KR20000008533A - 반도체장치 제조용 확산로 - Google Patents

반도체장치 제조용 확산로 Download PDF

Info

Publication number
KR20000008533A
KR20000008533A KR1019980028401A KR19980028401A KR20000008533A KR 20000008533 A KR20000008533 A KR 20000008533A KR 1019980028401 A KR1019980028401 A KR 1019980028401A KR 19980028401 A KR19980028401 A KR 19980028401A KR 20000008533 A KR20000008533 A KR 20000008533A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
thermometer
diffusion
rib
diffusion path
protrusion
Prior art date
Application number
KR1019980028401A
Other languages
English (en)
Other versions
KR100268411B1 (ko
Inventor
이규철
박봉희
Original Assignee
윤종용
삼성전자 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 윤종용, 삼성전자 주식회사 filed Critical 윤종용
Priority to KR1019980028401A priority Critical patent/KR100268411B1/ko
Publication of KR20000008533A publication Critical patent/KR20000008533A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100268411B1 publication Critical patent/KR100268411B1/ko

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
    • H01L21/67109—Apparatus for thermal treatment mainly by convection
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01K—MEASURING TEMPERATURE; MEASURING QUANTITY OF HEAT; THERMALLY-SENSITIVE ELEMENTS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • G01K1/00—Details of thermometers not specially adapted for particular types of thermometer
    • G01K1/08—Protective devices, e.g. casings
    • G01K1/12—Protective devices, e.g. casings for preventing damage due to heat overloading

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
  • Measuring Temperature Or Quantity Of Heat (AREA)

Abstract

본 발명은 확산로내부의 온도를 측정하기 위한 온도계를 항상 확산로내의 정확한 위치에 고정시킬 수 있도록 위치고정리브와 위치고정돌기가 형성된 반도체장치 제조용 확산로에 관한 것이다.
본 발명에 따른 반도체장치 제조용 확산로는, 확산공정이 진행되는 석영재질의 확산로(1), 상기 확산로(1)에 고정된 온도계보호관(2), 상기 확산로(1)의 외부에 일부가 돌출되어 있는 상기 온도계보호관(2)의 단부에 위치고정돌기(13)가 수용될 수 있는 돌기삽입홈(12)이 형성된 보호관리브(3), 온도계(4)가 고정되는 온도계지지대(5) 및 상기 온도계보호관(2)의 보호관리브(3)에 형성된 돌기삽입홈(12)에 삽입될 수 있는 위치고정돌기(13)가 형성된 온도계지지대(5)를 포함하여 이루어짐을 특징으로 한다.
따라서, 본 발명에 의하면 온도계(4)를 항상 확산로(1)내의 정확한 위치에 고정시킬 수 있도록 위치고정리브(11)와 위치고정돌기(13)가 형성된 반도체장치 제조용 확산로를 제공하므로써 확산공정을 항상 정확한 온도제어 하에 수행할 수 있도록 하여 최종생산품으로서의 반도체장치의 수율 및 신뢰도를 향상시킬 수 있도록 하는 효과가 있다.

