KR20000004926A - Process for the hybrid intergration of at least one opto electronic component,a waveguide and an intergrated electro optical device. - Google Patents

Process for the hybrid intergration of at least one opto electronic component,a waveguide and an intergrated electro optical device. Download PDF

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KR20000004926A
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도벨라에르 페터 마틴 시리엘 데
데르 린덴 요한 에듀어드 반
다엘레 페터 파울 반
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슈왈크비크 피터 코넬리스 ; 훼트 귄터
아크조 노벨 엔.브이.
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Abstract

PURPOSE: A process for the hybrid integration of at least one opto electronic component(a) and a wave guide provided on a substrate is to be easy a way of producing integrated electro optical devices. CONSTITUTION: The process one or more opto electronic components are provided on a connector piece(6)and the connector piece(6)is placed on the substrate(13) and moved up to the edge of the waveguide(14),with the shape of the connector piece(6)being wholly or largely complementary, and the connector piece (6) when it abuts against the edge of the waveguide(14) having only one degree of freedom in the plane of the substrate(13).

Description

광-전자 성분 및 도파관의 하이브리드 집적화 방법 및 집적화된 전자-광 디바이스Hybrid integration method of opto-electronic component and waveguide and integrated electro-optical device

본 발명은 적어도 하나의 광전자 성분 및 기판상에 제공된 도파관의 하이브리드 집적화(hybrid integration) 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a method of hybrid integration of waveguides provided on at least one optoelectronic component and a substrate.

이러한 방법은 EP 0 617 303 A1 을 통해 알려져 있다. 본 명세서에서는 기판, 바닥 편향층, 코어층 및 최상위 편향층으로 제조된 평면 도파관(planer waveguide)으로부터 물질을 제거하는 방법을 설명한다. 따라서 만들어진 공동(cavity)내에 에피텍셜 리프트-오프(lift-off)로 알려진 처리에 의해 얻어지는 반도체 성분이 배치된다.This method is known from EP 0 617 303 A1. This specification describes a method for removing material from planar waveguides made of a substrate, a bottom deflection layer, a core layer, and a top deflection layer. Thus, semiconductor components obtained by a process known as epitaxial lift-off are disposed in the cavities made.

이러한 처리는 빛이 전송되고, 선택적으로는 변조되는 폴리머 또는 유리가 포함되어 있는 집적 구조체내로 검출기 뿐만 아니라 LED, 레이저 다이오드 및 VCSELs(Vertical Cavity Surface Emitting Laser Diode) 등의 반도체 성분들을 통합하는데 사용될 수 있다. 이러한 집적된 구조체에는 광통신 분야의 중요한 여러가지 응용(예를들어, 레이저 다이오드에 의해 방출된 빛의 외부 변조, 상호접속 네트워크내의 경로설정, 광 증폭기, 신호 감시, 파장분할 멀티플렉싱 등)이 있으며, 전자-광학 구조보다 더 다루기 쉽고 사용하기 쉽게되는 것 뿐만 아니라 컴퓨터내의 고속 상호접속(광학 백플랜), 광학 센서 등 집적되지 않은 성분들이 있다. 이러한 구조의 다른 장점들에는 넓은 기능성의 범위를 하나의 전자-광학 디바이스에 통합시키고 빛을 도파관 내 및 밖으로 향상된 효율성을 가지고 결합하는 것이 가능할 수 있다는 것이다.This process can be used to integrate semiconductor components such as LEDs, laser diodes, and vertical cavity surface emitting laser diodes (VCSELs) into integrated structures that contain polymer or glass to which light is transmitted and, optionally, modulated. . Such integrated structures have many important applications in the field of optical communications (eg, external modulation of light emitted by laser diodes, routing within interconnect networks, optical amplifiers, signal monitoring, wavelength division multiplexing, etc.). In addition to being easier to handle and easier to use than optical structures, there are also non-integrated components such as high-speed interconnects (optical backplanes) and optical sensors in computers. Other advantages of this structure are that it may be possible to integrate a wide range of functionality into one electro-optical device and combine light with improved efficiency in and out of the waveguide.

EP 0 617 303 A1 에는 반도체 성분의 배열 및 횡방향의 도파관 구조(즉, 도파관의 기판과 수직방향, 일반적으로 z방향)가 반도체 성분이 제공되는 스택의 높이를 조심스럽게 선택함으로서 얻어지고, 측방향 배열(즉, 도파관의 에지와 평행인 방향)은 상기 반도체 성분의 배열이 끝날 때 까지 도파관 채널을 명확히 하지 않음으로서 얻어진다. 세로방향(즉, 상기 두 방향에 수직인 방향)은 상기 반도체 성분의 배열용 픽-앤드-플레이스(pick-and-place) 장치의 정확도에 의해 결정된다.EP 0 617 303 A1 describes the arrangement of semiconductor components and the waveguide structure in the transverse direction (i.e. perpendicular to the substrate of the waveguide, generally in the z direction), obtained by carefully selecting the height of the stack on which the semiconductor components are provided, The arrangement (ie, the direction parallel to the edge of the waveguide) is obtained by not clarifying the waveguide channel until the arrangement of the semiconductor components is complete. The longitudinal direction (ie, the direction perpendicular to the two directions) is determined by the accuracy of the pick-and-place device for the arrangement of the semiconductor components.

광전자 성분을 도파관 구조에 정확하게 정렬하는 보다 쉬운 방법이 필요하다. 적절하게는, 종래 이러한 배열에서는 안정성으로 인해 여러가지 절차단계를 위한 기술로 모든 가능한 사용이 이루어져야 했다.There is a need for an easier way to accurately align the optoelectronic component with the waveguide structure. Appropriately, in this arrangement in the past, all possible uses have to be made as a technique for various procedural steps due to stability.

