KR20000003322A - 다중 연마판을 갖는 화학기계적 연마장치 - Google Patents

다중 연마판을 갖는 화학기계적 연마장치 Download PDF

Info

Publication number
KR20000003322A
KR20000003322A KR1019980024549A KR19980024549A KR20000003322A KR 20000003322 A KR20000003322 A KR 20000003322A KR 1019980024549 A KR1019980024549 A KR 1019980024549A KR 19980024549 A KR19980024549 A KR 19980024549A KR 20000003322 A KR20000003322 A KR 20000003322A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
plate
wafer
polishing
chemical mechanical
slurry
Prior art date
Application number
KR1019980024549A
Other languages
English (en)
Inventor
김희진
Original Assignee
김영환
현대전자산업 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 김영환, 현대전자산업 주식회사 filed Critical 김영환
Priority to KR1019980024549A priority Critical patent/KR20000003322A/ko
Publication of KR20000003322A publication Critical patent/KR20000003322A/ko

Links

Classifications

    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24GRINDING; POLISHING
    • B24BMACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B37/00Lapping machines or devices; Accessories
    • B24B37/04Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces
    • B24B37/07Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces characterised by the movement of the work or lapping tool
    • B24B37/10Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces characterised by the movement of the work or lapping tool for single side lapping
    • B24B37/105Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces characterised by the movement of the work or lapping tool for single side lapping the workpieces or work carriers being actively moved by a drive, e.g. in a combined rotary and translatory movement
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24GRINDING; POLISHING
    • B24BMACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B57/00Devices for feeding, applying, grading or recovering grinding, polishing or lapping agents
    • B24B57/02Devices for feeding, applying, grading or recovering grinding, polishing or lapping agents for feeding of fluid, sprayed, pulverised, or liquefied grinding, polishing or lapping agents

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
  • Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)

Abstract

본 발명은 다중 연마판을 갖는 화학기계적 연마 장치를 개시한다. 개시된 본 발명은, 웨이퍼가 안치되는 연마판이 내판(10)과 중판(20) 및 외판(30) 3개로 분할되고, 각 판(10,20,30)은 상대 회전이 가능하게 소정 틈새를 두고 이격,배치된다. 각 판(10,20,30)은 3개의 모터(13,23,33)에 연결되어, 속도와 방향이 독립적으로 제어된다. 웨이퍼로 슬러리를 분사하는 노즐(40)이 각 판(10,20,30) 상부에 배치되는데, 노즐(40)에는 각 판(10,20,30)으로 슬러리가 균일하게 공급되도록 하기 위한 노즐공(41,42,43)이 각기 형성된다. 웨이퍼를 각 판(10,20,30)측으로 눌러서 연마하는 압착판(50)이 연마판 상부에 배치된다.