Description

반도체장치 제조용 확산로
본 발명은 반도체장치 제조용 확산로에 관한 것이다. 보다 상세하게는 본 발명은 확산로내부의 온도를 측정하기 위한 온도계를 항상 확산로내의 정확한 위치에 고정시킬 수 있도록 위치고정리브와 위치고정돌기가 형성된 반도체장치 제조용 확산로에 관한 것이다.
반도체장치 제조공정 중 확산공정은 반도체장치로 제조될 웨이퍼에 주기율표 상의 3족원소 또는 5족의 불순물 원자를 도입하여 도전성을 변화시키거나, pn 접합 등을 형성하는 기술이며, 또한 불순물을 산소원자로 하여 산화막을 형성시킬 수 있는 기술로서, 이온주입에 의한 불순물의 도입 후의 드라이브-인(Drive-in) 등의 기술까지 포함하는 경우, 통상 LSI, MOS LSI의 제조공정에서 각각 수회 이상 반복되어 행해지는 중요한 공정이다.
특히, 확산공정은 확산 자체가 열의존성이며, 따라서 온도조절이 매우 중요한 파라미터가 된다.
확산공정이 수행되는 확산로에는 온도조절을 위한 온도계의 취부에 있어서, 온도계를 보호하고, 일정한 온도측정을 가능하도록 하기 위하여 온도계보호관을 사용하고 있으며, 이 온도계보호관내로 온도계를 인입, 고정시켜 항상 동일한 조건에서 확산로내부의 온도의 측정을 가능하도록 하고 있다.
이를 구체적으로 살펴보면, 도 1 및 도 2에 개략적으로 도시한 바와 같이, 확산공정이 진행되는 석영재질의 확산로(1), 상기 확산로(1)에 고정된 온도계보호관(2), 상기 확산로(1)의 외부에 일부가 돌출되어 있는 상기 온도계보호관(2)의 단부에 형성된 보호관리브(3), 온도계(4)가 고정되는 온도계지지대(5) 및 상기 온도계지지대(5)에 상기 온도계보호관(2)의 보호관리브(3)와 면접되는 지지대리브(6)로 이루어져 있으며, 상기 온도계(4)를 상기 확산로(1)에 고정시킴에 있어서는 상기 온도계(4)가 고정된 온도계지지대(5)를 상기 온도계지지대(5)의 보호관리브(3)와 상기 온도계보호관(2)의 보호관리브(3)가 서로 면접하도록 하여 상기 온도계(4)를 상기 온도계보호관(2) 내부로 밀어넣어 고정시킬 수 있도록 구성되어 있다.
그러나, 상기한 바와 같은 구성을 갖는 종래의 확산로(1)의 경우, 단지 상기한 보호관리브(3)와 지지대리브(6)가 서로 면접되도록 하여 고정되기 때문에 상기 리브들에 비하여 상대적으로 길이가 긴 온도계(4)는 확산로(1)의 내부로 인입된 단부측이 항상 동일한 위치에 정확하게 취부되지 못하고 미세하게나마 변화될 수 있다.
확산로(1)내에서의 온도계(4)의 고정위치의 변화는 비록 그 위치변화의 차가 미세하다 하더라도 실질적으로 온도를 측정함에 있어서는 오차가 크게 발생할 수 있으며, 이는 열의존성이며, 따라서 온도조절이 매우 중요한 파라미터가 되는 확산공정에 있어서는 바람직하지 못한 결과를 가져올 수 있는 문제점으로 지적되었다.
본 발명의 목적은 온도계를 항상 확산로내의 정확한 위치에 고정시킬 수 있도록 위치고정리브와 위치고정돌기가 형성된 반도체장치 제조용 확산로를 제공하는 데 있다.
도 1은 종래의 반도체장치 제조용 확산로를 개략적으로 도시한 측단면도이다.
도 2는 종래의 반도체장치 제조용 확산로에서 온도계가 온도계보호관에 결합되는 상태를 도시한 부분확대사시도이다.
도 3은 본 발명에 따른 반도체장치 제조용 확산로에서 온도계가 온도계보호관에 결합되는 상태를 도시한 부분확대사시도이다.
※ 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
