KR20000010029U - 반도체 증착장비용 샤워헤드 - Google Patents

Abstract

본 고안은 반도체 증착장비용 샤워헤드에 관한 것으로, 웨이퍼척의 상측에 설치되는 샤워헤드 몸체와, 이 샤워헤드 몸체에 다수개 형성되어 상기 웨이퍼척에 안착된 웨이퍼의 상면에 공정가스를 분사하기 위한 다수개의 분사노즐을 구비한 반도체 증착장비용 샤워헤드에 있어서, 상기 분사노즐은 샤워헤드 몸체의 중앙에서 가장자리로 갈수록 그 직경을 협소하게 형성하여 웨이퍼의 중앙 부분으로 분사되는 공정가스의 양을 증가시킴으로써 웨이퍼의 중앙 부분과 가장자리 부분에 증착되는 증착막의 두께를 전체적으로 균일하게 형성시킨다.

Description

반도체 증착장비용 샤워헤드

본 고안은 반도체 증착장비용 샤워헤드에 관한 것으로, 특히 웨이퍼의 상면에 증착되는 증착막의 두께 균일도를 향상시키기 위한 반도체 증착장비용 샤워헤드에 관한 것이다.

일반적으로 반도체 제조공정 중 웨이퍼의 상면에 일정두께의 증착막을 형성하는 증착공정에서는 공정챔버의 내부에 공정가스를 주입하여 웨이퍼의 상면에 증착막을 형성하게 되는데, 이와 같은 증착장비가 도 1에 도시되어 있는 바, 이를 간단히 설명하면 다음과 같다.

도 1은 종래 반도체 증착장비의 구조를 개략적으로 보인 종단면도로서, 이에 도시된 바와 같이, 종래 반도체 웨이퍼 증착장비는 증착챔버(미도시)의 내부 하측에 웨이퍼(W)를 안착 고정시키기 위한 웨이퍼척(1)이 설치되어 있고, 이 웨이퍼척(1)의 내부에는 증착공정시 웨이퍼(W)에 열을 가하도록 히터(2)가 설치되어 있으며, 상기 웨이퍼척(1)의 상부에는 웨이퍼(W)에 공정가스를 분사하기 위한 샤워헤드(3)가 설치되어 있다.

상기 샤워헤드(3)는 도 1 및 도 2에 도시한 바와 같이, 소정의 체적을 가지는 샤워헤드 몸체(3a)의 내부에 웨이퍼(W)의 상면에 공정가스를 분사하기 위한 동일 직경을 가진 다수개의 분사노즐(3b)이 관통 형성되어 있다.

따라서 웨이퍼(W)의 상면에 산화막을 증착시키기 위해서는, 웨이퍼척(1)의 상면에 웨이퍼(W)를 탑재한 후 일정 온도로 가열한 상태에서, 샤워헤드(3)의 분사노즐(3b)을 통해 공정가스를 웨이퍼척(1)에 안착되어 있는 웨이퍼(W)의 상면에 분사하여 증착막을 형성하게 된다.

그러나, 상기와 같은 종래 기술은 도 3에 도시한 바와 같이, 공정챔버의 하측에 배기구(미도시)가 설치되어 공정가스들이 웨이퍼에 분사되었다가 웨이퍼의 가장자리를 경유하여 상기 배기구로 배기됨으로써, 웨이퍼(W)의 중앙에 비해 가장자리에 증착되는 증착막의 두께가 두꺼워지는 문제점이 있었다.

본 고안은 이러한 문제점을 해결하기 위한 것으로, 웨이퍼의 상면에 증착되는 증착막의 두께가 균일할 수 있도록 한 반도체 증착장비용 샤워헤드를 제공하는데 그 목적이 있다.

도 1은 종래 기술에 의한 반도체 증착장비를 개략적으로 보인 종단면도.

도 2는 종래 기술에 의한 샤워헤드를 보인 저면도.

도 3은 종래 기술에 의한 샤워헤드를 이용하여 반도체 웨이퍼 상면에 증착막을 증착시킨 상태를 보인 종단면도.

도 4는 본 고안에 의한 반도체 증착장비를 개략적으로 보인 종단면도.