Description

다중 연마판을 갖는 화학기계적 연마 장치
본 발명은 다중 연마판을 갖는 화학기계적 연마 장치에 관한 것으로서, 보다 구체적으로는 반도체 소자에서 막들간의 절연을 위한 층간 절연막을 평탄화하기 위해 사용되는 연마판을 다중으로 구비시킨 화학기계적 연마 장치에 관한 것이다.
다층배선 구조를 갖는 반도체 소자에서, 각 배선간의 절연을 위해 배선형성전에 하부 배선상에 층간 절연막이 증착되고, 이 층간 절연막상에 상부 배선이 형성된다. 이때, 하부 배선의 표면 요철 때문에 발생하는 상부 배선의 단선 문제, 배선들 사이에 쇼트 문제를 최소화하기 위하여 상부 배선을 층간 절연막상에 형성하기 전에, 반드시 층간 절연막을 평탄화시키는 공정이 실시된다.
이러한 평탄화 공정에서 주로 사용되는 방법이 슬러리(slurry)를 이용해서 웨이퍼를 연마판에 연마하여 층간 절연막의 일정 두께를 제거하므로써, 평탄화를 이루는 화학기계적 연마법이다.
도 1은 종래의 화학기계적 연마 장치를 나타낸 것으로서, 도시된 바와 같이, 연마 패드가 구비된 연마판(1)은 회전축(2)으로 지지되어 있어서, 그 상부에 웨이퍼가 안치되도록 되어 있다. 웨이퍼를 압착하는 판(3)이 연마판(1)의 상부에 배치되어서 역시 회전축(4)으로 지지되어 있다. 한편, 슬러리를 웨이퍼상으로 공급하는 노즐(5)이 연마판(1)의 일측 상부에 배치되어 있다.
상기와 같이 구성되어서, 노즐(5)로부터 슬러리가 공급되는 상태에서, 동일 방향으로 회전되는 연마판(1)과 압착판(3)에 의해 웨이퍼가 연마되므로써, 평탄화되도록 되어 있다.
그런데, 연마 속도는 연마판과 웨이퍼 사이의 상대 속도와 압력에 비례하여 증가한다는 것은 주지된 사실이다. 이러한 원리 때문에, 웨이퍼의 가장자리 부분이 중앙보다 선속도가 증가하게 되므로써, 가장자리가 중앙보다 더 많이 연마되어 균일도가 저하되는 문제점이 있었다.
따라서, 본 발명은 상기와 같은 문제점을 해소하기 위해 안출된 것으로서, 웨이퍼의 가장자리 부분과 중앙부간의 속도를 다르게 하여, 웨이퍼 전 영역에 걸쳐서 균일하게 연마를 할 수 있는 다중 연마판을 갖는 화학기계적 연마 장치를 제공하는데 목적이 있다.
도 1은 종래의 연마 장치를 나타낸 도면
도 2 및 도 3은 본 발명에 따른 연마 장치를 나타낸 평면도 및 정면도
- 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 -
10 - 내판 20 - 중판
30 - 외판 11,21,31 - 회전축
12,22,32 - 벨트 13,23,33 - 모터
24,34 - 슬러리 배출홈 40 - 노즐
41,42,43 - 노즐공 50 - 압착판
상기와 같은 목적을 달성하기 위해 본 발명에 따른 연마 장치는 다음과 같은 구성으로 이루어진다.
웨이퍼가 안치되는 연마판이 수 개의 동심원들로 분할되고, 각 동심원들은 상대 회전이 가능하게 일정 틈새를 두고 이격배치된다. 각 동심원들에는 회전축들이 상대 회전가능하게 연결되고, 각 회전축들에 모터가 연결된다. 각 동심원의 상부에는 웨이퍼를 누르는 압착판이 배치되고, 또한 웨이퍼로 슬러리를 공급하는 노즐도 배치된다. 특히, 노즐에는 각 동심원 상부에 위치하는 노즐공이 각기 형성되어서, 각 동심원으로 슬러리가 각기 공급되어진다.
상기된 본 발명의 구성에 의하면, 연마판이 수 개의 동심원들로 구성되어서 모터에 의해 독립적인 속도로 회전운동하게 되므로써, 웨이퍼 전체를 균일하게 연마할 수가 있게 된다.
이하, 본 발명의 바람직한 실시예를 첨부도면에 의거하여 상세히 설명한다.
도 2 및 도 3은 본 발명에 따른 연마 장치를 나타낸 평면도 및 정면도이다.
도 2에 도시된 바와 같이, 연마 패드가 부착된 연마판이 수 개(본 실시예에서는 3개)의 동심원(10,20,30)들로 분할된다. 즉, 동일 중심을 갖는 내판(10)과 중판(20) 및 외판(30)으로 분할된다. 또한, 각 판(10,20,30)들은 독립적인 회전이 가능하게 이격,배치된다.
각 판(10,20,30)의 하부에는 도 3에 도시된 바와 같이, 회전축(11,21,31)이 설치된다. 내판(10)의 회전축(11)에 중판(20)의 회전축(21)이 상대 회전이 가능하게 끼워지고, 또한 중판(20)의 회전축(21)에 외판(30)의 회전축(31)이 상대 회전이 가능하게 끼워진다. 각 회전축(11,21,31)에는 3개의 벨트(12,22,32)가 연결되고, 각 벨트(12,22,32)에 독립적으로 제어되는 3개의 모터(13,23,33)가 연결된다.
웨이퍼로 슬러리를 분사하는 노즐(40)이 각 판(10,20,30) 상부에 배치된다. 노즐(40)에는 각 판(10,20,30)으로 슬러리를 공급할 수 있도록, 각 판(10,20,30) 연직 상부에 위치한 부분에 노즐공(41,42,43)들이 형성된다. 각 노즐공(41,42,43)에서 분사된 슬러리가 배출되는 배출홈(24,34)이 중판(20)과 외판(30)에 형성된다. 즉, 각 배출홈(24,34)은 각 판(10,20,30)의 틈새과 연통됨과 아울러 서로 연통된다. 한편, 웨이퍼를 각 판(10,20,30)으로 압착하는 압착판(50)이 연마판 상부에 배치되어서, 회전축(51)으로 지지된다.
이하, 상기와 같이 구성된 본 실시예의 동작을 상세히 설명한다.
종래의 기술상의 문제점을 설명하면서 언급된 바와 같이, 웨이퍼의 가장자리 부분이 선속도가 중앙보다 빨라지게 된다. 이를 보정하기 위해, 각 모터(13,23,33)를 제어하여, 외판(30) 중판(20) 및 내판(10) 차례대로 속도가 느려지게 회전시킨다. 이때, 각 판(10,20,30)의 회전 방향을 서로 반대로 할 수도 있다.
이러한 상태에서, 슬러리를 노즐(40)을 통해서 웨이퍼상으로 분사시킨다. 그리고, 압착판(50)으로 웨이퍼를 각 판(10,20,30)측으로 누르면서 회전시키게 되면, 웨이퍼의 층간 절연막이 일정한 두께로 연마된다.
이때, 슬러리는 노즐(40)에 형성된 각 노즐공(41,42,43)을 통해서 각 판(10,20,30)으로 균일한 양으로 공급되므로, 어느 한 판(10,20,30)에 슬러리가 과잉 공급 또는 적게 공급되는 것이 방지된다. 슬러리는 배출홈(24,34)를 통해서 외부로 배출된다.
상기된 바와 같이 본 발명에 의하면, 연마판이 수 개의 동심원들로 구성되고, 각 동심원들이 별도의 모터들에 의해 속도가 제어되므로써, 웨이퍼상의 층간 절연막을 균일한 두께로 연마할 수가 있게 된다.
또한, 연마판이 분할된 상태이므로, 연마판 전체를 교체할 필요없이 마모된 판만 교체하는 것이 가능하게 되어, 비용 절감이란 효과도 있다.
한편, 본 발명은 상술한 특정의 바람직한 실시예에 한정되지 아니하며, 청구범위에서 청구하는 본 발명의 요지를 벗어남이 없이 당해 발명이 속하는 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 누구든지 다양한 변경 실시가 가능할 것이다.