본 발명은 앞서 서두에서 설명한 것 같은 절차에 의해 이 목적을 이루고자 하는데, 커넥터 부분상에 하나 또는 그 이상의 광전자 성분을 제공하는데, 상기 커넥터 부분은 상기 기판상에 놓이고 도파관의 모양으로 도파관의 에지쪽으로 이동하고 상기 커넥터 부분의 형태는 전체가 또는 대부분이 상보적(complementary)이며, 상기 커넥터 부분은 상기 도파관의 에지와 인접하게 되는 경우에 상기 기판 면내에서 오직 하나의 자유각도만을 가지게 된다.The present invention seeks to achieve this object by a procedure as described earlier, wherein one or more optoelectronic components are provided on a connector portion, which is placed on the substrate and in the form of a waveguide toward the edge of the waveguide. The connector portion moves and the shape of the connector portion is wholly or mostly complementary and the connector portion has only one free angle within the substrate plane when it is adjacent to the edge of the waveguide.

상기 커넥터 부분이 기판상에 놓이게 되는 경우에는, 기판면내에 세 개의 자유각도(회전각 하나와 이동각 둘)를 가지게 된다. 서로의 상보적 성질, 분명한 형태로 인해, 상기 도파관의 에지와 인접하게 되는 경우에는 오직 한 방향, 즉 도파관으로부터 멀어지는 방향으로 이동할 수 있다. 이 상보적 성질, 분명한 형태 때문에, 상기 커넥터 부분은 쉽게 도파관의 에지쪽으로 이동할 수 있어서 예상한 위치에 정확히 위치시키게 된다. 이러한 형태로 수동적(그래서 비용이 적게들고 빠른) 정열이 가능하다.When the connector portion is placed on the substrate, it has three free angles (one rotation angle and two movement angles) in the substrate surface. Due to their complementary nature, their apparent shape, they can only move in one direction, ie away from the waveguide, when they are adjacent to the edge of the waveguide. Because of this complementary nature, obvious shape, the connector portion can easily move towards the edge of the waveguide so that it is accurately positioned in the expected position. In this form, passive (so low-cost and fast) alignment is possible.

더욱이, 상기 커넥터 부분은 집적된 전자광학적 디바이스를 얻는데 필요한 다양한 처리단계의 순서를 보다 자유롭게 선택할 수 있게 한다. 예를들어, 광전자 성분(또는 성분들)을 상기 도파관으로의 결합을 하기전에 상기 커넥터 부분상에 제공할 수 있다. 이 결과는 상기 도파관 및 마운트(mount) 위로 이동하는 것이 쉬운 준비된 모듈이 되게한다. 선택적으로, 상기 광전자 성분을 도파관의 에지 위쪽으로 이동시킨 다음 상기 커넥터 부분상에 장착할 수 있다.Moreover, the connector portion allows more freedom to select the order of the various processing steps required to obtain an integrated electro-optical device. For example, an optoelectronic component (or components) may be provided on the connector portion prior to coupling to the waveguide. This result makes the module ready to move over the waveguide and mount. Optionally, the optoelectronic component can be moved above the edge of the waveguide and mounted on the connector portion.

상기 광-전자 성분은 소위 플립-칩(flip-chip) 기술(당업자에게는 잘 알려져 있음)을 사용하여 상기 커넥터상에 장착되는데, 이 기술은 상기 커넥터 부분에 대향하는 상기 칩의 위치를 정확하게 할 수 있게 한다. 상기 플립-칩 기술의 예는 땜납 범프 플립-칩 및 Au-Au 열압축이 있다. 이 기술을 사용하면, 상기 커넥터 부분은 상기 도파관에 의해 방출된 광 신호가 상기 광전자 성분 또는 성분들로 결합(상기 광-전자 성분이 검출기인 경우) 또는 그 반대(상기 광-전자 성분이 소스인 경우)가 되도록 반사면에 제공되어야 할 것이다.The opto-electronic component is mounted on the connector using so-called flip-chip technology (well known to those skilled in the art), which can accurately position the chip against the connector portion. To be. Examples of such flip-chip techniques are solder bump flip-chips and Au-Au thermal compression. Using this technique, the connector portion allows the optical signal emitted by the waveguide to couple into the optoelectronic component or components (if the photo-electronic component is a detector) or vice versa (where the photo-electronic component is the source). Should be provided on the reflective surface.

상기 커넥터 부분이 상기 도파관의 에지보다 위쪽에 있게 된 후 상기 광-전자 성분을 상기 커넥터 부분상에 장착하기 위해 앞서 언급한 기술 중 하나를 사용하는 경우, 커넥터 부분을 위해 좋은 열 전도를 가지는 물질을 선택하는 적이 좋다. 이 경우에, 상기 광-전자 성분과 상기 커넥터 부분간의 접속을 하기 위한 매우 지엽적인 가열은 전체 커넥터 부분상에 빠르게 흩어질 수 있으며, 그렇게 하는 것이 요구되는 경우, 기판으로 이동된다(열 싱크(heat sink)의 함수). 이것은 도파관 물질이 열에의해 영향을 받는 것을 막아준다.If one of the aforementioned techniques is used to mount the opto-electronic component onto the connector portion after the connector portion is above the edge of the waveguide, a material having good thermal conduction for the connector portion may be used. It is good to choose. In this case, the very local heating for making the connection between the opto-electronic component and the connector part can quickly dissipate over the whole connector part and, if required to do so, is transferred to the substrate (heat sink ) Function). This prevents the waveguide material from being affected by heat.

이 문제에 있어서, 열 전도율이 좋은 물질을 사용하는 경우에, 상기 광-전자 성분에 의해 발생된 어느 열도 빠르게 흩어진다.In this problem, when using a material having good thermal conductivity, any heat generated by the opto-electronic component is dissipated quickly.