1 : 확산로 2 : 온도계보호관
3 : 보호관리브 4 : 온도계
5 : 온도계지지대 6 : 지지대리브
11 : 위치고정리브 12 : 돌기삽입홈
13 : 위치고정돌기 14 : 리브삽입간극
본 발명에 따른 반도체장치 제조용 확산로는, 확산공정이 진행되는 석영재질의 확산로, 상기 확산로에 고정된 온도계보호관, 상기 확산로의 외부에 일부가 돌출되어 있는 상기 온도계보호관의 단부에 위치고정돌기가 수용될 수 있는 돌기삽입홈이 형성된 보호관리브, 온도계가 고정되는 온도계지지대 및 상기 온도계보호관의 보호관리브에 형성된 돌기삽입홈에 삽입될 수 있는 위치고정돌기가 형성된 온도계지지대를 포함하여 이루어진다.
이하, 본 발명의 구체적인 실시예를 첨부한 도면을 참조하여 상세히 설명한다.
도 3에 도시한 바와 같이, 본 발명에 따른 반도체장치 제조용 확산로는, 확산공정이 진행되는 석영재질의 확산로(1), 상기 확산로(1)에 고정된 온도계보호관(2), 상기 확산로(1)의 외부에 일부가 돌출되어 있는 상기 온도계보호관(2)의 단부에 위치고정돌기(13)가 수용될 수 있는 돌기삽입홈(12)이 형성된 보호관리브(3), 온도계(4)가 고정되는 온도계지지대(5) 및 상기 온도계보호관(2)의 보호관리브(3)에 형성된 돌기삽입홈(12)에 삽입될 수 있는 위치고정돌기(13)가 형성된 온도계지지대(5)를 포함하여 이루어짐을 특징으로 한다.
본 발명에서는 상기 확산로(1)의 외부로 돌출된 상기 온도계보호관(2)의 상기 보호관리브(3)에 형성된 돌기삽입홈(12)내로 상기 온도계지지대(5)의 위치고정돌기(13)가 삽입시킨 채 상기 온도계지지대(5)를 온도계(4)를 중심으로 회전시키므로써 상기 위치고정돌기(13)가 상기 온도계보호관(2)의 보호관리브(3)에 걸린 채 고정될 수 있도록 하여 항상 온도계(4)가 상기 온도계보호관(2)내 일정한 위치에 취부될 수 있도록 한 점에 특징이 있는 것이다.
상기 위치고정돌기(13)는 하단 일부가 개방된 리브삽입간극(14)을 갖도록 P자형으로 형성될 수 있으며, 이 리브삽입간극(14)에 상기 온도계보호관(2)의 보호관리브(3)가 삽입되게 된다. 따라서, 이 위치고정돌기(13)의 리브삽입간극(14)의 폭(w)은 이 위치고정돌기(13)의 리브삽입간극(14)에 삽입되어 온도계지지대(5)를 고정시키는 상기 보호관리브(3)의 두께(t)와 동일하거나 약간 더 크게 형성될 수 있다.
상기 온도계보호관(2)이 고정되는 확산로(1) 및 온도계지지대(5)에 고정되는 온도계(4) 등은 종래의 확산로(1) 및 온도계(4)들과 동일 또는 유사한 것으로서, 본 발명에서는 상기 온도계보호관(2)의 보호관리브(3)와 온도계지지대(5)를 항상 일정하게 그리고 긴밀하게 결합되도록 구성하므로써 온도계(4)에 의한 확산로(1)내의 공정온도를 정확하게 측정할 수 있도록 하였다.
따라서, 본 발명에 의하면 온도계(4)를 항상 확산로(1)내의 정확한 위치에 고정시킬 수 있도록 위치고정리브(11)와 위치고정돌기(13)가 형성된 반도체장치 제조용 확산로를 제공하므로써 확산공정을 항상 정확한 온도제어 하에 수행할 수 있도록 하여 최종생산품으로서의 반도체장치의 수율 및 신뢰도를 향상시킬 수 있도록 하는 효과가 있다.
이상에서 본 발명은 기재된 구체예에 대해서만 상세히 설명되었지만 본 발명의 기술사상 범위 내에서 다양한 변형 및 수정이 가능함은 당업자에게 있어서 명백한 것이며, 이러한 변형 및 수정이 첨부된 특허청구범위에 속함은 당연한 것이다.