Claims (3)

  1. 상대회전이 가능하게 수 개의 동심원들로 분할되어, 층간 절연막이 증착된 웨이퍼가 안치되는 연마판;
    상기 연마판의 각 동심원들을 서로 다른 속도 및 방향으로 선택적으로 회전시키는 수 개의 모터;
    상기 연마판 상부에 배치되어, 상기 웨이퍼로 슬러리를 분사하는 노즐; 및
    상기 연마판 상부에 회전가능하게 배치되어, 상기 웨이퍼를 연마판측으로 압착하여 층간 절연막을 연마하는 압착판을 포함하는 것을 특징으로 하는 다중 연마판을 갖는 화학기계적 연마 장치.
  2. 제 1 항에 있어서, 상기 노즐에는, 연마판의 각 동심원들로 슬러리가 균일한 양으로 공급되도록, 각 동심원들의 연직 상부에 위치한 부분에 각기 노즐공이 형성된 것을 특징으로 하는 다중 연마판을 갖는 화학기계적 연마 장치.
  3. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 상기 중판과 외판에는 슬러리가 배출되는 홈이 서로 연통되게 형성된 것을 특징으로 하는 다중 연마판을 갖는 화학기계적 연마 장치.
KR1019980024549A 1998-06-27 1998-06-27 다중 연마판을 갖는 화학기계적 연마장치 KR20000003322A (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019980024549A KR20000003322A (ko) 1998-06-27 1998-06-27 다중 연마판을 갖는 화학기계적 연마장치