상기 도파관은 평면 형태, 적절하게는 폴리머(polymeric) 형태가 될 수 있고; 선택적으로 기판의 홈 과 같은 평행한 광섬유(파이버 리본)의 열이 되기도 한다.The waveguide may be planar, suitably polymeric; Optionally, it may be a row of parallel optical fibers (fiber ribbons) such as grooves in the substrate.

평면 도파관은 일반적으로 기판상에 제공된 하나 또는 그 이상의 폴리머 물질의 층으로 구성되어 있다. 상기 도파관은 보통 바닥 편향층, 코어층(도파관 채널이 명백해진 경우),및 상위 편향층으로 구성되는 경우 완전한 도파관이 되는데, 상기 구조는 단지 바닥 편향층 및 코어층만으로 이루어진 경우와 같이 불완전한 것이 될 수도 있다.Planar waveguides generally consist of one or more layers of polymeric material provided on a substrate. The waveguide is usually a complete waveguide when it consists of a bottom deflection layer, a core layer (when the waveguide channel is evident), and an upper deflection layer, the structure being incomplete, such as only a bottom deflection layer and a core layer. It may be.

상기 폴리머 물질은 폴리머 용제의 형태 등으로 기판상에 제공될 수 있는데, 적절하게는 솔벤트 증발 후 스핀코우팅(spincoating)에 의해 제공될 수 있다. 그 자연적 특성에 따라, 상기 폴리머는 성형, 주입 성형 또는 알려진 다른 처리 기술들을 사용하여 형성될 수 도 있다.The polymer material may be provided on the substrate in the form of a polymer solvent or the like, suitably by spincoating after solvent evaporation. Depending on its natural properties, the polymer may be formed using molding, injection molding or other known processing techniques.

적절한 기판에는 강화된 또는 약화된 에폭시 수지에 기초하는 등의 실리콘 웨이퍼 또는 합성 적층판이 포함된다. 이 기판은 본 발명에 따른 절차를 수행하는데 필수적인 것은 아니다.Suitable substrates include silicon wafers or composite laminates, such as based on reinforced or weakened epoxy resins. This substrate is not essential for carrying out the procedure according to the invention.

그 에지(적어도 상기 지점에서 상기 커넥터 부분과 상보적인)가 상기 도파관 물질의 제거에 의해 상기 커넥터 부분과 쉽게 상보적이 될 수 있기 때문에 상기 평면 도파관(파이버 리본상에서)이 선호된다. 광섬유상의 평면 도파관의 더 다른 장점은 확장되는 방향에 대해 존재하고, 상기 평면 도파관내의 도파관 채널은 상기 도파관이 제공된 기판에 따라 달라지지는 않는다. 반면에, 광섬유가 보통 V-홈내에 고정되고 그러한 V-홈의 방향은, 대부분 습식-화학적 에칭으로 얻어지는데, 상기 기판의 크리스탈 격자(일반적으로 실리콘)로 표시된다.The planar waveguide (on a fiber ribbon) is preferred because its edge (at least complementary to the connector portion at this point) can be easily complementary to the connector portion by removal of the waveguide material. A further advantage of the planar waveguide on the optical fiber is in the direction of expansion, and the waveguide channel in the planar waveguide does not depend on the substrate on which the waveguide is provided. On the other hand, the optical fiber is usually fixed in the V-groove and the direction of such V-groove is obtained mostly by wet-chemical etching, represented by the crystal lattice of the substrate (generally silicon).

상기 도파관 물질(적어도 상기 커넥터 부분에 상보적인)이 집적회로(IC)의 제조에서 널리 알려진 기술등으로 적절한 에칭 기술에 의해 제거되기도 한다. 이 경우에 생각할 수 있는 기술로는 습식-화학적 에칭 기술로서, 유기 솔벤트 또는 강한 베이스로 만들어진 것을 사용한다. 그러나, 스퍼터 에칭(비-반응 플라즈마 에칭), 레이저 애블레이션, 반응 이온 에칭(RIE) 또는 반응 플라즈마 에칭 등의 포토리소그라피 에칭 기술이 선호된다. 이러한 기술은 당업자에게는 잘 알려져 있는 것이며 본 명세서에서는 더 이상의 설명은 하지 않는다.The waveguide material (at least complementary to the connector portion) may be removed by suitable etching techniques, such as techniques well known in the manufacture of integrated circuits (ICs). As a technique conceivable in this case, as a wet-chemical etching technique, one made of an organic solvent or a strong base is used. However, photolithographic etching techniques such as sputter etching (non-reactive plasma etching), laser ablation, reactive ion etching (RIE) or reactive plasma etching are preferred. Such techniques are well known to those skilled in the art and are not described further herein.

선택적으로, 에칭은 기계적으로 수행될 수 도 있는데, 예를들어 그라인딩, 커팅, 드릴링, 또는 알루미나, 실리카 특히 경석 등의 입자들을 통한 충격 등이 있다. 당업자에게는 실험을 하지 않고도 폴리머용 적절한 에칭방법을 선택할 수 있다고 기대된다.Alternatively, the etching may be performed mechanically, for example grinding, cutting, drilling or impact through particles such as alumina, silica and especially pumice. It is expected that one skilled in the art can select an appropriate etching method for the polymer without experimenting.

상기 폴리머 물질이 에칭에 의해 제거되어 스무스한 표면(마모된 면)이 되는 것이 특히 기대된다. 더욱이, 에칭된 상기 표면에는 어떠한 외부 물질 또는 거칠음도 없어야 한다.It is particularly expected that the polymer material be removed by etching to have a smooth surface (wear surface). Moreover, the surface etched should be free of any foreign material or roughness.

