속되는 것이 특징인 회선수신회로.The gate of the N-channel MOSFET TR1 is connected to receive a transmission control signal C1 and the gate of the P-channel MOSFET TR2 is connected to receive the inverted transmission control signal. Circuit. 제2항 내지 제10항 중 어느 한 항에 있어서,The method according to any one of claims 2 to 10, - 상기 입력증폭회로(1)의 상기 입력단자(11, 12) 사이에 병렬로 접속된 다수의 회선 종단 임피던스 수단(2)을 포함하는 것이 특징인 회선수신회로.-A line receiving circuit comprising a plurality of line termination impedance means (2) connected in parallel between said input terminals (11, 12) of said input amplifier circuit (1).
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