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019980024549A KR20000003322A (ko) 1998-06-27 1998-06-27 다중 연마판을 갖는 화학기계적 연마장치

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20000003322A true KR20000003322A (ko) 2000-01-15

Family

ID=19541084

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019980024549A KR20000003322A (ko) 1998-06-27 1998-06-27 다중 연마판을 갖는 화학기계적 연마장치

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR20000003322A (ko)

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH07321076A (ja) * 1994-05-24 1995-12-08 Toshiba Corp 半導体装置の製造方法と研磨装置
JPH09260318A (ja) * 1996-03-27 1997-10-03 Fujitsu Ltd ウェハ研磨方法
KR19980068782A (ko) * 1997-02-24 1998-10-26 김광호 화학기계적 연마 장치
US5921855A (en) * 1997-05-15 1999-07-13 Applied Materials, Inc. Polishing pad having a grooved pattern for use in a chemical mechanical polishing system

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH07321076A (ja) * 1994-05-24 1995-12-08 Toshiba Corp 半導体装置の製造方法と研磨装置
JPH09260318A (ja) * 1996-03-27 1997-10-03 Fujitsu Ltd ウェハ研磨方法
KR19980068782A (ko) * 1997-02-24 1998-10-26 김광호 화학기계적 연마 장치
US5921855A (en) * 1997-05-15 1999-07-13 Applied Materials, Inc. Polishing pad having a grooved pattern for use in a chemical mechanical polishing system

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US6095904A (en) Orbital motion chemical-mechanical polishing method and apparatus
US5876271A (en) Slurry injection and recovery method and apparatus for chemical-mechanical polishing process
US6056851A (en) Slurry supply system for chemical mechanical polishing
US5941758A (en) Method and apparatus for chemical-mechanical polishing
US5575706A (en) Chemical/mechanical planarization (CMP) apparatus and polish method
US6116993A (en) Chemicomechanical polishing device for a semiconductor wafer
JP3233664B2 (ja) デバイス付きウェーハのプラナリゼーションポリッシング方法及びその装置
US6273797B1 (en) In-situ automated CMP wedge conditioner
KR20000003322A (ko) 다중 연마판을 갖는 화학기계적 연마장치
JP3291946B2 (ja) 化学的機械研磨装置及び化学的機械研磨法
JPH1177515A (ja) 平面研磨装置及び研磨装置に用いる研磨布
KR20000000583A (ko) 화학 물리적 연마 장치
US6379228B2 (en) Polishing machine having a plurality of abrasive pads
KR100321551B1 (ko) 반도체 기판의 표면 요철을 제거하기 위한 반도체 웨이퍼 연마 장치
KR19980045527U (ko) 화학적 기계적 연마 장치
US6726545B2 (en) Linear polishing for improving substrate uniformity
US6379216B1 (en) Rotary chemical-mechanical polishing apparatus employing multiple fluid-bearing platens for semiconductor fabrication
KR20010017688A (ko) 웨이퍼 연마장치
KR100508863B1 (ko) 화학기계적 연마장치
KR100529434B1 (ko) 반도체 기판 연마장치의 패드 컨디셔너
KR19990024436A (ko) 화학기계적 연마장치
KR200267224Y1 (ko) 반도체 웨이퍼용 평탄화 장치
KR20050005963A (ko) 씨엠피 장치의 연마 패드
KR20000002399U (ko) 화학기계적 연마 장치
KR20010064550A (ko) 반도체 웨이퍼 연마장치

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
N231 Notification of change of applicant
E902 Notification of reason for refusal
E601 Decision to refuse application