기계적이 아닌 에칭 기술을 사용할 때 상기 폴리머의 원하는 부분을 제거하기 위해서, 에칭에 의해 부식되어서는 아니되는 부분을 덮기 위해 마스크가 사용된다. 이 마스크는 IC 기술에서는 널리 알려진 에칭 작용의 저항을 갖게 하는데 있어서는 필수적인 것이다. 이러한 마스크는 금속 또는 금속 합금 등으로 만들어져 수행되는데; 선택적으로, 감광성 수지(포토레지스트)를 인가하고 원하는 패턴에 따라 상기 수지를 충분히 에폭시 및 현상함으로서 만들어질 수 있다.In order to remove the desired portion of the polymer when using a non-mechanical etching technique, a mask is used to cover the portion that should not be corroded by etching. This mask is essential for having the resistance of etching action that is well known in IC technology. Such masks are made of metal or metal alloy or the like; Alternatively, it can be made by applying a photosensitive resin (photoresist) and fully epoxy and developing the resin according to a desired pattern.

평면 도파관이 사용되는 경우에, 도파관 채널은 습식-화학적 에칭 또는 건식 에칭 기술 등으로 평평한 도파관의 부분을 제거함으로서 제공될 수 있어서 굴절율이 작은 물질로 형성된 공동을 채운다(따라서 편향층 물질에 모든 면에서 가까운 코어층 물질의 채널을 형성한다). 선택적으로, 방사 이후 현상될 수 있는 감광성 물질을 사용하는 것이 가능한데; 예를들어, 말하자면 방사 이후 특정 솔벤트(현상액)에 저항을 가지는 네가티브 포토레지스트 물질이 그것이다. 이 경우 상기 현상액은 방사되지 않은 물질을 제거하는데 사용되기도 한다. 반면에, 포지티브 포토레지스트의 경우에는, 방사되지 않은 부분이 상기 현상액에 의해 제거된다.When planar waveguides are used, the waveguide channels can be provided by removing portions of the flat waveguide, such as by wet-chemical etching or dry etching techniques, to fill a cavity formed of a material having a low refractive index (thus the deflection layer material in all respects). To form channels of near core layer material). Alternatively, it is possible to use photosensitive materials that can be developed after radiation; For example, it is a negative photoresist material that is resistant to certain solvents (developers) after spinning. In this case, the developer may be used to remove the unspun material. On the other hand, in the case of a positive photoresist, the portion not radiated is removed by the developer.

본 발명에 따르면, 어느 물질도 에칭에 의해 제거되지 않고 제공될 수 있는 코어 물질로 만들어진 도파관 패턴이 사용되기도 한다. 예를들어, 열, 빛 또는 UV 방사의 영향에 의해 굴절률이 다른 물질로 화학적으로 변환된 코어층 물질이다. 굴절률을 증가시키는 경우에 상기 처리된 물질은 코어 물질로 사용될 수 있다. 이것은 원하는 도파관 패턴과 동일한 마스크 내의 구멍이 있는 마스크를 사용하여 상기처리를 수행하는 형태가 되기도 한다. 반대로, 굴절률 감소가 수반되는 경우에는, 처리된 물질은 클래딩 물질로 사용하는데 적합할 것이다. 이 경우 문제가 되는 처리는 폐쇄 부분이 원하는 도파관 패턴과 동일한 마스크를 사용하여 수행되기도 한다.According to the present invention, a waveguide pattern made of a core material may be used, in which no material may be provided without being removed by etching. For example, it is a core layer material that has been chemically converted to a material with a different refractive index under the influence of heat, light or UV radiation. In the case of increasing the refractive index, the treated material can be used as the core material. This may be in the form of performing the above treatment using a mask with holes in the same mask as the desired waveguide pattern. In contrast, if a decrease in refractive index is involved, the treated material will be suitable for use as a cladding material. In this case, the problematic process may be performed using a mask in which the closed portion is the same as the desired waveguide pattern.

코어층이 방사의 영향하에서 표백가능한 폴리머를 구비하는 평면 도파관이 사용되기도 한다. 이것은 빛에 민감한 또는 UV에 민감한 코어층 물질의 특정 타입이다. 화학적으로 재배열된 반응, 방사, 적절하게는 일반적으로 청색 빛을 사용하기 때문에 남아있는 물리적 및 기계적 특성에 필수적으로 영향을 미치지 않는 물질의 굴절률을 낮춘다. 적절하게는, 상기 평평한 도파관에 원하는 채널의 패턴을 덮는 마스크가 제공되어 주변의 코어층 물질이 방사에 의해 굴절률이 낮아질 수("표백된") 있다. 따라서, 원한다면 도파관 채널은 굴절률이 낮은 물질의 모든 주변(바닥 및 상위 편향층 및 주위의 표백된 코어층 물질)상에 폐쇄되게 형성된다. 이러한 표백가능한 폴리머는 EP 358 476에 설명되어 있다.Planar waveguides are also used in which the core layer has a polymer that is bleachable under the influence of radiation. This is a particular type of core layer material that is sensitive to light or UV. The use of chemically rearranged reactions, radiation, and generally blue light, lowers the refractive index of materials that do not necessarily affect the remaining physical and mechanical properties. Suitably, the flat waveguide is provided with a mask covering the desired pattern of channels so that the surrounding core layer material can have low refractive index ("bleached") by radiation. Thus, if desired, the waveguide channel is formed to be closed on all periphery (bottom and upper deflection layers and surrounding bleached core layer material) of the low refractive index material. Such bleachable polymers are described in EP 358 476.

실제에 있어서, 상기 채널은 상기 커넥터 부분이 도파관에 접속되기 전 또는 후 중 어느 한 경우에 정해질 수 있다. 그러나, 실제의 경우에는 상기 커넥터 부분이 상기 도파관에 접촉하기 전에 정하는 것이 가장 쉽다.In practice, the channel can be established either before or after the connector portion is connected to the waveguide. In practice, however, it is easiest to determine the connector portion before contacting the waveguide.