Claims (3)

  1. 확산공정이 진행되는 석영재질의 확산로, 상기 확산로에 고정된 온도계보호관, 상기 확산로의 외부에 일부가 돌출되어 있는 상기 온도계보호관의 단부에 위치고정돌기가 수용될 수 있는 돌기삽입홈이 형성된 보호관리브, 온도계가 고정되는 온도계지지대 및 상기 온도계보호관의 보호관리브에 형성된 돌기삽입홈에 삽입될 수 있는 위치고정돌기가 형성된 온도계지지대를 포함하여 이루어짐을 특징으로 하는 반도체장치 제조용 확산로.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 위치고정돌기는 그 하단 일부가 개방된 리브삽입간극을 갖도록 P자형으로 형성됨을 특징으로 하는 상기 반도체장치 제조용 확산로.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 위치고정돌기의 리브삽입간극의 폭(w)이 상기 보호관리브의 두께(t)와 동일하거나 약간 더 크게 형성됨을 특징으로 하는 상기 반도체장치 제조용 확산로.
KR1019980028401A 1998-07-14 1998-07-14 반도체장치 제조용 확산로 KR100268411B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019980028401A KR100268411B1 (ko) 1998-07-14 1998-07-14 반도체장치 제조용 확산로

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019980028401A KR100268411B1 (ko) 1998-07-14 1998-07-14 반도체장치 제조용 확산로

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20000008533A true KR20000008533A (ko) 2000-02-07
KR100268411B1 KR100268411B1 (ko) 2000-11-01

Family

ID=19544139

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019980028401A KR100268411B1 (ko) 1998-07-14 1998-07-14 반도체장치 제조용 확산로

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR100268411B1 (ko)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2002054155A1 (en) * 2000-12-30 2002-07-11 Dongjin Semichem Co., Ltd. Method of controlling metallic layer etching process and regenerating etchant for metallic layer etching process based on near infrared spectrometer

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2002054155A1 (en) * 2000-12-30 2002-07-11 Dongjin Semichem Co., Ltd. Method of controlling metallic layer etching process and regenerating etchant for metallic layer etching process based on near infrared spectrometer

Also Published As

Publication number Publication date
KR100268411B1 (ko) 2000-11-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR920007793B1 (ko) 다이어프램형 실리콘압력센서의 제조방법
US5166087A (en) Method of fabricating semiconductor element having lightly doped drain (ldd) without using sidewalls
KR100268411B1 (ko) 반도체장치 제조용 확산로
US6246973B1 (en) Modeling method of MOSFET
US7507591B2 (en) Methods of measurement and preparation of measurement structure of integrated circuit
Peck New concerns about integrated circuit reliability
US6856849B2 (en) Method for adjusting rapid thermal processing (RTP) recipe setpoints based on wafer electrical test (WET) parameters
JP2006081351A (ja) ハーネスプロテクタ
US6608352B1 (en) Determination of thermal resistance for field effect transistor formed in SOI technology
US20030214005A1 (en) A-C:H ISFET device, manufacturing method, and testing methods and apparatus thereof
US8716083B2 (en) Unitary floating-gate electrode with both N-type and P-type gates
EP0539686B1 (en) Process for producing metrological structures particularly useful for analyzing the accuracy of instruments for measuring alignment on processed substrates
US5955381A (en) Integrated circuit fabrication
JPH06244257A (ja) 半導体基板不純物濃度の決定方法
US20060205139A1 (en) Method for forming plural kinds of wells on a single semiconductor substrate
KR100333517B1 (ko) 웨이퍼 내의 중금속불순물의 량을 모니터링하는 방법
US7633279B2 (en) Power supply circuit
US6192169B1 (en) Enclosure for optical integrated circuit
US5976922A (en) Method for fabricating a high bias device compatible with a low bias device
KR970003186Y1 (ko) 온도센서를 갖는 반도체 소자 제조 공정로
US6476414B1 (en) Semiconductor device
KR970009820B1 (ko) 온도 보정용 웨이퍼의 제조방법
KR100387727B1 (ko) 급속 열처리 장치용 에지링
KR100556262B1 (ko) 실리콘 이중막 웨이퍼의 절연 파괴 전압 측정용 전극 및그 측정 방법
GB2215839A (en) A temperature sensor calibration device

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20090615

Year of fee payment: 10

LAPS Lapse due to unpaid annual fee