도 5는 본 고안에 의한 샤워헤드를 보인 저면도.

** 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 **

10 ; 웨이퍼척 11 ; 히터

20 ; 샤워헤드 21 ; 샤워헤드 몸체

22 ; 분사노즐

상기와 같은 목적을 달성하기 위하여 웨이퍼척의 상측에 설치되는 샤워헤드 몸체와, 이 샤워헤드 몸체에 다수개 형성되어 상기 웨이퍼척에 안착된 웨이퍼의 상면에 공정가스를 분사하기 위한 분사노즐을 구비한 반도체 증착장비용 샤워헤드에 있어서, 상기 분사노즐은 샤워헤드 몸체의 중앙에서 가장자리로 갈수록 그 직경을 축소시키는 것을 특징으로 하는 반도체 증착장비용 샤워헤드가 제공된다.

상기 샤워헤드 몸체는 중앙에서 가장자리로 갈수록 그 두께를 얇게 형성하는 것을 특징으로 한다.

이하, 본 고안에 의한 반도체 증착장비용 샤워헤드를 첨부도면에 도시한 실시예에 따라 설명하면 다음과 같다.

도 4는 본 고안에 의한 반도체 증착장비를 개략적으로 보인 종단면도로서, 이에 도시한 바와 같이, 증착공정을 진행하기 위한 증착챔버(미도시)의 내부에 히터(11)가 구비된 웨이퍼척(10)을 설치하고, 이 웨이퍼척(10)의 상측에 소정 거리를 두고 샤워헤드(20)를 설치하는 것은 종래의 기술과 동일하다.

이때 본 고안의 샤워헤드(20)는 도 4 및 도 5에 도시한 바와 같이, 원판형의 샤워헤드 몸체(21)의 내부에 다수개의 분사노즐(22)을 관통 형성하는데, 상기 분사노즐(22)은 샤워헤드 몸체(21)의 중앙에서 가장자리로 갈수록 그 직경을 축소시켜 중앙 부분에서 분사되는 공정가스의 양을 증가시킴으로써 웨이퍼(W)의 중앙 부분과 가장자리 부분의 증착막(F)이 균일한 두께로 증착되도록 한다.

또한, 상기 샤워헤드 몸체(21)의 중앙 부분에서 가장자리로 갈수록 점차적으로 그 두께를 축소 형성함으로써 웨이퍼(W)의 가장자리와 이에 대응되는 샤워헤드 몸체(21)의 가장자리의 거리 차를 넓힘으로써 웨이퍼(W)의 중앙 부분으로 분사되는 공정가스의 양을 증가시켜 웨이퍼(W)의 중앙 부분과 가장자리 부분에 증착되는 증착막(F)의 두께를 전체적으로 균일하게 형성시킨다.

이상에서 설명한 바와 같이, 본 고안에 의한 샤워헤드는 샤워헤드에 형성된 다수개의 분사노즐의 직경을 중앙에서 가장자리로 갈수록 협소하게 형성하고, 더불어 샤워헤드의 두께를 중앙 부분이 두텁도록 형성하여 웨이퍼의 가장자리와 이에 대응되는 샤워헤드의 가장자리의 거리 차를 넓힘으로써 웨이퍼의 중앙 부분으로 분사되는 공정가스의 양을 증가시켜 웨이퍼의 중앙 부분과 가장자리 부분에 증착되는 증착막의 두께를 전체적으로 균일하게 형성시킨다.

Claims (2)

1. 웨이퍼척의 상측에 설치되는 샤워헤드 몸체와, 이 샤워헤드 몸체에 다수개 형성되어 상기 웨이퍼척에 안착된 웨이퍼의 상면에 공정가스를 분사하기 위한 다수개의 분사노즐을 구비한 반도체 증착장비용 샤워헤드에 있어서, 상기 분사노즐은 샤워헤드 몸체의 중앙에서 가장자리로 갈수록 그 직경을 협소하게 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 증착장비용 샤워헤드.
2. 제 1항에 있어서, 상기 샤워헤드 몸체는 중앙에서 가장자리로 갈수록 그 두께를 얇게 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 증착장비용 샤워헤드.