도파관 채널의 각 각의 종단면(광섬유 뿐만 아니라 평면 도파관내의)은 적절하게는 상기 도파관 채널의 광 축과 각을 이룬다. 이것은 결합되는 또는 결합해제되는 신호의 뒤쪽 반사(back reflection)를 크게 줄여준다. 그러한 뒤쪽 반사는 레이저 다이오드의 "레이저 공동"내의 종단 마무리 부분을 통해 상기 신호상에 매우 해로운 영향을 끼칠 수 있다. 이것은 상기 각이 8도 이상일 때 뒤쪽 반사가 특히 크게 감소된다.Each longitudinal section of the waveguide channel (in the planar waveguide as well as the optical fiber) is suitably angled with the optical axis of the waveguide channel. This greatly reduces the back reflection of the combined or uncoupled signal. Such back reflections can have a very detrimental effect on the signal through the termination finish in the "laser cavity" of the laser diode. This results in a particularly reduced back reflection when the angle is above 8 degrees.

평면 도파관이 사용되는 경우에, 이 비스듬한 각도는 상기 커넥터 부분과 접촉하는 도파관의 에지의 모양과 함께 포토리소그래픽적으로 정해질 수 있다. 이러한 경우에는 두 목적을 위해서 마스크 하나로도 충분하다.If a planar waveguide is used, this oblique angle can be determined photolithographically with the shape of the edge of the waveguide in contact with the connector portion. In this case, a mask is sufficient for both purposes.

본 발명에 따른 처리의 사용에 적합하도록 상기 커넥터 부분의 형태를 매우 효과적으로 하는 한 방법은 그 안에 사각형 구멍을 에칭하는 것이다. 상기 커넥터 부분이 하나의 크리스탈로 만들어진 경우에는, 세 개의 비스듬한 각을 가지는 구멍을 형성한다. 한 실시예에서, 광-전자 성분(들)이 상기 커넥터 부분상에 제공되고, 이 에지들 중 하나는 앞서 언급한 원하는 경우의 반사면 역할을 한다.One way to make the shape of the connector part very effective to suit the use of the process according to the invention is to etch a rectangular hole therein. When the connector portion is made of one crystal, a hole having three oblique angles is formed. In one embodiment, opto-electronic component (s) are provided on the connector portion and one of these edges serves as the reflective surface of the desired case mentioned above.

따라서 얻어진 반사면의 추가적인 장점은 이것이 상기 커넥터 부분의 전체 높이를 확장시킨다는 것이다. 이것은 횡방향 또는 z-방향 정열이 필요없다는 의미가 된다.A further advantage of the reflective surface thus obtained is that it extends the overall height of the connector part. This means that no transverse or z-direction alignment is necessary.

웨이퍼 내의 사각형 또는 직사각형 구멍을 에칭하고 그것을 자름으로서 하나의 웨이퍼에 동시에 여러개의 커넥터 부분을 만들 수 있다. 이것은 실시예를 통해 더 자세하게 설명하도록 하겠다.By etching and cutting rectangular or rectangular holes in a wafer, multiple connector portions can be made simultaneously on a wafer. This will be described in more detail with reference to the following examples.

본 발명은 앞서 설명한 여러 절차 중 하나로 얻을 수 있는 집적된 전자-광 디바이스와도 관계된다. 적절하게는, 상기 광-전자 성분(또는 성분들)이 상기 커넥터 부분의 상부에 장착되고, 상기 커넥터 부분은 상기 광-전자 성분 또는 성분들로부터 광 신호를 도파관으로 결합할 수 있고 결합을 해제할 수 있는 거울(mirror)를 구비하고 있다.The invention also relates to an integrated electro-optical device which can be obtained by one of the several procedures described above. Suitably, the opto-electronic component (or components) is mounted on top of the connector portion, the connector portion capable of coupling and uncoupling an optical signal from the optoelectronic component or components to the waveguide. It is equipped with a mirror.

상기 거울의 사용으로 인해 본 발명은 검출 또는 방출 만을 하는 성분으로 제한되지 않을 뿐만 아니라, 표면-검출(방출)을 하는 검출기(및 소스)로도 사용할 수 있다.Due to the use of such a mirror, the present invention is not only limited to the component which detects or emits, but also can be used as a detector (and source) which performs surface-detection (emission).

상기 도파관의 기판과 상기 거울과의 각도가 40도 보다 작거나 또는 50도 보다 큰 경우에는, 상기 도파관 채널의 종단면 또는 상기 광-전자 성분의 표면상의 뒤쪽 반사는 감소될 수 있거나 반사를 피할 수 있다.If the angle between the substrate of the waveguide and the mirror is less than 40 degrees or greater than 50 degrees, the longitudinal reflection of the waveguide channel or the back reflection on the surface of the opto-electronic component may be reduced or the reflection may be avoided. .

또한, 본 발명은 적어도 하나의 광-전자 성분이 장착되고 본 발명의 사용에 적합한 커넥터 부분을 구비하는 모듈 및 커넥터 부분 자체와도 관련이 된다. 적절하게는, 상기 커넥터 부분은 그 아래쪽에 하나 또는 그 이상의 홈이 있다(이 예는 아래 실시예에서 자세히 설명하도록 한다).The invention also relates to the module and the connector part itself which is equipped with at least one opto-electronic component and which has a connector part suitable for use in the invention. Suitably, the connector portion has one or more grooves below it (this example will be described in detail in the following embodiments).

또한, EP 420 029 A1 에 레이저 칩에서 방출된 빛을 반사시키고 촛점을 맞추는 디바이스가 개시되어 있다는 것을 주목해야 한다. 빛은 실리콘 몸체에 결합되고 촛점을 맞추는 디바이스의 방향 내의 이 몸체내의 각도를 이루는 면에서 반사된다. 상기 실리콘 몸체 및 정렬된 레이저 칩에 대해선 어떠한 언급도 없다.It should also be noted that EP 420 029 A1 discloses a device for reflecting and focusing light emitted from a laser chip. Light is reflected in the angled face within this body in the direction of the device that is coupled to and focused on the silicon body. No mention is made of the silicon body and the aligned laser chip.

더욱이, EP 607 524 는 광섬유가 놓이는 V-홈이 있는 실리콘 몸체를 구비하는 디바이스를 개시하고 있다. 상기 광섬유에 의해 방출된 빛은 실리콘 몸체로 결합되고 수신 소자의 방향내의 이 몸체내의 각도가 있는 면에서 반사된다. 상기 문헌은 기판상에 제공된 도파관으로 집적되는 광-전자 성분에 대해서는 설명하고 있지 않다.Furthermore, EP 607 524 discloses a device having a silicon body with a V-groove in which an optical fiber is placed. Light emitted by the optical fiber is coupled to the silicon body and reflected at an angled surface in this body in the direction of the receiving element. The document does not describe opto-electronic components integrated into waveguides provided on a substrate.

이 문제에 관하여, 본 발명에 따르면, 상기 커넥터 부분으로 결합되는 것은 아니고 그 부분상에서 빛이 반사하는 실시예가 주어진다. 무엇보다도, 그러한 결합은 추가 손실 및 반사를 있게 한다. 두번째로, 상기 커넥터 부분 물질(일반적으로, 실리콘)은 항상 제한된 도파관 범위내에서만 투명하다.Regarding this problem, according to the present invention, an embodiment is provided in which the light is reflected on the portion, not coupled to the connector portion. First of all, such coupling allows for additional losses and reflections. Secondly, the connector portion material (generally silicon) is always transparent only within the limited waveguide range.

지금부터 도면에 도시된 실시예를 참고하여 본 발명을 더 자세히 설명하도록 하겠다. 물론 본 발명이 이 실시예로 한정되는 것은 아니다.Hereinafter, the present invention will be described in more detail with reference to the embodiments shown in the drawings. Of course, the present invention is not limited to this embodiment.

도 1은 에칭된 여러개의 사각형 구멍이 있는 실리콘 웨이퍼의 상면도.1 is a top view of a silicon wafer with several square holes etched away.

도 2는 본 발명에 따른 집적된 전자-광 디바이스의 단면의 측면도.2 is a side view of a cross section of an integrated electro-optical device according to the invention;

도 3은 평면 도파관이 장착되는 검출기 어레이의 커넥터 부분의 집적을 보여주는 상면도3 is a top view showing the integration of a connector portion of a detector array with a planar waveguide;

도 4는 본 발명에 따른 실시예의 투시도 이고,4 is a perspective view of an embodiment according to the present invention,

도 5는 본 발명에 따른 실시예의 투시도 이다.5 is a perspective view of an embodiment according to the present invention.

실시예Example

양면이 폴리싱된 Si(크리스탈 타입의 실리콘(100)) 웨이퍼(1)를 PECVD(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition) 법에 의해 SiNx(두께 250nm)의 층으로 양 면을 코우팅한다. 상기 웨이퍼(1)의 한 면에 금속(Au) 패턴을 만든다(전기 경로(3); 도3). 이 금속 패턴은 제2 SiNx 층을 상기 금속 패턴상에 코우팅 한 후 전해액 침착 방법에 의해 두껍게 한다. 다음으로, 상기 SiNx를 구멍(2)과 라인(4,5)에 따라 (RIE에 의해)제거한다. 그리고 상기 웨이퍼(1)를 고온의 KOH-IPA 용액내에 잠그고 노출된 실리콘을 에칭함으로서 이방성 제거를 한다. 일단 실릴콘이 충분한 정도 제거되면(사이트(2)로부터 완전히 사라지게 되는), 상기 웨이퍼(1)를 전해조에서 꺼내 깨끗이 닦는다. 그 지점에서 전기 경로(7)가 다른 성분들과 접촉해야 하고, 상기 SiNx 가 RIE에 의해 제거된다.Both sides of the polished Si (crystal type silicon 100) wafer 1 are coated with a layer of SiNx (thickness 250 nm) by PECVD (Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition). A metal (Au) pattern is made on one side of the wafer 1 (electric path 3; Fig. 3). This metal pattern is thickened by an electrolyte deposition method after coating a second SiNx layer on the metal pattern. Next, the SiNx is removed (by RIE) along the holes 2 and lines 4 and 5. The wafer 1 is then immersed in a hot KOH-IPA solution and the exposed silicon is etched to remove the anisotropy. Once the silicon is sufficiently removed (which completely disappears from the site 2), the wafer 1 is taken out of the electrolytic cell and cleaned. At that point the electrical path 7 must be in contact with the other components and the SiNx is removed by RIE.

중앙의 측벽(3)(상기 Si(100) 크리스탈이 자연적으로 상기 웨이퍼(1)의 바닥면과 54.7도 각도를 이루기 때문)을 Au 층으로 코우팅하여 반사 특성을 최적화 시킨다(Au 는 IR 빛에 좋은 반사기이다).The central sidewall 3 (since the Si (100) crystal naturally angles 54.7 degrees with the bottom surface of the wafer 1) is coated with an Au layer to optimize reflection characteristics (Au is applied to IR light). Is a good reflector).

다음으로, 당업자에게는 널리 알려진 땜납 범프(8) 플립-칩 기술을 이용하여 여덟 개의 검출기가 있는 검출기 어레이(9)를 상기 커넥터 부분(6)상에 장착시키는데, 상기 검출기(10) 각 각은 상기 경로(7)의 하나와 전기적으로 연결된다. 상기 경로(7)의 다른 끝은 테이프 자동 접착(Tape Automated Bonding)을 통해 다른 전기 성분과 전기적으로 연결될 수 있다.Next, a solder array 8 with eight detectors is mounted on the connector portion 6 using solder bump 8 flip-chip technology, which is well known to those skilled in the art, each of which is a It is electrically connected with one of the paths 7. The other end of the path 7 can be electrically connected with other electrical components via Tape Automated Bonding.

마지막으로, 상기 커넥터 부분(6)이 실현되는 웨이퍼(1)를 라인(4,5)를 따라 잘라 소형의 개개의 커넥터 부분을 형성한다.Finally, the wafer 1 on which the connector part 6 is realized is cut along the lines 4 and 5 to form small individual connector parts.

상기 커넥터 부분(6)의 제조와 동시에 여러개의 도파관 채널(14)이 알려진 방법으로 실현되는데 두 개의 편향층(11) 및 하나의 코어층(12)을 구비하는 평면 도파관 구조가 기판(13)상에 제공된다. 다음으로, 상기 RIE 처리를 사용하여 상기 도파관의 에지상에 제공되는 커넥터 부분(6)의 모양과 상보적인 부분으로 상기 평면 도파관 부분을 제거한다. 상기 도파관 채널(14)의 각 각의 끝 면은 상기 채널의 광 축과 10도의 각을 가지게 된다. 상기 도파관 채널(14)은 약간의 각도로 상기 평면 도파관을 지나간다. 상기 10도 각도로 인해 상기 광 신호는 출구상에서 아주 조금 편향된다. 이것은 그 자체가 어느 각도에서 동작하게 되는 도파관 채널이 있음으로서 균형을 이룰 수 있다.Simultaneously with the manufacture of the connector part 6 several waveguide channels 14 are realized in a known manner, in which a planar waveguide structure having two deflection layers 11 and one core layer 12 is formed on the substrate 13. Is provided. The RIE process is then used to remove the planar waveguide portion to a portion complementary to the shape of the connector portion 6 provided on the edge of the waveguide. Each end face of the waveguide channel 14 has an angle of 10 degrees with the optical axis of the channel. The waveguide channel 14 passes through the planar waveguide at a slight angle. The 10 degree angle causes the optical signal to be very slightly deflected on the exit. This can be balanced by the presence of a waveguide channel that itself operates at an angle.

다음으로 상기 도파관과 스무스하게 끼우고 접착체로 단단히 붙여 모듈(어레이(9)가 제공된 커넥터 부분(6))을 상기 도파관의 기판(13)상에 제공한다.Next, it is smoothly fitted with the waveguide and firmly glued to provide the module (the connector portion 6 provided with the array 9) on the substrate 13 of the waveguide.

도 5는 상기 도파관 채널(17)을 통하게 하는 홈(16)(예를들어 톱질식 또는 에칭)이 그 하부에 있는 커넥터 부분(15)으로서, 본 발명에 따른 디바이스의 특별한 실시예를 보여주고 있다. 상기 도파관 채널(17)에는 가지(18)가 있는데, 이것은 상기 홈(16) 사이에서 커넥터 부분(15)의 아래쪽 부분을 매칭하는 도파관 구조내의 공동(19)으로 이어져 있다. 또한, 상기 도파관 구조에는 상대적으로 큰 공동(20)이 있는데, 상기 커넥터 부분(15)의 아래쪽의 나머지 부분과 맞추어 진다. 상기 공동(19,20)의 표면은 상기 커넥터 부분(15)의 아래쪽 표면보다 약간 커서, 이 커넥터 부분을 쉽고 빠르게 삽입할 수 있게 한다.FIG. 5 shows a particular embodiment of the device according to the invention as connector part 15 with a groove 16 (for example sawing or etching) through which the waveguide channel 17 passes. . The waveguide channel 17 has a branch 18, which leads to a cavity 19 in the waveguide structure that matches the lower portion of the connector portion 15 between the grooves 16. The waveguide structure also has a relatively large cavity 20 that fits with the rest of the bottom of the connector portion 15. The surface of the cavities 19, 20 is slightly larger than the bottom surface of the connector portion 15, allowing for easy and quick insertion of this connector portion.

상기 도파관 채널(17)의 하나를 통과하는 신호의 부분은 해당 가지(18)를 통해 상기 커넥터 부분(15)에 도달하게 되고 광-전자 성분(도시하지 않음)으로 반사될 것이다. 이 방법에서, 본 발명에 따른 커넥터 부분은 하나 또는 그 이상의 도파관의 상태를 모니터 하는데 사용될 수 있어서, 브레이크다운을 빠르게 찾을 수 있다. 이 성분이 부분인 상기 광 성분 또는 광 네트워크의 값은 크게 향상된다. 그러한 제어 메카니즘은 고품격 성분 및 네트워크(및 미래의 모든 네트워크에도)에 매우 요구된다.The portion of the signal passing through one of the waveguide channels 17 will reach the connector portion 15 through the corresponding branch 18 and will be reflected by the opto-electronic component (not shown). In this way, the connector part according to the invention can be used to monitor the state of one or more waveguides, so that breakdown can be quickly found. The value of the optical component or optical network in which this component is a part is greatly improved. Such control mechanisms are very demanding for high quality components and networks (and all future networks).

Claims (14)

적어도 하나의 광전자 성분 및 기판상에 제공된 도파관의 하이브리드 집적화 방법에 있어서, 하나 또는 그 이상의 광전자 성분이 커넥터 부분상에 제공되고, 상기 커넥터 부분은 상기 기판상에 놓이고 상기 도파관의 형태로 상기 도파관의 에지까지 이동하고, 상기 커넥터 부분의 모양은 전체 또는 대부분이 상보적이며, 상기 커넥터 부분은 상기 도파관의 에지에 인접하게 되는 경우에 상기 기판의 면내에 적어도 하나의 자유각도를 가지는 것을 특징으로 하는 하이브리드 집적화 방법.A method of hybrid integration of waveguides provided on a substrate with at least one optoelectronic component, wherein one or more optoelectronic components are provided on a connector portion, the connector portion lying on the substrate and in the form of the waveguide of the waveguide. Hybrid to the edge, wherein the shape of the connector part is complementary in whole or in most, and the connector part has at least one free angle in the plane of the substrate when it is adjacent to the edge of the waveguide Integration method. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 도파관은 평면 도파관인 것을 특징으로 하는 방법.And the waveguide is a planar waveguide. 제 2 항에 있어서,The method of claim 2, 상기 도파관의 에지는 적어도 상기 커넥터 부분과는 상보적이며 포토리소그래픽적으로 정해지는 것을 특징으로 하는 방법.And the edge of the waveguide is at least complementary to the connector portion and photolithographically defined. 제 2 항 또는 제 3 항에 있어서,The method of claim 2 or 3, 상기 도파관에는 하나 또는 그 이상의 도파관 채널이 있으며, 이 채널 각 각의 끝 면은 상기 채널의 광 축과 각을 이루는 것을 특징으로 하는 방법.And wherein the waveguide has one or more waveguide channels, the end faces of each of which are angled with the optical axis of the channel. 제 4 항에 있어서,The method of claim 4, wherein 상기 각은 8도 보다 큰 것을 특징으로 하는 방법.Wherein said angle is greater than eight degrees. 제 1 항 내지 제 5 항 중 어느 한 항에 있어서,The method according to any one of claims 1 to 5, 상기 케넥터가 상기 도파관에 인접하는 면상에 구멍이 에칭되는 것을 특징으로하는 집적화 방법.And the hole is etched on a surface of the connector adjacent to the waveguide. 제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 있어서,The method according to any one of claims 1 to 6, 상기 커넥터 부분은 단일 크리스탈로 만들어지는 것을 특징으로 하는 방법.And said connector portion is made of a single crystal. 제 1 항 내지 제 7 항 중 어느 한 항에 있어서,The method according to any one of claims 1 to 7, 상기 커넥터 부분의 아래부분에 적어도 하나의 홈이 있는 것을 특징으로 하는 방법.At least one groove in the lower portion of the connector portion. 제 1 항 내지 제 8 항 중 어느 한 항에 따른 집적화 방법으로 얻을 수 있는 것을 특징으로 하는 집적화된 전자-광 디바이스.An integrated electro-optical device, which can be obtained by the integration method according to any one of claims 1 to 8. 제 9 항에 있어서,The method of claim 9, 광전자 성분이 상기 커넥터 부분의 상부에 장착되고 상기 커넥터 부분은 상기 광-전자 성분 또는 성분들로부터의 광 신호를 상기 도파관에 결합시킬 수 있고 결합을 해제할 수 있는 거울을 구비하는 것을 특징으로 하는 디바이스.A device wherein an optoelectronic component is mounted on top of the connector portion and the connector portion has a mirror capable of coupling and releasing optical signals from the opto-electronic component or components to the waveguide . 제 10 항에 있어서,The method of claim 10, 상기 도파관이 제공되는 기판에 대한 거울의 각도는 40도 보다 작거나 50도 보다 큰 것을 특징으로 하는 디바이스.Wherein the angle of the mirror with respect to the substrate provided with the waveguide is less than 40 degrees or greater than 50 degrees. 제 1 항 내지 제 8 항 중 어느 한 항에 따른 집적화 방법의 사용에 적합한 커넥터 부분을 구비하는 모듈에 있어서,A module comprising a connector portion suitable for use of the integration method according to any one of claims 1 to 8, wherein 상기 모듈상에 적어도 하나의 광전자 성분이 장착되는 것을 특징으로 하는 모듈.At least one optoelectronic component mounted on the module. 제 1 항 내지 제 8 항 중 어느 한 항에 따른 집적화 방법의 사용에 적합한 것을 특징으로 하는 커넥터 부분.A connector part, which is suitable for the use of the integration method according to any one of claims 1 to 8. 제 13 항에 있어서,The method of claim 13, 상기 커넥터 부분의 아래쪽에 하나 또는 그 이상의 홈이 있는 것을 특징으로 하는 커넥터 부분.And at least one groove in the lower portion of the connector portion.
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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100770853B1 (en) * 2006-02-09 2007-10-26 삼성전자주식회사 Optical module
KR200480731Y1 (en) 2015-06-19 2016-06-30 주식회사 이엘텍 unified duct for air-conditioner for a cabin of construction heavy equipment
KR20200000633U (en) 2018-09-12 2020-03-20 주식회사 이엘텍 Air conditioner for a cabin of heavy equipment
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Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE19929878A1 (en) * 1999-06-29 2001-01-04 Bosch Gmbh Robert Support comprises a silicon body having a part with a reflecting surface and a part for receiving an optoelectronic component

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06204566A (en) * 1992-10-14 1994-07-22 Fujitsu Ltd Package for coupling optical fiber and optical device and optical fiber/optical device module
ES2105050T3 (en) * 1992-11-25 1997-10-16 Bosch Gmbh Robert ARRANGEMENT FOR THE COUPLING OF END OF GUIDES OF WAVES OF LIGHT TO ELEMENTS OF EMISSION OR RECEPTION.
EP0617303A1 (en) * 1993-03-19 1994-09-28 Akzo Nobel N.V. A method of integrating a semiconductor component with a polymeric optical waveguide component, and an electro-optical device comprising an integrated structure so attainable

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100770853B1 (en) * 2006-02-09 2007-10-26 삼성전자주식회사 Optical module
US7406229B2 (en) 2006-02-09 2008-07-29 Samsung Electronics Co., Ltd. Optical module
KR200480731Y1 (en) 2015-06-19 2016-06-30 주식회사 이엘텍 unified duct for air-conditioner for a cabin of construction heavy equipment
KR20200000633U (en) 2018-09-12 2020-03-20 주식회사 이엘텍 Air conditioner for a cabin of heavy equipment
KR20200000650U (en) 2018-09-17 2020-03-25 주식회사 이엘텍 Air conditioning system for folklift using battery of the electric folklif

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